JP2013520296A - 粒子及びその製造方法 - Google Patents

粒子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013520296A
JP2013520296A JP2012552800A JP2012552800A JP2013520296A JP 2013520296 A JP2013520296 A JP 2013520296A JP 2012552800 A JP2012552800 A JP 2012552800A JP 2012552800 A JP2012552800 A JP 2012552800A JP 2013520296 A JP2013520296 A JP 2013520296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating layer
auxiliary body
particles according
particle
producing particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012552800A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5643343B2 (ja
Inventor
ユン・ギョンビョン
ソン・ピルグック
パク・ヒェリョン
Original Assignee
ソガンデハッキョー・サンハックヒョップリョックダン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソガンデハッキョー・サンハックヒョップリョックダン filed Critical ソガンデハッキョー・サンハックヒョップリョックダン
Publication of JP2013520296A publication Critical patent/JP2013520296A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5643343B2 publication Critical patent/JP5643343B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F1/00—Room units for air-conditioning, e.g. separate or self-contained units or units receiving primary air from a central station
    • F24F1/06—Separate outdoor units, e.g. outdoor unit to be linked to a separate room comprising a compressor and a heat exchanger
    • F24F1/26—Refrigerant piping
    • F24F1/32—Refrigerant piping for connecting the separate outdoor units to indoor units
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221—Ion beam deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Glanulating (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

本願は、第１基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第１表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第２表面は、外部に露出させるステップ、前記第２表面に第１コーティング層を形成するステップ、前記第１コーティング層が形成された補助体と第２基材とを付着するステップ、前記第２基材に付着した前記第１コーティング層が形成された補助体を前記第１基材から分離して、前記第１コーティング層が形成された補助体の第１表面を外部に露出させるステップ、前記第１表面上に第２コーティング層を形成するステップ、及び前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップを含む粒子の製造方法及びこれによって製造される粒子を提供する。
【選択図】図１

Description

本願は、粒子及びその製造方法に関し、より具体的には、数ナノメートル（ｎｍ）から数十マイクロメートル（ｕｍ）のサイズを有する多様な模型の粒子及びその製造方法に関する。
ナノ粒子またはマイクロ粒子を特定の配列状態に整列することは、現代科学と技術において極めて重要な領域である。高精密物質及び装置に前記言及した粒子アレイを使用するためには、粒子は、数ｍｍ以上の大きな欠点がないアレイに整列されなければならず、結晶配向及び格子対称に対する完璧な調節がなければならない。
粒子を整列させるために、従来には、基板上で粒子を整列する方法を使用しているが、このような方法によって形成された粒子アレイは、層状構造をなしており、アレイが充分な表面積を有することができず、またアレイを構成する粒子のサイズがマイクロ水準であり、集積度を向上させることができないという問題があった。
このような問題を解消するためには、ナノ水準のサイズを有し、表面積に優れた粒子及びこのような粒子を含むアレイの開発が切実に要求される。
本願は、前記言及した従来の問題点を解決するために考案されたものであり、本願は、ナノ水準以上のサイズを有し、均一で滑らかなコーティング層が形成された粒子及びその製造方法を提供する。
しかし、本願が解決しようとする課題は、以上で記述した課題に限らず、記述されなかったまた他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
前記目的を達成するために、本願の一側面は、第１基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第１表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第２表面は、外部に露出させるステップ、前記第２表面に第１コーティング層を形成するステップ、前記第１コーティング層が形成された補助体に第２基材を付着するステップ、前記第２基材に付着した前記第１コーティング層が形成された補助体を前記第１基材から分離して、前記第１コーティング層が形成された補助体の第１表面を外部に露出させるステップ、前記補助体の第１表面上に第２コーティング層を形成するステップ、及び前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップを含む粒子の製造方法を提供する。
本願の他の側面は、第１表面及び第２表面を有する補助体、前記補助体の第２表面にコーティングされた第１コーティング層、及び前記補助体の第１表面にコーティングされた第２コーティング層を含む粒子を提供する。
本願のまた他の側面は、前記言及した本願の粒子を含む粒子アレイを提供する。
本願の粒子は、多様なサイズ及び形態を有する補助体表面にコーティング層を形成することで製造されるため、ナノ水準からマイクロ水準のサイズを有する粒子を容易に製造することができる。また、本願の粒子は、均一で滑らかなコーティング層を有しており、モジュール製作が容易で、集積度を極大化させることができる効果があり、このような粒子を含む粒子アレイは、人工光合性分野などの多様な分野に利用することができる。
本願の一具現例による粒子の断面図である。 本願の一具現例による多様な形状の粒子の断面を示す。 本願の一具現例による粒子の製造工程図である。 本願の一具現例による粒子のコーティング層を均一にする工程図である。 本願の一実施例によるＷ−Ｔｉコーティング層が蒸着された、ＳｉＯ２補助体を含むＰＤＭＳ基材を電子顕微鏡で観察した写真である。 本願の一実施例によるＷ−ＴｉがコーティングされたＳｉＯ２補助体の断面を透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＴＥＭ）で観察した写真である。 本願の一実施例によるＷ−Ｔｉコーティング層が形成されていない純粋なＳｉＯ２補助体とＷ−ＴｉがコーティングされたＳｉＯ２補助体との断面を比較観察した写真である。 本願の一実施例によるＩＴＯコーティング層が蒸着された、ＳｉＯ２補助体を含むＰＤＭＳ基材を電子顕微鏡で観察した写真である。 本願の一実施例によるＩＴＯがコーティングされたＳｉＯ２補助体の断面を透過電子顕微鏡で観察した写真である。
以下、添付した図面を参照して、本願が属する技術分野で通常の知識を持った者が容易に実施することができるように本願の具現例及び実施例を詳しく説明する。
しかし、本願は、様々な異なる形態で具現されることができ、ここで説明する具現例及び実施例に限らない。そして、図面で本発明を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似した部分に対しては、類似した図面符号を付けた。
本願の明細書全体において、ある部分がある構成要素を『含む』とすると、これは、特に反対する記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
本明細書で使用される程度の用語『約』、『実質的に』などは、言及された意味に固有の製造及び物質許容誤差が提示される時、その数値でまたはその数値に近接した意味として使用され、本願の理解を助けるために、正確であるか絶対的な数値が言及された開示内容を非良心的な侵害者が不当に利用することを防止するために使用される。本願の明細書全体で使用される程度の用語『〜（する）ステップ』または『〜のステップ』は、『〜のためのステップ』を意味しない。
本願の一側面による粒子の製造方法は、第１基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第１表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第２表面は、外部に露出させるステップ、前記第２表面に第１コーティング層を形成するステップ、前記第１コーティング層が形成された補助体と第２基材とを付着するステップ、前記第２基材に付着した前記第１コーティング層が形成された補助体を前記第１基材から分離して、前記第１コーティング層が形成された補助体の第１表面を外部に露出させるステップ、前記補助体の第１表面上に第２コーティング層を形成するステップ、及び前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップを含む。
一具現例において、前記収容溝に補助体を挿入することは、前記第１基材上に前記補助体を分散させた後、物理的圧力をかけることを含む工程によって行われることができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記物理的圧力は、擦り（ｒｕｂｂｉｎｇ）または押し付け（ｐｒｅｓｓｉｎｇ ａｇａｉｎｓｔ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）によってかけられることができるが、これに限らない。
他の具現例において、前記第１コーティング層を形成するステップ及び前記第２コーティング層を形成するステップは、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層のそれぞれを独立的に真空蒸着、スパッタリング、またはスピンコーティングすることを含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記真空蒸着は、１０−２ｔｏｒｒ〜１０−３ｔｏｒｒの圧力で行われることができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記真空蒸着は、１０℃〜３００℃の温度で行われることができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第２基材は、高分子層を追加含むことができるが、これに限らない。前記高分子層は、熱または光の照射によって前記第２基材から容易に分離または除去されることができるものであれば、特に制限なく使用されることができる。例えば、前記高分子層は、ＰＥＩ（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）を含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップは、前記高分子層を加熱して除去することを含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップの後に、前記補助体に形成された前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層を均一にするステップを追加で含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層を均一にするステップは、前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体をナノステージとプレートとの間に位置させ、前記ナノステージを回転及び線形移動させることを含むことができるが、これに限らない。
例示的具現例において、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層を均一にするステップは、約１００℃〜約５００℃の温度で前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層を酸化させることを追加含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とは、同一の物質または異なる物質を含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層の厚さは、それぞれ独立的に約１ｎｍ〜約１０，０００ｎｍであることができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属−非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、ハロゲン化物及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１基材は、シリコーン（Ｓｉ）または高分子を含むことができるが、これに限らない。例えば、前記高分子は、ポリジメチルシロキサン（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）またはポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）を含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記補助体の平均サイズは、約１ｎｍ〜約１００，０００ｎｍであることができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記補助体は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記補助体は、球形、楕円体、五面柱型、六面柱型、八面柱型、七面柱型、円柱型、角が屈曲した六面柱型、六面体型、角が屈曲した六面体型及びこれらの組合でなる群から選択される形状を含むことができるが、これに限らない。
本願の他の側面による粒子は、第１表面及び第２表面を有する補助体、前記補助体の第２表面にコーティングされた第１コーティング層、及び前記補助体の第１表面にコーティングされた第２コーティング層を含むことができる。
一具現例において、前記補助体のサイズは、約１ｎｍ〜約１００，０００ｎｍであることができるが、これに限らない。
他の具現例において、前記補助体は、球形、楕円体、五面柱型、六面柱型 、八面柱型、七面柱型、円柱型、角が屈曲した六面柱型 、六面体型、角が屈曲した六面体型及びこれらの組合でなる群から選択される形状を有することができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記補助体は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属−非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、ハロゲン化物及びこれらの組合でなる群から選択される物質を含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層のそれぞれは、独立的にＷ−Ｔｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＮ、ＺｎＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＭｎＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＫＴａＯ３、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｎＯ２及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層の厚さは、それぞれ独立的に約１ｎｍ〜約１０，０００ｎｍであることができるが、これに限らない。
また他の具現例において、前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とは、同一の物質または異なる物質を含むことができるが、これに限らない。
本願のまた他の側面による粒子アレイは、前記言及した本願の粒子を含む。前記粒子アレイ及び前記粒子は、前記粒子の製造方法に記述された内容を全て含むことができ、便宜上、重複記載を省略する。
以下、図面を参照して、本願の粒子及びこれの製造方法に対して具体的に説明する。しかし、本願はこれに限らない。
図１は、本願の一具現例による粒子（１０）の断面図である。
粒子の役割をする物質を利用して直接的な方法で粒子を製造する従来方法では、多様な範囲のサイズを有して表面積に優れた粒子、例えば球形状の粒子を作ることが困難であった。これにより、本願は、数ナノメートル(ｎｍ)から数十マイクロメートル(ｕｍ)のサイズを有し、表面積に優れた粒子(１０)を容易に製造するために、間接的な方法を使用する。より具体的に、ナノサイズを有して多様な球形またはその他の多様な模様を容易に作ることができる材料を利用して骨組みの役割をすることができる補助体（１１）を作った後、前記補助体（１１）に粒子(１０)の役割をするコーティング層（１５）をコーティングしてナノサイズの球形の粒子（１０）を製造する。
以下の明細書では、球形の補助体（１１）及びこれを利用して製造された球形の粒子（１０）を具現例または実施例として記載しているが、前記補助体及び前記粒子の形状を特に限定するのではなく、図２に示すように、球形、楕円体、五面柱型、六面柱型、七面柱型、八面柱型、円柱型、六面体型、角が屈曲した六面柱型、角が屈曲した六面体型の断面を有する多様な形状を含むことができる。
一具現例において、前記補助体（１１）は、約１ｎｍ〜約１００，０００ｎｍの平均サイズまたは平均サイズを有することができる。前記補助体（１１）の平均サイズが１ｎｍ未満である場合、サイズが小さ過ぎて粒子（１０）の製造が容易ではなく、一方前記補助体（１１）の平均サイズが１００，０００ｎｍを超過する場合、補助体（１１）の全体サイズが大きくなり過ぎて表面積及び集積度が低下されることがある。前記補助体の平均サイズは、前記補助体（１１）の外接円の直径及び内接円の直径を平均したものである。
このような補助体（１１）の材料は、ナノからマイクロサイズの形状を容易に製造することができ、熱的・化学的に安定した物質であれば特に制限なく使用されることができ、例えば、前記補助体は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むものであることができる。前記二酸化ケイ素は、ナノサイズの球形補助体（１１）に容易に製造することができ、熱的・化学的に安定し、形態安全性に優れているため、コーティング層（１５）を長期間安定して維持させることができるという利点がある。
前記補助体（１１）は、これの上下にそれぞれ第１表面（１１ａ）及び第２表面（１１ｂ）が形成されており、前記第１表面（１１ａ）には、第２コーティング層（１３）がコーティングされ、前記第２表面（１１ｂ）には、第１コーティング層（１２）がコーティングされている。
前記補助体上にコーティングされているコーティング層（１５）は、約１ｎｍ〜約１０，０００ｎｍの厚さを有することができる。前記コーティング層（１５）の厚さが１ｎｍ未満である場合、用途展開時に効率が落ちることがあり、一方前記コーティング層（１５）の厚さが１０，０００ｎｍを超過する場合、粒子（１０）の全体サイズが大きくなるため、集積度及び表面積が低下されることがある。
前記第１コーティング層（１２）と前記第２コーティング層（１３）とは、同一のサイズであってもよく、異なるサイズであってもよい。即ち、前記第１コーティング層（１２）の表面積と前記第２コーティング層（１３）の表面積とは、同一であるか異なることがある。これは、後述する粒子（１０）の製造方法において第１基材に形成された収容溝（１１０）の形態によって第１コーティング層（１２）の表面積及び第２コーティング層（１３）の表面積が同一であるか異なる工程を参照すれば、容易に理解することができる。
前記第１コーティング層（１２）及び前記第２コーティング層（１３）のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属−非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、及びハロゲン化物のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、前記第１コーティング層（１２）及び第２コーティング層（１３）は、Ｗ−Ｔｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＮ、ＺｎＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＭｎＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＫＴａＯ３、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、及びＳｎＯ２のうち少なくとも一つを含むことができるが、これに限らない。
前記第１コーティング層（１２）及び前記第２コーティング層（１３）は、同一の物質でなることができるが、必要な場合、前記第１コーティング層（１２）及び第２コーティング層（１３）を互いに異なる性質を有する物質で形成することができる。例えば、一つの粒子（１０）に酸化機能を有する物質と還元機能を有する物質とを前記第１コーティング層（１２）及び第２コーティング層（１３）としてそれぞれコーティングして形成された粒子（１０）は、酸化機能及び還元機能を同時に具現することができる。
以下では、本願の一具現例による粒子（１０）の製造方法を具体的に説明する。補助体（１１）、コーティング層（１５）などの前述したものと同一の部分に対する具体的な説明は省略する。
図３は、本願の一具現例によるナノサイズの球形粒子（１０）の製造工程図である。先ず、図３（ａ）に示すように、所定の収容溝（１１０）を有する第１基材（１００）を準備する。前記収容溝（１１０）は、上述した補助体（１１）を収容する役割をするものであり、前記補助体（１１）が前記収容溝（１１０）に容易に挿入されることができるように前記補助体（１１）と類似した形状をすることができる。
前記収容溝（１１０）は、前記補助体（１１）の半分サイズ以下でなることができ、この場合、前記第１基材の収容溝に挿入された前記補助体（１１）に第１コーティング層（１２）を形成した後、前記第１コーティング層（１２）に第２基材を付着した後、前記第１基材（１００）から前記第１コーティング層（１２）がコーティングされた補助体（１１）を分離する工程がより容易に行われることができる。前記第１基材は、シリコーン（Ｓｉ）または高分子材質を含むことができる。また、前記高分子材質は、ポリジメチルシロキサン（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）またはポリメチルメタクリレート(ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ)を含むことができるが、必ずこれに限られるものではない。
本願の一実施例による前記補助体（１１）は、二酸化ケイ素補助体を使用した。前記二酸化ケイ素補助体（１１）の製造のためにエタノール及び水酸化アンモニウム(ＮＨ４ＯＨ)の溶媒に噴霧器を利用してテトラエチルオルトシリケート(ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ)を添加して混合した後、これを遠心分離し、エタノールで洗浄して二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）パウダーを収得した。次いで、製造された前記二酸化ケイ素パウダーをトルエンに溶かした後、噴射器を利用してアミノプロピルトリエトキシシラン(ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、ＡＰＳ)を添加して５時間程度還流し、その後、トルエンで洗浄し、フィルタリング及び乾燥することで、〜６５０ｎｍの粒子サイズを有する二酸化ケイ素補助体（１１）を製造した。
次に、図３（ｂ）に示すように、第１基材（１００）の収容溝（１１０）に補助体（１１）を挿入する。前記挿入により、前記補助体（１１）は、収容溝（１１０）に収容された補助体（１１）の第１表面（１１a）及び外部に露出した補助体（１１）の第２表面（１１ｂ）を有する。
前記補助体（１１）を収容溝（１１０）に挿入する工程は、多様な方法によって行われることができ、前記補助体に物理的圧力をかけることで行うことができる。前記補助体に物理的圧力をかける方法の非制限的な例示として、擦り(ｒｕｂｂｉｎｇ)または押し付け(ｐｒｅｓｓｉｎｇ ａｇａｉｎｓｔ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ)が挙げられるが、これに限らない。前記圧力は、前記補助体（１１）が前記第１基材（１００）上の収容溝（１１０）に円滑に挿入されて固定される程度の圧力を付与することができる。
擦りとは、前記補助体上に簡単に物理的な圧力だけをかけて前記補助体と前記第１基材上に物理的または化学的結合を形成させることをいう。前記化学的結合は、水素結合、イオン結合、共有結合、配位結合またはファンデルワールス結合を含むことができ、好ましくは、イオン結合または水素結合を含むことができる。前記擦りは、素手(ｂａｒｅ ｈａｎｄ)、ゴム手袋を着用した手を利用して前記補助体に圧力をかけることができ、擦る道具または擦る機械装置を利用して前記補助体に圧力をかけることができるが、これに限らない。
このように物理的圧力によって前記補助体を挿入する方法は、溶媒に分散した粒子を利用して挿入する従来技術とは違って、精密な温度調節及び湿度調節が必要なく、非常に簡単である。また、所望の方向に前記第１基材上に補助体を速く移動させるため、前記第１基材上で補助体の移動が表面特性（例えば、疎水性、電荷及びｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）によって影響を受けることを防ぐ。また、溶媒に分散した粒子を使用する従来技術は、溶媒の毛細管現象によって収容溝内に補助体が挿入され難く、挿入可否が不規則であるが、本願は、補助体に物理的圧力をかけて挿入部に直接挿入させるので、全ての挿入部に補助体を挿入させることができる。
次に、図３（ｃ）に示すように、外部に露出した補助体（１１）の第２表面（１１ｂ）に第１コーティング層（１２）を形成する。前記第１コーティング層を形成する一具現例として、真空蒸着、スパッタリングまたはスピンコーティングを利用してチタニウム(Ｔｉ)のような金属を補助体（１１）の第２表面（１１ｂ）に蒸着させる工程を通じて行われることができる。前記真空蒸着工程は、アルゴンガスと約１０−２トル（ｔｏｒｒ）〜１０−３トル（ｔｏｒｒ）の雰囲気で約４０ワット〜約１５０ワット、及び約１０℃〜約３００℃の温度で行うことができる。前記条件は、第１コーティング層（１２）が補助体（１１）と円滑に接着されるようにする範囲で設定されなければならないが、その理由は、後述する第２基材（２００）に付着した補助体（１１）を第１基材（１００）から分離する工程中、コーティング層（１５）が損傷される問題を防止するためである。即ち、補助体（１１）が第１基材（１００）と強く付着しており、前記補助体（１１）の第１コーティング層（１２）の接着力が弱い場合、前記分離工程中に第１コーティング層（１２）が剥がれることがある。
次に、図３（ｄ）に示すように、前記第１コーティング層（１２）が形成された補助体（１１）に第２基材（２００）を付着する。前記第２基材(２００）は、前記第１基材（１００）から補助体（１１）を容易に分離させる役割とともに、前記補助体（１１）の第１表面（１１a）を円滑にコーティングするための支持体のような役割をする。
前記第１コーティング層（１２）は、単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属−非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、及びハロゲン化物のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、前記第１コーティング層（１２）及び第２コーティング層（１３）は、Ｗ−Ｔｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＮ、ＺｎＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＭｎＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＫＴａＯ３、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、及びＳｎＯ２のうち少なくとも一つを含むことができるが、これに限らない。
前記第１コーティング層（１２）がコーティングされた補助体（１１）に第２基材（２００）を付着する一具現例をより具体的に説明すると、下記の通りである。スピンコーティングを通じてガラス板（２２０）にポリエーテルイミド(Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ)のような高分子を前記ガラス板（２２０）にコーティングして前記高分子層（２１０）が形成された第２基材を準備する。以後、前記第２基材に形成された前記高分子層（２１０）を前記第１コーティング層（１２）がコーティングされた補助体（１１）に安着させた後、圧力をかけて、前記第１コーティング層（１２）がコーティングされた補助体（１１）に前記第２基材（２００）を付着する。
最後に、図３（ｅ）に示すように、前記第２基材（２００）に付着した補助体（１１）を前記第１基材（１００）から分離することで、前記補助体（１１）の第１表面（１１ａ）を外部に露出させる。前記第１基材（１００）の収容溝（１１０）は、前記補助体（１１）の第１表面（１１ａ）と物理的に弱く付着しているため、第１基材（１００）は、補助体（１１）から容易に分離することができる。仮に、前記補助体（１１）が前記第１基材（１００）から円滑に分離されない場合、前記第１基材（１００）に熱を加える工程を追加することで、前記第２基材（２００）に付着した補助体（１１）を前記第１基材（１００）からより容易に分離させることができる。
以後、図３（ｆ）に示すように、前記補助体（１１）の第１表面（１１ａ）に第２コーティング層（１３）を形成する工程を実施する。これにより、前記補助体（１１）の全体表面がコーティング層（１５）でなるようになる。前記第２コーティング層を形成する工程は、上述した前記補助体（１１）の第２表面（１１ｂ）に第１コーティング層（１２）をコーティングする工程と同一の方法を利用して行うことができ、便宜上、重複記載を省略する。
前記第２コーティング層（１３）は、単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属−非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、及びハロゲン化物のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、前記第１コーティング層（１２）及び第２コーティング層（１３）は、Ｗ−Ｔｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＮ、ＺｎＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＭｎＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＫＴａＯ３、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、及びＳｎＯ２のうち少なくとも一つを含むことができるが、これに限らない。
前記第２コーティング層（１３）は、前記第１コーティング層（１２）と同一の物質であるか、前記第１コーティング層（１２）と第２コーティング層（１３）とは、それぞれ機能が異なる物質であることができるが、このように一つの補助体（１１）に機能が異なる物質がコーティングされる場合、集積度を高めることができ、用途展開時に効率を向上させることができる。
次に、図３（ｇ）に示すように、前記第１コーティング層（１２）と前記第２コーティング層（１３）とがコーティングされた補助体（１１）を前記第２基材（２００）から分離する工程を実施する。こうして、第１コーティング層（１２）と第２コーティング層（１３）とがコーティングされた補助体（１１）のみを取ることができる。例えば、前記第２基材上に高分子層が追加で形成されている場合、前記分離工程は化学的方法、即ち、酸を利用して前記第２基材（２００）に追加形成された高分子層をＡｒイオンビームまたはＩＣＰ(Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ)を利用してエッチングして除去するか、熱または光を利用して前記第２基材（２００）に追加形成された高分子層を燃消させて除去することができる。上述したように製造された、補助体（１１）上の前記第１コーティング層（１２）と前記第２コーティング層（１３）とは、これの接着部位に導出されたコーティング層を有することができ、この場合、前記導出されたコーティング層を除去してコーティング層（１５）の表面を滑らかにするための工程が必要となる。
図４は、本願の一具現例による粒子（１０）のコーティング層（１５）を均一にする工程図である。図４に示すように、前記補助体（１１）のコーティング層（１５）を均一にする工程は、均一化装置（３００）を利用して行われることができる。より具体的に、前記第２基材（２００）から分離した補助体（１１）をナノステージ（３２０）上に分散させ、前記分散した補助体（１１）に上部プレート（３１０）を安着させた後、前記ナノステージ（３２０）を回転及び/または線形移動させて補助体（１１）のコーティング層（１５）を均一にすることができる。このような工程を通じて、前記補助体（１１）の表面に導出されたコーティング層（１５）が除去され、コーティング層（１５）が滑らかで均一になる。
前記補助体（１１）のコーティング層（１５）を均一にするために、前記ナノステージ（３２０）及び上部プレート（３１０）との間隔は、コーティング層（１５）が形成された補助体（１１）の直径と同一に設定することができるが、これに限らない。前記ナノステージ（３２０）及び上部プレート（３１０）との間隔がコーティングされた補助体（１１）の直径より小さい場合、補助体（１１）のコーティング層（１５）が損傷されることがあり、反対の場合、補助体（１１）の表面に導出されたコーティング層（１５）が円滑に除去されないことがある。
一具現例において、前記補助体（１１）のコーティング層（１５）を均一にする工程は、酸素ガスが付与された状態で１００℃〜５００℃の温度で前記補助体（１１）のコーティング層（１５）を酸化させる工程を追加で含むことができる。例えば、コーティング層（１５）が金属を含む場合、前記酸化工程を通じて補助体（１１）の金属コーティング層（１５）は金属酸化物コーティング層（１５）に転換されることができ、前記金属の種類に応じて前記金属酸化物は半導体特性または絶縁体特性を示すものであることができる。
選択的に、本願の粒子（１０）の製造方法は、上述した工程のうち、補助体（１１）の表面に形成されたコーティング層（１５）は除去せず、第１基材（１００）及び第２基材（２００）上に形成された不要なコーティング層（１５）を選択的に除去する工程をさらに含んで行われることができる。この場合、上述した補助体（１１）のコーティング層（１５）を均一にする工程が省略されることができ、コーティング層（１５）の表面がさらに滑らかになることができる。前記第１基材（１００）及び第２基材（２００）上に形成されたコーティング層（１５）を選択的に除去する工程は、第１コーティング層（１２）及び第２コーティング層（１３）をコーティングする工程後に行われることができる。即ち、前記コーティング層（１５）にフォトレジストー層をコーティングした後、前記フォトレジストー層上にフォトマスクを載せた後、紫外線を照射し、現像液を吹き付けた後にエッチング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）する工程を通じて第１基材（１００）及び第２基材（２００）上に形成されたコーティング層（１５）のみを選択的に除去することができる。
本願は、前記言及した工程を通じて補助体（１１）の全体表面にコーティング層（１５）が形成された粒子（１０）を製造することができる。前記粒子（１０）は、数ナノから数十マイクロまで多様なサイズを有することで、現代科学文明に多くの応用可能性を提供することができる。
以下で、実施例を挙げて本願をより詳しく説明するが、本願はこれに限らない。
[実施例１]
平均直径が６５０ｎｍである球形の収容溝を有するＰＤＭＳ基材上に、擦り(ｒｕｂｂｉｎｇ)によって球形のＳｉＯ２補助体を挿入した。以後、ＲＦスパッタリング工程によって前記ＳｉＯ２補助体の露出した表面を含み、前記補助体が挿入されたＰＤＭＳ基材上にＷ−Ｔｉを蒸着した。より具体的に、前記ＲＦスパッタリングの蒸着工程は、２×１０−２ｔｏｒｒ、アルゴンガス５０ｓｃｃｍ、２５℃の雰囲気で蒸着される前記ＰＤＭＳ基板を約５ｃｍ程度離隔(ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｄｉｓｔａｎｃｅ)させた状態で、６０Ｗの電力(ｒ.ｆ.ｐｏｗｅｒ)を１分間印加することで行われた。前記Ｗ−Ｔｉコーティング層の厚さは、約１５ｎｍで〜２０ｎｍであった。図５は、前記言及した工程によって形成されたＷ−Ｔｉコーティング層が蒸着された、ＳｉＯ２補助体を含むＰＤＭＳ基材を電子顕微鏡で観察した写真である。
次いで、ガラス基材及びその上に形成されたＰＥＩ層を含むＰＥＩ／ガラス基材を前記Ｗ−Ｔｉコーティング層が形成されたＰＤＭＳ基材に接触した後、分離させる方法によって、前記ＰＤＭＳ基材上にＳｉＯ２補助体をＰＥＩ／ガラス基材上に転写した。以後、ＲＦスパッタリング工程によってＷ−Ｔｉが蒸着されていないＳｉＯ２補助体の一側面に追加でＷ−Ｔｉを蒸着した。より具体的に、前記ＲＦスパッタリングの蒸着工程は２×１０−２ｔｏｒｒ、アルゴンガス５０ｓｃｃｍ、２５℃の雰囲気で１分間行われ、蒸着される前記ガラス基板を約２ｃｍ程度離隔(ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｄｉｓｔａｎｃｅ)させた状態で、４５Ｗの電力（ｒ.ｆ.ｐｏｗｅｒ）を約１分間印加することで行われた。前記Ｗ−Ｔｉ蒸着厚さは、約１５ｎｍ〜約２０ｎｍであった。以後、焼成(ｆｉｒｉｎｇ)によって前記ＰＥＩ層を除去することで、Ｗ−Ｔｉが全体表面にコーティングされたＳｉＯ２補助体を前記ガラス基板から分離した。図６は、前記工程によって収得された、Ｗ−ＴｉがコーティングされたＳｉＯ２補助体を透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＴＥＭ）で観察した写真であり、前記補助体の内部(Ｐｏｉｎｔ１)及び前記補助体の表面(Ｐｏｉｎｔ２)の成分比を下記表１のように分析し、下記表１を参照すると、ＳｉＯ２補助体の表面上にＷ−Ｔｉコーティング層が蒸着されていることを確認することができる。
また、図７を参照すると、Ｗ−Ｔｉコーティング層が形成されていない純粋なＳｉＯ２補助体（図７（ｄ））とＷ−ＴｉがコーティングされたＳｉＯ２補助体（図７（ａ）〜図７（ｃ））とを比較観察することができる。
[実施例２]
平均直径が６５０ｎｍである球形の収容溝を有するＰＤＭＳ基材上に、擦り(ｒｕｂｂｉｎｇ)によって球形のＳｉＯ２補助体を挿入した。以後、ＲＦスパッタリング工程によって前記ＳｉＯ２補助体の露出した表面を含み、前記補助体が挿入されたＰＤＭＳ基材上にＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２、Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）を蒸着した。より具体的に、１次ＲＦスパッタリングの蒸着工程は、圧力雰囲気を２×１０−２ｔｏｒｒ、アルゴンガス：Ｏ２＝５０：０.３ｓｃｃｍで混合し、２５℃の雰囲気で蒸着される前記ＰＤＭＳ基板を約４ｃｍ程度離隔(ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｄｉｓｔａｎｃｅ)させた状態で、６０Ｗの電力(ｒ.ｆ.ｐｏｗｅｒ)を約１０分間印加することで行われた。前記ＩＴＯ蒸着厚さは約１５ｎｍであった。図８は、前記言及した工程によって形成されたＩＴＯコーティング層が蒸着された、ＳｉＯ２補助体を含むＰＤＭＳ基材を電子顕微鏡で観察した写真である。
次いで、ガラス基材及びその上に形成されたＰＥＩ層を含むＰＥＩ／ガラス基材に前記ＩＴＯが蒸着されたＰＤＭＳを接触した後、分離させる方法によって、前記ＰＤＭＳ基材上の前記ＩＴＯが蒸着されたＳｉＯ２補助体を前記ＰＥＩ／ガラス記載上に転写した。以後、ＲＦスパッタリング工程によってＩＴＯが蒸着されていないＳｉＯ２補助体の一側面に追加でＩＴＯを蒸着させた。より具体的に、２次ＲＦスパッタリングの蒸着工程は、２×１０−２ｔｏｒｒ、アルゴンガス：Ｏ２＝５０：０.３ｓｃｃｍで混合し、２５℃の雰囲気で行われ、蒸着される前記ガラス基板を約７.５ｃｍ程度離隔(ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｄｉｓｔａｎｃｅ)させた状態で、１００Ｗの電力(ｒ.ｆ.ｐｏｗｅｒ)を約２０分間認可することで行われた。前記ＩＴＯ蒸着厚さは約１５ｎｍであった。以後、焼成(ｆｉｒｉｎｇ)によって前記ＰＥＩ層を除去することで、ＩＴＯ層が全体表面に蒸着されたＳｉＯ２補助体を前記ガラス基板から分離した。
図９は、前記工程によって収得された、ＩＴＯがコーティングされたＳｉＯ２補助体を透過電子顕微鏡(Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＴＥＭ)で観察した写真であり、コーティングされたＩＴＯ層の厚さは約１５ｎｍであった。前記補助体の内部(Ｐｏｉｎｔ１)及び前記補助体の表面(Ｐｏｉｎｔ２)の成分比を下記表２のように分析し、下記表２を参照すると、ＳｉＯ２補助体の表面上にＩＴＯコーティング層が蒸着されていることを確認することができる。
上記では、本願の好ましい具現例及び実施例を参照して説明したが、該当技術分野で通常の知識を持った者なら下記の特許請求の範囲に記載された本願の思想及び領域から逸脱しない範囲内で、本願を多様に修正及び変更させることできることを理解できるであろう。

Claims (25)

  1. 第１基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第１表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第２表面は、外部に露出させるステップ、
    前記第２表面に第１コーティング層を形成するステップ、
    前記第１コーティング層が形成された補助体に第２基材を付着するステップ、
    前記第２基材に付着した前記第１コーティング層が形成された補助体を前記第１基材から分離して、前記第１コーティング層が形成された補助体の第１表面を外部に露出させるステップ、
    前記補助体の第１表面上に第２コーティング層を形成するステップ、及び
    前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップ
    を含む、粒子の製造方法。
  2. 前記収容溝に補助体を挿入することは、前記第１基材上に前記補助体を分散させた後、物理的圧力をかけることを含む工程によって行われることである、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  3. 前記物理的圧力は、擦り(ｒｕｂｂｉｎｇ)または押し付け(ｐｒｅｓｓｉｎｇ ａｇａｉｎｓｔ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ)によってかけられることである、請求項２に記載の粒子の製造方法。
  4. 前記第１コーティング層を形成するステップ及び前記第２コーティング層を形成するステップは、前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層のそれぞれを独立的に真空蒸着、スパッタリング、またはスピンコーティングすることを含むことである、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  5. 前記真空蒸着は、１０−２ｔｏｒｒ〜１０−３ｔｏｒｒの圧力で行われることである、請求項４に記載の粒子の製造方法。
  6. 前記真空蒸着は、１０℃〜３００℃の温度で行われることである、請求項４に記載の粒子の製造方法。
  7. 前記第２基材は、高分子層を追加含むことである、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  8. 前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップは、前記高分子層を加熱して除去することを含むことである、請求項７に記載の粒子の製造方法。
  9. 前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップの後に、前記補助体に形成された前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層を均一にするステップを追加で含む、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  10. 前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層を均一にするステップは、前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を、ナノステージと、プレートとの間に位置させ、前記ナノステージを回転及び線形移動させることを含むことである、請求項９に記載の粒子の製造方法。
  11. 前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層を均一にするステップは、１００℃〜５００℃の温度で前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層を酸化させることを追加含むことである、請求項１０に記載の粒子の製造方法。
  12. 前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とは、同一の物質または異なる物質を含むことである、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  13. 前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層の厚さは、それぞれ独立的に１ｎｍ〜１０，０００ｎｍである、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  14. 前記補助体は、１ｎｍ〜１０，０００ｎｍのサイズを有するものである、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  15. 前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属−非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、ハロゲン化物及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことである、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  16. 前記第１基材は、シリコーン(Ｓｉ)または高分子を含むことである、請求項１に記載の粒子の製造方法。
  17. 第１表面及び第２表面を有する補助体、
    前記補助体の第２表面にコーティングされた第１コーティング層、及び
    前記補助体の第１表面にコーティングされた第２コーティング層を含む、粒子。
  18. 前記補助体の平均サイズは、１ｎｍ〜１００，０００ｎｍである、請求項１７に記載の粒子。
  19. 前記補助体は、球形、楕円体、五面柱型、六面柱型、八面柱型、七面柱型、円柱型、角が屈曲した六面柱型、六面体型、角が屈曲した六面体型及びこれらの組合でなる群から選択される形状を有するものである、請求項１７に記載の粒子。
  20. 前記補助体は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことである、請求項１７に記載の粒子。
  21. 前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層のそれぞれは、独立的に単一成分の金属、合金、単一成分の非金属、非金属混合物、金属−非金属混合物、非金属混合物のカルコゲン化物、窒化物、燐化物、ハロゲン化物及びこれらの組合でなる群から選択される物質を含むことである、請求項１７に記載の粒子。
  22. 前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層のそれぞれは、独立的にＷ−Ｔｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＮ、ＺｎＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＭｎＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＫＴａＯ３、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｎＯ２及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことである、請求項１７に記載の粒子。
  23. 前記第１コーティング層及び前記第２コーティング層の厚さは、それぞれ独立的に１ｎｍ〜１０，０００ｎｍである、請求項１７に記載の粒子。
  24. 前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とは、同一の物質または異なる物質を含むものである、請求項１７に記載の粒子。
  25. 請求項１７乃至２４のうち、いずれか一項による粒子を含む粒子アレイ。
JP2012552800A 2010-02-09 2011-02-09 粒子の製造方法 Expired - Fee Related JP5643343B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100012050 2010-02-09
KR10-2010-0012050 2010-02-09
PCT/KR2011/000848 WO2011099760A2 (ko) 2010-02-09 2011-02-09 입자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013520296A true JP2013520296A (ja) 2013-06-06
JP5643343B2 JP5643343B2 (ja) 2014-12-17

Family

ID=44368285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012552800A Expired - Fee Related JP5643343B2 (ja) 2010-02-09 2011-02-09 粒子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9514936B2 (ja)
EP (1) EP2535311B1 (ja)
JP (1) JP5643343B2 (ja)
KR (1) KR101298986B1 (ja)
WO (1) WO2011099760A2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10005674B2 (en) 2014-06-27 2018-06-26 Regents Of The University Of Minnesota Silica support structure for a zeolite membrane
JP6507969B2 (ja) * 2015-09-25 2019-05-08 コニカミノルタ株式会社 ガス検知方法及びガス検知装置
CN108374149B (zh) * 2018-03-12 2019-12-03 内蒙古中天宏远再制造股份公司 一种金属表面富含稀土元素超耐磨合金层的生产装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160053A (ja) * 1998-11-30 2000-06-13 Tomoegawa Paper Co Ltd 複合粒子およびその製造方法
US20060234417A1 (en) * 2002-07-16 2006-10-19 Tetsuhiko Isobe Composite nanoparticle and process for producing the same
JP2006309048A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Canon Inc トナー
JP2006322001A (ja) * 2005-05-16 2006-11-30 Samsung Electro Mech Co Ltd コーティングされたナノ粒子およびそれを利用した電子素子
JP2008130210A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Gunma Univ 磁気記録媒体、金属ガラス基板、磁気記録媒体の製造方法、ナノ金型の製造方法および金属ガラス基板の製造方法
JP2009013454A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Institute Of Physical & Chemical Research 微粒子表面への金属コーティング方法および該方法によって金属コーティングされた微粒子
JP2009535604A (ja) * 2006-05-01 2009-10-01 富士レビオ株式会社 金属コーティングにてカプセル化された非金属蛍光粒子

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1302206A (ja) * 1968-12-30 1973-01-04
JP2909744B2 (ja) * 1988-06-09 1999-06-23 日新製鋼株式会社 微粉末を被覆する方法と装置
US4965967A (en) * 1989-12-22 1990-10-30 Watkins-Johnson Company Apparatus for low stress polishing of spherical objects
US5484074A (en) * 1994-05-03 1996-01-16 Bmc Industries, Inc. Method for manufacturing a shadow mask
KR20010081960A (ko) * 1998-05-21 2001-08-29 . 생물학적 매질을 구성하기 위한 다작용 입자
JP2001191025A (ja) * 1999-11-04 2001-07-17 Dainippon Printing Co Ltd 高分子−微粒子複合体の製造方法
JP3947118B2 (ja) * 2003-03-03 2007-07-18 Ｊｆｅミネラル株式会社 表面処理金属超微粉、その製造方法、導電性金属ペースト及び積層セラミックコンデンサ
TW592837B (en) * 2003-04-25 2004-06-21 Chung Shan Inst Of Science Photo-catalyst-coated air-cleaning fluorescent lamp and method for producing the same
US7348709B2 (en) * 2004-04-16 2008-03-25 Npoint, Inc. Heavy-load nanopositioner with dual-parallel flexure design

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160053A (ja) * 1998-11-30 2000-06-13 Tomoegawa Paper Co Ltd 複合粒子およびその製造方法
US20060234417A1 (en) * 2002-07-16 2006-10-19 Tetsuhiko Isobe Composite nanoparticle and process for producing the same
JP2006309048A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Canon Inc トナー
JP2006322001A (ja) * 2005-05-16 2006-11-30 Samsung Electro Mech Co Ltd コーティングされたナノ粒子およびそれを利用した電子素子
JP2009535604A (ja) * 2006-05-01 2009-10-01 富士レビオ株式会社 金属コーティングにてカプセル化された非金属蛍光粒子
JP2008130210A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Gunma Univ 磁気記録媒体、金属ガラス基板、磁気記録媒体の製造方法、ナノ金型の製造方法および金属ガラス基板の製造方法
JP2009013454A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Institute Of Physical & Chemical Research 微粒子表面への金属コーティング方法および該方法によって金属コーティングされた微粒子

Also Published As

Publication number Publication date
EP2535311A4 (en) 2017-01-11
KR20110093667A (ko) 2011-08-18
JP5643343B2 (ja) 2014-12-17
KR101298986B1 (ko) 2013-09-03
WO2011099760A2 (ko) 2011-08-18
EP2535311A2 (en) 2012-12-19
WO2011099760A3 (ko) 2012-01-05
US20130040145A1 (en) 2013-02-14
US9514936B2 (en) 2016-12-06
EP2535311B1 (en) 2018-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5950310B2 (ja) 孔を有する多孔性薄膜の製造方法および孔を有する薄膜の製造方法
US7829844B2 (en) Substrate for mass spectrometry, and method for manufacturing substrate for mass spectrometry
JP5574586B2 (ja) 基板構造及びその形成方法
JP5424638B2 (ja) ＳｉＯ２中のナノ結晶ケイ素および独立ケイ素ナノ粒子の調製方法
KR102093678B1 (ko) 반도체 제조 장치용 부재
JP2014029476A (ja) 構造体、光学部材、反射防止膜、撥水性膜、質量分析用基板、位相板、構造体の製造方法、及び反射防止膜の製造方法
JP5643343B2 (ja) 粒子の製造方法
US11037794B2 (en) Methods for multiple-patterning nanosphere lithography for fabrication of periodic three-dimensional hierarchical nanostructures
CN108503870A (zh) 阻气性膜
JP2006196879A5 (ja)
US20140193656A1 (en) Method of manufacturing fine metal powder and fine metal powder manufactured by using the same
Matsumae et al. A scalable clean graphene transfer process using polymethylglutarimide as a support scaffold
JP2004351608A (ja) ナノ材料の製造方法およびナノ材料
KR101251344B1 (ko) 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법
Brevnov et al. Fabrication of anisotropic super hydrophobic/hydrophilic nanoporous membranes by plasma polymerization of c 4 f 8 on anodic aluminum oxide
CN1321223C (zh) 顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法
JP2008053666A (ja) パターン形成方法およびパターン形成体
Liao et al. A rapid prototyping approach to ag nanoparticle fabrication in the 10–100 nm range
Song et al. An electric field assembler system for micro-nanofabrication of energy storage materials
TW201605717A (zh) 矽與氧化矽奈米結構以及製造矽與氧化矽奈米結構的方法
KR101101431B1 (ko) 자기조립 단분자막 제조방법
Yu et al. Distorted colloidal arrays as designed template
WO2010014045A1 (en) Method of modifying a substrate for deposition of charged particles thereon
Yasseri et al. Electroless deposition of Au nanocrystals on Si (111) surfaces as catalysts for epitaxial growth of Si nanowires
KR101595662B1 (ko) 금속 시브 구조체의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130919

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131025

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140121

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140221

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140415

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140703

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140827

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141001

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141030

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5643343

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees