JP2013243318A - 電子部品の実装構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品とこの電子部品の周囲を封止している封止樹脂を平面研磨した場合に、電子部品の周辺部が過剰に研磨される現象を低減できる、実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板(2)に搭載された電子部品(1)の周辺に配置された突起状電極(6)と電子部品(1)を封止樹脂(9)で被った実装構造体であって、回路基板(2)の平面内において電子部品(1)の側面と突起状電極(6)との間に配置されかつ回路基板(2)と機械的に接合された突起状構造物(7)を設け、突起状構造物(7)が封止樹脂(9)よりも硬いため、回路基板(2)に実装された電子部品(1)が規定厚さになるまで、封止樹脂(9)を突起状電極(6)および突起状構造物(7)とともに平面研磨することによって、電子部品(1)の周辺部の過剰研磨部を低減できる。
【選択図】図1
【解決手段】回路基板(2)に搭載された電子部品(1)の周辺に配置された突起状電極(6)と電子部品(1)を封止樹脂(9)で被った実装構造体であって、回路基板(2)の平面内において電子部品(1)の側面と突起状電極(6)との間に配置されかつ回路基板(2)と機械的に接合された突起状構造物(7)を設け、突起状構造物(7)が封止樹脂(9)よりも硬いため、回路基板(2)に実装された電子部品(1)が規定厚さになるまで、封止樹脂(9)を突起状電極(6)および突起状構造物(7)とともに平面研磨することによって、電子部品(1)の周辺部の過剰研磨部を低減できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば半導体素子が回路基板上に実装された実装構造体などの電子部品の実装構造体およびその製造方法に関する。
LSIなどの半導体素子が回路基板上に実装された実装構造体の一種に、フリップチップ実装に係る実装構造体がある。フリップチップ実装においては、半導体素子の電極端子上に、はんだバンプなどの接合部を形成し、その半導体素子をフェイスダウンで回路基板上に実装している。詳しくは、半導体素子と回路基板とを加熱した状態で、半導体素子上の接合部と回路基板の電極端子とを圧接する。
半導体素子にはんだバンプを形成する方法としては、スクリーン印刷法やディスペンス装置や電解メッキ法で、はんだを半導体素子の電極端子上に供給した後、リフロー炉ではんだ融点以上に半導体素子を加熱する方法が一般的に採用されている。また、はんだバンプを用いる場合には、半導体素子と回路基板との間の空隙に樹脂を充填させて、半導体素子の接合部と回路基板の電極端子との接合強度を補強している。
他の接合部としては、金や銅などからなる接合部がある。金や銅などからなる接合部を形成する方法としては、電解メッキ法が採用されている。金や銅などからなる接合部を用いる場合には、一般的に、接着剤に金属粒子を混入した異方性導電膜を半導体素子と回路基板との間に介在させた状態で、半導体素子上の接合部を回路基板の電極端子に向けて加圧する。
一方、半導体素子が回路基板に搭載された実装構造体の小型化を図るべく、実装構造体を外部に電気的・機械的に接続するための回路基板上の外部端子の直上への、突起状電極の形成が進められており、特に多ピン化・狭ピッチ化の進展が著しい。そのため、外部端子を回路基板の外周部に複数列で配置すると、突起状電極を小型化・低背化してしまい、回路基板上に搭載する半導体素子の厚みを突起状電極より薄くする必要があり、半導体素子の薄化が困難になり、また薄化した半導体素子は反りが発生して、実装時に接続不良が発生することがあった。
そのため、半導体素子を突起状電極より薄くするために、半導体素子を回路基板上に搭載した後に、封止樹脂を回路基板上と半導体素子の周辺に充填し、半導体素子と封止樹脂を平面研磨し、突起状電極の頭頂部を露出させる工法、および実装構造体が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この実装構造体によれば、半導体素子を回路基板に搭載する前に薄化する必要がなくなり、半導体素子の反りが低減され、実装時に接続不良の発生を減少させることができる。
しかしながら近年、半導体装置の実装構造体の薄化や多ピン化の要求は非常にきびしくなっており、これらの要求に対応する目的で、平面研磨された後の半導体素子の厚みが例えば10μm以下となってきた。そのため、半導体素子を搭載した後に平面研磨する工法および実装構造体であっても、以下のような問題が発生することがわかってきた。
図5(a)は特許文献1に記載された半導体装置の実装構造体の平面図、図5(b)は図5(a)のC−CC断面図である。また、図6はその製造方法を説明する工程断面図である。
図6(a1)に示すように、半導体素子101の電極端子104上には接合部109が形成されている。また、図6(b1)に示すように、回路基板102には、電極端子105および外部端子103が形成されており、外部端子103上には突起状電極106が形成されている。
この半導体素子101を回路基板102上にフリップチップ実装する際には、図6(c1)に示すように、半導体素子101と回路基板102を加熱しながら、半導体素子101の接合部109を回路基板102の電極端子105に向けて加圧して接合する。これにより、回路基板102上に半導体素子101が搭載される。
次に図6(c2)に示すように、半導体素子101を回路基板102上に搭載した後に、封止樹脂108を回路基板102上と半導体素子101の周辺に充填する。なお、半導体素子101と回路基板102の隙間は封止樹脂108を充填してもよいし、封止樹脂108を充填する前に別の樹脂を充填してもよい。
次に図6(c3)に示すように、半導体素子101裏面と封止樹脂108を平面研磨し、突起状電極106の頭頂部を露出させる。
次に図6(c4)に示すように、突起状電極106の頭頂部にはんだ107を形成する。
次に図6(c4)に示すように、突起状電極106の頭頂部にはんだ107を形成する。
しかし、半導体素子101と封止樹脂108を平面研磨する際、図5に示すように、硬度が異なることから研磨速度に差異が生じる。半導体素子1に比べ封止樹脂108の方が研磨速度が早くなり、半導体素子101の高さより封止樹脂108の方が低くなる。それにより、半導体素子101の裏面の周辺部が、半導体素子101の裏面の中央部に比べ早く研磨されやすくなり、半導体素子101の周辺部が過剰に研磨される。
このため、半導体素子101を例えば20μmに薄化する場合、過剰研磨された過剰研磨部110が半導体素子101の回路面に到達し、lowk層やUltra low−k層などの脆弱な低誘電率絶縁層(層間絶縁膜の一例)とを含む多層配線層を破壊するという問題が起こる。
本発明は、半導体素子等の電子部品が基板に実装された実装構造体において、電子部品の製品信頼性を確保でき、かつ薄化を実現できる実装構造体およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の電子部品の実装構造体は、複数個の電極端子を有する電子部品と、複数個の電極端子を有する基板と、前記電子部品の電極端子と前記基板の電極端子とを接続する複数個の接合部と、前記基板に搭載された前記電子部品の周辺に配置された外部端子と、前記外部端子上に形成された突起状電極と、前記基板の平面内において前記電子部品の側面と前記突起状電極との間に配置されかつ前記基板と機械的に接合された突起状構造物と、前記電子部品の側面および前記基板の表面および前記突起状電極の側面および前記突起状構造物の側面を覆う封止樹脂とを有し、突起状構造物が前記封止樹脂よりも硬いことを特徴とする。
好ましくは、前記突起状構造物が前記基板と電気的に絶縁されていることを特徴とする。または、前記突起状構造物が前記基板内の金属配線層と接続されていることを特徴とする。
また、前記突起状構造物が複数配置されていることを特徴とする。
また、前記電子部品裏面の平面内において、前記突起状構造物が前記電子部品の角部を囲むことを特徴とする。
また、前記電子部品裏面の平面内において、前記突起状構造物が前記電子部品の角部を囲むことを特徴とする。
また、前記電子部品裏面の平面内において、前記突起状構造物が前記電子部品の全周を囲むことを特徴とする。
また、前記電子部品裏面の平面内において、前記突起状構造物の一部または全てが前記電子部品と接触していることを特徴とする。
また、前記電子部品裏面の平面内において、前記突起状構造物の一部または全てが前記電子部品と接触していることを特徴とする。
また、前記電子部品裏面と前記突起状電極先端と前記突起状構造物の先端の高さが同一であることを特徴とする。
また、前記突起状電極は、銅を含むことを特徴とする。
また、前記突起状電極は、銅を含むことを特徴とする。
また、前記突起状構造物は、銅を含むことを特徴とする。
本発明の電子部品の実装構造体の製造方法は、基板の上面の内側に配置された第1電極端子の周辺に配置された外部端子の上に、突起状電極と、前記突起状電極と第1電極端子の間に前記基板と機械的に接合された突起状構造物を形成し、電子部品に設けられた第2電極端子を前記基板の側に向けて前記電子部品を、前記基板の上面の内側に搭載して第2電極端子と第1電極端子を、接合部を介して電気接続し、前記電子部品の側面および前記基板の表面および前記突起状電極および前記突起状構造物を封止樹脂により覆い、前記基板に実装された前記電子部品が規定厚さになるまで、前記封止樹脂を前記突起状電極および前記突起状構造物とともに平面研磨することを特徴とする。
本発明の電子部品の実装構造体の製造方法は、基板の上面の内側に配置された第1電極端子の周辺に配置された外部端子の上に、突起状電極と、前記突起状電極と第1電極端子の間に前記基板と機械的に接合された突起状構造物を形成し、電子部品に設けられた第2電極端子を前記基板の側に向けて前記電子部品を、前記基板の上面の内側に搭載して第2電極端子と第1電極端子を、接合部を介して電気接続し、前記電子部品の側面および前記基板の表面および前記突起状電極および前記突起状構造物を封止樹脂により覆い、前記基板に実装された前記電子部品が規定厚さになるまで、前記封止樹脂を前記突起状電極および前記突起状構造物とともに平面研磨することを特徴とする。
この構成によれば、突起状構造物が電子部品の周辺部近辺に配置されているので、電子部品を基板に実装した後に、封止樹脂と共に平面研磨して薄化した場合であっても、電子部品の過剰研磨を低減することができる。したがって、過剰研磨部が電子部品の回路面に到達し回路を破壊することを防ぐことができ、高い製品信頼性が確保できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、同じ構成要素には同じ符号を付して、重複する説明を省略する場合もある。また、図面は、理解し易くするために、それぞれの構成要素を主体に模式的または概念的に示している。また図示された各構成要素の厚み、長さ、個数等は図面作成の都合上から、実際とは異なる。以下の実施の形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
なお、同じ構成要素には同じ符号を付して、重複する説明を省略する場合もある。また、図面は、理解し易くするために、それぞれの構成要素を主体に模式的または概念的に示している。また図示された各構成要素の厚み、長さ、個数等は図面作成の都合上から、実際とは異なる。以下の実施の形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
各実施の形態では、電子部品として、例えばSi(シリコン)やGaAs(ガリウム砒素)製の半導体素子を例に説明する。また、電子部品が実装される基板として回路基板を例に説明する。しかし、電子部品と基板はこれらに限定されるものではない。例えば、電子部品として、電極端子間ピッチが狭いコンデンサや、コイル、抵抗などの受動部品を用いる場合も、同様の効果が得られる。
(実施の形態1)
図1(a)(b)と図2および図3は本発明の実施の形態1を示す。
図1(b)は図1(a)のA−AA断面を示している。
図1(a)(b)と図2および図3は本発明の実施の形態1を示す。
図1(b)は図1(a)のA−AA断面を示している。
この図1(a)(b)に示すように、電子部品としての半導体素子1には、回路基板2に対向する面の内側の層には、例えばCu(銅)やAl(アルミニウム)などからなる図示しない微細配線層と、例えばlowk層やUltra low−k層などの脆弱な低誘電率絶縁層(層間絶縁膜の一例)とを含む多層配線層が設けられており、その多層配線層の最表面に、第2電極端子としての複数の電極端子4が設けられている。低誘電率絶縁層の膜厚は、1層あたり数百nmである。半導体素子1の電極端子4は、例えば、Al−Cu系、Al−Si(珪素)−Cu系、Al−Si系のアルミニウム合金や、Cu、Al等からなる。この実施の形態1では、電極端子4の材料としてAlを選択した場合について説明する。
回路基板2は、半導体素子1の電極端子4に対向するように配置された第1電極端子としての複数の電極端子5を有している。回路基板2には、例えばシリコンやポリシリコン、ガラス等からなる回路基板を用いる。電極端子5は、例えば、Al−Cu系、Al−Si−Cu系、Al−Si系のアルミニウム合金や、Cu、Al等からなる。この実施の形態1では、電極端子5の材料としてAlを選択した場合について説明する。
半導体素子1の電極端子4上には、球や円柱や角柱などの接合部10が設けられている。接合部10は、例えば、Au、Cu、Sn−Ag系はんだ、Sn−Cu系はんだ、Sn−Ag−Cu系はんだ、Sn−Zn(亜鉛)系はんだ、Sn−Zn−Bi(ビスマス)系はんだ、Sn−Pb(鉛)系はんだ、Sn−Bi系はんだ、Sn−Ag−Bi−In(インジウム)系はんだ、Sn−In系はんだ、Inはんだ、Snはんだ等からなる。この実施の形態1では、接合部10の材料としてSn―Ag系はんだを選択した場合について説明する。半導体素子1の電極端子4と、回路基板2の電極端子5とは、接合部10によって電気的および機械的に接続されている。
さらに、この回路基板2は、周辺部に外部端子3を有している。回路基板2の外部端子3は、例えば、Al−Cu系、Al−Si−Cu系、Al−Si系のアルミニウム合金や、Cu、Al等からなる。この実施の形態1では、外部端子3の材料としてAlを選択した場合について説明する。
回路基板2の外部端子3上には、円柱や角柱などの突起状電極6が設けられている。突起状電極6は、例えば、Cu(銅)からなる。あるいは、Ni−P(麟)合金やNi−B(ホウ素)合金、Ni等にしてもよい。あるいは、例えば、Ni/Pd(パラジウム)/Au(金)等の3層構造にしてもよい。この実施の形態1では、突起状電極6の主成分がCu(銅)で構成される場合について説明する。
さらに、回路基板2は、半導体素子1と外部端子3の間に突起状構造物7を有している。突起状構造物7は、例えば、Cu(銅)からなる。あるいは、Ni−P(麟)合金やNi−B(ホウ素)合金、Ni等にしてもよい。あるいは、例えば、Ni/Pd(パラジウム)/Au(金)等の3層構造にしてもよい。この実施の形態1では、突起状構造物7の主成分がCu(銅)で構成される場合について説明する。
回路基板2上および半導体素子1の側面、および突起状電極6の側面および突起状構造物7の側面を覆うように、封止樹脂9が配置されている。封止樹脂9は、例えば、エポキシ樹脂等からなる。この実施の形態1では、封止樹脂9の材料としてエポキシ樹脂を選択した場合について説明する。なお、半導体素子1と回路基板2の隙間は封止樹脂9を形成してもよいし、別の樹脂を形成してもよい。
この実施の形態1では、半導体素子1は、外形が8mm×8mm、厚みが0.02mmである。回路基板2は、外形が16mm×16mm、厚みが0.15mmである。半導体素子1の電極端子4と回路基板2の電極端子5は共に、直径25μmの円形状で、厚みは0.5〜2.0μmであり、隣接する電極端子の中心同士の距離が40μmピッチで等間隔かつマトリクス状に、エリア配置で設けられている。
また、半導体素子1の接合部10は、直径20μmの円柱状で、高さは20μmであり、40μmピッチで等間隔かつマトリクス状に、エリア配置で設けられている。
回路基板2の外部端子3は、直径50μmの円形状で、厚みは0.5〜2.0μmであり、80μmピッチで等間隔、かつ列状に、複数列で設けられている。回路基板2の突起状電極6は、直径40μmの円柱状で、高さは40μmであり、80μmピッチで等間隔かつ列状に、複数列で設けられている。
回路基板2の外部端子3は、直径50μmの円形状で、厚みは0.5〜2.0μmであり、80μmピッチで等間隔、かつ列状に、複数列で設けられている。回路基板2の突起状電極6は、直径40μmの円柱状で、高さは40μmであり、80μmピッチで等間隔かつ列状に、複数列で設けられている。
突起状構造物7は、40μmの幅で、高さは40μmの枠状であり、半導体素子1および突起状電極6と40μmの間隔で半導体素子1を取り囲むように設けられている。
この電子部品の実装構造体の製造方法について説明する。
この電子部品の実装構造体の製造方法について説明する。
図2は実装構造体の製造方法を示すフローチャートを示す。図3は実装構造体の製造方法を説明するための工程断面図である。
図3(a0)は半導体素子1の断面を示している。
図3(a0)は半導体素子1の断面を示している。
まず、図2のステップa1では、図3(a1)のように、半導体素子1の電極端子4上に、電解メッキ法によって接合部10を形成する。具体的には、半導体素子1のAlからなる電極端子4の表面から不純物を除去した後、例えばTiW/Cuからなるアンダバンプメタル(Under Barrier Metal、以下、UBMと称す)をウェハ全面にスパッタする。次に、フォトレジストをウェハ全面に塗布し、露光、現像する。次に、半導体素子1の電極端子4上にスパッタされたUBM上にSn−Agからなる接合部10をめっきする。次に、フォトレジストを除去した後に不要なUBMをエッチング除去する。
一方、図には示していないが、回路基板2の電極端子5上に、電解メッキ法によってはんだ部を形成する。具体的には、半導体素子1のAlからなる電極端子4の表面から不純物を除去した後、例えばTiW/CuからなるUBMをウェハ全面にスパッタする。次に、フォトレジストをウェハ全面に塗布し、露光、現像する。次に、回路基板2の電極端子5上にスパッタされたUBM上にSn−Agからなるはんだ部をめっきする。次に、フォトレジストを除去した後に不要なUBMをエッチング除去する。
図3(b0)は回路基板2の断面を示している。
図2のステップb1では、図3(b0)(b1)に示すように、回路基板2の外部端子3上に、電解メッキ法によって突起状電極6を形成する。具体的には、回路基板2のAlからなる電極端子5の表面から不純物を除去した後、例えばTiW/CuからなるUBMをウェハ全面にスパッタする。次に、フォトレジストをウェハ全面に塗布し、露光、現像する。次に、図3(b1)に示すように、回路基板2の電極端子5上にスパッタされたUBM上にCuからなる突起状電極6をめっきする。次に、フォトレジストを除去した後に不要なUBMをエッチング除去する。また、突起状構造物7が突起状電極6と同じCu場合、突起状電極6と同時に形成する。なお、突起状構造物7は回路基板2の保護膜上に形成するが、金属配線層の上に形成してもよい。
図2のステップb1では、図3(b0)(b1)に示すように、回路基板2の外部端子3上に、電解メッキ法によって突起状電極6を形成する。具体的には、回路基板2のAlからなる電極端子5の表面から不純物を除去した後、例えばTiW/CuからなるUBMをウェハ全面にスパッタする。次に、フォトレジストをウェハ全面に塗布し、露光、現像する。次に、図3(b1)に示すように、回路基板2の電極端子5上にスパッタされたUBM上にCuからなる突起状電極6をめっきする。次に、フォトレジストを除去した後に不要なUBMをエッチング除去する。また、突起状構造物7が突起状電極6と同じCu場合、突起状電極6と同時に形成する。なお、突起状構造物7は回路基板2の保護膜上に形成するが、金属配線層の上に形成してもよい。
次に、図2のステップc1では、図3(c1)に示すように、半導体素子1と回路基板2を加熱しながら、半導体素子1の接合部10を回路基板2の電極端子5へ向けて加圧して、半導体素子1を回路基板2上にフリップチップ実装する。具体的には、まず、半導体素子1および回路基板2を加熱して、回路基板2に設けられた接合部10を、融点以上の温度(例えば220〜260°C)に昇温する。この加熱により、接合部10が溶融する。
次に、接合部10が溶融した状態で、半導体素子1を回路基板2に向けて加圧する。この際、半導体素子1の接合部10を回路基板2の電極端子5上のはんだ部に接触したまま一定時間保持する。この過程で、半導体素子1の溶融した接合部10と電極端子5上のはんだ部が濡れ広がる。半導体素子1を回路基板2に向けて加圧したまま一定時間保持する。
次に、半導体素子1及び回路基板2を接合部10の凝固点以下まで冷却する。これにより、接合部10が凝固して、図3の(c1)に示すように、半導体素子1の電極端子4と回路基板2の電極端子5とを接続する構造が形成される。さらに、常温まで冷却することにより、電子部品の実装構造体が形成される。
次に、図2のステップc2では、図3(c2)に示すように、封止樹脂9を回路基板2上と半導体素子1の周辺に充填する。なお、半導体素子1と回路基板2の隙間は封止樹脂9を充填してもよいし、封止樹脂9を充填する前に別の樹脂を充填してもよい。
次に、図2のステップc3では、図3(c3)に示すように、回路基板2に実装されたが半導体素子1が規定厚さになるまで、半導体素子1の裏面1bと封止樹脂9を平面研磨し、突起状電極6および突起状構造物7の頭頂部を露出させる。
次に、図2のステップc4では、図3(c4)に示すように、突起状電極6の頭頂部に電解メッキ法によってはんだ8を形成する。なお、ボール搭載工法により形成してもよい。
このように図2のステップc3では、半導体素子1と封止樹脂9と突起状電極6だけでなく、封止樹脂9よりも硬い突起状構造物7を一緒に平面研磨するため、従来例の図5,図6に見られた過剰研磨部110を低減することができ、過剰研磨部110が半導体素子1の回路面に到達し回路を破壊することを防ぐことができ、高い製品信頼性が確保できる。したがって、半導体素子1の製品信頼性を確保できかつ薄化を実現できる。
さらに、突起状構造物7を形成する工程を、図3(b1)に示したように回路基板2に突起状電極6を形成する工程において、回路基板2に機械的に接合して突起状構造物7を形成しているので、封止樹脂9によって封止した後に別工程で突起状構造物7を形成する場合に比べて、少ない工程で実現できる。
(実施の形態2)
図4(a)と図4(b)は本発明の実施の形態2における電子部品の実装構造体を説明するための平面図および断面図である。図4(b)は図4(a)のB−BB断面を示している。
図4(a)と図4(b)は本発明の実施の形態2における電子部品の実装構造体を説明するための平面図および断面図である。図4(b)は図4(a)のB−BB断面を示している。
実施の形態1では半導体素子1の周りを取り囲む枠状の突起状構造物7を回路基板2上に設けたが、半導体素子1の過剰研磨部が半導体素子1の周辺部の一部に発生する場合、突起状構造物7の配置を半導体素子1の周辺の一部に限定しても構わない。例えば、半導体素子1の過剰研磨部がコーナー部に発生する場合、図4に示すように、回路基板2上において外部端子3上に突起状電極6を形成し、また半導体素子1と突起状電極6との間に半導体素子1周辺のコーナー部のみにL字型の突起状構造物7を配置し、次に半導体素子1上の電極端子4と回路基板2上の電極端子5を接合部10で接続し、次に封止樹脂9を半導体素子1の裏面高さまで供給し、次に突起状電極6および突起状構造物7の頭頂部高さまで研磨することにより、L字型の突起状構造物7の頭頂部が露出する。その他、半導体素子1の過剰研磨部が半導体素子1各辺中央に発生する場合、図には示さないが、半導体素子1周辺の辺中央部のみに直線状の突起状構造物7を配置してもよい。
以上の実装構造体は、突起状構造物7が半導体素子1の周辺に配置されているため、半導体素子1と突起状電極6の間の封止樹脂9の領域が少なくなり、封止樹脂9の過剰研磨が抑制される。その結果、半導体素子1の周辺部が過剰に研磨されることが抑制される。
したがって、この実施の形態2によっても、半導体素子1の薄化が必要な場合において、突起状構造物7のような過剰研磨防止構造を設けることにより、半導体素子1裏面内で均一な厚みの研磨を実現することができる。その結果、過剰研磨部が半導体素子1の回路面に到達し多層配線層を破壊するという問題を抑制することができる。
このように実施の形態2によっても、半導体素子1等の電子部品が基板に実装された実装構造体において、電子部品の製品信頼性を確保できかつ薄化を実現することができる。
上記の各実施の形態において、半導体素子1裏面の平面内において、突起状構造物7の一部または全てが半導体素子1と接触していてもよい。
上記の各実施の形態において、半導体素子1裏面の平面内において、突起状構造物7の一部または全てが半導体素子1と接触していてもよい。
本発明は、実装構造体の製品信頼性を確保でき、特に薄化が進展する半導体素子を実装する実装分野において有用である。
1 半導体素子
2 回路基板
3 外部端子
4 電極端子(第2電極端子)
5 電極端子(第1電極端子)
6 突起状電極
7 突起状構造物
8 はんだ
9 封止樹脂
10 接合部
101 半導体素子
102 回路基板
103 外部端子
104 電極端子
105 電極端子
106 突起状電極
107 封止樹脂
108 接合部
110 過剰研磨部
2 回路基板
3 外部端子
4 電極端子(第2電極端子)
5 電極端子(第1電極端子)
6 突起状電極
7 突起状構造物
8 はんだ
9 封止樹脂
10 接合部
101 半導体素子
102 回路基板
103 外部端子
104 電極端子
105 電極端子
106 突起状電極
107 封止樹脂
108 接合部
110 過剰研磨部
Claims (11)
- 複数個の電極端子を有する電子部品と、
複数個の電極端子を有する基板と、
前記電子部品の電極端子と前記基板の電極端子とを接続する複数個の接合部と、
前記基板に搭載された前記電子部品の周辺に配置された外部端子と、
前記外部端子上に形成された突起状電極と、
前記基板の平面内において前記電子部品の側面と前記突起状電極との間に配置されかつ前記基板と機械的に接合された突起状構造物と、
前記電子部品の側面および前記基板の表面および前記突起状電極の側面および前記突起状構造物の側面を覆う封止樹脂とを有し、
突起状構造物が前記封止樹脂よりも硬いことを特徴とする
電子部品の実装構造体。 - 前記突起状構造物が前記基板と電気的に絶縁されていることを特徴とする
請求項1記載の電子部品の実装構造体。 - 前記突起状構造物が前記基板内の金属配線層と接続されていることを特徴とする
請求項1に記載の電子部品の実装構造体。 - 前記突起状構造物が複数配置されていることを特徴とする
請求項1から請求項3のいずれかに記載の電子部品の実装構造体。 - 前記電子部品裏面の平面内において、前記突起状構造物が前記電子部品の角部を囲むことを特徴とする
請求項1から請求項4のいずれかに記載の電子部品の実装構造体。 - 前記電子部品裏面の平面内において、前記突起状構造物が前記電子部品の全周を囲むことを特徴とする
請求項1から請求項4のいずれかに記載の電子部品の実装構造体。 - 前記電子部品裏面の平面内において、前記突起状構造物の一部または全てが前記電子部品と接触していることを特徴とする
請求項1から請求項6のいずれかに記載の電子部品の実装構造体。 - 前記電子部品裏面と前記突起状電極先端と前記突起状構造物の先端の高さが同一であることを特徴とする
請求項1から請求項7のいずれかに記載の電子部品の実装構造体。 - 前記突起状電極は、銅を含むことを特徴とする
請求項1から請求項8のいずれかに記載の電子部品の実装構造体。 - 前記突起状構造物は、銅を含むことを特徴とする
請求項1から請求項9のいずれかに記載の電子部品の実装構造体。 - 基板の上面の内側に配置された第1電極端子の周辺に配置された外部端子の上に、突起状電極と、前記突起状電極と第1電極端子の間に前記基板と機械的に接合された突起状構造物を形成し、
電子部品に設けられた第2電極端子を前記基板の側に向けて前記電子部品を、前記基板の上面の内側に搭載して第2電極端子と第1電極端子を、接合部を介して電気接続し、
前記電子部品の側面および前記基板の表面および前記突起状電極および前記突起状構造物を封止樹脂により覆い、
前記基板に実装された前記電子部品が規定厚さになるまで、前記封止樹脂を前記突起状電極および前記突起状構造物とともに平面研磨する
実装構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012117049A JP2013243318A (ja) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 電子部品の実装構造体およびその製造方法 |
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JP2013243318A true JP2013243318A (ja) | 2013-12-05 |
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JP2012117049A Pending JP2013243318A (ja) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 電子部品の実装構造体およびその製造方法 |
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JP (1) | JP2013243318A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016115929A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | インテル・コーポレーション | マイクロ電子パッケージ用ピクチャフレームスティフナ |
-
2012
- 2012-05-23 JP JP2012117049A patent/JP2013243318A/ja active Pending
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JP2016115929A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | インテル・コーポレーション | マイクロ電子パッケージ用ピクチャフレームスティフナ |
US9685388B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-06-20 | Intel Corporation | Picture frame stiffeners for microelectronic packages |
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