JP2013243516A - 固体撮像素子および駆動方法 - Google Patents

固体撮像素子および駆動方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013243516A
JP2013243516A JP2012115409A JP2012115409A JP2013243516A JP 2013243516 A JP2013243516 A JP 2013243516A JP 2012115409 A JP2012115409 A JP 2012115409A JP 2012115409 A JP2012115409 A JP 2012115409A JP 2013243516 A JP2013243516 A JP 2013243516A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
connection element
power supply
voltage
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012115409A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Sakakibara
雅樹 榊原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2012115409A priority Critical patent/JP2013243516A/ja
Priority to US13/866,058 priority patent/US9355582B2/en
Priority to CN2013101765114A priority patent/CN103428450A/zh
Publication of JP2013243516A publication Critical patent/JP2013243516A/ja
Priority to US15/048,740 priority patent/US9854191B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/617—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise for reducing electromagnetic interference, e.g. clocking noise
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/001—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes using specific devices not provided for in groups G09G3/02 - G09G3/36, e.g. using an intermediate record carrier such as a film slide; Projection systems; Display of non-alphanumerical information, solely or in combination with alphanumerical information, e.g. digital display on projected diapositive as background
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Abstract

【課題】イメージセンサの面積増加を抑制しつつ画素のインピーダンスを低下させる。
【解決手段】固体撮像素子では、画素回路に設けられた各画素における、画素を初期化するための素子の電源側の端子と、画素回路周辺にある周辺回路とが接続素子を介して接続される。そして、画素の初期化時には、接続素子がオンされることで、画素と周辺回路とが電気的に接続され、画素に対して周辺回路に接続された電源から電力が供給される。これにより、固体撮像素子の面積増加を抑制しつつ、画素のインピーダンスを低下させることができる。また、画素の初期化が終了すると、接続素子がオフされて画素と周辺回路とが電気的に切り離され、画素へのノイズの伝播が生じないようにされる。本技術は、固体撮像素子に適用することができる。
【選択図】図２

Description

本技術は固体撮像素子および駆動方法に関し、特に、イメージセンサの面積増加を抑制しつつ画素のインピーダンスを低下させることができるようにした固体撮像素子および駆動方法に関する。
例えば、被写体から入射した光を光電変換することで画像を撮像するイメージセンサでは、イメージセンサを構成する画素のリセット時など、画素の初期化を行なう駆動時に電源のドロップ（電圧降下）が生じる。このような電源のドロップは、イメージセンサの画素数が多くなるほど大きくなることが知られている。
そのため、このような電源がドロップしてしまう現象を緩和するために、画素へ電力を供給する電源配線や、画素自身の電源配線を太くすることで、インピーダンスを下げることが一般的に行なわれている。
また、イメージセンサには画素の周辺回路の電源の配線として、共通信号線を挟むように信号処理部に沿って２本の電源ラインを設け、それらの電源ラインをクロス接続ラインで接続することで、信号読み出し速度を向上させるものもある（例えば、特許文献１参照）。
さらに、複数の所定電位を供給可能な電源供給部を複数設け、それらの電源供給部から画素に供給する電位を選択的に切り替えることで、回路負荷を分散させるイメージセンサも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００８−５４２４６号公報 特開２００７−６７６８２号公報
しかしながら、上述した技術では、画素のインピーダンスを下げるために電源配線等を太くすると、イメージセンサの配線面積、つまりイメージセンサの面積が大きくなり、コストアップにつながってしまう。
また、２本の電源ラインを設け、それらの電源ラインをクロス接続ラインで接続する配線方法も、ターゲット回路の周辺の配線を太くして電源のインピーダンスを下げることと等価であり、配線面積が増加してしまう。さらに、供給電位を選択的に切り替えるために複数の電源供給部を設けたイメージセンサでは、それらの電源供給部の数だけイメージセンサの面積が大きくなってしまう。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、イメージセンサの面積増加を抑制しつつ画素のインピーダンスを低下させることができるようにするものである。
本技術の一側面の固体撮像素子は、複数の画素からなり、被写体を撮像する画素回路と、前記画素回路近傍に設けられ、撮像に関する動作を行なう周辺回路と、前記画素の初期化時において、前記画素を初期化するために所定電圧がかけられた前記画素内の素子と、前記所定電圧の前記周辺回路とを電気的に接続する接続素子とを備える。
前記接続素子には、前記周辺回路が前記画素の初期化とは異なる、撮像に関する動作を行っているとき、前記画素と前記周辺回路とを電気的に切り離させることができる。
前記所定電圧を正の電圧とすることができる。
前記周辺回路には、前記所定電圧の電力を供給する電源を接続し、前記接続素子には、前記画素の初期化時に前記画素と前記周辺回路とを接続することで、前記画素と前記電源とを一時的に接続させることができる。
固体撮像素子には、前記画素の初期化時において、前記周辺回路に前記所定電圧で電力を供給し、前記周辺回路が前記画素の初期化とは異なる、撮像に関する動作を行っている場合、前記周辺回路に前記所定電圧とは異なる電圧で電力を供給する電源制御部をさらに設けることができる。
前記所定電圧を負の電圧または零とすることができる。
本技術の一側面の駆動方法は、複数の画素からなり、被写体を撮像する画素回路と、前記画素回路近傍に設けられ、撮像に関する動作を行なう周辺回路と、前記画素内の素子と前記周辺回路とを接続する接続素子とを備える固体撮像素子の駆動方法であって、前記画素の初期化時において、前記画素を初期化するために所定電圧がかけられた前記画素内の前記素子と、前記所定電圧の前記周辺回路とを前記接続素子が電気的に接続するステップを含む。
本技術の一側面においては、複数の画素からなり、被写体を撮像する画素回路と、前記画素回路近傍に設けられ、撮像に関する動作を行なう周辺回路と、前記画素内の素子と前記周辺回路とを接続する接続素子とを備える固体撮像素子において、前記画素の初期化時に、前記画素を初期化するために所定電圧がかけられた前記画素内の前記素子と、前記所定電圧の前記周辺回路とが前記接続素子により電気的に接続される。
本技術の一側面によれば、イメージセンサの面積増加を抑制しつつ画素のインピーダンスを低下させることができる。
電源ドロップについて説明する図である。 固体撮像素子の構成例を示す図である。 電源ドロップの低減について説明する図である。 固体撮像素子の構成例を示す図である。 電源ドロップの低減について説明する図である。 撮像装置の構成例を示す図である。
以下、図面を参照して、本技術を適用した実施の形態について説明する。
〈第１の実施の形態〉
［本技術の概要について］
まず、本技術の概要について説明する。
イメージセンサ（固体撮像素子）の多画素化や、全画素での露光期間を一致させるシャッタ方式による駆動などにより、同時にリセットされる画素数が多くなると、画素のリセットによる画素電源のドロップが大きくなる。
例えば、図１の曲線Ｃ１１に示すように、同時にリセットされる画素数が少ない場合、画素のリセットによって画素電源のドロップ（画素電源の瞬時低下）は発生するが、その電圧の低下はわずかである。なお、図１において、横方向は時間を示しており、縦方向は画素電源の電圧を示している。また、図中、横方向における矢印ＲＴ１１の位置は、画素をリセットした時刻を示している。
曲線Ｃ１１により示される画素電源の電圧は、画素のリセットのタイミングでわずかに低下しているが、その後、すぐに回復している。ここで、画素電源の電圧とは、例えば各画素内の浮遊拡散領域の電位をリセット電圧のレベルにセットするために、リセットトランジスタに印加される電圧である。すなわち、リセットトランジスタに接続される電源の電圧である。
これに対して、同時にリセットされる画素数が多い場合、曲線Ｃ１２に示すように画素電源の電圧は、画素のリセットのタイミングで大きく低下し、その電圧が回復するまでに時間がかかってしまう。
上述したように、画素内の配線や画素までの配線を太くして画素（画素電源）のインピーダンスを低下させれば、画素のリセット時など、画素を初期化する駆動を行なったときに画素電源がドロップしてしまう現象を緩和することができる。しかし、この場合、イメージセンサにおける配線面積（センサ面積）が増加し、コストが高くなってしまう。
そこで、本技術では、画素近傍に配置された周辺回路であって、画素のリセット等、画素の初期化時に動作していない周辺回路と、画素とを接続素子により接続し、画素の初期化時に接続素子をオンして、一時的に画素に電力が供給されるようにされる。すなわち、画素の初期化時に、画素電源により電源電圧が印加されるリセットトランジスタの端子（ドレイン）に対して、周辺回路からも同じ電圧が印加されるようにされる。
ここで周辺回路は、画素が選択されたときに負荷電流源となる負荷MOS回路や、カラム並列に配置され、画素から読み出された電気信号をアナログ信号からデジタル信号に変換するADC（Analog Digital Converter）、画素の駆動を制御するドライバなどとされる。つまり、周辺回路は、画素近傍に設けられ、画像の撮像に関する動作を行なう回路であればよい。
通常、イメージセンサでは、画素の初期化（リセット）が行なわれている期間において、画素に面する周辺回路は基本的にダイナミックに動作しない。すなわち、例えば画素に供給されるパルス信号（電圧信号）のオン，オフ等の動作は行われない。そのため、画素の初期化期間では、周辺回路と画素とを接続しても、周辺回路から画素へとノイズが伝播する等の悪影響が生じることはない。
また、本技術では、画素の初期化動作が終了すると接続素子がオフされ、画素内のリセットトランジスタと周辺回路とが電気的に切り離され、周辺回路で発生するノイズの画素への伝播が生じないようにされる。
これにより、本技術では、従来のイメージセンサの配線に加えて、周辺回路と画素とを接続する接続素子を設けるだけで、画素内の配線や画素近傍から画素までの配線の増加を抑制することができるとともに、画素のインピーダンスを低下させることができる。また、イメージセンサの面積増加の抑制により、イメージセンサのコストダウンを実現することができる。
［固体撮像素子の構成例］
次に、本技術を適用した固体撮像素子の具体的な実施の形態について説明する。
図２は、本技術を適用した固体撮像素子の一実施の形態の構成例を示す図である。
固体撮像素子１１は、例えばCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型イメージセンサなどからなる。
固体撮像素子１１は、画素回路２１、ドライバ２２、接続素子２３、列信号処理部２４、および接続素子２５から構成される。
画素回路２１は、図中、横方向（水平方向）および縦方向（垂直方向）に並ぶ複数の画素からなり、各画素は被写体からの光を光電変換して電気信号を生成する。画素回路２１からは、各画素で得られた電気信号が出力される。
例えば画素回路２１を構成する各画素には、被写体からの光を受光するフォトダイオード等の光電変換素子、光電変換素子で得られた光電荷を蓄積する浮遊拡散領域、光電変換素子から浮遊拡散領域へと電荷を転送するための転送トランジスタなどが設けられている。
また、各画素には、浮遊拡散領域の電位変動を電気信号に変換する増幅トランジスタや、増幅トランジスタで読み出された電気信号を、垂直方向に並ぶ画素に接続された垂直信号線に出力するための選択トランジスタなどが設けられている。
さらに、各画素には、画素のリセット時など、画素初期化時に浮遊拡散領域から外部に蓄積電荷を排出するか、または浮遊拡散領域に外部から電荷を注入することで、浮遊拡散領域の電位をリセット電圧のレベルにセットするリセットトランジスタも設けられている。リセットトランジスタのドレインには、浮遊拡散領域における電荷の排出または注入を行なうために画素電源が接続されて、所定の電圧がかけられている。
なお、画素回路２１の各画素には、光電変換素子、浮遊拡散領域、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、およびリセットトランジスタが設けられると説明したが、各画素はどのような構成とされてもよい。すなわち、各画素には、少なくとも光電変換を行なう構成、光電変換で得られた電荷を電気信号として読み出す構成、および画素を初期化する構成が設けられていればよい。
ドライバ２２は、画素回路２１の各画素を構成する素子と図示せぬ信号線により接続されており、図示せぬ電源から電力の供給を受けて各画素の駆動を制御する。
例えば、ドライバ２２は、画素を構成する転送トランジスタ、選択トランジスタ、およびリセットトランジスタの各ゲートに電圧を印加することで、浮遊拡散領域への電荷の転送、画素信号を読み出す画素の選択、および画素（浮遊拡散領域）の初期化を制御する。
また、ドライバ２２は、複数の接続素子２３により画素回路２１の各画素と接続されている。各接続素子２３は、画素回路２１の画素と、ドライバ２２に接続された図示せぬ電源とを接続するスイッチからなり、印加された電圧に応じてスイッチをオン，オフさせることで画素に電源電圧を印加する。例えば接続素子２３の画素回路２１側の端子は、画素を構成するリセットトランジスタの画素電源が接続されている端子、具体的にはリセットトランジスタのドレインに接続されている。また、接続素子２３の画素回路２１側の端子は、増幅トランジスタのドレインにも接続されている。
列信号処理部２４は、画素回路２１に設けられた垂直信号線に接続されており、図示せぬ電源から電力供給を受けて各垂直信号線にバイアス電流を供給する。すなわち、列信号処理部２４には、各画素の負荷電流源となる負荷MOS回路が設けられている。
また、列信号処理部２４は、画素回路２１内の垂直信号線から読み出された電気信号に基づいて、相関二重サンプリングや、オートゲインコントロール処理、Ａ／Ｄ変換処理などを行って各画素の画素信号を生成する。このようにして得られた各画素の画素信号からなる信号が、被写体を撮像することで得られた画像の画像信号とされる。
さらに、列信号処理部２４は、複数の接続素子２５により画素回路２１の各画素と接続されている。各接続素子２５は、画素回路２１の画素と、列信号処理部２４に接続された図示せぬ電源とを接続するスイッチからなり、印加された電圧に応じてスイッチをオン，オフさせることで画素に電源電圧を印加する。
例えば接続素子２５の画素回路２１側の端子は、画素を構成するリセットトランジスタの画素電源が接続されている端子、すなわちリセットトランジスタのドレインに接続されている。また、接続素子２５の画素回路２１側の端子は、増幅トランジスタのドレインにも接続されている。
［固体撮像素子の動作の説明］
次に、固体撮像素子１１の動作について説明する。
固体撮像素子１１による画像の撮像が開始されると、まず、ドライバ２２により画素回路２１内のいくつかの画素について、画素を構成する選択トランジスタのゲートに選択パルス（電圧）が供給され、画素が選択された状態とされる。つまり、画素から電気信号が垂直信号線に出力される状態とされる。
このとき、画素回路２１の垂直信号線には、列信号処理部２４からバイアス電流が供給された状態とされている。また、この状態では、接続素子２３および接続素子２５のスイッチはオフされており、ドライバ２２および列信号処理部２４と、画素回路２１の画素内のリセットトランジスタのドレインとは電気的に接続されていない。
続いて、リセットパルスにより選択されている画素の初期化（リセット）が行なわれる。すなわち、ドライバ２２は、画素回路２１の選択されている画素を構成するリセットトランジスタのゲートにリセットパルス（電圧）を印加し、ゲートをオンする。
すると、浮遊拡散領域がリセットトランジスタを介して画素電源と電気的に接続されて、浮遊拡散領域、すなわち画素が初期化される。なお、画素の初期化時には、画素回路２１の選択された画素内の転送トランジスタはオフされ、光電変換素子から浮遊拡散領域に電荷が転送されないようにされる。
また、リセットトランジスタのゲートがオンされるとき、接続素子２３および接続素子２５に電圧が印加されてスイッチがオンされる。これにより、リセットトランジスタの画素電源が接続されている側の端子（ドレイン）と、ドライバ２２および列信号処理部２４とが、接続素子２３および接続素子２５により電気的に接続される。つまり、画素電源により所定の電圧がかけられているリセットトランジスタの端子に、同じ電圧がかけられているドライバ２２や列信号処理部２４等の周辺回路が電気的に接続される。
換言すれば、リセットトランジスタの画素電源側の端子と、ドライバ２２や列信号処理部２４に接続された電源とが電気的に接続される。ここで、リセットトランジスタに接続されている画素電源と、ドライバ２２や列信号処理部２４に接続されている電源とは、同じ正の電圧の電源とされる。
このように接続素子２３や接続素子２５を介して画素と電源とを一時的に接続することで、画素（画素電源）のインピーダンスを低減させることができ、画素の初期化により生じる電源ドロップを低減させることができる。
なお、画素の初期化（リセット）期間中には、例えばドライバ２２から画素内のリセットトランジスタのゲートにはリセットパルス（電圧）が供給されたり、列信号処理部２４により垂直信号線にバイアス電流が供給されたりしている。しかし、画素のリセット期間中には、ドライバ２２や列信号処理部２４によって、画素内の素子に供給される電圧（パルス）は一定であり、ゲートのオン，オフの切り替えなどのダイナミックな動作は行われない。したがって、画素のリセット期間中は、ドライバ２２や列信号処理部２４などの周辺回路は動作していないということができる。
画素がリセットされると、ドライバ２２は、選択されている画素を構成するリセットトランジスタのゲートをオフし、浮遊拡散領域が初期化されないようにする。
このとき、接続素子２３および接続素子２５のスイッチがオフされ、リセットトランジスタの画素電源側の端子と、ドライバ２２および列信号処理部２４とが電気的に切り離される。つまり、リセットトランジスタの画素電源側の端子と、ドライバ２２や列信号処理部２４に接続された電源とが電気的に分離される。
このように、画素の初期化後、リセットトランジスタの画素電源側の端子が、ドライバ２２や列信号処理部２４と切り離されるのは、画素の初期化後に固体撮像素子１１において画素信号の読み出し動作が行われるからである。
読み出し動作では、画素回路２１やその周辺のドライバ２２、列信号処理部２４などがダイナミックに動作する。そのため、接続素子２３や接続素子２５のスイッチをオンしたままとすると、ドライバ２２や列信号処理部２４の電源を通して画素にノイズが伝播してしまう。
そこで、固体撮像素子１１では、画素周辺が動作しない画素の初期化期間は、接続素子２３や接続素子２５のスイッチをオンして、ドライバ２２や列信号処理部２４に画素のインピーダンスを低下させる機能をもたせる。そして、画素周辺が動作するときには、接続素子２３や接続素子２５のスイッチをオフして、画素へのノイズの伝播を抑制する。
これにより、画素回路２１やその周辺の電源配線幅を細くして配線面積の増加、つまり固体撮像素子１１の面積の増加を抑制しつつ、画素（画素電源）のインピーダンスを低下させることができる。また、配線面積の増加の抑制により、イメージセンサ（固体撮像素子１１）の低コスト化も実現することができる。
画素の初期化が行なわれると、その後、画素からの画素信号の読み出しが行なわれる。なお、画素の初期化終了時において、選択トランジスタのゲートはオンされ、転送トランジスタとリセットトランジスタのゲートはオフされた状態となっている。また、接続素子２３および接続素子２５のスイッチはオフされている。
このような状態において、列信号処理部２４は、垂直信号線の電圧をリセットレベルとして読み出す。
そして、ドライバ２２は、画素回路２１の選択された画素を構成する転送トランジスタのゲートに転送パルス（電圧）を印加し、これまでの期間で光電変換素子に蓄積された電荷を浮遊拡散領域に転送させた後、転送トランジスタのゲートをオフする。つまり、転送トランジスタのゲートに転送パルスが印加されない状態とされる。
浮遊拡散領域への電荷の転送により、浮遊拡散領域の電位が変動するので、列信号処理部２４は、垂直信号線の電圧を信号レベルとして読み出す。さらにドライバ２２は、選択していた画素の選択トランジスタのゲートをオフし、画素を垂直信号線から切り離す。
また、列信号処理部２４は、読み出したリセットレベルと信号レベルの差を画素信号の値として出力する。このとき、必要に応じてＡ／Ｄ変換処理やオートゲインコントロール処理が行われる。その後、固体撮像素子１１は、選択される画素を変化させながら、必要回数だけ上述の処理を繰り返し行い、撮像処理は終了する。
以上のようにして、固体撮像素子１１は画像を撮像し、各画素の画素信号からなる画像信号を出力する。
固体撮像素子１１では、画素の初期化時にドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とを接続して画素のインピーダンスを低下させることで、例えば図３に示すように、画素の初期化時に生じる電源ドロップを低減させることができる。
なお、図３において、横方向は時間を示しており、縦方向は電圧を示している。また、図中、横方向における矢印ＲＴ２１の位置は、画素を初期化（リセット）した時刻を示している。
図３では、曲線Ｃ２１は、画素の初期化時にドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とを接続しなかった場合における各時刻の画素電源、つまり画素内のリセットトランジスタの電源側端子の電圧を示している。これに対して、曲線Ｃ２２は、画素の初期化時にドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とを接続した場合における各時刻の画素電源の電圧を示している。
また、曲線Ｃ２３は、画素回路２１の近傍に配置された周辺回路、例えばドライバ２２または列信号処理部２４の各時刻の電圧を示しており、折れ線Ｃ２４は、接続素子２３および接続素子２５に供給される電圧信号（パルス）を示している。
ここで、折れ線Ｃ２４で示される電圧信号の電圧は、上に凸の期間において、接続素子２３および接続素子２５を構成するスイッチがオンされる電圧となり、他の期間では各スイッチがオフされる電圧となる。この例では、画素の初期化直前に、接続素子２３と接続素子２５を構成するスイッチがオンされている。
図３の例では、画素の初期化時にドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とを接続しないと、曲線Ｃ２１に示すように画素電源の電圧は、画素の初期化のタイミングで大きく低下し、その電圧が回復するまで時間がかかってしまう。
これに対して、折れ線Ｃ２４に示す電圧信号を接続素子２３および接続素子２５に供給し、画素初期化時にドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とが接続された状態とすると、画素電源の電圧は、曲線Ｃ２２に示すように変化する。
すなわち、曲線Ｃ２２に示す画素電源の電圧は、画素の初期化時にわずかに低下するが、その低下量は曲線Ｃ２１に示す場合と比べると大幅に小さくなっており、電源ドロップもすぐに回復している。
また、この場合、ドライバ２２や列信号処理部２４の電源が、画素と接続されるので、ドライバ２２や列信号処理部２４等の周辺回路の電圧も、曲線Ｃ２３に示すように画素初期化時にはわずかに低下し、その後、瞬時に回復している。
曲線Ｃ２２や曲線Ｃ２３から分かるように、固体撮像素子１１では、画素の初期化時にわずかに電源ドロップが生じるが、この電源ドロップはすぐに回復するため、固体撮像素子１１を高速に動作させることが可能となる。
また、曲線Ｃ２３に示す周辺回路の電圧は、画素の初期化後、すなわち矢印Ｄ１１に示す時刻以降においては、画素からの信号の読み出し等の動作のため、周辺回路の動作、例えば画素内の素子への電圧の供給動作に応じてわずかな振幅で上下に変化している。矢印Ｄ１１に示される時刻以降においては、接続素子２３および接続素子２５を構成するスイッチはオフとされているため、周辺回路から画素へとノイズが伝播されてしまうようなこともない。
なお、以上においては、画素の初期化期間中、継続してドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とを接続すると説明したが、これらの電源と画素とは、初期化期間の少なくとも一部の期間、接続されていればよい。特に、リセットトランジスタのゲートがオンされたとき、つまり画素のリセットが開始されたときに、ドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とが接続されていれば、その接続終了時刻は、初期化終了前でも後でもよい。
また、ドライバ２２の電源と画素とが接続される期間、および列信号処理部２４の電源と画素とが接続される期間は、同じであってもよいし、異なるようにしてもよい。
〈第２の実施の形態〉
［固体撮像素子の構成例］
ところで、周辺回路に供給される電源電圧と、画素電源の電圧とに差異がある場合もある。そのような場合には、画素や周辺回路が誤動作を起こさないという条件下で、周辺回路を介して画素に印加される電圧と画素電源の電圧とが一時的に合わせられて、周辺回路と画素が接続されるようにすればよい。
そのような場合、固体撮像素子は、例えば図４に示すように構成される。なお、図４において、図２における場合と対応する部分には同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
図４に示す固体撮像素子５１は、画素回路２１、ドライバ２２、接続素子２３、列信号処理部２４、接続素子２５、電源制御回路６１、接続素子６２、接続素子６３、接続素子６４、および接続素子６５から構成される。すなわち、固体撮像素子５１は、図２の固体撮像素子１１に、さらに電源制御回路６１、および接続素子６２乃至接続素子６５が設けられた構成とされている。
この例では、画素回路２１を構成する各画素のリセットトランジスタのドレインに供給される画素電源の電圧ＶＤＤpixと、ドライバ２２や列信号処理部２４による画素回路２１の駆動に用いられる電源の電圧ＶＤＤperiとが異なる大きさとなっている。
電圧ＶＤＤpixと電圧ＶＤＤperiとが異なるので、電圧ＶＤＤpixの値が、例えば画素や周辺回路が誤動作を起こさない範囲で定められるか、または画素や周辺回路が誤動作を起こさないように設計される。
電源制御回路６１は、図示せぬ電源からドライバ２２や列信号処理部２４への電力供給を制御する回路であり、必要に応じて異なる電圧でドライバ２２や列信号処理部２４に電力を供給する。
電源制御回路６１とドライバ２２とは、スイッチなどからなる接続素子６２と接続素子６３により接続されている。
接続素子６２および接続素子６３は、スイッチなどからなり、印加された電圧に応じてスイッチをオン，オフさせることでドライバ２２に電力を供給する。
例えば、画素の初期化時には、接続素子６２のスイッチがオンされ、接続素子６３のスイッチはオフされる。これにより、画素の初期化時には、電源制御回路６１からドライバ２２に、画素電源の電圧ＶＤＤpixと同じ電圧で電力が供給される。
また、画素の初期化時以外の期間においては、接続素子６２のスイッチはオフされ、接続素子６３のスイッチがオンされて、電源制御回路６１からドライバ２２には、電圧ＶＤＤperiで電力が供給される。
ドライバ２２における場合と同様に、電源制御回路６１と列信号処理部２４とは、スイッチなどからなる接続素子６４と接続素子６５により接続されている。接続素子６４および接続素子６５は、スイッチなどからなり、印加された電圧に応じてスイッチをオン，オフさせることで列信号処理部２４に電力を供給する。
例えば、画素の初期化時には、接続素子６４のスイッチがオンされ、接続素子６５のスイッチはオフされる。これにより、画素の初期化時には、電源制御回路６１から列信号処理部２４に、画素電源の電圧ＶＤＤpixと同じ電圧で電力が供給される。
また、画素の初期化時以外の期間においては、接続素子６４のスイッチはオフされ、接続素子６５のスイッチがオンされて、電源制御回路６１から列信号処理部２４には、電圧ＶＤＤperiで電力が供給される。
例えば、固体撮像素子５１では、接続素子６２および接続素子６４は、接続素子２３と接続素子２５がオンされるタイミングでオンされ、接続素子２３と接続素子２５がオフされるタイミングでオフされるように制御される。逆に、接続素子６３および接続素子６５は、接続素子２３と接続素子２５がオンされるタイミングでオフされ、接続素子２３と接続素子２５がオフされるタイミングでオンされるように制御される。
［固体撮像素子の動作の説明］
このような固体撮像素子５１は、基本的に図２の固体撮像素子１１と同じ動作をする。但し、画素の初期化時と、画素の初期化時以外の期間とで、電源制御回路６１からドライバ２２および列信号処理部２４に供給される電力の電圧の切り替えが行なわれる。
すなわち、画素の初期化前においては、接続素子６２および接続素子６４のスイッチはオフされ、接続素子６３および接続素子６５のスイッチがオンされている。
したがって、ドライバ２２および列信号処理部２４には、電圧ＶＤＤperiの電力が電源制御回路６１から供給され、ドライバ２２および列信号処理部２４は、供給された電力に基づいて画素回路２１を駆動する。例えば、ドライバ２２は、画素回路２１を構成するいくつかの画素について、画素を構成する選択トランジスタのゲートに電圧ＶＤＤperiの選択パルスを印加する。
なお、この状態では、接続素子２３および接続素子２５のスイッチはオフされている。
そして、画素の初期化時、より詳細には画素の初期化が行なわれる直前に、接続素子６２および接続素子６４のスイッチがオンされ、接続素子６３および接続素子６５のスイッチがオフされる。これにより、ドライバ２２および列信号処理部２４には、電圧ＶＤＤpixの電力が電源制御回路６１から供給されるようになる。
同時に、接続素子２３および接続素子２５のスイッチがオンされる。これにより、リセットトランジスタの画素電源が接続されている側の端子と、ドライバ２２および列信号処理部２４とが、接続素子２３および接続素子２５により電気的に接続される。つまり、リセットトランジスタの画素電源側の端子に、ドライバ２２や列信号処理部２４に接続された電源制御回路６１から電圧ＶＤＤpixが印加される。
また、画素初期化のタイミングとなると、ドライバ２２は、画素回路２１の選択されている画素を構成するリセットトランジスタのゲートにリセットパルス（電圧）を印加し、ゲートをオンすることで、画素を初期化する。このときリセットトランジスタのゲートに印加される電圧はＶＤＤpixである。
このように接続素子２３や接続素子２５を介して画素と電源とを一時的に接続することで、画素のインピーダンスを低減させることができ、画素の初期化により生じる電源ドロップを低減させることができる。
選択されている画素を構成するリセットトランジスタのゲートをドライバ２２によりオフすることで画素の初期化が終了する。
このとき、接続素子２３および接続素子２５のスイッチがオフされ、リセットトランジスタの画素電源側の端子と、ドライバ２２および列信号処理部２４とが電気的に切り離される。同時に、接続素子６２および接続素子６４のスイッチがオフされ、接続素子６３および接続素子６５のスイッチがオンされる。これにより、ドライバ２２および列信号処理部２４には、電圧ＶＤＤperiの電力が電源制御回路６１から供給されるようになる。
画素の初期化が終了し、画素回路２１の選択されている画素と、ドライバ２２および列信号処理部２４の電源とが切り離されると、その後、選択されている画素からの画素信号の読み出し動作が行われる。
このとき、ドライバ２２や列信号処理部２４は、電源制御回路６１から供給された電圧ＶＤＤperiの電力により、画素回路２１を駆動させる。例えば、ドライバ２２は、画素を構成する転送トランジスタのゲートに電圧ＶＤＤperiの転送パルスを供給するなどして、画素信号の読み出し動作を行う。
以上のようにして、固体撮像素子５１は画素の初期化期間と、そうでない期間とで電源制御回路６１からドライバ２２および列信号処理部２４に供給される電力の電圧を切り替える。画素の初期化期間においては、ドライバ２２や、画素回路２１の画素を構成するリセットトランジスタ等の素子には、本来印加されるべき電圧ＶＤＤperiとは異なる電圧ＶＤＤpixが印加される。そのため、ドライバ２２や列信号処理部２４などの周辺回路と、画素回路２１が電圧ＶＤＤpixで誤動作したり、破壊されたりしないことが前提となる。
以上の動作により、固体撮像素子５１では、画素の初期化時にドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とを電気的に接続し、画素のインピーダンスを低下させることができる。これにより、例えば図５に示すように、画素の初期化時に生じる電源ドロップを低減させることができる。
なお、図５において、横方向は時間を示しており、縦方向は電圧を示している。また、図中、横方向における矢印ＲＴ３１の位置は、画素を初期化した時刻を示している。
図５では、曲線Ｃ３１は、画素の初期化時にドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とを接続した場合における、各時刻の画素電源の電圧を示している。また、曲線Ｃ３２は、画素回路２１の近傍に配置された周辺回路、例えばドライバ２２または列信号処理部２４の各時刻の電圧を示している。
さらに、折れ線Ｃ３３は、接続素子２３、接続素子２５、接続素子６２、および接続素子６４に供給される電圧信号（パルス）を示している。ここで、折れ線Ｃ３３で示される電圧信号の電圧は、上に凸の期間において、接続素子２３、接続素子２５、接続素子６２、および接続素子６４を構成するスイッチがオンされる電圧となり、他の期間では各スイッチがオフされる電圧となる。
図５の例では、折れ線Ｃ３３に示す電圧信号を接続素子２３、接続素子２５、接続素子６２、および接続素子６４に供給し、画素初期化時にドライバ２２や列信号処理部２４の電源と、選択されている画素とが接続された状態とされる。すると、画素電源の電圧は、曲線Ｃ３１に示すように変化する。
すなわち、曲線Ｃ３１に示す画素電源の電圧は、画素の初期化時にわずかに低下するが、その低下量はわずかであり、電源ドロップもすぐに回復している。
また、この場合、ドライバ２２や列信号処理部２４の電源が画素と接続されるので、ドライバ２２や列信号処理部２４等の周辺回路の電圧も、曲線Ｃ３２に示すように画素リセット時にはわずかに低下するが、その後、瞬時に回復している。
曲線Ｃ３１や曲線Ｃ３２から分かるように、固体撮像素子５１では、画素のリセット時にわずかに電源ドロップが生じるが、この電源ドロップはすぐに回復するため、固体撮像素子５１を高速に動作させることが可能となる。
また、曲線Ｃ３２に示す周辺回路の電圧は、基本的に画素の初期化期間、より詳細には接続素子６２および接続素子６４のスイッチがオンされている期間はＶＤＤpixとなり、他の期間ではＶＤＤperiとなっている。
さらに、曲線Ｃ３２に示す周辺回路の電圧は、画素の初期化後、すなわち矢印Ｄ２１に示す時刻以降においては、画素からの信号の読み出し等の動作のため、周辺回路の動作に応じてわずかな振幅で上下に変化している。しかし、矢印Ｄ２１に示される時刻以降においては、接続素子２３および接続素子２５を構成するスイッチはオフとされているため、周辺回路から画素へとノイズが伝播されてしまうようなことはない。
以上のように、本技術によれば、画素の初期化時に画素と周辺回路の電源とを電気的に接続し、周辺回路がダイナミックに動作する期間では、画素と周辺回路の電源とを切り離すことで、イメージセンサの面積増加を抑制しつつ、画素のインピーダンスを低下させることができる。
なお、以上においては、周辺回路として、列信号処理部２４とドライバ２２を例に説明したが、周辺回路は、画素回路２１近傍にあり、画素初期化時にダイナミックに動作しないものであれば、どのようなものであってもよい。例えば相関二重サンプリング処理を行なう回路や、Ａ／Ｄ変換処理を行なう回路が周辺回路とされてもよい。
また、以上では、周辺回路の電源と画素電源とを接続する場合、つまり電源配線の例について説明したが、本技術は、電源配線に限らずＧＮＤ配線（グランド配線）や負バイアスの配線であっても同様に適用可能である。すなわち、画素を初期化するために所定の電圧がかけられている画素内の素子に、同じ電圧がかけられている周辺回路が電気的に接続されればよい。
ここで、所定の電圧は正の電圧、負の電圧、零（０Ｖ）の何れであってもよい。例えば、画素を構成するリセットトランジスタがＰチャンネルのＭＯＳトランジスタである場合などには、リセットトランジスタのグランドと、周辺回路のグランドとが画素の初期化期間だけ接続される。
［撮像装置の構成例］
さらに、本技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
図６は、本技術を適用した電子機器としての、撮像装置の構成例を示す図である。
図６の撮像装置９１は、レンズ群などからなる光学部１０１、固体撮像素子（撮像デバイス）１０２、およびカメラ信号処理回路であるＤＳＰ(Digital Signal Processor)回路１０３を備える。また、撮像装置９１は、フレームメモリ１０４、表示部１０５、記録部１０６、操作部１０７、および電源部１０８も備える。ＤＳＰ回路１０３、フレームメモリ１０４、表示部１０５、記録部１０６、操作部１０７および電源部１０８は、バスライン１０９を介して相互に接続されている。
光学部１０１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像素子１０２の撮像面上に結像する。固体撮像素子１０２は、光学部１０１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この固体撮像素子１０２は、上述した固体撮像素子１１や固体撮像素子５１に対応する。
表示部１０５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ(electro luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、固体撮像素子１０２で撮像された動画像または静止画像を表示する。記録部１０６は、固体撮像素子１０２で撮像された動画像または静止画像を、ビデオテープやＤＶＤ(Digital Versatile Disk)等の記録媒体に記録する。
操作部１０７は、ユーザによる操作に応じて、撮像装置９１が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部１０８は、ＤＳＰ回路１０３、フレームメモリ１０４、表示部１０５、記録部１０６および操作部１０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
また、上述した実施形態においては、可視光の光量に応じた信号電荷を物理量として検知する画素が行列状に配置されてなるＣＭＯＳイメージセンサに適用した場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本技術はＣＭＯＳイメージセンサへの適用に限られるものではなく、固体撮像素子全般に対して適用可能である。
また、本技術は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像素子への適用に限らず、赤外線やＸ線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像素子に対して適用可能である。
さらに、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
さらに、本技術は、以下の構成とすることも可能である。
［１］
複数の画素からなり、被写体を撮像する画素回路と、
前記画素回路近傍に設けられ、撮像に関する動作を行なう周辺回路と、
前記画素の初期化時において、前記画素を初期化するために所定電圧がかけられた前記画素内の素子と、前記所定電圧の前記周辺回路とを電気的に接続する接続素子と
を備える固体撮像素子。
［２］
前記接続素子は、前記周辺回路が前記画素の初期化とは異なる、撮像に関する動作を行っているとき、前記素子と前記周辺回路とを電気的に切り離す
［１］に記載の固体撮像素子。
［３］
前記所定電圧は正の電圧である
［１］または［２］に記載の固体撮像素子。
［４］
前記周辺回路は、前記所定電圧の電力を供給する電源に接続され、
前記接続素子は、前記画素の初期化時に前記素子と前記周辺回路とを接続することで、前記素子と前記電源とを一時的に接続する
［３］に記載の固体撮像素子。
［５］
前記画素の初期化時において、前記周辺回路に前記所定電圧で電力を供給し、前記周辺回路が前記画素の初期化とは異なる、撮像に関する動作を行っている場合、前記周辺回路に前記所定電圧とは異なる電圧で電力を供給する電源制御部をさらに備える
［３］に記載の固体撮像素子。
［６］
前記所定電圧は負の電圧または零である
［１］または［２］に記載の固体撮像素子。
１１ 固体撮像素子， ２１ 画素回路， ２２ ドライバ， ２３ 接続素子， ２４ 列信号処理部， ２５ 接続素子， ５１ 固体撮像素子， ６１ 電源制御回路

Claims (7)

  1. 複数の画素からなり、被写体を撮像する画素回路と、
    前記画素回路近傍に設けられ、撮像に関する動作を行なう周辺回路と、
    前記画素の初期化時において、前記画素を初期化するために所定電圧がかけられた前記画素内の素子と、前記所定電圧の前記周辺回路とを電気的に接続する接続素子と
    を備える固体撮像素子。
  2. 前記接続素子は、前記周辺回路が前記画素の初期化とは異なる、撮像に関する動作を行っているとき、前記素子と前記周辺回路とを電気的に切り離す
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  3. 前記所定電圧は正の電圧である
    請求項２に記載の固体撮像素子。
  4. 前記周辺回路は、前記所定電圧の電力を供給する電源に接続され、
    前記接続素子は、前記画素の初期化時に前記素子と前記周辺回路とを接続することで、前記素子と前記電源とを一時的に接続する
    請求項３に記載の固体撮像素子。
  5. 前記画素の初期化時において、前記周辺回路に前記所定電圧で電力を供給し、前記周辺回路が前記画素の初期化とは異なる、撮像に関する動作を行っている場合、前記周辺回路に前記所定電圧とは異なる電圧で電力を供給する電源制御部をさらに備える
    請求項３に記載の固体撮像素子。
  6. 前記所定電圧は負の電圧または零である
    請求項２に記載の固体撮像素子。
  7. 複数の画素からなり、被写体を撮像する画素回路と、
    前記画素回路近傍に設けられ、撮像に関する動作を行なう周辺回路と、
    前記画素内の素子と前記周辺回路とを接続する接続素子と
    を備える固体撮像素子の駆動方法であって、
    前記画素の初期化時において、前記画素を初期化するために所定電圧がかけられた前記画素内の前記素子と、前記所定電圧の前記周辺回路とを前記接続素子が電気的に接続する
    ステップを含む駆動方法。
JP2012115409A 2012-05-21 2012-05-21 固体撮像素子および駆動方法 Pending JP2013243516A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012115409A JP2013243516A (ja) 2012-05-21 2012-05-21 固体撮像素子および駆動方法
US13/866,058 US9355582B2 (en) 2012-05-21 2013-04-19 Solid-state image sensor and driving method
CN2013101765114A CN103428450A (zh) 2012-05-21 2013-05-14 固态图像传感器和驱动方法
US15/048,740 US9854191B2 (en) 2012-05-21 2016-02-19 Solid-state image sensor and driving method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012115409A JP2013243516A (ja) 2012-05-21 2012-05-21 固体撮像素子および駆動方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013243516A true JP2013243516A (ja) 2013-12-05

Family

ID=49580943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012115409A Pending JP2013243516A (ja) 2012-05-21 2012-05-21 固体撮像素子および駆動方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9355582B2 (ja)
JP (1) JP2013243516A (ja)
CN (1) CN103428450A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013243516A (ja) * 2012-05-21 2013-12-05 Sony Corp 固体撮像素子および駆動方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4007336B2 (ja) * 2004-04-12 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 画素回路の駆動方法、画素回路、電気光学装置および電子機器
JP4696788B2 (ja) 2005-08-30 2011-06-08 日本ビクター株式会社 固体撮像装置
JP4144892B2 (ja) 2006-08-28 2008-09-03 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
US8089437B2 (en) * 2006-09-20 2012-01-03 Seiko Epson Corporation Driver circuit, electro-optical device, and electronic instrument
JP5115551B2 (ja) * 2007-11-05 2013-01-09 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
JP5458671B2 (ja) * 2009-05-29 2014-04-02 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の駆動方法および電子機器
KR101761794B1 (ko) * 2010-09-13 2017-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 구동 방법
JP2013243516A (ja) * 2012-05-21 2013-12-05 Sony Corp 固体撮像素子および駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160191828A1 (en) 2016-06-30
US9355582B2 (en) 2016-05-31
US9854191B2 (en) 2017-12-26
CN103428450A (zh) 2013-12-04
US20130307837A1 (en) 2013-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5258416B2 (ja) 固体撮像装置
JP5664175B2 (ja) 固体撮像装置とその駆動方法、及び電子機器
US8300129B2 (en) Pixel drive circuit, image capture device, and camera system
KR102183357B1 (ko) 고체 촬상 소자, 구동 방법 및 전자 기기
JP4425950B2 (ja) 固体撮像装置および電子情報機器
US20140078336A1 (en) Imaging pixels with improved dynamic range
US9807327B2 (en) Solid-state image device, method of driving solid-state imaging device, and electronic system with AD converter and bias current control
JP2013162148A (ja) 個体撮像装置および駆動方法、並びに電子機器
US7944492B2 (en) Solid-state image pickup device and camera system
US8692918B2 (en) CMOS image sensor and driving method thereof
US10348991B2 (en) Solid-state image pickup device with load transistors, method for controlling the same, and electronic apparatus
US8264582B2 (en) Solid-state image capturing apparatus and electronic information device
JP2013243516A (ja) 固体撮像素子および駆動方法
JP6217338B2 (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
JP2017188842A (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
JP2014078869A (ja) 固体撮像素子および撮像装置並びに固体撮像素子の駆動制御方法
JP4269957B2 (ja) 直流レベル変換回路および直流レベル変換回路を制御する方法
JP6375614B2 (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
CN114979510A (zh) 图像传感器像素和图像传感器
JP2013229712A (ja) 電源装置、固体撮像装置、及び、電子機器