JP2013503443A - 銀厚膜ペースト組成物および太陽電池用導電体におけるその使用 - Google Patents
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Abstract
本発明は、d50粒子径が約2.5μm〜約6μmである銀粒子を含む銀粉末で、前記各銀粒子が、集合して球形状の開放構造型粒子を形成している長さ100〜2000nm、幅20〜100nm、厚さ20〜100nmの銀要素を含む銀粉末を含む、銀厚膜ペースト組成物を提供する。また、その銀厚膜ペースト組成物を使用して前面側電極を形成する半導体装置、特に太陽電池を製造する方法が提供される。
Description
本発明は、特徴的なモルフォロジーの銀粒子を含有する銀厚膜ペースト組成物に関する。これらの組成物は太陽電池用電極の形成に特に有用である。
銀粉末は、電子産業において、導電体厚膜ペーストを製造するために使用されている。厚膜ペーストを基板上にスクリーン印刷して導電性要素を形成する。その後、これらの要素を乾燥および焼成して、液体の有機媒体を揮発させ、銀粒子を焼結させる。
本発明の銀厚膜ペースト組成物は、フォトダイオードおよび太陽電池などの受光素子に特に有効であるものの、様々な半導体装置に広く用いることができる。以下に、従来技術の具体例として、太陽電池を参照し、本発明の背景を説明する。
p型基板を有する従来の太陽電池の構造は、通常、前面側、すなわちセルの太陽側または照射側に陰極を、裏面側に陽極を有する。半導体装置のp−n接合に照射される適切な波長の光が、外部エネルギー源として作用し、その装置内に正孔−電子対を生成させる。p−n接合部における電位差によって、正孔および電子が接合部を越えて反対方向に移動し、その結果、外部回路へ電力を供給することができる電流が発生する。大部分の太陽電池は、メタライズ化された、すなわち、導電性の金属接点を備えたシリコンウエハの形態をとっている。
現在使用されている発電用太陽電池の大部分は、シリコン太陽電池である。大量生産のプロセスフローは、一般に、最大限の簡素化と製造コストの最小化の達成を目指している。特に、電極は、金属ペーストをスクリーン印刷し、その後、焼成する方法により製造されている。
この製造方法の一例を、図1を用いて以下に説明する。図1Aはp型シリコン基板10を示している。
図1Bにおいて、逆伝導性のn型拡散層20が、リン(P)などを熱拡散させることによって形成されている。リンの拡散源として、通常、オキシ塩化リン(POCl3)が使用される。特段の変更がなければ、拡散層20はシリコン基板10の全面に形成される。この拡散層は、約数十オーム/スクエア(Ω/μ)のシート抵抗率、および約0.3〜0.5μmの厚さを有する。
レジストなどでこの拡散層の1つの面を保護した後、図1Cに示すように、エッチングにより大部分の表面の拡散層20を除去し、一主面(この場合には、前面側)上のみを残す。その後、有機溶媒などを用いてレジストを除去する。
次に、プラズマ化学蒸着(CVD)などの方法により、図1Dに示すように、n型拡散層20上に、反射防止コーティング(ARC)として窒化シリコン膜30を約700〜900Åの厚さにまで形成する。
図1Eに示すように、窒化シリコン膜30上に前面電極用の銀ペースト500をスクリーン印刷し、その後、乾燥させる。さらに、その後、裏面用銀または銀/アルミニウムペースト70、およびアルミニウムペースト60を、基板の裏面にスクリーン印刷し、次いで乾燥させる。その後、通常、赤外炉中で、約700〜975℃の温度範囲で数分〜数十分間、焼成を行う。
その結果、図1Fに示すように、アルミニウムが焼成中にドーパントとしてアルミニウムペーストからシリコン基板10へ拡散し、高濃度のアルミニウムドーパントを含有するp+層40を形成する。この層は、一般に、裏面電界(BSF)層と呼ばれ、太陽電池のエネルギー変換効率を向上させる助けとなる。
アルミニウムペーストは、焼成により乾燥状態60からアルミニウム裏面電極61に変わる。裏面用銀または銀/アルミニウムペースト70も同時に焼成されて、銀または銀/アルミニウム裏面電極71となる。焼成時、裏面側アルミニウムと裏面側銀または銀/アルミニウムとの境界は合金状態にあると推測され、電気的にも結合される。アルミニウム電極は、一つにはp+層40を形成する必要があるという理由もあって、裏面電極の大部分の面積を占める。アルミニウム電極には、はんだ付けができないため、銅リボンなどにより太陽電池を相互接続するための電極として、銀の裏面電極が裏面側部分に形成される。さらに、前面電極を形成する銀ペースト500は、焼成中に焼結し、窒化シリコン膜30を貫通し、その結果、n型層20に電気的に接続することができる。このタイプのプロセスは一般に「ファイヤースルー」と呼ばれる。このファイヤースルー状態は、図1Fの層501が明瞭に示されている。
半導体装置用電極、特に、太陽電池の前面側前面電極としての使用に適し、その結果より広範囲の焼成温度で、より効率の高い太陽電池が得られる、厚膜ペースト組成物が求められている。
本発明は、
(a)d50粒子径が約2.5μm〜約6μmの銀粒子を含む銀粉末であって、前記各銀粒子が長さ100〜2000nm、幅20〜100nm、厚さ20〜100nmの銀成分を含み、該銀成分が集合して球形状の開放構造型粒子を形成している、銀粉末、
(b)ガラスフリット、および
(c)有機媒体
を含み、前記銀粉末および前記ガラスフリットが前記有機媒体に分散されている銀厚膜ペースト組成物を提供する。
(a)d50粒子径が約2.5μm〜約6μmの銀粒子を含む銀粉末であって、前記各銀粒子が長さ100〜2000nm、幅20〜100nm、厚さ20〜100nmの銀成分を含み、該銀成分が集合して球形状の開放構造型粒子を形成している、銀粉末、
(b)ガラスフリット、および
(c)有機媒体
を含み、前記銀粉末および前記ガラスフリットが前記有機媒体に分散されている銀厚膜ペースト組成物を提供する。
また、
(d)金属酸化物、焼成時に金属酸化物を生成する金属もしくは金属化合物、またはこれらの混合物であって、但し、金属は、Zn、Pb、Bi、Gd、Ce、Zr、Ti、Mn、Sn、Ru、Co、Fe、Cu、Cr、およびこれらの混合物からなる群から選択されるもの
をさらに含む銀厚膜ペースト組成物が提供される。
(d)金属酸化物、焼成時に金属酸化物を生成する金属もしくは金属化合物、またはこれらの混合物であって、但し、金属は、Zn、Pb、Bi、Gd、Ce、Zr、Ti、Mn、Sn、Ru、Co、Fe、Cu、Cr、およびこれらの混合物からなる群から選択されるもの
をさらに含む銀厚膜ペースト組成物が提供される。
一実施形態において、金属酸化物はZnOである。
半導体装置、および特に太陽電池を製造する方法であって、
(a)半導体基板、1つ以上の絶縁膜、および上記銀厚膜ペースト組成物の1つを供給する工程と、
(b)半導体基板に絶縁膜を施す工程と、
(c)半導体基板上の絶縁膜に銀厚膜ペースト組成物を施す工程と、
(d)半導体基板、絶縁膜および銀厚膜ペースト組成物を焼成する工程と
を含む方法もまた提供される。
(a)半導体基板、1つ以上の絶縁膜、および上記銀厚膜ペースト組成物の1つを供給する工程と、
(b)半導体基板に絶縁膜を施す工程と、
(c)半導体基板上の絶縁膜に銀厚膜ペースト組成物を施す工程と、
(d)半導体基板、絶縁膜および銀厚膜ペースト組成物を焼成する工程と
を含む方法もまた提供される。
さらに、上記方法により製造された半導体装置、特に太陽電池が提供され、また、焼成前に上記銀厚膜ペースト組成物の1つを含む電極を含む装置、並びに、半導体基板、絶縁膜および前面側電極を含む装置であって、その前面側電極がケイ酸亜鉛およびケイ酸ビスマスからなる群から選択される1種以上の成分を含む装置も提供される。
本発明の銀厚膜ペースト組成物により、より広い温度範囲で焼成された電極を有する高品質の半導体装置の製造が可能になる。特に、それらにより、より広い温度範囲で焼成された電極を有する、より効率高い太陽電池の製造が可能になる。
本発明は、有機媒体中に分散させた、特徴的なモルフォロジーの粒子を有する銀粉末とガラスフリットとを含む銀厚膜ペースト組成物を提供する。他の一実施形態では、組成物は金属酸化物、焼成時に金属酸化物を生成する金属もしくは金属化合物、またはこれらの混合物をさらに含む。金属は、Zn、Pb、Bi、Gd、Ce、Zr、Ti、Mn、Sn、Ru、Co、Fe、Cu、Cr、およびこれらの混合物からなる群から選択される。1つの実施形態では、金属酸化物はZnOである。
本明細書中で使用されるとき、「厚膜ペースト組成物」は、基板に蒸着され焼成された後に1〜100μmの厚さを有する組成物をいう。
銀粉末
本発明の銀厚膜ペースト組成物において使用される銀粉末は銀粒子を含む。各銀粒子は、長さ100〜2000nm、幅20〜100nm、厚さ20〜100nmの、集合して球形状の開放構造型粒子を形成している銀要素を含み、約2.5μm〜約6μmのd50粒子径を有する。
本発明の銀厚膜ペースト組成物において使用される銀粉末は銀粒子を含む。各銀粒子は、長さ100〜2000nm、幅20〜100nm、厚さ20〜100nmの、集合して球形状の開放構造型粒子を形成している銀要素を含み、約2.5μm〜約6μmのd50粒子径を有する。
3.6μmのd50粒子径を有するそのような粒子の構造は、5,000倍の図2および15,000倍の図3の走査電子顕微鏡(SEM)像に明瞭に示されている。ここでは、これらの粒子を球形状として表す。SEM像から明らかなように、粒子は概ね球形であるが、完全な球ではない。粒子を構成する銀要素は、それらが形成している表面が不規則であることから明らかにそれと分かる。
本明細書で使用する粒度分布の数値(d10、d50、d90)は体積分布に基づくものである。粒子径は、Leeds and Northrup製のMicrotrac(登録商標)Particle Size Analyzerを使用して測定した。d10、d50およびd90は、それぞれ、体積で測定した粒度分布の10パーセンタイル値、メディアンまたは50パーセンタイル値、および90パーセンタイル値を示す。すなわち、d50(d10、d90)は、粒子の50%(10%、90%)がこの値以下の体積を有するような分布に関する値である。
銀粉末は、
(a)脱イオン水に溶解した水溶性銀塩を含む銀塩の酸性水溶液を調製する工程と;
(b)(i)脱イオン水に溶解された、アスコルビン酸、アスコルビン酸塩、およびこれらの混合物からなる群から選択される還元剤、
(ii)硝酸、並びに
(iii)クエン酸ナトリウム、クエン酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される表面モルフォロジー調節剤;
を含む、還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液を調製する工程と;
(c)銀塩の酸性水溶液と、還元剤およびモルフォロジー調節剤の酸性溶液とを、約65℃〜約90℃の温度範囲の同一温度に、各溶液を撹拌しながら維持する工程と;
(d)銀塩の酸性水溶液と、還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液とを、撹拌せずに10秒未満の時間内に混合して、(c)の温度で反応混合物を調製し、3〜7分後に、反応混合物を2〜5分間撹拌して、最終水溶液中に銀粉末粒子を製造する工程と
を含む方法により製造することができる。
(a)脱イオン水に溶解した水溶性銀塩を含む銀塩の酸性水溶液を調製する工程と;
(b)(i)脱イオン水に溶解された、アスコルビン酸、アスコルビン酸塩、およびこれらの混合物からなる群から選択される還元剤、
(ii)硝酸、並びに
(iii)クエン酸ナトリウム、クエン酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される表面モルフォロジー調節剤;
を含む、還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液を調製する工程と;
(c)銀塩の酸性水溶液と、還元剤およびモルフォロジー調節剤の酸性溶液とを、約65℃〜約90℃の温度範囲の同一温度に、各溶液を撹拌しながら維持する工程と;
(d)銀塩の酸性水溶液と、還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液とを、撹拌せずに10秒未満の時間内に混合して、(c)の温度で反応混合物を調製し、3〜7分後に、反応混合物を2〜5分間撹拌して、最終水溶液中に銀粉末粒子を製造する工程と
を含む方法により製造することができる。
本発明の粉末を生成する方法は、水溶性銀塩の酸性水溶液と、還元剤、硝酸および表面モルフォロジー調節剤を含有する、還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性水溶液とを一緒に加えることにより、制御された構造を有する銀粒子を沈殿させる還元プロセスである。
銀塩の酸性水溶液は、水溶性銀塩を脱イオン水に加えることにより調製される。例えば硝酸銀、リン酸銀および硫酸銀など、任意の水溶性銀塩を使用することができる。硝酸銀が好ましい。還元や生成される粒子タイプに影響する副反応を引き起こすおそれのある錯化剤は使用しない。酸性度を高めるために硝酸を添加することができる。
この方法は、最終水溶液1リットル当たり0.8モル以下の銀濃度で実施することができる。最終水溶液1リットル当たり0.47モル以下の銀濃度で実施することが好ましい。これらの比較的高濃度の銀の使用により、製造プロセスの費用効率を向上させることができる。
還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液は、まず還元剤を脱イオン水に溶解することにより調製される。この方法に適した還元剤は、L−アスコルビン酸およびD−アスコルビン酸などのアスコルビン酸、並びにアスコルビン酸ナトリウムなどの関連するアスコルビン酸塩である。
その後、硝酸および表面モルフォロジー調節剤をその混合物に添加する。この方法は、還元が完了した後の溶液(最終水溶液)pHが6以下、最も好ましくは2未満になるように行う。このpHは、還元剤および表面モルフォロジー調節剤溶液、並びに、任意選択により、銀の酸性水溶液に、これらの2つの溶液を混合する前、また銀粒子を生成させる前に、十分な量の硝酸を加えることにより調節される。このpHはまた、還元剤および表面モルフォロジー調節剤溶液に十分な量のNaOHを加えることによって調節される。
表面モルフォロジー調節剤は、銀粒子の構造を制御する作用を有し、クエン酸ナトリウム、クエン酸塩、クエン酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される。クエン酸ナトリウムが好ましい。使用する表面調節剤の量は、銀1グラム当たり表面調節剤0.001グラムから、銀1グラム当たり表面調節剤0.5グラム超の範囲である。表面調節剤の好ましい範囲は、銀1グラム当たり約0.02〜約0.3グラムである。
さらに、ステアリン酸アンモニウム、ステアリン酸塩、分子量が200〜8000の範囲のポリエチレングリコール、およびこれらの混合物からなる群から選択される分散剤を、還元剤および表面モルフォロジー調節剤溶液に添加することができる。
銀塩の酸性水溶液、並びに還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液を調製する順序は重要ではない。銀塩の酸性水溶液は、還元剤および表面モルフォロジー調節剤酸性溶液の前、後、または同時に調製することができる。いずれか一方の溶液を他方に加えて、反応混合液を得ることができる。2つの溶液は、銀粒子の凝集を避けるために、撹拌を最小限にして素早く混合する。素早く混合するとは、2つの溶液を10秒未満、好ましくは5秒未満の時間、混合することを意味する。
銀塩の酸性水溶液と、還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液は、ともに同じ温度、すなわち約65℃〜約90℃の範囲の温度に維持し、各溶液を撹拌する。2つの溶液を混合して反応混合液を生成する際、反応混合液はその同じ温度に維持される。
この方法では、反応混合液を得た後、3〜7分間は撹拌を行わず、その後、2〜5分間反応混合液を撹拌する。その結果、銀粒子を含む最終水溶液が得られる。6以下のpH、最も好ましくは2未満のpHを有するのは、この最終水溶液である。
その後、ろ過または他の適当な固液分離操作によって最終水溶液から銀粒子を分離し、この固形分を脱イオン水で、洗浄水の電気伝導率が100マイクロジーメンス以下になるまで洗浄する。その後、銀粒子を乾燥させる。
ガラスフリット
ガラスフリット組成物は、ここでは、数種の特定の成分を何パーセントか含むものとして記載されている。パーセントは、その後ここに記載する方法で処理されてガラス組成物を形成する出発材料に使用される成分のパーセントである。組成物は数種の特定の成分を含有し、それらの成分のパーセントは、対応する酸化物またはフッ化物の形態でのパーセントとして表される。ガラスフリット成分の重量パーセントは、ガラス組成物の全重量に対するものである。揮発性化学種の一部はガラスを製造する過程で放出され得る。揮発性化学種の一例は酸素である。
ガラスフリット組成物は、ここでは、数種の特定の成分を何パーセントか含むものとして記載されている。パーセントは、その後ここに記載する方法で処理されてガラス組成物を形成する出発材料に使用される成分のパーセントである。組成物は数種の特定の成分を含有し、それらの成分のパーセントは、対応する酸化物またはフッ化物の形態でのパーセントとして表される。ガラスフリット成分の重量パーセントは、ガラス組成物の全重量に対するものである。揮発性化学種の一部はガラスを製造する過程で放出され得る。揮発性化学種の一例は酸素である。
焼成済みガラスから出発するならば、本明細書で記載される出発成分のパーセント(元素構成)は、誘導結合プラズマ発光分析法(ICPES)および誘導結合プラズマ原子発光分析法(ICP−AES)などの方法を用いて算出することができる。さらに、次に例示すような方法を使用してもよい:蛍光X線分光法(XRF)、核磁気共鳴分光法(NMR)、電子常磁性共鳴分光法(EPR)、メスバウアー分光法、電子マイクロプローブエネルギー分散分光法(EDS)、電子マイクロプローブ波長分散分光法(WDS)、およびカソードルミネッセンス法(CL)。
各種のガラスフリット組成物が、本発明の銀厚膜ペースト組成物に有用である。使用するガラスフリットは300〜600℃の軟化点を有する。ガラスフリット組成物は、本明細書で記載するものに限定されるものではない。所望するガラス組成物の特性を実質的に変えずに、追加成分のわずかな置き換えを行うことは可能である。例えば、類似の性能を得るために、0〜3重量%のP2O5、0〜3重量%のGeO2、および0〜3重量%のV2O5などのガラス形成剤の置き換えを、個々に、または組み合わせて行うことができる。
ガラスフリット組成物には、また、フッ素塩、フッ化物および金属酸フッ化物化合物などのフッ素含有成分を1種以上含有させることができる。そのようなフッ素含有成分としては、BiF3、AlF3、NaF、LiF、KF、CsF、PbF2、ZrF4、TiF4およびZnF2が挙げられるが、特にこれらに限定されない。
代表的な鉛フリーガラス組成物は、SiO2、B2O3、Al2O3、Bi2O3、BiF3、ZnO、ZrO2、CuO、Na2O、NaF、Li2O、LiF、K2OおよびKFの1種以上を含有する。各種実施形態において、組成物は次の酸化物成分を次の組成範囲で含む:SiO2は17〜26重量%、19〜24重量%、または20〜22重量%;B2O3は2〜9重量%、3〜7重量%、または3〜4重量%;Al2O3は0.1〜5重量%、0.2〜2.5重量%、または0.2〜0.3重量%;Bi2O3は0〜65重量%、25〜64重量%、または46〜64重量%;BiF3は0〜67重量%、0〜43重量%、または0〜19重量%;ZrO2は0〜5重量%、2〜5重量%、または4〜5重量%;TiO2は1〜7重量%、1〜5重量%、または1〜3重量%;CuOは0〜3重量%、または2〜3重量%;Na2Oは0〜2重量%、または1〜2重量%;NaFは0〜3重量%、または2〜3重量%;Li2Oは0〜2重量%、または1〜2重量%;そしてLiFは0〜3重量%、または2〜3重量%である。Na2OまたはLi2Oの一部または全部をK2Oに置き換え、NaFまたはLiFの一部または全部をKFで置き換えても、上に挙げた組成物と類似の特性を有するガラスを製造することができる。
他の実施形態において、ガラスフリット組成物は、次の第3の成分セットの1種以上を含むことができる:CeO2、SnO2、Ga2O3、In2O3、NiO、MoO3、WO3、Y2O3、La2O3、Nd2O3、FeO、HfO2、Cr2O3、CdO、Nb2O5、Ag2O、Sb2O3、および金属ハロゲン化物(例えば、NaCl,Kbr、NaI)。
代表的な鉛含有ガラス組成物は、以下の酸化物成分を以下の組成範囲で含む:0〜36重量%のSiO2、0〜9重量%のAl2O3、0〜19重量%のB2O3、16〜84重量%のPbO、0〜4重量%のCuO、0〜24重量%のZnO、0〜52重量%のBi2O3、0〜8重量%のZrO2、0〜20重量%のTiO2、0〜5重量%のP2O5および3〜34重量%のPbF2。酸化ビスマスを含有するガラスに関する他の実施形態においては、ガラスフリット組成物は4〜26重量%のSiO2、0〜1重量%のAl2O3、0〜8重量%のB2O3、20〜52重量%のPbO、0〜4重量%のZnO、6〜52重量%のBi2O3、2〜7重量%のTiO2、5〜29重量%のPbF2、0〜1重量%のNa2Oおよび0〜1重量%のLi2Oを含有する。15〜25重量%のZnOを含有するガラスに関するさらに他の実施形態においては、ガラスフリットは、5〜36重量%のSiO2、0〜9重量%のAl2O3、0〜19重量%のB2O3、17〜64重量%のPbO、0〜39重量%のBi2O3、0〜6重量%のTiO2、0〜5重量%のP2O5および6〜29重量%のPbF2を含む。ZnOを含有するこれらの実施形態のいくつかでは、ガラスフリット組成物は、5〜15重量%のSiO2および/または20〜29重量%のPbF2および/または0〜3重量%のZrO2もしくは0.1〜2.5重量%のZrO2を含む。酸化銅および/またはアルカリ調節剤を含有する実施形態は、25〜35重量%のSiO2、0〜4重量%のAl2O3、3〜19重量%のB2O3、17〜52重量%のPbO、0〜12重量%のZnO、0〜7重量%のBi2O3、0〜5重量%のTiO2、7〜22重量%のPbF2、0〜3重量%のCuO、0〜4重量%のNa2Oおよび0〜1重量%のLi2Oを含む。
原料の特定の選択により、加工中にガラス中に取り込まれる可能性がある不純物が意図せずに含まれることがあり得る。例えば、不純物は数百〜数千ppmの範囲で含まれる可能性がある。そのような不純物を含んでいても、ガラス、銀厚膜ペースト組成物、または焼成した装置の特性が変化することはないであろう。例えば、厚膜組成物を含有する太陽電池は、厚膜組成物がたとえ不純物を含んでいたとしても、ここに記載した効率を有することができる。
本明細書に記載したガラスフリットを製造する代表的な方法は、従来のガラス製造技術によるものである。成分を秤量し、その後、所望の割合で混合し、炉内で加熱して、白金合金坩堝、または他の適当な金属またはセラミック坩堝内で溶融物を形成する。上述したように、原料として酸化物もフッ化物または酸フッ化物塩も使用することができる。あるいは、ガラスの融点未満の温度で酸化物、フッ化物または酸フッ化物に分解する、硝酸塩、亜硝酸塩、炭酸塩などの塩、または水和物を原料として使用することができる。通常、800〜1400℃のピーク温度に加熱し、溶融物が完全に液体になり、均一になり、かつ残留する原料の分解生成物が消失するまでの時間、加熱する。その後、溶融したガラスを、逆方向に回転するステンレス鋼製ローラー間で急速冷却して、10〜15mil厚さのガラス小平板を形成する。その後、得られたガラス小平板を粉砕して、50%体積分布が所望の範囲(例えば0.8〜1.5μm)にあるガラスフリット粉末を生成する。水急冷法、ゾル−ゲル法、スプレー熱分解法、または他の粉末形態のガラスの製造に適した方法などの代替の合成技術を使用することもできる。
金属酸化物
いくつかの実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物はさらに金属酸化物、焼成時に金属酸化物を生成する金属もしくは金属化合物、またはこれらの混合物を含む。金属は、Zn、Pb、Bi、Gd、Ce、Zr、Ti、Mn、Sn、Ru、Co、Fe、Cu、Cr、およびこれらの混合物からなる群から選択される。
いくつかの実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物はさらに金属酸化物、焼成時に金属酸化物を生成する金属もしくは金属化合物、またはこれらの混合物を含む。金属は、Zn、Pb、Bi、Gd、Ce、Zr、Ti、Mn、Sn、Ru、Co、Fe、Cu、Cr、およびこれらの混合物からなる群から選択される。
一実施形態においては、金属酸化物はZnOであり、銀厚膜ペースト組成物にはZnO、ZnまたはZn樹脂酸塩などのZn化合物が含まれる。
例えば、Zn/ZnOなどの金属/金属酸化物添加剤の粒子径は、7nm〜125nmの範囲である。
有機媒体
銀厚膜ペースト組成物に使用される有機媒体は、溶媒に溶解したポリマー溶液である。有機媒体はまた、増粘剤、安定化剤、界面活性剤および/または他の一般的な添加剤を含有することができる。一実施形態においては、ポリマーはエチルセルロースである。他の代表的なポリマーとしては、エチルヒドロキシエチルセルロース、ウッドロジン、エチルセルロースとフェノール樹脂の混合物、低級アルコールのポリメタクリレート、およびエチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル、またはこれらの混合物が挙げられる。銀厚膜ペースト組成物の有機媒体に有用な溶媒としては、エステルアルコール、およびアルファ−もしくはベータ−テルピネオールなどのテルペン、またはこれらとケロシン、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ヘキシレングリコール、並びに高沸点のアルコールおよびアルコールエステルなどの他の溶媒との混合物が挙げられる。有機媒体はまた、基板塗布後の急速な硬化を促進するための揮発性液体を含有することができる。
銀厚膜ペースト組成物に使用される有機媒体は、溶媒に溶解したポリマー溶液である。有機媒体はまた、増粘剤、安定化剤、界面活性剤および/または他の一般的な添加剤を含有することができる。一実施形態においては、ポリマーはエチルセルロースである。他の代表的なポリマーとしては、エチルヒドロキシエチルセルロース、ウッドロジン、エチルセルロースとフェノール樹脂の混合物、低級アルコールのポリメタクリレート、およびエチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル、またはこれらの混合物が挙げられる。銀厚膜ペースト組成物の有機媒体に有用な溶媒としては、エステルアルコール、およびアルファ−もしくはベータ−テルピネオールなどのテルペン、またはこれらとケロシン、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ヘキシレングリコール、並びに高沸点のアルコールおよびアルコールエステルなどの他の溶媒との混合物が挙げられる。有機媒体はまた、基板塗布後の急速な硬化を促進するための揮発性液体を含有することができる。
銀厚膜ペースト組成物は、有機媒体により所定のスクリーン印刷可能な粘度に調節される。
銀厚膜ペースト組成物
無機成分、すなわち、銀粉末、ガラスフリット、および金属酸化物または金属酸化物前駆体(含まれる場合)は、通常、機械的混合により有機媒体と混合されて、粘稠なペースト組成物を生成する。
無機成分、すなわち、銀粉末、ガラスフリット、および金属酸化物または金属酸化物前駆体(含まれる場合)は、通常、機械的混合により有機媒体と混合されて、粘稠なペースト組成物を生成する。
銀厚膜ペースト組成物中の有機媒体の、分散液中の無機成分に対する割合は、ペーストを塗布する方法および使用する有機媒体の種類に依存し、変化し得るものである。良好な濡れ性を得るために、分散液は、通常、70〜95重量%の無機成分と5〜30重量%の有機媒体を含有するであろう。本明細書で使用される重量パーセント(重量%)は銀厚膜ペースト組成物の全重量に対するものである。有機媒体中に含まれるポリマーは、通常、全組成物重量の8重量%〜11重量%の範囲である。
一実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物は65〜90重量%の銀粉末、0.1〜8重量%のガラスフリット、および5〜30重量%の有機媒体を含有する。他の実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物は70〜85重量%の銀粉末、1〜6重量%のガラスフリット、および10〜25重量%の有機媒体を含有する。別の実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物は78〜83重量%の銀粉末、2〜5重量%のガラスフリット、および13〜20重量%の有機媒体を含有する。
金属酸化物、金属または金属化合物を含有する実施形態においては、金属酸化物、金属または金属化合物は2〜16重量%の範囲で含まれる。
ZnOを含有する一実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物は60〜90重量%の銀粉末、0.1〜8重量%のガラスフリット、2〜10重量%のZnO、および5〜30重量%の有機媒体を含有する。ZnOを含有する他の実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物は70〜85重量%の銀粉末、1〜6重量%のガラスフリット、3〜8重量%のZnO、および5〜25重量%の有機媒体を含有する。ZnOを含有するさらに他の実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物は78〜83重量%の銀粉末、2〜5重量%のガラスフリット、3〜7重量%のZnO、および6〜17重量%の有機媒体を含有する。
半導体装置の製造方法
本発明はまた、半導体装置、例えば、太陽電池またはフォトダイオードを製造する方法を提供する。半導体装置は、電極、例えば、太陽電池またはフォトダイオードの前面側電極を有し、この電極は焼成前は本発明の銀厚膜ペースト組成物からなり、図1の500で示され、焼成後は図1の電極501として示されている。
本発明はまた、半導体装置、例えば、太陽電池またはフォトダイオードを製造する方法を提供する。半導体装置は、電極、例えば、太陽電池またはフォトダイオードの前面側電極を有し、この電極は焼成前は本発明の銀厚膜ペースト組成物からなり、図1の500で示され、焼成後は図1の電極501として示されている。
半導体装置の製造方法は、
(a)半導体基板、1つ以上の絶縁膜、および本発明の銀厚膜ペースト組成物を供給する工程と、
(b)半導体基板に絶縁膜を施す工程と、
(c)半導体基板上の絶縁膜に銀厚膜ペースト組成物を施す工程と
(d)半導体基板、絶縁膜および銀厚膜ペースト組成物を焼成する工程と
を含む。
(a)半導体基板、1つ以上の絶縁膜、および本発明の銀厚膜ペースト組成物を供給する工程と、
(b)半導体基板に絶縁膜を施す工程と、
(c)半導体基板上の絶縁膜に銀厚膜ペースト組成物を施す工程と
(d)半導体基板、絶縁膜および銀厚膜ペースト組成物を焼成する工程と
を含む。
本明細書に記載した方法および装置に有用な代表的な半導体基板としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、およびリボンシリコンが挙げられるが、特にこれらに限定されない。半導体基板には、p/n接合を形成するため、リンおよびホウ素をドープすることができる。
半導体基板は、その大きさ(長さ×幅)および厚さを変えることができる。例を挙げれば、半導体基板の厚さは50〜500μm、100〜300μm、または140〜200μmである。半導体基板の長さおよび幅は各々100〜250mm、125〜200mm、または125〜156mmである。
前述したように、太陽電池の前面側には、通常、反射防止コーティングが形成される。本明細書に記載した方法および装置に有用な代表的な反射防止コーティング材料としては、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化チタン、SiNx:H、水素化アモルファス窒化シリコン、および酸化シリコン/酸化チタン膜が挙げられるが、特にこれらに限定されない。コーティングは、プラズマ促進化学蒸着(PECVD)、CVD、および/または他の周知の技術により形成することができる。コーティングが窒化シリコンである実施形態においては、窒化シリコン膜はPECVD、熱CVD、または物理蒸着(PVD)により形成することができる。絶縁膜が酸化シリコンである実施形態においては、酸化シリコン膜は熱酸化、熱CVD、プラズマCVD、またはPVDにより形成することができる。
本発明の銀厚膜ペースト組成物は、反射防止コーティングが施された半導体基板に、スクリーン印刷、インクジェット印刷、共押出、シリンジディスペンシング、ダイレクトライティング、およびエアロゾルインクジェット印刷などの様々な方法で塗布することができる。ペースト組成物は、あるパターンで、所定の形状で、かつ所定の位置に塗布することができる。一実施形態においては、ペースト組成物は、前面側電極の導電性フィンガーおよびバスバーの双方を形成するために使用する。そのような実施形態においては、導電性フィンガーの線幅は20〜200μm、40〜150μm、または60〜100μmであり、導電性フィンガーの厚さは5〜50μm、10〜35μmまたは15〜30μmである。
ARCコーティングが施された半導体基板上にコーティングしたペースト組成物は、例えば、0.5〜10分間乾燥させることができ、その間に揮発性溶媒および有機媒体の有機物が除去される。
乾燥したペーストは、500〜940℃の間の最高温度に1秒〜2分間加熱することにより焼成される。一実施形態においては、焼成時に到達するシリコンウエハの最高温度は、650〜80℃の範囲に1〜10秒間である。さらに他の実施形態においては、銀厚膜ペースト組成物により形成された電極は、酸素と窒素の混合ガスからなる雰囲気中で焼成される。他の実施形態では、導電性厚膜組成物により形成された電極は、酸素を含有しない不活性雰囲気中で、有機媒体除去温度を超える温度で焼成される。この焼成プロセスでは、残留する有機媒体が除去され、ガラスフリットが電極を形成するために含まれる銀粉末および金属酸化物とともに焼結される。通常、バーンアウトおよび焼成はベルト炉中で行われる。残留有機媒体が除去されるバーンアウトゾーンの温度範囲は、500〜700℃である。焼成ゾーンの温度は860〜940℃である。焼成された電極は、焼成および焼結プロセスで生じた成分および組成物を含み得る。例えば、ZnOがペースト組成物の1成分である実施形態においては、焼成された電極はウィレマイト(Zn2SiO4)およびZn1.7SiO4-x(ここで、xは0〜1である)などのケイ酸亜鉛を含み得る。さらに他の実施形態においては、焼成された電極はBi4(SiO4)3などのケイ酸ビスマスを含み得る。
焼成された電極、好ましくはフィンガーは、焼成過程で、反射防止コーティングと反応して貫通し、それによりシリコン基板との電気的接続がなされる。
さらに他の実施形態においては、焼成に先立って、他の導電性を有し、かつ装置を強化する材料を、半導体装置の裏面側に施し、本発明のペースト組成物と共焼成または逐次焼成する。この材料は電気接点、不動態化層、およびはんだ付け可能なタブ領域として機能する。
一実施形態において、裏面側の導電性材料は、アルミニウム、またはアルミニウムおよび銀を含有する。
さらに他の実施形態においては、装置の反対の型の領域に施される材料は、pおよびn領域が並んで形成されているために、本明細書に記載された材料と隣り合っている。そのような装置では、照射される前面側に入射する光を最大にするために、照射されない装置の裏面側に全ての金属接点材料が配置される。
以下の実施例および考察を提示して、本発明の方法をさらに詳しく説明するが、それらは本発明の方法を限定するものではない。粒度分布値(d10、d50、d90)はLeeds and NorthrupのMicrotac(登録商標)Particle Size Analyzerを使用して測定したものであることに注意されたい。d10、d50およびd90は、それぞれ体積で測定した粒度分布の10パーセンタイル値、メジアン、すなわち50パーセンタイル値、および90パーセンタイル値を表す。すなわち、d50(d10、d90)は50%(10%、90%)の粒子がこの値以下の体積を有するような分布上の値である。
実施例1
この実施例では、本発明の銀厚膜ペースト組成物の製造を記載する。
この実施例では、本発明の銀厚膜ペースト組成物の製造を記載する。
銀粉末を次のように調製した。80gの硝酸銀を250gの脱イオン水に溶解して、銀塩の酸性水溶液を調製した。この溶液を、常時撹拌しながら70℃に維持した。
還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液を以下のように調製した。硝酸銀溶液とは別の容器中で、45gのアスコルビン酸を750gの脱イオン水に加えて溶解し、この溶液を、常時撹拌しながら70℃に維持した。その後、20gの硝酸を溶液に加え、次いで10gのクエン酸ナトリウムを加えた。
両溶液を調製した後、追加的な撹拌を行わずに5秒未満で、硝酸銀の酸性水溶液を還元剤および表面モルフォロジー調節剤の酸性溶液に加え、反応混合液を調製した。5分後、反応混合液を10分間撹拌した。
反応混合液をろ過し、銀粉末を回収した。銀粉末を脱イオン水で、洗浄水の電気伝導率が100マイクロジーメンス以下になるまで洗浄した。銀粉末は65℃で24時間乾燥させた。
銀粉末は、各粒子が、長さ100〜2000nm、幅20〜100nm、厚さ20〜100nmで、図2(5,000倍)および3(15,000倍)の走査型電子顕微鏡像に示すのと同様に、集合して球形の開放構造型粒子を形成している銀要素を含む銀粒子を含んでいた。銀粒子を構成する銀要素の粒径は、走査型電子顕微鏡像から得た。粒子径d10、d50およびd90は、それぞれ2.9μm、5.5μmおよび9.6μmであった。
ガラスフリットの組成は、ガラスの全重量に対して、SiO2が22.0779重量%、Al2O3が0.3840重量%、PbOが46.6796重量%、B2O3が7.4874重量%、Bi2O3が6.7922重量%、TiO2が5.8569重量%、そしてPbF2が10.7220重量%であった。有機媒体は2種類の媒体の混合物であり、1重量部の媒体1および2.6重量部の媒体2を含有した。媒体1は、89重量%のEster Texanol(商標) Ester alcohol、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート(Eastman Chemical Co.、Kingsport、TN)に溶解した11重量%のEC T200 grade resin ethyl cellulose(Hercules、Wilmington、DE)であった。媒体2は、92重量%のEster Texanol(商標) Ester alcohol、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート(Eastman Chemical Co.、Kingsport、TN)に溶解した8重量%のEC N22 grade resin ethyl cellulose(Hercules、Wilmington、DE)であった。
混合缶中で、81gの銀粉末、2gのガラスフリット、および5gのZnOを、9.8gの有機媒体に分散させた。これにより、83重量%の銀粉末、2重量%のガラスフリット、5重量%のZnO、および10重量%の有機媒体を含む銀厚膜ペースト組成物が得られた。混合は15分間続けた。銀粉末は固形分の大部分を占めるので、濡れを良くするために徐々に加えた。十分に混合した後、ペーストを3−ローラーミルに4回、圧力を0から300psiへ徐々に高めながら通した。ロールのギャップは1milにセットした。分散度は、ASTM D1316−06の方法にしたがって、磨砕度(FOG)により測定した。FOG値は、4番目に長い連続したスクラッチで7μm未満、ペーストの50%がスクラッチされた位置で3μm未満であった。
得られた組成物は、本発明の銀厚膜ペースト組成物である。
実施例2
太陽電池の前面側電極を作製するために、実施例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。
太陽電池の前面側電極を作製するために、実施例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。
太陽電池は、Q−Cells SE、(Bitterfeld−wolfen、Germany)から入手した6インチの多結晶シリコンウエハであった。この太陽電池はSiNx:H反射防止コーティングを有していた。銀厚膜ペースト組成物を、バスバーに接続された11個のフィンガー形態(幅120μm、フィンガー間隔2.3mm)で、反射防止コーティング上にスクリーン印刷して、前面側電極を形成した。太陽電池の裏面側に、アルミニウムペーストを配置して裏面側電極を形成した。
厚膜ペーストを連続式ベルト炉中で焼成した。ベルト速度を毎分180インチとした。バーンアウトゾーンの温度を550℃、そのゾーンの時間を0.3分とした。焼成ゾーンの最高温度は880℃、そのゾーン中の時間は0.1分とした。その後、太陽電池をSolar Cell Tester ST−1000(TELECOM−STV Company Limited、Moscow、Russia)に入れ、I−V曲線を測定し、本発明の銀厚膜ペースト組成物で作製した電極を備えた太陽電池の効率を決定した。I−Vテスターのキセノンアークランプに既知の強度の太陽光を模擬させ、太陽電池の前面側を照射するために使用した。テスターは、電池のI−V曲線を測定するために、多点コンタクト法を使用し、約400オームの負荷抵抗をかけて、電流(I)および電圧(V)を測定した。I−V曲線から効率(Eff)を計算した。効率は12.78%であった。
実施例3
実施例2で記載した手順にしたがって、第2の太陽電池上に前面側電極を作製するために、実施例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。唯一の相違点は、バーンアウト温度を600℃としたことであった。実施例2で記載したように効率を測定したところ、13.20%であることがわかった。
実施例2で記載した手順にしたがって、第2の太陽電池上に前面側電極を作製するために、実施例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。唯一の相違点は、バーンアウト温度を600℃としたことであった。実施例2で記載したように効率を測定したところ、13.20%であることがわかった。
実施例4
実施例2で記載した手順にしたがって、第3の太陽電池上に前面側電極を作製するために、実施例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。唯一の相違点は、バーンアウト温度を650℃としたことであった。実施例2で記載したように効率を測定したところ、13.59%であることがわかった。
実施例2で記載した手順にしたがって、第3の太陽電池上に前面側電極を作製するために、実施例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。唯一の相違点は、バーンアウト温度を650℃としたことであった。実施例2で記載したように効率を測定したところ、13.59%であることがわかった。
比較例1
球形状の銀粉末に代えて、球体からなる、開放構造型粒子を含んだ銀粉末を使用した以外は、実施例1の成分および手順を使用して銀厚膜ペーストを調製した。銀粉末は同和(鉱業株式会社、東京、日本)から入手した。粒子径d10、d50およびd90はそれぞれ1.0μm、1.8μmおよび4.1μmであった。
球形状の銀粉末に代えて、球体からなる、開放構造型粒子を含んだ銀粉末を使用した以外は、実施例1の成分および手順を使用して銀厚膜ペーストを調製した。銀粉末は同和(鉱業株式会社、東京、日本)から入手した。粒子径d10、d50およびd90はそれぞれ1.0μm、1.8μmおよび4.1μmであった。
得られた組成物は、比較用の銀厚膜ペースト組成物である。
比較例2
実施例2で記載した手順にしたがって、第4の太陽電池上に前面側電極を作製するために、比較例1で調製した比較用銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。実施例2で記載したように効率を測定したところ、12.57%であることがわかった。
実施例2で記載した手順にしたがって、第4の太陽電池上に前面側電極を作製するために、比較例1で調製した比較用銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。実施例2で記載したように効率を測定したところ、12.57%であることがわかった。
比較例3
実施例2で記載した手順にしたがって、第5の太陽電池上に前面側電極を作製するために、比較例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。唯一の相違点は、バーンアウト温度を600℃としたことであった。実施例2で記載したように効率を測定したところ、13.34%であることがわかった。
実施例2で記載した手順にしたがって、第5の太陽電池上に前面側電極を作製するために、比較例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。唯一の相違点は、バーンアウト温度を600℃としたことであった。実施例2で記載したように効率を測定したところ、13.34%であることがわかった。
比較例4
実施例2で記載した手順にしたがって、第6の太陽電池上に前面側電極を作製するために、比較例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。唯一の相違点は、バーンアウト温度を650℃としたことであった。実施例2で記載したように効率を測定したところ、13.30%であることがわかった。
実施例2で記載した手順にしたがって、第6の太陽電池上に前面側電極を作製するために、比較例1で調製した銀厚膜ペースト組成物の一部を使用した。唯一の相違点は、バーンアウト温度を650℃としたことであった。実施例2で記載したように効率を測定したところ、13.30%であることがわかった。
図4に、実施例2、3および4で製造された3つの太陽電池の効率が、バーンアウト温度に対してプロットされている。また、比較例2、3および4で製造された太陽電池で得られた結果もプロットされている。本発明の銀厚膜ペーストにより作製された電極を有する太陽電池は、全バーンアウト温度で同等もしくはそれ以上の効率を有している。
Claims (16)
- a.d50粒子径が約2.5μm〜約6μmの銀粒子を含む銀粉末であって、前記各銀粒子が長さ100〜2000nm、幅20〜100nm、厚さ20〜100nmの銀成分を含み、該銀成分が集合して球形状の開放構造型粒子を形成している、銀粉末、
b.ガラスフリット、および
c.有機媒体
を含み、前記銀粉末および前記ガラスフリットが前記有機媒体に分散されている銀厚膜ペースト組成物。 - 組成物の全重量に対して、65〜90重量%の銀粉末、0.1〜8重量%のガラスフリット、および5〜30重量%の有機媒体を含む、請求項1に記載の銀厚膜ペースト組成物。
- 78〜83重量%の銀粉末、2〜5重量%のガラスフリット、および13〜20重量%の有機媒体を含む、請求項2に記載の銀厚膜ペースト組成物。
- a.金属酸化物、焼成時に前記金属酸化物を生成する金属もしくは金属化合物、またはこれらの混合物(ここで、前記金属は、Zn、Pb、Bi、Gd、Ce、Zr、Ti、Mn、Sn、Ru、Co、Fe、Cu、Cr、およびこれらの混合物からなる群から選択され、前記有機媒体に分散されている、)
をさらに含む、請求項1に記載の銀厚膜ペースト組成物。 - 焼成時の前記金属酸化物がZnOである、請求項4に記載の銀厚膜ペースト組成物。
- 60〜90重量%の銀粉末、0.1〜8重量%のガラスフリット、2〜10重量%のZnO、および5〜30%の有機媒体を含み、前記重量%は、前記組成物の全重量に対するものである、請求項5に記載の銀厚膜ペースト組成物。
- 78〜83重量%の銀粉末、2〜5重量%のガラスフリット、3〜7重量%のZnO、および6〜17%の有機媒体を含む、請求項6に記載の銀厚膜ペースト組成物。
- a.半導体基板、1つ以上の絶縁膜、および請求項1に記載の銀厚膜ペースト組成物を供給する工程と、
b.前記半導体基板に前記絶縁膜を施す工程と、
c.前記半導体基板上の前記絶縁膜に前記銀厚膜ペースト組成物を施す工程と、
d.前記半導体基板、前記絶縁膜および前記銀厚膜ペースト組成物を焼成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - a.半導体基板、1つ以上の絶縁膜、および請求項4に記載の銀厚膜ペースト組成物を供給する工程と、
b.前記半導体基板に前記絶縁膜を施す工程と、
c.前記半導体基板上の前記絶縁膜に前記銀厚膜ペースト組成物を施す工程と、
d.前記半導体基板、前記絶縁膜および前記銀厚膜ペースト組成物を焼成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の方法により製造された半導体装置。
- 請求項9に記載の方法により製造された半導体装置。
- 電極を含む半導体装置であって、焼成前の前記電極が請求項1に記載の銀厚膜ペースト組成物を含む半導体装置。
- 電極を含む半導体装置であって、焼成前の前記電極が請求項4に記載の銀厚膜ペースト組成物を含む半導体装置。
- 電極を含む太陽電池であって、焼成前の前記電極が請求項1に記載の銀厚膜ペースト組成物を含む太陽電池。
- 電極を含む太陽電池であって、焼成前の前記電極が請求項4に記載の銀厚膜ペースト組成物を含む太陽電池。
- 半導体基板、絶縁膜および前面側電極を含む半導体装置であって、前記前面側電極がケイ酸亜鉛およびケイ酸ビスマスからなる群から選択される1種以上の成分を含む半導体装置。
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