JP2013530308A - 物理的気相堆積用のチャンバ - Google Patents

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Abstract

物理的気相堆積用のチャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)が提供される。このチャンバは、ハウジング(210、310、410、510、610、710、910、1010)と、ハウジングを開閉するためのドア(220、320、420、520、620、720、920、1020、1100、1220)と、ターゲット(230)を受けるための軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)であって、第1の方向(260)に配向された軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)とを備える。さらに、チャンバは、ターゲットが第1の方向においてチャンバから少なくとも部分的に取出し可能となるように構成される。一実施形態によれば、物理的気相堆積用のチャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)が提供される。このチャンバは、少なくとも1つのターゲット(230)および基板を受けるように構成される。このチャンバは、ハウジングと、ドアと、ターゲットを取り付けるための少なくとも1つの軸受であって、ドアに装着される軸受とを備える。

Description

本発明の実施形態は、物理的気相堆積用のチャンバに関する。詳細には、本発明の実施形態は、ドアおよびハウジングを備えるチャンバに関する。特に、本発明の実施形態は、スパッタ堆積チャンバに関する。さらに、実施形態は、物理的気相堆積用のチャンバのメンテナンスの方法に関する。本発明の実施形態は、薄膜およびコーティングの堆積において使用される装置、プロセス、および材料を伴うナノ製造技術ソリューションに関し、代表例には、半導体材料および半導体デバイス、誘電体材料および誘電体デバイス、シリコンベースウエハ、フラットパネルディスプレイ(TFTなど)、マスクおよびフィルタ、エネルギー変換およびエネルギー貯蔵(光電池、燃料電池、およびバッテリなど)、固体照明(LEDおよびOLEDなど)、磁気ストレージおよび光学ストレージ、微小電気機械システム(MEMS)、ナノ電気機械システム(NEMS)、微小光学デバイスおよび光電子デバイス、建築用ガラスおよび自動車用ガラス、金属フォイル、金属パッケージング、ポリマーフォイル、およびポリマーパッケージング用のメタライゼーションシステム、ならびに微小成形およびナノ成形を伴うアプリケーションが含まれる(しかしそれらに限定されない)。
物理的気相堆積は、多様なアプリケーションに対してしばしば利用される。例えば、CDおよびDVDなどの様々なデータ媒体が、物理的気相堆積プロセスにおいて被覆される。しかし、フォイル、工具、およびマイクロ電子デバイスもまた、この方法により生産される。任意には、物理的気相堆積用のチャンバは、上に材料が堆積されることとなる基板と、この材料の発生源となるターゲットとを備える。
ほぼ全ての金属が、蒸着されることとなる材料として使用し得る。プロセスガスが、物理的気相堆積チャンバ内に導入される。しばしば、ターゲットは、カソードとして使用され、基板は、アノードとして使用される。アノードとカソードとの間に電圧を印加することにより、アノードとカソードとの間のガスが、プラズマとなる。プロセスガスのプラズマ中の粒子は、ターゲットと反応し、ターゲット材料から粒子を放出させ得る。ターゲット材料の粒子は、基板の表面上に堆積される。
ターゲットの堆積材料が使い果たされると、ターゲットは、チャンバから取り出さなければならず、新たなターゲットと取り換えられなければならない。また、チャンバは、時折洗浄により、ターゲット材料粒子の拡散によって基板の上ではなくチャンバのパーツ(例えばチャンバ壁部、ターゲット周辺部、等々)の上に堆積したターゲット材料を除去されなければならない。
ターゲットを取り出し、ターゲットの周辺部またはターゲット自体の交換後にターゲットを再度取り付けるこのステップは、チャンバのメンテナンスに必要な時間の中のある一定量を占める。したがって、長寿命ターゲット、および材料の拡散をある一定量に制限するプロセス条件が、生産時間の過剰な損失を防止するための一般的な手段となっている。
一実施形態によれば、物理的気相堆積用のチャンバが提供される。このチャンバは、ハウジングと、チャンバを開閉するためのドアと、ターゲットを受けるための軸受であって、第1の方向に配向された軸受とを備える。チャンバは、ターゲットが第1の方向においてチャンバから少なくとも部分的に取出し可能となるように構成される。
一実施形態によれば、少なくとも1つのターゲットおよび基板を受けるように構成された、物理的気相堆積用のチャンバが提供される。チャンバは、ハウジングと、チャンバを開閉するためのドアと、ターゲットを取り付けるための少なくとも1つの軸受であって、ドアに装着される軸受とを備える。
本発明の他の態様、利点、および特徴は、従属請求項、説明、および添付の図面から明らかになろう。
本発明の上記特徴を詳細に理解することが可能となるように、上記では簡潔な要約として示した本発明のさらに具体的な説明を、その実施形態を参照として行う。添付の図面は、本発明の実施形態に関し、以下において説明される。
簡略化したチャンバの形状寸法の一例を示す図である。 図1aの簡略化したチャンバの形状寸法の例の側面図である。 当技術において公知であるような物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 図2aの物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 図3aの物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 図4aの物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバンの概略斜視図である。 図5aの物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの実施形態の概略斜視図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 図6aの物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 図7aの物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 図8aの物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 図9aの物理的気相堆積チャンバの概略側面図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 本明細書において説明する実施形態による開状態にある図10aの物理的気相堆積チャンバの概略斜視図である。 本明細書において説明する実施形態による物理的気相堆積チャンバ用のドアの概略斜視図である。 図11aの物理的気相堆積チャンバ用のドアの底面図である。 本明細書において説明するいくつかの実施形態による物理的気相堆積チャンバ用のドアの概略斜視図である。
次に、1つまたは複数の例が各図面に図示される本発明の様々な実施形態を詳細に参照する。これらの図面の以下の説明の中で、同一の参照番号は、同一の構成要素を指す。一般的には、個々の実施形態に関する差異のみを説明する。各例は、本発明を説明するものとして提示され、本発明を限定するものとしては意図されない。例えば、一実施形態の一部として図示または説明された特徴が、他の実施形態においてまたは他の実施形態と組み合わせて用いられることにより、さらに他の実施形態を生み出すことが可能である。本発明は、かかる変更形態および変形形態を含むように意図される。
以下、本説明において使用される方向について説明する。簡略化されてはいるが非限定的な参照として、および使用される方向用語を説明するために、閉鎖されたチャンバの概略例が、図1aに図示される。例示的に、ターゲット30が、チャンバ10の内部において破線で図示される。図1aは、垂直配向においてチャンバを図示する。図1bは、水平配向において図1aのチャンバを図示する。
方向60が、第1の方向として示される。以下の説明においては、第1の方向は、チャンバ内に取り付けられ得るターゲットの軸方向に沿って延びるものとして理解されるべきである。この軸方向は、通常は、ターゲットの長手方向となる。第2の方向70は、第1の方向60に対して実質的に垂直である。第3の方向65は、第1の方向60に対して実質的に垂直である。
このコンテクストにおける「実質的に垂直な」という用語は、実質的に垂直であるとして示されている方向同士の間の角度が、直角からある程度逸脱し得ることを意味する。例えば、これらの方向同士の間の角度は、特殊なチャンバ設計により変更されてもよい。
図1bにおいては、第1の方向、第2の方向、および第3の方向は、チャンバの配向とは無関係であることが分かる。図1aおよび図1bにおいて示す図では、方向60、70、および65は、相互に実質的に垂直である。しかし、第1の方向と第2の方向と第3の方向との間の角度は、チャンバの設計に応じて変更されてもよい。
図2aは、公知であるような物理的気相堆積(PVD)チャンバ100を図示する。チャンバ100は、ハウジング110およびドア120を備える。チャンバ100のドア120は開かれており、ターゲット130を見ることができる。チャンバ100のドア120は、ハウジング110のドア開口150を覆うことが可能なフラップとして構成される。
図2bにおいては、図2aのPVDチャンバ100が、閉位置において側面図で図示される。ターゲット130の1つが、破線で図示され、ターゲット130がチャンバ100の内部で横に配置されているのを示唆する。
このコンテクストにおいて、図示されるチャンバは、薄膜を堆積する方法用に構成される。任意には、気化形態の材料を凝縮することにより材料を堆積するために、真空が使用される。このプロセスは、高温真空蒸発およびプラズマ発生のようなステップを含んでもよい。チャンバは、真空ポンプ、ヒータ、冷却デバイス、ガス入口、およびガス出口等々の、プロセスから良好な成果を得るための条件を提供するためのデバイス(図示せず)を有してもよい。
チャンバの洗浄は、多大な時間を要するものであり、堆積プロセスを中断させる必要がある。洗浄プロセスを簡素化するために、ターゲット周辺部が、しばしば用意される。任意には、ターゲット周辺部は、チャンバ壁部の複数部分を覆う。ターゲット周辺部を用いることにより、この周辺部の単一パーツがチャンバの外部で交換および洗浄されるため、チャンバの洗浄が迅速化される。
しかし、損耗したターゲットの洗浄または交換を行うためには、ターゲットの組立および分解が公知の設計のチャンバにおいては必要となる。洗浄プロセスおよび交換プロセスは、ターゲット自体またはチャンバの周辺部が交換される場合でも、効率を低下させる。
例えば、ターゲットを交換すべき場合には、ドア120が開かれるが、ターゲット130は、チャンバ100の第2の方向170からのみ到達することが可能である。換言すれば、ターゲットは、ターゲットの長手方向軸に対して実質的に垂直な方向において取り出される。第2の方向170において、すなわちチャンバの背面側111から正面側112へとターゲットを取り出すためには、あるリフトデバイスを設けて、第2の方向170にターゲットを引き上げなければならない。したがって、ターゲットが取り出されるまで、複雑な処置を実施しなければならない。
例えば、本明細書において説明するようなターゲットは、任意には50kg〜70kg、さらに任意には100kg〜600kg、さらにより任意には200kg〜500kgの重量に達する場合がある。したがって、ターゲットが方向170へと取り出されるまで、かなりの力が印加される。
他の一例においては、公知の設計のチャンバ、およびしたがってターゲット周辺部135が、洗浄される。ドア120が、開かれると、ターゲット130は、ターゲット周辺部およびチャンバ110の内側への到達の妨げとなる。したがって、ターゲット130は、摩損していない場合でも、先述の例において説明したように取り出され引き上げられなければならない。チャンバの洗浄後に、ターゲットは、チャンバ内にターゲットを配置するためのかなりの力および技術的手段を再度利用することにより、再度チャンバ内に配置される。
チャンバを洗浄する例およびターゲットを交換する例は共に、PVDチャンバの耐用期間中のある休止期間中に実施しなければならない手間のかかるプロセスとなる。例えば、チャンバがディスプレイアプリケーションにおけるスパッタリングプロセスのために使用される場合には、ターゲットは、週に1度交換され得る。洗浄処置と洗浄処置との間の期間は、使用されるシステム、プロセス、層厚さ、およびパラメータ等々に応じて変更され得る。しかし、異なるプロセスについては、他の時間範囲が予期され得る。洗浄およびメンテナンスは、生産を延期させ、生産プロセスを低効率化させ得る。これらの処置をより頻繁に繰り返さなければならない場合には、生産プロセスはより不効率なものとなる。
図3aは、本明細書において説明するような一実施形態を図示する。ハウジング210およびドア220を有するPVDチャンバ200が提供される。チャンバ200は、開状態において図示される。チャンバ200の第1の方向260が図示される。
例示的に、2つのターゲット230が、図示する実施形態においては見ることができる。いくつかの実施形態によれば、ターゲットの個数は、2つよりも少なくてもよい。例えば、1つのみのターゲットが、用意されてもよい。他の実施形態によれば、ターゲットの個数は、2つよりも多いことが可能である。例えば、ターゲットの個数は、3つ、少なくとも3つまたは4つであることが可能である。
任意には、基板が、ハウジング内に配置される。図面では、単純化のために基板は図示しない。いくつかの実施形態によれば、チャンバ内に基板が1つのみ存在してもよい。他の実施形態によれば、複数の基板が存在してもよい。基板の個数は、利用されるプロセス、ならびにチャンバサイズ、チャンバ材料、およびチャンバ器具などのチャンバの特徴によって決定される。
これらの説明する実施形態においては、ターゲット230は、実質的に円筒状の形状を有する。任意には、ターゲットの形状は、円筒形状から逸脱してもよい。ターゲットの形状は、基板上にターゲット材料を堆積するのを可能にする任意の適切な形状であってもよい。例えば、ターゲットは、実質的に矩形の形状、プレート形状、または中空円筒部等々を有することが可能である。いくつかの実施形態によれば、ターゲットは、磁界を利用したスパッタプロセスに適合化された形状を有してもよい。
ハウジング210は、ハウジングの内部に到達させ得るためのドア開口250を有する。ドア開口250を介したアクセスは、チャンバを洗浄するために、チャンバのパーツを交換するために、およびメンテナンスのために等々の目的で利用される。
さらに、本明細書において説明する実施形態によるチャンバは、単純化のために図示しないが、基板用の入口、プロセスガス用の入口、電源、真空ポンプ、ヒータ、冷却デバイス、駆動ユニット、ターゲットを回転させるための構成要素、および磁界を発生させるためのデバイス等々の、複数の特徴を有してもよい。
図3aに見ることのできる実施形態によれば、ターゲットは、ハウジング210内に取り付けられ固定される。ターゲット230は、ハウジング210の下方側部に取り付けられる。他の実施形態によれば、ターゲット230は、ハウジング210の上方側部に取り付けることも可能である。しかし、説明されるこれらの実施形態においては、ターゲット230は、第2の方向270へとより長く延在するチャンバの側部に取り付けられる。
第2の方向および第3の方向は、第1の方向に対して実質的に垂直である。第2の方向は、閉位置にあるドアにより形成される平面に対して実質的に平行なものとして説明することができる。
ドアにより形成される平面が、一様に形状設定されない場合には、ドアの平面は、第1の方向に対して垂直な垂直方向を有する平面としては理解すべきではない。
また、第3の方向は、仮想線によりターゲット同士を連結することが可能な方向として説明することができる。ターゲット同士を連結するこの仮想線は、第2の方向および第3の方向により形成される平面内に位置する。
さらに、ターゲット用の軸受240が用意される。任意には、軸受の個数は、ターゲットの個数に対応する。
軸受は、第1の方向260に配向される。軸受は、ターゲットの軸方向が第1の方向260に配向された状態において、ターゲットを受けることが可能である点を理解されたい。軸受は、第2の方向および第3の方向により形成される平面内に延在する保持部分を有してもよい。この保持部分は、ターゲットの端部または一部を受容することが可能である。
一実施形態によれば、ドア220およびハウジング210は、チャンバ200を形成するように、形状上において相補的なものである。任意には、ドア200およびハウジング210のそれぞれに、対合表面280および281が形成される。これらの対合表面は、対合表面280および281が相互に接触状態にある場合に、チャンバを閉鎖するように構成される。
いくつかの実施形態によれば、本明細書において説明するようなチャンバの対合表面は、チャンバ内に真空を維持させる封止デバイスを備えてもよい。封止デバイス(図示せず)は、クランプもしくは弾性材料、それらの組合せ、またはPVDチャンバを封止するのに適した任意のデバイスもしくは材料であってもよい。
本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態によれば、ハウジングおよびドアは、軽度に重畳する。例えば、ドアおよびハウジングは、封止等々を目的として重畳してもよい。
図3bに示すように、ドア220の対合表面280およびハウジング210の対合表面281は、第1の方向260にテーパ形状を形成する。このテーパ形状により、第1の方向260においてチャンバ200からターゲット230を取り出すことが可能となる。図3bは、破線においてターゲット230を図示し、ターゲット230が、チャンバ内に配置され取り付けられているのを示唆する。
また、ドアのテーパ形状は、ターゲットの第1の方向260に対して実質的に対称なもの、および第3の方向265に対して非対称なものとして説明することができる。任意には、チャンバおよびドアの第2の方向270への延在範囲は、チャンバの第1の方向260への延在範囲にわたって変化する。また、図3aにおいて示すように、第2の方向270は、チャンバの深さとして表すことも可能である。
本明細書においては、「実質的に対称の」という用語は、「実質的に対称の」として表される物体の形状が、対称形状からある程度変更されてもよいことを意味する。例えば、チャンバは、チャンバ上において対称的には構成されないコネクタ、入口、出口、電源デバイスなどの、複数のデバイスを有してもよい。さらに、実質的に対称のチャンバ自体の形状が、対称から逸脱してもよい。
「非対称の」という用語は、「非対称の」として表される形状が、対称ではないことを意味する。例えば、ある線が、チャンバを2つの部分に区分する。この線に対して非対称の、とは、チャンバの一方の部分の任意の点が、チャンバの他方の部分の対応する点と同一の、異符号を有する座標を有さないことを意味する。対応する点が、この区分線に対して同一の絶対距離を有する点であってもよい。非対称の、とは、実質的に対称であるとして表される物体を指さない。
図3bの閉鎖されたチャンバの概略側面図は、ターゲットが第1の方向においてどのように取り出され得るかを明白に示す。方向270におけるドア220の延在範囲は、ターゲット230が、第1の方向260において、すなわち図3bを考慮した場合には左方向に取り出され得るように、選択される。ターゲット230は、やはり図3bにおいて分かるように、チャンバ内の右側に取り付けられる。任意には、軸受240が、ターゲット230を取り付け保持するために、チャンバ内に設けられる。
軸受が配置または装着されるチャンバの側部は、軸受側部として表される。いくつかの実施形態によれば、第1の方向260において軸受側部とは逆の側部は、軸受側部の対向側部として表すことができる。任意には、軸受側部の対向側部は、軸受側部に対面するチャンバの側部として理解することが可能である。
図3cは、本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態を図示する。図3cの実施形態においては、ドア220およびハウジング210は、実質的に同一の形状を有する。「実質的に同一の形状」は、このコンテクストにおいては、例えば第2の方向270における軸受側部の対向側部のドアの延在範囲が、軸受側部のハウジングの延在範囲と実質的に同一の大きさであることを意味する。ハウジング210およびドア220は、同様の寸法形状を有し得るが、PVDプロセス用の異なる構成要素を収容してもよい。
普通は、および特にハウジングおよびドアが同一形状を有する例においては、ドアは、チャンバを開くために移動されるように構成されたチャンバの部分として見なされる。普通は、ハウジングは、位置が一定であるチャンバの部分である。例えば、ハウジングは、地下への接触をもたらし、安定的かつ位置合わされされた位置決めを可能にするために、脚部等々を備えてもよい。殆どの実施形態においては、ドアは、ハウジングへの接触のみにより支持されるため、同様の手段を備えない。
任意には、ハウジングおよびドアは、同様の形状を有し得るが、サイズにおいては異なるか、または異なる材料もしくは材料厚さから作製されてもよい。
いくつかの実施形態によれば、第1の方向におけるチャンバの延在範囲は、最大で、典型的には1.2m〜3.5m、より典型的には1.7m〜3.0m、およびさらにより典型的には2.2m〜2.7mであることが可能である。
本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態によれば、カソードすなわちターゲットは、軸方向に沿って最大で、典型的には1.0m〜3.5m、より典型的には1.5m〜3.0m、およびさらにより典型的には2.0m〜2.5mの長さに及ぶものが可能である。本明細書において説明するチャンバの特定の形状により、ターゲットの軸方向において典型的には約10mm〜1000mmにわたり、より典型的には約20mm〜500mmにわたり、さらにより典型的には約50mm〜100mmにわたり、ターゲットを移動させることが可能となる。ターゲットの軸方向、すなわち第1の方向にターゲットを移動させることにより、ターゲットは、固定位置から、あるいは軸受から取り出される。つまり、ターゲットが、チャンバから少なくとも部分的に取り出され得る。例えば、ターゲットは、方向260において100mmにわたり移動可能であるなど、軸受から規定の距離にわたり移動可能であってもよい。
第1の方向260においてある量にわたりターゲットを引き上げた後に、カソードは、把持され、別の方向からチャンバから取り出されてもよい。他の一実施形態によれば、ターゲットは、ターゲットの軸方向またはチャンバの第1の方向260において、ターゲットの全長に沿ってチャンバから取り出される。
本明細書において説明する実施形態によれば、チャンバのターゲット周辺部235は、容易に到達することが可能である。
本明細書において説明する実施形態によれば、ターゲット周辺部は、ターゲットを少なくとも部分的に囲む空間であってもよい。本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能な本明細書において説明する実施形態によれば、ターゲット周辺部は、ターゲットを少なくとも部分的に囲む空間内の構成要素を指し得る。ターゲット周辺部の構成要素は、空間的に形状設定されたシート、金属シート、箱、またはシース等々であってもよい。いくつかの実施形態よれば、ターゲット周辺部は、チャンバの壁部を覆うためのパーツを含んでもよい。
ターゲット230は、ハウジング230の上方側部が、下方側部よりも方向270においてより広範な範囲を有する場合には、ハウジングの上方側部に取り付けることが可能である。
このコンテクストにおいては、「ハウジング」は、PVDプロセスを実行するための少なくともいくつかの構成要素を収容する本体として理解すべきである。例えば、ハウジング内には、基板、ターゲット周辺部のパーツ、ガス入口、ガス出口、電源構成要素、および処理されることとなる材料用の保持パーツ等々が配置されてもよい。いくつかの実施形態によれば、1つまたは複数のターゲットが、ハウジング内に配置される。また、ハウジングは、アクセス可能な、またはドアにより開閉可能なチャンバの部分として説明することも可能である。
「ドア」という用語がこの文書において使用される場合には、この用語は、ドアにより開閉された本体へのアクセスを可能にする部材を指す。例えば、ドア220により、オペレータは、ハウジング210にアクセスすることが可能となる。さらに、ドアは、例えば真空を内部に保持し得るようになど、ハウジングをきっちりと閉鎖することが可能である。また、いくつかの実施形態によれば、ドアは、ターゲット用の軸受、ターゲット、ガス入口、および/またはガス出口等々の、いくつかの構成要素を備えてもよい。
さらに、このコンテクストにおいては、「軸受」という用語は、ターゲットを保持することが可能な構成要素として理解すべきである。いくつかの実施形態によれば、軸受は、2つ以上のパーツ間における規定の相対運動を可能にする構成要素である。軸受は、転動要素を有する軸受または摩擦表面を有する平軸受であってもよい。他の実施形態によれば、軸受は、ドア中にまたはハウジングの壁部中に配置され、ターゲットを少なくとも部分的に囲む構成要素である。他の実施形態によれば、軸受は、ターゲットが中を貫通する、ドアまたはハウジングの壁部中の単なる孔であってもよい。かかる例においては、軸受は、任意の形状を有してもよい。
このコンテクストにおいて使用される「ターゲット」という用語は、基板上に供給すべき材料片または基板上に供給すべき材料で被覆された片を指す。例えば、ターゲットは、Al、Mo、MoNb、Ti、AlNd、Cu、CuMn、IGZO、Si、ITO、SiO、Mg、またはCr等々から作製されてもよい。いくつかの実施形態によれば、ターゲットは、PVDチャンバ内においてカソード機能を果たし得るものとして説明することができる。
図4aおよび図4bにおいては、図3aおよび図3bのチャンバ200に類似するPVDチャンバ300が、図示される。チャンバ300は、ハウジング310およびドア320を有し、これらのハウジングおよびドアの設計は、基本的には図3aおよび図3bまたは図3cを参照として説明したような設計であってもよい。また、ターゲット230は、先述のようなターゲットであってもよい。しかし、いくつかの実施形態によれば、チャンバは、回転ターゲット用に構成されてもよい。これを目的として、駆動ユニット360が、設けられ、ターゲット230に直接的にまたは間接的に装着される。例えば、チャンバは、駆動ユニットをターゲットに連結するのを補助するコネクタ等々の駆動ユニットデバイスを有してもよい。駆動ユニットは、ターゲット230を駆動することが可能である。例えば、駆動ユニット360は、ターゲット230を回転させるモータであってもよい。
いくつかの実施形態によれば、1つの駆動ユニットが、全てのターゲット用として設けられてもよい。他の実施形態によれば、各ターゲットが、各駆動ユニットを有することにより、各ターゲットを個別に駆動することが可能であってもよい。
任意には、駆動ユニットは、チャンバの構成要素を駆動するように構成される。例えば、駆動ユニットは、駆動されるターゲット、基板、またはチャンバの他の構成要素の、回転運動もしくは枢動運動、またはさらには線形運動を生じさせてもよい。
また、駆動ユニット360は、図4bでは側面図において示される。チャンバ300は、軸受340を有する。任意には、駆動ユニットは、チャンバの軸受側部に取り付けられる。例えば、ターゲットの軸受が、本明細書において説明したいくつかの実施形態によるチャンバの上方側部に位置する場合には、駆動ユニットもまた、チャンバの上方側部に配置される。換言すれば、図示する実施形態における駆動ユニットは、第2の方向270においてより広いチャンバ300の側部に配置される。
図5aは、PVDチャンバの別の実施形態を図示する。ハウジング410およびドア420を有するチャンバ400が図示される。ドアおよびハウジングは、方向260におけるチャンバ400の延在範囲にわたって実質的に均一の延在範囲を方向270において有する。先述と同一のターゲットであってもよいターゲット230は、ハウジング410内に配置および取り付けられる。ハウジング410内には、軸受440が、下方側部470に設けられる。この下方側部は、上記の定義の通りの軸受側部として説明することができる。さらに、本実施形態において図示されるハウジング410は、ハウジング410の軸受側部470の対向側部475に位置する開孔480を備える。
任意には、開孔480は、軸受440、あるいはターゲット230と位置合わせされる。例えば、開孔480は、開孔がターゲット230の垂直方向延長部を構成するように、チャンバ410の上方側部の対向側部475に配置される。一実施形態によれば、開孔480の形状は、ターゲット230の外方形状と同様である。例えば、開孔480は、ターゲット230の外周部と同一の形状を有してもよいが、その寸法は、任意には若干より大きなものであってもよい。
一実施形態によれば、開孔の形状は、ターゲット230の形状とは異なる。
任意には、開孔480の形状は、ターゲット230が第1の方向260に移動される場合に、ターゲット230を貫通させ得る。任意には、開孔480は、ターゲット開孔として説明することができる。ターゲット開孔は、ターゲットの断面サイズを少なくとも有してもよい。すなわち、開孔は、ターゲットの長手方向軸に対して垂直な方向においてターゲットの寸法サイズを有することとなる。
いくつかの実施形態によれば、1つのみの開孔480を設けることが可能である。任意には、1つの開孔の形状が、両ターゲット230を貫通させ得るように設計されてもよい。3つ以上のターゲットが用意される場合には、1つの開孔が、全てのターゲットを貫通させ得るように設計されてもよい。
任意には、開孔480の個数は、ターゲットの個数に対応する。
図5aに図示される実施形態には限定されないいくつかの実施形態によれば、ドアは、ハウジングの設計に適合化される。
ハウジング410およびドア420は、重畳部分を有する。任意には、ドア420の頂上部分は、ハウジングのターゲット開孔にロックする。図5bを参照すると分かるように、ドア420は、所定の度合いだけハウジングの壁部に重畳する。任意には、この所定の程度は、ドアがチャンバにロックすることが可能となるように選択される。任意には、ドアによりチャンバ、特にチャンバの開孔にロックすることによって、温度、圧力、ガス含有量等々のチャンバ内に所望の条件を、チャンバ内において維持することが可能となる。したがって、ドア420は、開孔480が閉状態にあるドア420により完全に覆われるように、第2の方向270において少なくとも開孔480まではハウジングに重畳する。
いくつかの実施形態によれば、ドアおよびハウジングは、開孔を覆うために重畳せず、開孔を閉鎖することが可能なロッキングデバイスが、設けられてもよい。ターゲット開孔を覆うように構成されたこれらのデバイスは、フラップ、シール、バリア、金属シート、または小型ドア等々であってもよい。
図5cは、本明細書において説明するいくつかの実施形態によるチャンバを図示する。ドア420およびハウジング410は、それぞれ対合表面485および486を有する。これらの対合表面485および486は、チャンバが閉鎖された場合には接触状態となる。本明細書において説明する実施形態によれば、ターゲット230は、ハウジング410の保持デバイス445の上に取り付けられる。この保持デバイス445は、閉状態においては、ドア420内に少なくとも部分的に位置する。ターゲット230用の軸受440もまた、保持デバイス445内に配置される。
いくつかの実施形態によれば、保持デバイスは、チャンバと同一の材料から作製されたシートであってもよい。保持デバイスは、ターゲット用の軸受を担持するように構成される。いくつかの実施形態によれば、保持デバイスは、軸受を担持するのに適した任意の材料から作製されてもよい。いくつかの実施形態によれば、保持デバイスは、ターゲットを担持するように構成される。
チャンバからのターゲットの取出しは、チャンバのこの設計により容易化される。既説の設計を用いることにより、ターゲットは、第1の方向260において、すなわちターゲットの軸方向において、チャンバから取り出すことが可能となる。
図6aにおいては、本明細書において説明するような実施形態が示される。チャンバ500が、ハウジング510およびドア520を備える。チャンバ510は、開状態において図示される。
ドア520およびハウジング510は、図3aおよび図3bに関連して説明した形状と同様の形状を有してもよい。
一態様によれば、ドア520およびハウジング510は、チャンバ500を形成するように、形状上において相補的なものである。任意には、ドア520およびハウジング510のそれぞれに、対合表面580および581が形成される。対合表面580および581は、対合表面580および581が相互に接触状態にある場合に、チャンバを閉鎖するように構成される。
いくつかの実施形態によれば、チャンバの対合表面は、チャンバ内に真空を維持させる封止デバイスを備えてもよい。封止デバイス(図示せず)は、クランプもしくは弾性材料、それらの組合せ、またはPVDチャンバを封止するのに適した任意のデバイスもしくは材料の類いであってもよい。
本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態によれば、ハウジングおよびドアは、軽度に重畳する。例えば、ドアおよびハウジングは、封止等々を目的として重畳してもよい。
ハウジング510は、ハウジングの内部に到達させ得るためのドア開口550を有する。ドア開口550は、チャンバを洗浄するために、チャンバのパーツを交換するために、およびメンテナンスのために等々の目的でチャンバにアクセスするために使用することができる。
図6aにおいて示すように、第2の方向270におけるチャンバおよびドアの延在範囲は、第1の方向260におけるチャンバの延在範囲にわたって変化する。任意には、対合表面580および581の形状は、テーパ状であると説明することができる。換言すれば、ドア520は、ターゲットの第1の方向260に対して実質的に対称であり、第3の方向265に対して非対称である。
他の実施形態によれば、ハウジングの形状は、ドアの形状と同様であってもよい。例えば、ハウジングは、第1の方向260に関しては実質的に対称であり、第2の方向270に関しては非対称である。
任意には、ドアおよびハウジングは、実質的に同一の形状を有してもよい。一例が、図3cに図示される。図3cの実施形態においては、ドア520およびハウジング510は、実質的に同一の形状を有する。換言すれば、第2の方向270における軸受側部の対向側部のドアの延在範囲は、軸受側部のチャンバの延在範囲と実質的に同じ大きさである。ハウジング510およびドア520は、同様の寸法形状を有してもよいが、PVDプロセス用の異なる構成要素を収容してもよい。本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態によれば、ハウジングおよびドアは、同様の形状を有し得るが、サイズにおいては異なるか、または異なる材料もしくは材料厚さから作製される。また、図3cに図示する形状寸法は、図6aおよび図6bに関連して説明するようなPVDチャンバに対しても適用することができる。すなわち、チャンバの外形寸法は、図3cに図示されるようなものであってもよいが、ターゲット230は、図6aにおいて図示されるように、ドア内に設けられる。
図6aは、チャンバの第2の方向270における延在範囲が、下方側部570においてはより小さく、上方側部575においてはより大きいことを例示的に示すが、本明細書において説明する実施形態によるハウジングは、逆に構成されてもよく、すなわち、第2の方向270における下方側部570の延在範囲がより大きく、第2の方向270における上方側部575の延在範囲がより小さくてもよい。これと同じことが、ドアの形状寸法に関しても該当する。
図6aに図示される実施形態には限定されないいくつかの実施形態によれば、ターゲット230は、ドア内に取り付けられる。ドア520は、ターゲットを取り付けるための軸受540を有する。軸受540は、ドアに装着されてもよい。任意には、軸受は、ドア内に配置されてもよい。いくつかの実施形態によれば、軸受は、ドアの一部であってもよい。また、任意には、軸受は、使用される軸受のタイプに応じてドアに対して別様に適用することも可能である。さらに、軸受のタイプは、ターゲットによって決定され、実施すべきプロセスに応じて変更されてもよい。
ターゲットは、図3aおよび図3bを参照として上述したものと同一であってもよい。ターゲット230は、第2の方向270においてより大きな延在範囲を有するドアの側部に取り付けられる。したがって、この実施形態においては、ターゲット230は、ドア520の下方側部570に取り付けることが可能である。第2の方向270におけるドアの延在範囲が上方側部にてより大きな一実施形態によれば、ターゲット230は、ドアの上方側部575に取り付けられる。
図6bにおける閉位置にあるチャンバの側面図は、ドア520が、ハウジング510に対してどのように形状設定されているかを図示する。ターゲット230が、ドア内に取り付けられ、第1の方向260においてハウジング内へと延在するため、ターゲット230は、ドアを開くことによりハウジング230から取り出される。したがって、ドアの少なくとも一方の側部が、ターゲットを中に配置するための軸受540を備える。
軸受を備える側部は、軸受側部として表される。いくつかの実施形態によれば、第1の方向260において軸受側部とは逆の側部は、軸受側部の対向側部として表すことができる。任意には、軸受側部の対向側部は、軸受側部に対面するチャンバの側部として理解することが可能である。軸受により、ターゲットはその長手方向軸を中心として回転することが可能となり得る。
さらに、図6bに図示する実施形態のターゲット230は、第1の方向260においてチャンバから取り出すことも可能であり、これは、ターゲットを交換しなければならない場合に特に便利である。いくつかの実施形態によれば、チャンバ500からターゲット230を取り出すための技術は、図3〜図5に関連して説明される実施形態において使用される技術に類似するものである。したがって、チャンバ500により、ユーザは、他の態様でチャンバからターゲットを取り出すことも可能となる。
例えば、ユーザがチャンバの洗浄を欲する場合には、チャンバ500のドア520が、開かれ、ターゲットの周辺部235が、直接的にアクセスされて取り出され得るか、または洗浄され得る。ターゲットは、チャンバの洗浄の際に、軸受540から取り去られない。
他の一例によれば、ユーザが損耗したターゲットの交換を欲する場合には、ドア520が、開かれ、ターゲット230が、第1の方向260に、すなわち図6bの視点で見た場合には左方向に取り出すことが可能となる。第1の方向に、またはドアを開くことにより、ターゲットを取り出すことによって、ターゲットの取り出しが容易かつ単純なものとなる。
図6aおよび図6bに関連して例示的に示した実施形態によるチャンバ−ドアの組合せにより、ターゲットを交換しなければならないおよび/またはチャンバを洗浄しなければならない場合の、ターゲット230の容易な分解および取出しが可能となる。例えば、ドアを開くことが可能であり、第1の方向260にターゲット230を移動させることによってターゲット230を取り出すことが可能である。さらに、1つのステップにより、すなわちドア520を開くことにより、チャンバ、あるいはハウジング内の処理領域からターゲット230を取り出すことが可能であり、したがって、チャンバの洗浄およびチャンバ500内に配置されているパーツの交換が容易化および加速化される。
このコンテクストにおいては、「処理領域」は、物理的気相堆積プロセスが実施されるチャンバ内の領域として理解すべきである。作動中に、処理領域は、例えば基板、ターゲット、およびガス、あるいはガスのプラズマを収容してもよい。処理領域は、内方部分として、またはさらにはPVDチャンバの内部全体として定義される。
本明細書において説明する一実施形態が、図7aおよび図7bに図示される。この実施形態においては、チャンバ600は、ハウジング610およびドア620を有し、これらのハウジングおよびドアは共に、方向260におけるチャンバ600の延在範囲にわたって実質的に均一な延在範囲を方向270において有する。ターゲット230は、チャンバ600内に用意される。ターゲット230は、図3aおよび図3bまたは図6aおよび図6bに関連して説明したものと同一であってもよい。図7aに図示する実施形態によれば、ターゲット230は、ドア620内に取り付けられる。
図7aに示すように、この実施形態のターゲット230は、チャンバ600の下方側部670に取り付けられ保持される。また、代替的な一実施形態においては、ターゲット230は、チャンバ600の上方側部675に取り付けられ保持される。軸受640は、ターゲット230の移動を可能にするために、またはドア620内の固定位置に、したがってチャンバ600内に保持されるようにするために、ドア620内に設けられるかまたはドア620に装着される。
図7aおよび図7bに関連して例示的に示す実施形態においては、ターゲット230は、ドア620内の軸受640の構成により、ハウジング内には延在しないか、または高程度には延在しない。しかし、軸受640が、ドア620の開口651の付近に配置される場合には、ターゲット230の一部が、ハウジング610内に延在してもよい。しかし、先述の実施形態におけるものと同一の用語を以下において使用し、ターゲット230は、「ハウジングから取り出される」。図7aおよび図7bに図示する実施形態によれば、「ハウジングから取り出される」という用語は、「チャンバ内の処理領域から取り出される」ことをむしろ意味する。
図7bは、閉状態にあるチャンバ600を側面図において示す。チャンバ600内におけるターゲット230の位置が、破線で示される。したがって、図7bの実施形態において説明されるチャンバにより、ドア620を開くことによるハウジングからのターゲット230の取出しが、やはり可能になる。
図8aおよび図8bは、図7aおよび図7bに関連して説明したものと実質的に同一であるが、ターゲット230を駆動するための駆動ユニット760を有する、チャンバを図示する。本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態によれば、このチャンバは、回転ターゲット用に構成される。例えば、チャンバは、駆動ユニットをターゲットの軸受740またはターゲット自体に連結するのを補助するコネクタ等々の駆動ユニットデバイスを有してもよい。ターゲットを駆動させる目的で、駆動ユニット760が、設けられ、ターゲット230に直接的にまたは間接的に装着される。駆動ユニットは、ターゲット230を駆動することが可能である。例えば、駆動ユニット760は、ターゲット230を回転させるモータであってもよい。
いくつかの実施形態によれば、1つの駆動ユニットが、全てのターゲット用として設けられてもよい。他の実施形態によれば、各ターゲットが、各駆動ユニットを有することにより、各ターゲットを個別に駆動することが可能であってもよい。例えば、駆動ユニットまたは複数の駆動ユニットにより、ターゲットの回転運動もしくは枢動運動、またはさらには線形運動を生じさせてもよい。
また、駆動ユニット760は、図8bにおいては側面図で示される。いくつかの実施形態によれば、駆動ユニット760は、チャンバの下方側部に取り付けることが可能である。任意には、駆動ユニットは、ターゲットの軸受740の側部に取り付けられる。例えば、ターゲットの軸受740が、本明細書において説明する実施形態によるチャンバの上方側部に位置する場合には、駆動ユニットもまた、チャンバの上方側部に配置される。
いくつかの実施形態によれば、駆動ユニット760は、ドアが開かれる場合にドアと共に少なくとも部分的に移動してもよい。いくつかの実施形態によれば、駆動ユニット760は、ドアが開かれる前に、ターゲット230から結合解除されてもよい。
図9aは、PVDチャンバの一実施形態の概略図を示す。チャンバ900は、ハウジング910およびドア920を備える。2つのターゲット230が、ドア920内に図示される。一般的には、ターゲット230は、ドア内に取り付けられるものとして例示的に図示されるが、ドアの一部として理解すべきではない。ターゲット230用の軸受940は、ドア920内に配置される。駆動ユニット960が、図9aに図示される実施形態においては、ドア920に隣接して配置される。任意には、駆動ユニット960は、回転可能ターゲット等を駆動するように構成されてもよい。いくつかの実施形態によれば、駆動ユニット960は、駆動デバイス、モータ、制御システムの一部、軸受、またはコネクタ等々を備えてもよい。
図9aにおいては、チャンバ900は、開状態で図示される。任意には、ドア920に装着される駆動ユニット960は、チャンバが閉じられるか開かれるかのいずれかに関わらず、ドアに対して同一の関係に留まる。
本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能ないくつかの実施形態によれば、ターゲット230は、ハウジング内の基板よりも大きな延在範囲を方向260において有してもよい。例えば、ターゲット230は、ある一定量だけ、方向260においてハウジング910を超過してもよい。この超過量は、堆積材料、基板材料、塗布タイプ等々のプロセスパラメータに応じて選択され得る。
図9bは、閉状態における図9aに図示するチャンバ900の概略側面図を図示する。駆動ユニット960は、図9aおよび図9bの実施形態においてはドア920に装着される。図9bの側面図において破線で示されるターゲット230は、駆動ユニット960内に延在する。ターゲットの軸受940は、ドア920内に配置される。
図9cは、PVDチャンバの一実施形態の斜視図を示す。チャンバ950は、側壁部991および992を有する。例えば、これらの側壁部は、方向270に延在する補強リブとなるように設計されてもよい。閉状態においては、側壁部は、方向270においてドアの側壁部に対して実質的に平行であってもよい。いくつかの実施形態によれば、ドア921は、リブおよびドアが重畳部分を有するように、閉状態においてはハウジング911内に少なくとも部分的に位置してもよい。任意には、ドア921は、チャンバ950が閉じられた場合に側壁部991と992との間に位置してもよい。ハウジング911は、ドア921の対応する対合表面980と対合するための外周部対合表面981を有する。ドアの対合表面およびハウジングの対合表面は、例えば処理中にプロセスパラメータを維持させるためになど、チャンバを封止するために使用され得る。
いくつかの実施形態によれば、ドア921は、ハウジング911ならびに側壁部991および992の形状に適合化される。例えば、ドア921は、第3の方向265における側壁部同士の相互距離に適合化された延在範囲を第3の方向265において有してもよい。第3の方向265におけるドアの延在範囲は、ハウジング911の側壁部991と992との間に嵌合するように適合化されてもよい。
図9cにおいては、チャンバ950は、複数の方式で開かれてもよい。例えば、ドア921は、ヒンジ状デバイスを用いることにより開かれてもよく、例えば上述した図9aにおいて示されるように搖動開口してもよい。任意には、チャンバ950は、図9cにおいて矢印260により示される第1の方向にドア921を移動させることにより、開かれてもよい。
図9cに図示される実施形態には限定されない実施形態によれば、ドアは、ターゲットの長手方向に、すなわち第1の方向に開かれるように構成される。図9cの実施形態においては、ドア921は、チャンバ950を開くために、および/または交換もしくはメンテナンスのために、方向260に引き上げられてもよい。任意には、ドアは、第1の方向260に移動されるように構成される。
一般的には、ドアおよびチャンバの形状寸法によりドアを方向260に引き上げることが可能となる場合には、本明細書において説明する他の実施形態のドアもまた、チャンバの内部にアクセスするために、方向260に引き上げられてもよい。
本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能ないくつかの実施形態によれば、本明細書において説明するようなPVDチャンバは、2つ以上のドアを有してもよい。例えば、チャンバは、1つのハウジングおよび3つのドアを備えてもよい。
図10aは、2つ以上のドアを有するPVDチャンバ1000の一実施形態を図示する。チャンバ1000は、閉状態において図示され、ハウジング1010と、例示的には3つのドア1021、1022、および1023とを備える。ドアの個数は、チャンバの設計、被覆すべき基板、利用されるプロセス等々に応じて、変更されてもよい。図10aに図示される実施形態の各ドア1021、1022、1023においては、2つのターゲット230が取り付けられる。いくつかの実施形態によれば、1つのみのターゲットが、1つのドア内に取り付けられてもよい。任意には、3つ以上のターゲットが、1つのドア内に取り付けられてもよい。ドアは、図9aおよび図9bに関連して説明されるように設計されたものが示されるが、他の実施形態に関連して上述したドアのように設計されてもよい。
一般的には、ドアの個数は、ターゲットの個数に関連付けられてもよい。例えば、ターゲットが、本明細書において説明するいくつかの実施形態によるハウジング内に取り付けられる場合には、1つ、2つ、またはさらには3つなどの規定個数のターゲットが、1つのドアを介してアクセス可能となり得る。図10aに図示する実施形態においては、2つのターゲット230が、各ドア1021、1022、および1023によってアクセス可能となる。
図10bにおいては、図10aと同一のチャンバが図示されるが、1つのドア1022が、開状態において図示される。ドア1022は、それに隣接している駆動ユニット160を有する。いくつかの実施形態によれば、チャンバ1000またはチャンバ1050の他のドア1021、1023もまた、ドア1022のように駆動ユニット1060を有してもよい。単純化のために、駆動ユニットは、ドア1022に関してのみ図示される。
チャンバ1050の開状態においては、ドア1022の対合表面1080およびハウジング1010の対合表面1081が示される。これらの対合表面は、対合表面1080および1081が相互に接触状態にある場合に、チャンバを閉じるように構成される。いくつかの実施形態によれば、チャンバ1050の対合表面1080および1081は、チャンバ内に真空などのプロセスパラメータを確実に維持させる封止デバイスを備えてもよい。封止デバイス(図示せず)は、クランプもしくはOリングなどの弾性材料、それらの組合せ、またはPVDチャンバを封止するのに適した任意のデバイスもしくは材料であってもよい。
いくつかの実施形態によれば、チャンバ1050は、複数の側壁部を備え、それらの側壁部の内の2つが、図10aおよび図10bにおいて側壁部1091および1092として図示される。これらの側壁部は、補強リブ等々であってもよく、ドア1021、1022、および1023を相互に離隔させ得る。
チャンバ1050のハウジング1010の内部は、ハウジング1050の1つまたは複数のドア開口を介してアクセスすることが可能である。1つのドア開口1055が、図10bにおいては示される。したがって、ドア開口1055は、基板を処理するための処理領域への窓の類いを形成する。
また、任意には、チャンバ1010は、交換またはメンテナンスのために方向260にドア2022を引き上げることによって開かれてもよい。
いくつかの実施形態によれば、クレーン等々のリフトデバイスが、ドアを開くために、ならびに交換および/またはメンテナンスを目的としてPVDチャンバの内部にアクセスするために、設けられてもよい。例えば、上述のPVDチャンバの中の1つまたは複数が、基板処理用の複数のまたは大型のアプリケーションに対して、システムまたはライン内に配置されてもよい。このシステムは、方向260において上方側部からチャンバのそれぞれのターゲットにアクセスするために複数のアームを有する1つのクレーンを備えてもよい。
図11aは、PVDチャンバ用のドア1100を図示する。先述のターゲットと同様または同一のターゲット230は、ドア内に設けられる。ターゲット230は、軸受1140を介してドア内に取り付けられる。
図8aおよび図8bに図示するドアの形状は、例示的なものであり、適切に適合化することが可能である。例えば、ドアの形状は、図6aのチャンバ500に合うように適合化されてもよい。
図11bにおいては、ドア1100は、側面図において、特に図11aにおいて示すような側部1110から示される。図11bに図示される実施形態においては、ドア1100の軸受1140は、ドア1100の側部1110の壁部を貫通する孔として示される。任意には、ターゲットは、軸受1140を貫通して延在し、PVDチャンバのドア1100の外部に続くことが可能である。側部1110の壁部を貫通して延在することにより、ターゲットは、駆動ユニットによって駆動され得る。
一実施形態によれば、軸受は、ターゲットがドア内に、したがってチャンバ内に位置するように、側部1110の壁部を貫通して延在しなくてもよい。
いくつかの実施形態によれば、ドア1100は、図11bに図示される孔以外の軸受を有してもよい。「軸受」という用語に対する上述の説明を参照されたい。その説明によれば、本明細書において説明するPVDチャンバのドアまたはハウジングにおいて、任意のタイプの軸受を使用することができる。
一般的には、本明細書において説明するようなPVDチャンバのドアは、ターゲット230の形状寸法条件、ハウジング910、およびプロセスパラメータに適合化される。図12は、本明細書において説明するようなPVDチャンバにおいて使用し得るドアの一実施形態の一例を図示する。この実施形態は、ドアの形状が、個々の実施形態に応じて変更されてもよく、これらの図面に図示されたチャンバの例に限定されないことを示す。
図12は、本明細書において説明するようなPVDチャンバ用に使用し得るドアの一実施形態を図示する。ドア1220は、支持デバイス1225を備えてもよい。ターゲット用の軸受を支持するための支持デバイス1225は、ドアに装着することが可能であり、またはドアの一部であってもよい。図12は、ドア1220の一実施形態を斜視図において示す。支持デバイス1225は、図12の実施形態においてはプレートである。ドア1220は、ターゲット230を取り付けるための軸受1240を備える。任意には、軸受1240は、支持デバイス1225の上に配置されてもよい。支持デバイスは、ターゲット230の重量を支持するように構成されてもよい。
具体的な参照数字を伴う図面との関係において多数の特徴を説明したが、説明した特徴は、それらの特徴を示した実施形態に限定されない点を理解されたい。例えば、種々の実施形態において示される特徴の組合せが、あるチャンバがPVDチャンバを作動させる説明済みのプロセスを実施するのを可能にするのに適したものとなる場合もある。
任意には、本明細書において説明するチャンバは、スパッタリングプロセスに適したものである。例えば、チャンバは、フィルム堆積、エッチング、および分析目的等々に対して適合化され得る。
いくつかの実施形態によれば、本明細書において参照したターゲットは、スパッタカソードであってもよい。任意には、スパッタカソードとして使用されるターゲットは、実施されることとなるプロセスに関連する特定の特性を有する。例えば、ターゲットは、スパッタカソードの機能を果たすターゲットの能力を向上させるために、本体上に取り付けられてもよい。任意には、本体は、水冷却することが可能である。いくつかの実施形態によれば、スパッタカソードを、電源に対して電気的に離隔および接続することが可能である。任意には、スパッタカソードは、負電位へと設定することが可能である。
任意には、チャンバは、TFTアプリケーション、カラーフィルタアプリケーション、タッチパネルまたはアプリケーション等々の、ディスプレイアプリケーションに対して使用されるように構成されてもよいが、さらにはソーラアプリケーションに対して使用されるように構成されてもよい。
いくつかの実施形態によれば、チャンバは、大型基板アプリケーション用に構成されてもよい。例えば、チャンバは、約1.5mの長さにわたる物理的気相堆積を可能にするように構成することが可能である。本明細書において説明する任意の他の実施形態と組み合わせることが可能ないくつかの実施形態によれば、チャンバは、任意には0.5m〜3.5m、より任意には1.0m〜3.0m、さらにより任意には1.5m〜2.5mの基板用に構成されてもよい。例えば、基板が、約3.0×3.5mのサイズを有してもよい。いくつかの実施形態によれば、基板は、数平方センチメートルのサイズを有してもよい。任意には、基板は、単体基板、または適合化された駆動ユニット等々によりチャンバを通り案内されるバンド状基板であってもよい。
本明細書において説明する他の実施形態と組み合わせることが可能ないくつかの実施形態によれば、チャンバの軸受は、PVDプロセス用のスパッタカソードを受けるように構成されてもよい。任意には、チャンバの軸受は、PVDプロセス用のスパッタカソードを保持するように構成されてもよい。任意には、チャンバの軸受は、PVDプロセス用のスパッタカソードを固定するように構成されてもよい。
任意には、本明細書において説明するチャンバは、垂直方向位置以外の態様で配設されてもよい。例えば、任意には、チャンバは、水平方向構成において構成されてもよい。この方向の示唆は、本説明の殆どの部分に関して同一のことが言える点を理解されたい。図1は、説明した方向に関する基準となり得る。例えば、第1の方向は、チャンバが配置される位置に関わらず、ターゲットの長手方向軸に沿って延びる。
本明細書において説明する実施形態によるチャンバを使用することにより、PVDプロセスのターゲットすなわちカソードは、PVDチャンバから、あるいはPVD処理区域から、迅速に取り出すことが可能となる。いくつかの実施形態によれば、ターゲットの取出しは、ターゲットの分解を伴わずに行うことが可能であり、これにより、時間およびコストが大幅に節減される。本明細書において説明する実施形態によれば、ターゲットは、チャンバの第1の方向に移動させることにより取り出すことが可能である。本明細書において説明する実施形態により、ターゲットをチャンバの第2の方向から捕獲することによってターゲットを分解する必要性がなくなるため、時間量およびコストに関する利点がもたらされる。
本明細書において説明するようなチャンバ、あるいは処理区域からのターゲットの取出しにより、チャンバ内部のパーツおよびデバイスは、好都合に到達および交換することが可能となる。したがって、チャンバ内に配置されたパーツの交換および洗浄プロセスが短縮され、プロセスチャンバの停止時間すなわち遊休時間が減少する。より高い効率およびより優れた作業能力が得られる。
チャンバ、特にハウジングおよび処理区域の内部への容易かつ迅速なアクセスは、本明細書において説明する全ての実施形態に共通する。換言すれば、本明細書において説明する実施形態によるチャンバを使用することにより、ターゲットは、処理区域にアクセスする必要性を伴うことなく、到達され得るものとなる。
上記は、本発明の複数の実施形態に関するが、本発明の基本範囲から逸脱することなく本発明の他のおよびさらなる実施形態を考案することができ、本発明の基本範囲は、添付の特許請求の範囲により決定される。

Claims (15)

  1. 物理的気相堆積用のチャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)であって、
    ハウジング(210、310、410、510、610、710、910、1010)と、
    前記ハウジングを開閉するためのドア(220、320、420、520、620、720、920、1020、1100、1220)と、
    ターゲット(230)を受けるための軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)であって、第1の方向(260)に配向された軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)と
    を備え、
    前記ターゲットが前記第1の方向において前記チャンバから少なくとも部分的に取出し可能となるように構成される、チャンバ。
  2. 前記チャンバの軸受側部が、前記第1の方向(260)に対して実質的に垂直な第2の方向(270)においては、前記軸受側部の対向側部よりも大きな延在範囲を有する、請求項1に記載のチャンバ。
  3. 前記ハウジング(510)は、軸受側部の対向側部に少なくとも1つのターゲット開孔(480)を備え、前記ターゲット開孔は、前記ターゲット(230)の断面サイズを少なくとも有する、請求項1に記載のチャンバ。
  4. 前記ハウジング(510)および前記ドア(520)は、重畳部分を有し、前記ドアは、前記ハウジングの前記ターゲット開孔(480)をロックする、請求項3に記載のチャンバ。
  5. 前記軸受(640、740、1140、1240)は、前記ドア内に配置される、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のチャンバ。
  6. 少なくとも1つのターゲット(230)および基板を受けるように構成された物理的気相堆積用のチャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)であって、
    ハウジング(210、310、410、510、610、710、910、1010)と、
    前記チャンバを開閉するためのドア(220、320、420、520、620、720、920、1020、1100、1220)と、
    前記ターゲットを取り付けるための少なくとも1つの軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)であって、前記ドアに装着される軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)と
    を備える、チャンバ。
  7. 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、前記少なくとも1つの軸受(240、340、440、540、640、740、1140、1240)を備える軸受側部をさらに備え、前記ターゲット(230)は、前記チャンバの第1の方向(260)において前記チャンバから取出し可能であり、前記第1の方向は、前記チャンバの前記軸受側部から前記軸受側部の対向側部まで延びる、請求項6に記載のチャンバ。
  8. 前記ドア(220、320、420、520、620、720、920、1020、1100、1220)の形状が、前記第1の方向(260)に対しては実質的に対称であり、前記第1の方向に対して実質的に垂直な第2の方向(270)に対しては非対称である、請求項1ないし7のいずれか一項に記載のチャンバ。
  9. 前記ハウジング(210、310、410、510、610、710、910、1010)の形状が、前記第1の方向(260)に対しては実質的に対称であり、前記第1の方向に対して実質的に垂直な第2の方向(270)に対しては非対称である、請求項1ないし8のいずれか一項に記載のチャンバ。
  10. 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、2つ以上のドアを備える、請求項1ないし9のいずれか一項に記載のチャンバ。
  11. 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、スパッタリングプロセス用のチャンバである、請求項1ないし10のいずれか一項に記載のチャンバ。
  12. 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、回転ターゲット用のチャンバである、請求項1ないし11のいずれか一項に記載のチャンバ。
  13. 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、ターゲットを駆動するための駆動ユニット(360、760)をさらに備える、請求項1ないし12のいずれか一項に記載のチャンバ。
  14. 前記少なくとも1つの軸受(240、340、440、540、640、740、1140)は、スパッタカソードを受けるように構成される、請求項1ないし13のいずれか一項に記載のチャンバ。
  15. 前記チャンバ(200、300、400、500、600、700、900、1000)は、約1.5m超の基板用に構成される、請求項1ないし14のいずれか一項に記載のチャンバ。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016012038A1 (en) * 2014-07-22 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Target arrangement, processing apparatus therewith and manufacturing method thereof
TWI700750B (zh) * 2017-01-24 2020-08-01 美商應用材料股份有限公司 用於介電薄膜的選擇性沉積之方法及設備
WO2020048846A1 (en) 2018-09-03 2020-03-12 Agc Glass Europe Kit for mounting a surface treatment chamber
WO2022058014A1 (en) * 2020-09-17 2022-03-24 Applied Materials, Inc. Cathode assembly, deposition apparatus and method for sputter deposition
WO2023110105A1 (en) * 2021-12-16 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Cathode assembly, deposition apparatus and method for sputter deposition
NL2030360B1 (en) * 2021-12-30 2023-07-06 Leydenjar Tech B V Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposition Apparatus

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5924758U (ja) * 1982-08-04 1984-02-16 株式会社徳田製作所 スパツタリング装置
JP2002515940A (ja) * 1995-10-27 2002-05-28 バンデルストラーテン エー.ベーファウベーアー 回転式円筒状マグネトロンターゲットをスピンドルに取り付ける装置
JP2002155356A (ja) * 2000-09-08 2002-05-31 Asahi Glass Co Ltd 円筒状ターゲット及びその製造方法
JP2006257546A (ja) * 2005-03-03 2006-09-28 Applied Films Gmbh & Co Kg 基板をコーティングするためのシステムおよびインサート要素
JP2008510066A (ja) * 2004-08-12 2008-04-03 フォン アルデンヌ アンラジェンテクニック ゲーエムベーハー 自浄式ターゲットを有する円筒状マグネトロン
JP2008517150A (ja) * 2004-10-18 2008-05-22 ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック
JP2008523251A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ヴェー ツェー ヘレーウス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ターゲット管と支持管との間に配置された結合層を備える管状ターゲット
JP2008533297A (ja) * 2005-03-11 2008-08-21 ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス 単一の直角エンドブロック
US20090260983A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-22 Angstrom Sciences, Inc. Cylindrical Magnetron

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4519885A (en) * 1983-12-27 1985-05-28 Shatterproof Glass Corp. Method and apparatus for changing sputtering targets in a magnetron sputtering system
US5824197A (en) * 1996-06-05 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Shield for a physical vapor deposition chamber
US6254745B1 (en) * 1999-02-19 2001-07-03 Tokyo Electron Limited Ionized physical vapor deposition method and apparatus with magnetic bucket and concentric plasma and material source
US7097744B2 (en) * 2003-06-12 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling darkspace gap in a chamber
US20050005846A1 (en) * 2003-06-23 2005-01-13 Venkat Selvamanickam High throughput continuous pulsed laser deposition process and apparatus
JP2005213585A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Konica Minolta Opto Inc マグネトロンスパッタ装置
US7824528B2 (en) * 2004-10-18 2010-11-02 Bekaert Advanced Coatings End-block for a rotatable target sputtering apparatus
CN1827545B (zh) * 2005-03-03 2012-11-07 应用材料两合股份有限公司 涂敷基底的系统及插入元件
US20070134500A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Klaus Hartig Sputtering targets and methods for depositing film containing tin and niobium
US20100101949A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Rotatable sputter target backing cylinder, rotatable sputter target, method of producing a rotatable sputter target, and coating installation

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5924758U (ja) * 1982-08-04 1984-02-16 株式会社徳田製作所 スパツタリング装置
JP2002515940A (ja) * 1995-10-27 2002-05-28 バンデルストラーテン エー.ベーファウベーアー 回転式円筒状マグネトロンターゲットをスピンドルに取り付ける装置
JP2002155356A (ja) * 2000-09-08 2002-05-31 Asahi Glass Co Ltd 円筒状ターゲット及びその製造方法
JP2008510066A (ja) * 2004-08-12 2008-04-03 フォン アルデンヌ アンラジェンテクニック ゲーエムベーハー 自浄式ターゲットを有する円筒状マグネトロン
JP2008517150A (ja) * 2004-10-18 2008-05-22 ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック
JP2008523251A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ヴェー ツェー ヘレーウス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ターゲット管と支持管との間に配置された結合層を備える管状ターゲット
JP2006257546A (ja) * 2005-03-03 2006-09-28 Applied Films Gmbh & Co Kg 基板をコーティングするためのシステムおよびインサート要素
JP2008533297A (ja) * 2005-03-11 2008-08-21 ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス 単一の直角エンドブロック
US20090260983A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-22 Angstrom Sciences, Inc. Cylindrical Magnetron

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