TWI665527B - 用於缺陷認證之方法 - Google Patents

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TWI665527B TW105118632A TW105118632A TWI665527B TW I665527 B TWI665527 B TW I665527B TW 105118632 A TW105118632 A TW 105118632A TW 105118632 A TW105118632 A TW 105118632A TW I665527 B TWI665527 B TW I665527B
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Abstract

一種用於一器件製造製程之缺陷認證之電腦實施方法，該方法包含：獲得在一第一條件下使用該器件製造製程而被處理至一基板上之一區域中之一圖案之一第一影像；自該區域獲得一度量衡影像；使該度量衡影像與該第一影像對準；及基於一或多個分類準則而自該第一影像及該度量衡影像判定該區域是否含有一缺陷。

Description

用於缺陷認證之方法
本發明係關於用於判定經受器件製造製程(例如，IC製造製程)之基板上之缺陷之存在的方法。該方法可結合微影裝置或製程而使用。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱為光罩或比例光罩)可用以產生對應於IC之個別層之電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次地曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
本文中揭示一種用於一器件製造製程之缺陷認證之電腦實施方法，該方法包含：獲得在一第一條件下使用該器件製造製程而被處理至一基板上之一區域中之一圖案之一第一影像；自該區域獲得一度量衡影像；使該度量衡影像與該第一影像對準；及基於一或多個分類準則而自該第一影像及該度量衡影像判定該區域是否含有一缺陷。
根據一實施例，該區域為可含有一缺陷之區域。
根據一實施例，該方法進一步包含：若該區域含有一缺陷，則重工或捨棄該基板。
根據一實施例，該方法進一步包含獲得在一第二條件下使用該器件製造製程而被處理至該區域中之該圖案之一第二影像；及至少自該第一影像及該第二影像判定該一或多個分類準則。
根據一實施例，該第一影像及該第二影像係選自抗蝕劑影像、藉由蝕刻而形成之影像、藉由沈積而形成之影像及其一組合的一群組。
根據一實施例，該第一影像或該第二影像含有一或多個輪廓。
根據一實施例，在該第一條件下處理之該圖案不係一缺陷，且在該第二條件下處理之該圖案係一缺陷。
根據一實施例，模擬該第一影像及該第二影像中之至少一者。
根據一實施例，該一或多個分類準則包含兩個影像之間的一差是否大於該第一影像與該第二影像之間的一差。
根據一實施例，該一或多個分類準則包含一分類器是否將兩個影像分類成不同類別。
根據一實施例，獲得該度量衡影像包含藉由一掃描電子顯微鏡或一光學成像工具而獲得該度量衡影像。
根據一實施例，使該度量衡影像與該第一影像對準包含使該度量衡影像中之一輪廓與該第一影像中之一輪廓匹配。
根據一實施例，獲得該第一影像或該第二影像包含使用選自由一源模型、一投影光學件模型、一設計佈局模型、一抗蝕劑模型、一蝕刻模型、一沈積模型及其一組合組成之一群組的一或多個模型。
根據一實施例，識別可含有一缺陷之該區域包含：判定一圖案被處理至或將被處理至該區域中所根據之一條件；獲得該圖案之一製 程窗；若該條件超出該製程窗，則將該區域識別為可具有一缺陷之一區域。
根據一實施例，識別可含有一缺陷之該區域包含：模擬被處理至或將被處理至該區域中之一圖案之一影像；量測該影像之一或多個參數；基於該一或多個參數而識別該區域是否可具有一缺陷。
根據一實施例，該一或多個分類準則包含兩個影像中之輪廓之間的一差是否大於該第一影像與該第二影像中之輪廓之間的一差。
根據一實施例，該器件製造製程涉及使用一微影裝置。
根據一實施例，該方法進一步包含：若該區域含有一缺陷，則驗證該缺陷。
根據一實施例，該方法進一步包含：若未驗證該缺陷，則調整可含有一缺陷之區域之識別。
本文中揭示一種用於一器件製造製程之缺陷認證之電腦實施方法，該方法包含：獲得在一第一條件下使用一器件製造製程而處理之一圖案之一第一影像；獲得在不同於該第一條件之一第二條件下使用該器件製造製程而處理之該圖案之一第二影像；至少自該第一影像及該第二影像判定一或多個分類準則；自一基板上之一區域獲得一度量衡影像，該度量衡影像含有該圖案；基於該一或多個分類準則而自該第一影像及該度量衡影像判定該區域是否含有一缺陷。
根據一實施例，該第一影像為一先前獲得之度量衡影像。
根據一實施例，該第二影像為一先前獲得之度量衡影像。
根據一實施例，該第一影像及該第二影像係來自該基板上之不同部位。
本文中揭示一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施上文之方法中之任一者之該方法。
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
31‧‧‧源模型
32‧‧‧投影光學件模型
35‧‧‧設計佈局模型
36‧‧‧空中影像
37‧‧‧抗蝕劑模型
38‧‧‧抗蝕劑影像
39‧‧‧蝕刻或沈積模型
40‧‧‧蝕刻或沈積影像
100‧‧‧電腦系統
102‧‧‧匯流排
104‧‧‧處理器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
110‧‧‧儲存器件
112‧‧‧顯示器
114‧‧‧輸入器件
116‧‧‧游標控制件
118‧‧‧通信介面
120‧‧‧網路鏈路
122‧‧‧區域網路
124‧‧‧主機電腦
126‧‧‧網際網路服務業者(ISP)
128‧‧‧網際網路
130‧‧‧伺服器
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化 電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧氣體障壁/污染物截留器/污染截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
1000‧‧‧微影投影裝置
2000‧‧‧步驟
2110‧‧‧步驟
2120‧‧‧步驟
2210‧‧‧步驟
2220‧‧‧步驟
2300‧‧‧步驟
2310‧‧‧步驟
2320‧‧‧步驟
2410‧‧‧步驟
3100‧‧‧步驟
3200‧‧‧步驟
3300‧‧‧步驟
5000a‧‧‧部位
5000b‧‧‧部位
5000c‧‧‧部位
5000d‧‧‧部位
5000e‧‧‧部位
5000f‧‧‧部位
5000g‧‧‧部位
5000h‧‧‧部位
5000i‧‧‧部位
5000j‧‧‧部位
5000k‧‧‧部位
5000l‧‧‧部位
5100‧‧‧輪廓
5200‧‧‧輪廓
AD‧‧‧調整構件
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器/輻射收集器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧干涉量測構件(圖7)/虛擬源點/中間焦點(圖9)
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/第一物件台/圖案化器件台
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件/第一定位器
PS‧‧‧項目/投影系統/透鏡
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器件/第二定位器
SO‧‧‧輻射源/源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/第二物件台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述實施例，在該等圖式中對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1示意性地展示根據一實施例的用於缺陷認證之方法的流程圖。
圖2示意性地展示用於模擬圖1之步驟2210中之影像的流程。
圖3示意性地展示用於識別可含有缺陷之區域之方法的流程圖。
圖4示意性地展示來自圖1之步驟2210中之影像的兩個例示性輪廓。
圖5為實例電腦系統之方塊圖。
圖6為微影投影裝置之示意圖。
圖7為另一微影投影裝置之示意圖。
圖8為圖7中之裝置的更詳細視圖。
圖9為圖7及圖8之裝置之源收集器模組SO的更詳細視圖。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或曝光之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡工具或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束，諸如離子束或電子束。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的器件。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射；以此方式，經反射光束被圖案化。
支撐結構固持圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐件可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動，且其可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於(例如)所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤流體之使用或真空之使用之 其他因素的各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
照明系統亦可涵蓋各種類型之光學組件，包括用於導向、塑形或控制輻射光束的折射、反射及反射折射光學組件，且此等組件亦可在下文中被集體地或單個地稱作「透鏡」。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
微影裝置可用於器件製造製程，在此製程中可將各種圖案處理至基板上。舉例而言，微影裝置可使圖案化器件上所表示之設計佈局之各種圖案成像至基板上之抗蝕劑層上。此成像製程可被稱為微影製程。器件製造製程可包括諸如蝕刻及沈積之其他步驟。器件製造製程可具有可調諧或不可調諧之許多參數。此等參數可被稱作處理參數。處理參數可導致器件製造製程之產品中之缺陷。舉例而言，缺陷可為被處理至基板上之圖案，但該經處理圖案並不在其規格內。缺陷之實例包括頸縮、線拉回、線變薄、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及橋接。缺陷之概念與製程窗之概念密切連結。圖案之製程窗為處理參數之值之空間--其中若圖案將被處理所根據之處理參數之值係在製程窗內，則如此處理之該圖案將在規格內。
不同圖案可具有不同製程窗。待處理至基板之區域上之圖案之製程窗可藉由將彼區域內之每一個別圖案之製程窗合併(例如，使彼 區域內之每一個別圖案之製程窗重疊)來獲得。所有圖案之製程窗之邊界含有一些個別圖案之製程窗之邊界。換言之，此等個別圖案限制所有圖案之製程窗。此等圖案可被稱作「熱點」或「製程窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「製程窗限制圖案(PWLP)」可在本文中可互換地使用。當控制器件製造製程時，有可能集中於PWLP且集中於PWLP係低成本的。當PWLP無缺陷時，最可能所有圖案都無缺陷。
處理參數可隨著基板上之位置且隨著時間(例如，在若干基板之間、在若干晶粒之間)變化。此等變化可由諸如溫度及濕度之環境改變造成。此等變化之其他原因可包括處理裝置中之諸如源、投影光學件、基板台之一或多個組件之漂移，微影裝置中之基板表面之高度變化等等。圖案被處理至基板上所根據之處理參數之實際值可有用於預測該圖案是否為缺陷或該圖案為缺陷之機率。
可使基板上之哪一圖案或哪一區域經受檢測之指示至少部分基於該圖案是否為缺陷或該區域是否含有缺陷抑或該圖案為缺陷之機率或該區域含有缺陷之機率。
基板之檢測可包括對基板之某種量測。舉例而言，檢測可包括諸如繞射之光學量測；檢測可包括使用光學或電子顯微鏡(例如，SEM)進行成像。使用來自檢測之資料判定在基板上之區域中實際上是否存在缺陷(其被稱為「缺陷認證」或簡單地「認證」)可不直接了當。用於認證之一種途徑比較檢測資料(例如，SEM影像)與設計佈局之圖案，但不比較檢測資料與被處理至基板上之圖案。用於缺陷認證之此途徑受到檢測資料之品質限制--若檢測資料不能解析缺陷，則該缺陷不能被認證。舉例而言，若檢測資料來自SEM影像且SEM影像解析度太不良而不能反映該缺陷，則僅僅檢測SEM影像將未判定出實際上是否存在缺陷。使用檢測資料以用於缺陷認證常常需要人審閱檢測資料，此為主觀的且人審閱能力無法容易地按比例提高。用於認證 之另一途徑比較自一區域或一圖案獲得之檢測資料與自另一區域或另一圖案獲得之檢測資料。此途徑亦受到檢測資料之品質限制。假影、雜訊及未對準亦可阻礙使用此途徑進行可靠缺陷認證。
圖1示意性地展示根據一實施例的用於缺陷認證之方法的流程圖。在步驟2000中，識別基板上之一區域，其中該區域可含有缺陷。在步驟2210中，獲得在第一條件下被處理至該區域中之圖案之第一影像及在第二條件下被處理至該區域中之圖案之第二影像。術語「條件」可意謂處理參數之值集合。第一影像及第二影像可為抗蝕劑影像、藉由蝕刻而形成於基板中之影像、藉由沈積而形成於基板上之影像等等。影像可包括圖案之一或多個輪廓。第一條件及第二條件可包括「良好」條件(亦即，圖案並非缺陷所根據之條件)及「不良」條件(亦即，圖案為缺陷所根據之條件)。舉例而言，第一條件可為「良好」條件且第二條件可為「不良」條件。第一條件及第二條件兩者可為「良好」但不同條件(例如，一條件在製程窗之中心且另一條件遠離製程窗之中心)。可使用合適模擬方法來模擬影像。經模擬影像相比於與設計佈局中之圖案之形狀之類似程度可更佳地類似於被處理至區域中之實際圖案，此係因為模擬可考量自器件製造製程(例如，蝕刻、微影等等)對影像之影響。經模擬影像可不具有雜訊或自實體樣本獲得之影像之影像移位。在步驟2220中，至少自第一影像及第二影像判定一或多個分類準則。一或多個分類準則可包括兩個影像之間的差是否大於第一影像與第二影像之間的差。一或多個分類準則可包括分類器是否將兩個影像分類成不同類別。術語「分類器」參考藉由將輸入資料映射至類別之分類演算法而實施之數學函數。可對在「良好」條件下獲得之影像進行步驟2220且對在「不良」條件下獲得之多個影像進行步驟2220。可對在兩個「良好」條件下之兩個影像進行步驟2220。在步驟2110中，自區域獲得度量衡影像。可使用合適度量衡 工具來獲得度量衡影像。舉例而言，可使用掃描電子顯微鏡(SEM)或光學成像工具獲得度量衡影像。在步驟2120中，將在步驟2110中獲得之度量衡影像對準至在步驟2210中獲得(例如，經模擬)之第一(或第二，或此兩者)影像。舉例而言，對準可藉由辨識在步驟2110中獲得之度量衡影像中之輪廓與第一(或第二)影像中之輪廓且使此等輪廓匹配來進行。在步驟2300中，基於步驟2220中判定之一或多個分類準則而自第一(或第二)影像及步驟2110中獲得之度量衡影像判定區域是否含有缺陷。若符合一或多個分類準則，則方法到達判定出(2310)區域含有缺陷；若不符合一或多個分類準則，則方法到達判定出(2320)區域不含有缺陷。舉例而言，當在步驟2220中判定之一或多個分類準則為兩個影像之間的差是否大於第一影像與第二影像之間的差時，若在步驟2110中獲得之度量衡影像與第一(或第二)影像之間的差大於第一影像與第二影像之間的差，則方法以判定出(2310)區域含有缺陷而結束。若方法到達判定出(2310)區域含有缺陷，則可重工或捨棄基板。若方法在選用步驟2410中到達判定(2130)，則驗證區域實際上是否具有缺陷。若區域實際上不具有缺陷，則可調整用於步驟2000中以識別可能具有缺陷之區域之方法(例如，圖3中所展示之方法)。舉例而言，若用於步驟2000中之方法藉由比較區域被處理所根據之條件與區域之製程窗而識別可能具有缺陷之區域，則可調整製程窗。可使步驟2300自動化(亦即，在無人干預的情況下進行)。步驟2310亦可量測度量衡影像與第一(或第二，或此兩者)影像之偏差，且若該偏差大於一臨限值，則可捨棄該度量衡影像或可檢測度量衡工具之故障。由圖1中之流程圖表示之方法可較不易受度量衡資料中之雜訊影響且可較準確。
可在步驟2210中使用圖2中所表示之例示性流程來模擬第一影像或第二影像。源模型31表示源之光學特性(包括輻射強度分佈及/或相 位分佈)。投影光學件模型32表示投影光學件之光學特性(包括由投影光學件造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。設計佈局模型35表示設計佈局之光學特性(包括由給定設計佈局33造成的對輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，該設計佈局為在圖案化器件上或由圖案化器件形成之特徵之配置的表示。可自設計佈局模型35、投影光學件模型32及設計佈局模型35模擬空中影像36。可使用抗蝕劑模型37而自空中影像36模擬抗蝕劑影像38。視情況，可使用蝕刻或沈積模型39而自抗蝕劑影像38模擬蝕刻或沈積影像40。
更具體言之，應注意，源模型31可表示源之光學特性，該等光學特性包括但不限於NA均方偏差(σ)設定，以及任何特定照明源形狀(例如，離軸輻射源，諸如環形、四極及偶極等等)。投影光學件模型32可表示投影光學件之光學特性，該等光學特性包括像差、失真、折射率、實體大小、實體尺寸等等。設計佈局模型35亦可表示實體圖案化器件之實體屬性，如(例如)全文以引用方式併入本文中之美國專利第7,587,704號中所描述。
可在步驟2000中使用任何合適方法來獲得或識別可含有缺陷之區域。圖3示意性地展示用於一個此類方法(其藉由判定藉由器件製造製程而被處理至區域中之圖案是否為缺陷或該等圖案為缺陷之機率而識別區域)之流程圖可包括以下步驟。在步驟3200中，判定圖案實際上被處理或實際上將被處理(例如，成像或經蝕刻至基板上)所根據之條件(亦即，處理參數之值)。處理參數可為局域的--取決於圖案之部位、晶粒之部位，或此兩者。處理參數可為全域的--與圖案及晶粒之部位無關。一種用以判定條件之例示性方式為判定微影裝置之狀態。舉例而言，可自微影裝置量測雷射頻寬、焦點、劑量、源參數、投影光學件參數及此等參數之空間或時間變化。另一例示性方式為自對基板執行之度量衡獲得之資料推斷條件，或自處理裝置之操作員推斷條 件。舉例而言，度量衡可包括使用繞射工具(例如，ASML YieldStar)、電子顯微鏡或其他合適檢測工具來檢測基板。可在處理圖案之前(且較佳緊接在處理圖案之前)判定條件。在步驟3100中，判定圖案之製程窗(例如，重疊製程窗(OPW))。在步驟3300中，使用圖案實際上被處理或實際上將被處理所根據之條件來判定圖案是否為缺陷或圖案為缺陷之機率。此判定可簡單地比較區域之條件與製程窗--若條件屬於製程窗，則該區域並未經識別為可具有缺陷之區域；若處理參數超出製程窗(或在製程窗之邊界附近)，則該區域經識別為可具有缺陷之區域。亦可使用合適經驗模型(包括統計模型)來進行此判定。舉例而言，分類模型可用以提供缺陷之存在機率。用以作出此判定之另一方式為使用計算模型以模擬圖案之影像、量測影像之參數，且基於該等參數而識別區域是否可具有缺陷。在一實施例中，可緊接在處理圖案或基板之後(亦即，在處理圖案或下一基板之前)判定處理參數。缺陷之經判定存在及/或特性可用作用於處置(重工或驗收)之決策之基礎。在一實施例中，處理參數可用以演算微影參數之移動平均值。移動平均值係用以捕捉微影參數之長期飄移，而不受到短期波動擾亂。
步驟2220中判定之一或多個分類準則可為任何合適準則。舉例而言，可比較第一影像之輪廓與第二影像之輪廓，且第一影像與第二影像之間的差可由該等輪廓之間的差表示。圖4示意性地展示分別來自第一影像及第二影像之兩個例示性輪廓5100及5200。舉例而言，各種部位(例如，部位5000a至5000l)處之距離之平方總和可用以表示第一影像與第二影像之間的差。替代地，該等輪廓之參數可用於分類器之訓練集中。可自影像擷取之參數判定其他可能準則，該等參數係諸如CD、EPE、輪廓面積、正規化輪廓面積、可接受輪廓界限等等。
圖5為說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程之電腦系統 100的方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之一處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在待由處理器104執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且該儲存器件110耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該器件指定在一平面中之位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入器件。
根據一項實施例，可由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中所含有之一或多個指令之一或多個序列而執行最佳化製程之部分。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中所含有之指令序列之執行使處理器104執行本文中所描述之製程步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體106中含有之指令序列。在一替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文中之描述 不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，其包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。舉例而言，常見形式之電腦可讀媒體包括軟碟、可撓性碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體106擷取及執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在供處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。
電腦系統100亦較佳包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦接，網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路 (ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路鏈路120通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而向主機電腦124或向由網際網路服務業者(ISP)126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」)128而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的例示性形式之載波。
電腦系統100可經由該(該等)網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息且接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。一個此類經下載應用程式可提供(例如)實施例之照明最佳化。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式之應用程式碼。
圖6示意性地描繪可利用本文中所描述之方法而最佳化照明源的例示性微影投影裝置。該裝置包含： - 照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定狀況下，照明系統亦包含輻射源SO； - 第一物件台(例如，光罩台)MT，其具備用以固持圖案化器件MA(例如，光罩)之圖案化器件固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該圖案化器件之第一定位器； - 第二物件台(基板台)WT，其具備用以固持基板W(例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該基板之第二定位器； - 投影系統(「透鏡」)PS(例如，折射、反射或反射折射光學系統)，其用以將圖案化器件MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如本文中所描繪，裝置屬於透射類型(亦即，具有透射光罩)。然而，一般而言，其亦可屬於(例如)反射類型(具有反射光罩)。替代地，裝置可使用另一種類之圖案化器件作為對經典光罩之使用的替代例；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。
源SO(例如，水銀燈或準分子雷射)產生輻射光束。舉例而言，此光束係直接地抑或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節構件之後饋入至照明系統(照明器)IL中。照明器IL可包含調整構件AD以用於設定光束中之強度分佈之外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL通常將包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於圖案化器件MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
關於圖6應注意，源SO可在微影投影裝置之外殼內(此常常為當源SO為(例如)水銀燈時之狀況)，但其亦可在微影投影裝置遠端，其所產生之輻射光束被導引至該裝置中(例如，憑藉合適導向鏡面)；此後一情境常常為當源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F2雷射作用)時之狀況。
光束B隨後截取被固持於圖案化器件台MT上之圖案化器件MA。 在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束B傳遞通過透鏡PS，該透鏡將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件IF)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。相似地，第一定位構件可用以(例如)在自圖案化器件庫對圖案化器件MA之機械擷取之後或在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉未在圖6中明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在晶圓步進器(相對於步進掃描工具)之狀況下，圖案化器件台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。
所描繪工具可用於兩種不同模式中：- 在步進模式中，將圖案化器件台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化器件影像一次性投影((亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。接著在x及/或y方向上使基板台WT移位，使得不同目標部分C可由光束B輻照；- 在掃描模式中，基本上相同情境適用，惟在單次「閃光」中不曝光給定目標部分C除外。取而代之，圖案化器件台MT可在給定方向(所謂「掃描方向」，例如，y方向)上以速度v移動，使得造成投影光束B遍及圖案化器件影像進行掃描；同時發生地，基板台WT以速度V=Mv在相同或相對方向上同時地移動，其中M為透鏡PS之放大率(通常，M=1/4或=1/5)。以此方式，可在不必損害解析度之情況下曝光相對大目標部分C。
圖7示意性地描繪可利用本文中所描述之方法而最佳化照明源的另一例示性微影投影裝置1000。
微影投影裝置1000包括：- 源收集器模組SO； - 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置1000屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以光罩可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一項實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生甚至更小波長。因為大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，所以圖案化器件構形(topography)上之經圖案化吸收材料薄片段(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。
參看圖7，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖7中未繪示)的EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電 漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置1000可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投 影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
圖8更詳細地展示裝置1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由引起至少部分地離子化電漿之放電而產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作 污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中為吾人所知，本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240被反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束21之反射後，形成經圖案化光束26，且由投影系統PS經由反射元件28、30將經圖案化光束26成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖8所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖8所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常 被稱為DPP源)予以使用。
替代地，源收集器模組SO可為如圖9中所展示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193奈米波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157奈米波長之極紫外線(EUV)、DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20奈米至5奈米之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。
可使用以下條項來進一步描述本發明：
1.一種用於一器件製造製程之缺陷認證之電腦實施方法，該方法包含：獲得在一第一條件下使用該器件製造製程而被處理至一基板上之一區域中之一圖案之一第一影像；自該區域獲得一度量衡影像；使該度量衡影像與該第一影像對準；及基於一或多個分類準則而自該第一影像及該度量衡影像判定該區域是否含有一缺陷。
2.如條項1之方法，其中該區域為可含有一缺陷之區域。
3.如條項1至2中任一項之方法，其進一步包含若該區域含有一缺陷，則重工或捨棄該基板。
4.如條項1至3中任一項之方法，其進一步包含：獲得在一第二條件下使用該器件製造製程而被處理至該區域中之該圖案之一第二影像；及至少自該第一影像及該第二影像判定該一或多個分類準則。
5.如條項4之方法，其中該第一影像及該第二影像係選自抗蝕劑影像、藉由蝕刻而形成之影像、藉由沈積而形成之影像及其一組合的一群組。
6.如條項4至5中任一項之方法，其中該第一影像或該第二影像含有一或多個輪廓。
7.如條項4至6中任一項之方法，其中在該第一條件下處理之該圖案不係一缺陷，且在該第二條件下處理之該圖案係一缺陷。
8.如條項4至7中任一項之方法，其中模擬該第一影像及該第二影像中之至少一者。
9.如條項1至8中任一項之方法，其中該一或多個分類準則包含兩個影像之間的一差是否大於該第一影像與該第二影像之間的一差。
10.如條項1至9中任一項之方法，其中該一或多個分類準則包含一分類器是否將兩個影像分類成不同類別。
11.如條項1至10中任一項之方法，其中獲得該度量衡影像包含藉由一掃描電子顯微鏡或一光學成像工具而獲得該度量衡影像。
12.如條項1至11中任一項之方法，其中使該度量衡影像與該第一影像對準包含使該度量衡影像中之一輪廓與該第一影像中之一輪廓匹配。
13.如條項1至12中任一項之方法，其中獲得該第一影像或該第二影像包含使用選自由一源模型、一投影光學件模型、一設計佈局模型、一抗蝕劑模型、一蝕刻模型、一沈積模型及其一組合組成之一群組的一或多個模型。
14.如條項1至13中任一項之方法，其中識別可含有一缺陷之該 區域包含：判定一圖案被處理至或將被處理至該區域中所根據之一條件；獲得該圖案之一製程窗；若該條件超出該製程窗，則將該區域識別為可具有一缺陷之一區域。
15.如條項1至14中任一項之方法，其中識別可含有一缺陷之該區域包含：模擬被處理至或將被處理至該區域中之一圖案之一影像；量測該影像之一或多個參數；基於該一或多個參數而識別該區域是否可具有一缺陷。
16.如條項1至15中任一項之方法，其中該一或多個分類準則包含兩個影像中之輪廓之間的一差是否大於該第一影像與該第二影像中之輪廓之間的一差。
17.如條項1至16中任一項之方法，其中該器件製造製程涉及使用一微影裝置。
18.如條項1至17中任一項之方法，其進一步包含：若該區域含有一缺陷，則驗證該缺陷。
19.如條項18之方法，其進一步包含：若未驗證該缺陷，則調整可含有一缺陷之區域之識別。
20.一種用於一器件製造製程之缺陷認證之電腦實施方法，該方法包含：獲得在一第一條件下使用一器件製造製程而處理之一圖案之一第一影像；獲得在不同於該第一條件之一第二條件下使用該器件製造製程而處理之該圖案之一第二影像；至少自該第一影像及該第二影像判定一或多個分類準則； 自一基板上之一區域獲得一度量衡影像，該度量衡影像含有該圖案；基於該一或多個分類準則而自該第一影像及該度量衡影像判定該區域是否含有一缺陷。
21.如條項20之方法，其中該第一影像為一先前獲得之度量衡影像。
22.如條項20之方法，其中該第二影像為一先前獲得之度量衡影像。
23.如條項20之方法，其中該第一影像及該第二影像係來自該基板上之不同部位。
24.一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至23中任一項之方法。
雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示之概念可用於任何類型之微影成像系統，(例如)用於在除了矽晶圓以外的基板上之成像的微影成像系統。
以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。

Claims (15)

  1. 一種用於一器件製造製程之缺陷認證(defect validation)之電腦實施方法，該方法包含：識別可包含一缺陷之一區域；接著(then)獲得在一第一條件下使用該器件製造製程而被處理(processed)至一基板上之該區域中之一圖案之一第一影像；自該區域獲得一度量衡影像；使該度量衡影像與該第一影像對準；及基於一或多個分類準則(classification criteria)而自該第一影像及該度量衡影像判定該區域是否含有一缺陷。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含：若該區域含有一缺陷，則重工或捨棄該基板。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含：獲得在一第二條件下使用該器件製造製程而被處理至該區域中之該圖案之一第二影像；及至少自該第一影像及該第二影像判定該一或多個分類準則。
  4. 如請求項3之方法，其中該第一影像及該第二影像係選自抗蝕劑影像、藉由蝕刻而形成之影像、藉由沈積而形成之影像及其一組合的一群組。
  5. 如請求項4之方法，其中該第一影像或該第二影像含有一或多個輪廓。
  6. 如請求項3之方法，其中在該第一條件下處理之該圖案不係一缺陷，且在該第二條件下處理之該圖案係一缺陷。
  7. 如請求項3之方法，其中模擬該第一影像及該第二影像中之至少一者。
  8. 如請求項1之方法，其中獲得該度量衡影像包含藉由一掃描電子顯微鏡或一光學成像工具而獲得該度量衡影像。
  9. 如請求項1之方法，其中使該度量衡影像與該第一影像對準包含：使該度量衡影像中之一輪廓與該第一影像中之一輪廓匹配。
  10. 如請求項1之方法，其中識別可含有一缺陷之該區域包含：判定一圖案被處理至或將被處理至該區域中所根據之一條件；獲得該圖案之一製程窗；若該條件超出該製程窗，則將該區域識別為可具有一缺陷之一區域。
  11. 如請求項1之方法，其中識別可含有一缺陷之該區域包含：模擬被處理至或將被處理至該區域中之一圖案之一影像；量測該影像之一或多個參數；基於該一或多個參數而識別該區域是否可具有一缺陷。
  12. 如請求項3之方法，其中該一或多個分類準則包含兩個影像之間的一差是否大於該第一影像與該第二影像之間的一差，或其中該一或多個分類準則包含兩個影像中之輪廓之間的一差是否大於該第一影像與該第二影像中之輪廓之間的一差，或其中該一或多個分類準則包含一分類器是否將兩個影像分類成不同類別。
  13. 如請求項1之方法，其進一步包含：若該區域含有一缺陷，則驗證該缺陷。
  14. 一種用於一器件製造製程之缺陷認證之電腦實施方法，該方法包含：識別可包含一缺陷的一區域；接著獲得在一第一條件下使用一器件製造製程而處理之一圖案之一第一影像；獲得在不同於該第一條件之一第二條件下使用該器件製造製程而處理之該圖案之一第二影像；至少自該第一影像及該第二影像判定一或多個分類準則；自一基板上之該區域獲得一度量衡影像，該度量衡影像含有該圖案；基於該一或多個分類準則而自該第一影像及該度量衡影像判定該區域是否含有一缺陷。
  15. 一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1之方法。
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