JP2013507792A5

JP2013507792A5 -

Info

Publication number: JP2013507792A5
Application number: JP2012534275A
Authority: JP
Filing date: 2010-10-12
Publication date: 2013-11-28

Claims

シリコン材料を含む基板と、
前記基板に結合された利得媒質であって、化合物半導体材料を含む利得媒質と、
前記基板内に配置され、前記利得媒質に光結合された導波路と、
第１の反射率スペクトルによって特徴付けられ、前記基板内に配置された第１の波長選択性素子と、
第２の反射率スペクトルによって特徴付けられ、前記基板内に配置された第２の波長選択性素子と、
前記基板内に配置され、前記第１の波長選択性素子と前記第２の波長選択性素子と前記導波路とを接合する光カプラと、
出力ミラーと
を備えるチューナブルレーザ。
前記第１の波長選択性素子が、第１の変調型グレーティング反射器を備え、
前記第２の波長選択性素子が、第２の変調型グレーティング反射器を備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
前記第１の変調型グレーティング反射器が、モード間の第１の波長間隔によって特徴付けられる超構造グレーティングを備える、請求項２に記載のチューナブルレーザ。
前記第２の変調型グレーティング反射器が、モード間の前記第１の波長間隔とは異なるモード間の第２の波長間隔によって特徴付けられる超構造グレーティングを備える、請求項３に記載のチューナブルレーザ。
前記シリコン材料が、シリコンオンインシュレータウェハを含む、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
前記シリコンオンインシュレータウェハが、シリコン基板と、前記シリコン基板上に配置された酸化物層と、前記酸化物層上に配置されたシリコン層とを含み、前記第１の波長選択性素子及び前記第２の波長選択性素子が、前記シリコン層中に配置される、請求項５に記載のチューナブルレーザ。
前記利得媒質と前記基板との間に半導体／半導体界面をさらに備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
前記第１の波長選択性素子が、第１の屈折率調節デバイスを備え、
前記第２の波長選択性素子が、第２の屈折率調節デバイスを備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
前記第１の屈折率調節デバイスが、熱デバイスを備え、
前記第２の屈折率調節デバイスが、熱デバイスを備える、請求項８に記載のチューナブルレーザ。
前記第１の波長選択性素子が、第１の温度センサをさらに備え、
前記第２の波長選択性素子が、第２の温度センサをさらに備える、請求項８に記載のチューナブルレーザ。
前記導波路と前記光カプラとの間に光結合された位相調節部をさらに備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
前記第１の波長選択性素子と前記第２の波長選択性素子のうちの少なくとも１つにおける光学的位相を変更するように動作する第２の位相調節部をさらに備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のチューナブルレーザを動作させる方法であって、
第１の変調型グレーティング反射器をチューニングするステップであり、前記第１の変調型グレーティング反射器が、第１の複数の反射率ピークを含む第１の反射率スペクトルによって特徴付けられる、チューニングするステップと、
第２の変調型グレーティング反射器をチューニングするステップであり、前記第２の変調型グレーティング反射器が、第２の複数の反射率ピークを含む第２の反射率スペクトルによって特徴付けられる、チューニングするステップと、
化合物半導体材料を含む利得媒質から光放出を発生させるステップと、
前記光放出を導波して、光カプラを通過させるステップと、
前記第１の複数の反射率ピークのうちの１つと前記第２の複数の反射率ピークのうちの１つとの重なりによって規定されるスペクトル帯域幅を有する前記光放出の一部を反射するステップと、
前記利得媒質中で前記光放出の前記一部を増幅するステップと、
出力ミラーを介して前記増幅された光放出の一部を伝送するステップと
を含む方法。
前記第１の変調型グレーティング反射器及び前記第２の変調型グレーティング反射器が、シリコンオンインシュレータウェハ中に配置される、請求項１３に記載の方法。
前記シリコンオンインシュレータウェハが、シリコン基板と、前記シリコン基板上に配置された酸化物層と、前記酸化物層上に配置されたシリコン層とを含み、前記第１の変調型グレーティング反射器及び前記第２の変調型グレーティング反射器が、前記シリコン層中に配置される、請求項１４に記載の方法。
前記利得媒質と前記シリコンオンインシュレータウェハとの間に半導体／半導体界面を形成するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
前記第１の変調型グレーティング反射器が、モード間の第１の波長間隔によって特徴付けられる超構造グレーティングを備える、請求項１３に記載の方法。
前記第２の変調型グレーティング反射器が、モード間の前記第１の波長間隔とは異なるモード間の第２の波長間隔によって特徴付けられる超構造グレーティングを備える、請求項１７に記載の方法。
前記第１の変調型グレーティング反射器が、第１の屈折率調節デバイスを備え、
前記第２の変調型グレーティング反射器が、第２の屈折率調節デバイスを備える、請求項１３に記載の方法。
前記第１の屈折率調節デバイスが、熱デバイスを備え、
前記第２の屈折率調節デバイスが、熱デバイスを備える、請求項１９に記載の方法。
前記第１の変調型グレーティング反射器が、第１の温度センサをさらに備え、
前記第２の変調型グレーティング反射器が、第２の温度センサを備える、請求項１９に記載の方法。
前記光放出を位相調節するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。