JP2013258376A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10と、該基板の上に貫通孔12aを有するように金属で形成された下部電極12と、該下部電極12の上に形成された第1誘電体膜14aと、該第1誘電体膜14aと接続されるように該貫通孔12aにおける該下部電極12の側面に形成された第2誘電体膜14bとを有する誘電体膜14と、該第1誘電体膜14aの上に形成された第1金属膜16aと、該第1金属膜16aと接続されるように該第2誘電体膜14bの側面に形成された第2金属膜16bとを有する上部電極16と、一端部分18aが該貫通孔12aの中に配置されつつ該第2金属膜16bの側面に接するエアブリッジ18と、を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。この半導体装置は、例えばGaAsで形成された基板10を備えている。基板10の上には例えばAuなどの金属で下部電極12が形成されている。図2は、下部電極の斜視図である。下部電極12は貫通孔12aを有している。
Claims (3)
- 基板と、
前記基板の上に貫通孔を有するように金属で形成された下部電極と、
前記下部電極の上に形成された第1誘電体膜と、前記第1誘電体膜と接続されるように前記貫通孔における前記下部電極の側面に形成された第2誘電体膜とを有する誘電体膜と、
前記第1誘電体膜の上に形成された第1金属膜と、前記第1金属膜と接続されるように前記第2誘電体膜の側面に形成された第2金属膜とを有する上部電極と、
一端部分が前記貫通孔の中に配置されつつ前記第2金属膜の側面に接するエアブリッジと、を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記一端部分の直下に、前記第2金属膜と接するように形成された第3金属膜を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第3金属膜の下面に前記基板が接することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
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