JP2013530308A - 物理的気相堆積用のチャンバ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 物理的気相堆積用のチャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)であって、
ハウジング(210、310、410、510、610、710、910、1010)と、
前記ハウジングを開閉するためのドア(220、320、420、520、620、720、920、1020、1100、1220)と、
ターゲット(230)を受けるための軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)であって、第1の方向(260)に配向された軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)と
を備え、
前記ターゲットが前記第1の方向において前記チャンバから少なくとも部分的に取出し可能となるように構成される、チャンバ。 - 前記チャンバの軸受側部が、前記第1の方向(260)に対して実質的に垂直な第2の方向(270)においては、前記軸受側部の対向側部よりも大きな延在範囲を有する、請求項1に記載のチャンバ。
- 前記ハウジング(510)は、軸受側部の対向側部に少なくとも1つのターゲット開孔(480)を備え、前記ターゲット開孔は、前記ターゲット(230)の断面サイズを少なくとも有する、請求項1に記載のチャンバ。
- 前記ハウジング(510)および前記ドア(520)は、重畳部分を有し、前記ドアは、前記ハウジングの前記ターゲット開孔(480)をロックする、請求項3に記載のチャンバ。
- 前記軸受(640、740、1140、1240)は、前記ドア内に配置される、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のチャンバ。
- 少なくとも1つのターゲット(230)および基板を受けるように構成された物理的気相堆積用のチャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)であって、
ハウジング(210、310、410、510、610、710、910、1010)と、
前記チャンバを開閉するためのドア(220、320、420、520、620、720、920、1020、1100、1220)と、
前記ターゲットを取り付けるための少なくとも1つの軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)であって、前記ドアに装着される軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)と
を備える、チャンバ。 - 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、前記少なくとも1つの軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)を備える軸受側部をさらに備え、前記ターゲット(230)は、前記チャンバの第1の方向(260)において前記チャンバから取出し可能であり、前記第1の方向は、前記チャンバの前記軸受側部から前記軸受側部の対向側部まで延びる、請求項6に記載のチャンバ。
- 前記ドア(220、320、420、520、620、720、920、1020、1100、1220)の形状が、前記第1の方向(260)に対しては実質的に対称であり、前記第1の方向に対して実質的に垂直な第2の方向(270)に対しては非対称である、請求項1ないし7のいずれか一項に記載のチャンバ。
- 前記ハウジング(210、310、410、510、610、710、910、1010)の形状が、前記第1の方向(260)に対しては実質的に対称であり、前記第1の方向に対して実質的に垂直な第2の方向(270)に対しては非対称である、請求項1ないし8のいずれか一項に記載のチャンバ。
- 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、2つ以上のドアを備える、請求項1ないし9のいずれか一項に記載のチャンバ。
- 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、スパッタリングプロセス用のチャンバである、請求項1ないし10のいずれか一項に記載のチャンバ。
- 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、回転ターゲット用のチャンバである、請求項1ないし11のいずれか一項に記載のチャンバ。
- 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、ターゲットを駆動するための駆動ユニット(360、760)をさらに備える、請求項1ないし12のいずれか一項に記載のチャンバ。
- 前記少なくとも1つの軸受(240、340、440、540、640、740、1140)は、スパッタカソードを受けるように構成される、請求項1ないし13のいずれか一項に記載のチャンバ。
- 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、約1.5m超の基板用に構成される、請求項1ないし14のいずれか一項に記載のチャンバ。
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TWI700750B (zh) * | 2017-01-24 | 2020-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於介電薄膜的選擇性沉積之方法及設備 |
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WO2022058014A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | Applied Materials, Inc. | Cathode assembly, deposition apparatus and method for sputter deposition |
WO2023110105A1 (en) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Applied Materials, Inc. | Cathode assembly, deposition apparatus and method for sputter deposition |
NL2030360B1 (en) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | Leydenjar Tech B V | Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposition Apparatus |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5924758U (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-16 | 株式会社徳田製作所 | スパツタリング装置 |
JP2002515940A (ja) * | 1995-10-27 | 2002-05-28 | バンデルストラーテン エー.ベーファウベーアー | 回転式円筒状マグネトロンターゲットをスピンドルに取り付ける装置 |
JP2002155356A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Asahi Glass Co Ltd | 円筒状ターゲット及びその製造方法 |
JP2006257546A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-28 | Applied Films Gmbh & Co Kg | 基板をコーティングするためのシステムおよびインサート要素 |
JP2008510066A (ja) * | 2004-08-12 | 2008-04-03 | フォン アルデンヌ アンラジェンテクニック ゲーエムベーハー | 自浄式ターゲットを有する円筒状マグネトロン |
JP2008517150A (ja) * | 2004-10-18 | 2008-05-22 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック |
JP2008523251A (ja) * | 2004-12-14 | 2008-07-03 | ヴェー ツェー ヘレーウス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ターゲット管と支持管との間に配置された結合層を備える管状ターゲット |
JP2008533297A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | 単一の直角エンドブロック |
US20090260983A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Angstrom Sciences, Inc. | Cylindrical Magnetron |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4519885A (en) * | 1983-12-27 | 1985-05-28 | Shatterproof Glass Corp. | Method and apparatus for changing sputtering targets in a magnetron sputtering system |
US5824197A (en) * | 1996-06-05 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Shield for a physical vapor deposition chamber |
US6254745B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-07-03 | Tokyo Electron Limited | Ionized physical vapor deposition method and apparatus with magnetic bucket and concentric plasma and material source |
US7097744B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling darkspace gap in a chamber |
US20050005846A1 (en) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Venkat Selvamanickam | High throughput continuous pulsed laser deposition process and apparatus |
JP2005213585A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Konica Minolta Opto Inc | マグネトロンスパッタ装置 |
US7824528B2 (en) * | 2004-10-18 | 2010-11-02 | Bekaert Advanced Coatings | End-block for a rotatable target sputtering apparatus |
CN1827545B (zh) * | 2005-03-03 | 2012-11-07 | 应用材料两合股份有限公司 | 涂敷基底的系统及插入元件 |
US20070134500A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-14 | Klaus Hartig | Sputtering targets and methods for depositing film containing tin and niobium |
US20100101949A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Rotatable sputter target backing cylinder, rotatable sputter target, method of producing a rotatable sputter target, and coating installation |
-
2010
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5924758U (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-16 | 株式会社徳田製作所 | スパツタリング装置 |
JP2002515940A (ja) * | 1995-10-27 | 2002-05-28 | バンデルストラーテン エー.ベーファウベーアー | 回転式円筒状マグネトロンターゲットをスピンドルに取り付ける装置 |
JP2002155356A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Asahi Glass Co Ltd | 円筒状ターゲット及びその製造方法 |
JP2008510066A (ja) * | 2004-08-12 | 2008-04-03 | フォン アルデンヌ アンラジェンテクニック ゲーエムベーハー | 自浄式ターゲットを有する円筒状マグネトロン |
JP2008517150A (ja) * | 2004-10-18 | 2008-05-22 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック |
JP2008523251A (ja) * | 2004-12-14 | 2008-07-03 | ヴェー ツェー ヘレーウス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ターゲット管と支持管との間に配置された結合層を備える管状ターゲット |
JP2006257546A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-28 | Applied Films Gmbh & Co Kg | 基板をコーティングするためのシステムおよびインサート要素 |
JP2008533297A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | 単一の直角エンドブロック |
US20090260983A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Angstrom Sciences, Inc. | Cylindrical Magnetron |
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