JP2013524012A5 - - Google Patents
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Description
一部の実施形態では、接地カラー141は、給送構造体110の本体112と下側部分との周りに配置することができる。接地カラー141は、接地シールド140に結合され、かつ接地シールド140の一体部分又は接地シールドに結合された独立部分とすることができ、給送構造体110の接地を提供する。接地カラー141は、アルミニウム又は銅のような適切な導電材料で製造することができる。一部の実施形態では、接地カラー141の内径と給送構造体110の本体112の外径の間に配置された間隙は、できるだけ小さく、かつ電気的分離を提供するのに過不足のないように保つことができる。間隙は、プラスチック又はセラミックのような絶縁材料で満たすことができ又は空隙とすることができる。接地カラー141は、RF給送部(例えば、以下で説明する電気給送部205)と本体112の間のクロストークを防止し、それによってプラズマ及び処理の均一性を改善する。
一部の実施形態では、端子は、連続的ではなく、2つ又はそれよりも多くの個別のポイントで給送構造体110の本体112に結合することができる。例えば、図4Cに示すように、スロット414は、有利な態様においては、片持ちアーム402、404の各々と本体112の間に提供することができ、端子201、203に印加されたエネルギが接触領域416に誘導される。スロット414は、スロット414を横断する端子から本体への導電経路がないように(例えば、エネルギはスロット414の周囲を移動すべきであるように)、本体112の外側壁412の半径方向外側に少なくとも部分的に形成される。例えば、各端子(RFエネルギに対して一方又は両方、かつDCエネルギに対して一方又は両方)に結合されたエネルギは、有利な態様においては、端子位置から例えば90度離れて伝播するようにスロットによって強制され、1つのみのRFサプライ及びDCサプライが給送構造体110に結合される時であっても対称的な給送がそのように提供される。スロット414は、スロットの相対する側の間のクロストークを防止又は最小にするのに適切なあらゆる幅を有することができる。例えば、一部の実施形態では、スロット414は、約1/8から約2インチの幅を有することができ、又は一部の実施形態では、約1/2インチよりも大きい幅を有することができる。一部の実施形態では、スロット414は、約45から約90度の円弧長を有することができる。
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US8557094B2 (en) | 2006-10-05 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Sputtering chamber having auxiliary backside magnet to improve etch uniformity and magnetron producing sustained self sputtering of ruthenium and tantalum |
WO2009014394A2 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Nuricell, Inc. | Method for depositing ceramic thin film by sputtering using non-conductive target |
US8070925B2 (en) | 2008-10-17 | 2011-12-06 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition reactor with circularly symmetric RF feed and DC feed to the sputter target |
US9834840B2 (en) * | 2010-05-14 | 2017-12-05 | Applied Materials, Inc. | Process kit shield for improved particle reduction |
TWI554630B (zh) * | 2010-07-02 | 2016-10-21 | 應用材料股份有限公司 | 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法 |
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