JP2013236344A5 - - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 10
Claims (6)
- データを保持することが可能な揮発性の保持ノードと、
パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
前記保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、を有し、
前記トランジスタは、
前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始される前までに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返す半導体装置の駆動方法。 - データを保持することが可能な揮発性の保持ノードと、
パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
前記保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、を有し、
前記トランジスタは、
前記パワーゲーティング期間が開始される際にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始されるまでに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返す半導体装置の駆動方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記パワーゲーティング期間経過後に前記トランジスタがオン状態となる際に前記保持ノードを浮遊状態とする半導体装置の駆動方法。 - それぞれにおいて同一のデータを保持することが可能な揮発性の第1の保持ノード及び第2の保持ノードと、
パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
前記第1の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第1のトランジスタと、
前記第2の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、
前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始される前までに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返し、
前記第2のトランジスタは、
前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
前記第1のトランジスタのゲートには、前記パワーゲーティング期間以外の期間に渡って前記第2のトランジスタのゲートに供給される信号の反転信号が供給される半導体装置の駆動方法。 - それぞれにおいて同一のデータを保持することが可能な揮発性の第1の保持ノード及び第2の保持ノードと、
パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
前記第1の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第1のトランジスタと、
前記第2の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、
前記パワーゲーティング期間が開始される際にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始されるまでに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返し、
前記第2のトランジスタは、
前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
前記第1のトランジスタのゲートには、前記パワーゲーティング期間以外の期間に渡って前記第2のトランジスタのゲートに供給される信号の反転信号が供給される半導体装置の駆動方法。 - 請求項4又は請求項5において、
前記パワーゲーティング期間経過後に前記第2のトランジスタがオン状態となる際に前記第2の保持ノードを浮遊状態とする半導体装置の駆動方法。
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012109004A JP5917285B2 (ja) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 半導体装置の駆動方法 |
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JP2016074881A Division JP6231603B2 (ja) | 2016-04-04 | 2016-04-04 | 半導体装置 |
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