JP2013236344A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013236344A5
JP2013236344A5 JP2012109004A JP2012109004A JP2013236344A5 JP 2013236344 A5 JP2013236344 A5 JP 2013236344A5 JP 2012109004 A JP2012109004 A JP 2012109004A JP 2012109004 A JP2012109004 A JP 2012109004A JP 2013236344 A5 JP2013236344 A5 JP 2013236344A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power gating
transistor
gating period
state
period
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012109004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013236344A (ja
JP5917285B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012109004A priority Critical patent/JP5917285B2/ja
Priority claimed from JP2012109004A external-priority patent/JP5917285B2/ja
Publication of JP2013236344A publication Critical patent/JP2013236344A/ja
Publication of JP2013236344A5 publication Critical patent/JP2013236344A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5917285B2 publication Critical patent/JP5917285B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (6)

  1. データを保持することが可能な揮発性の保持ノードと、
    パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
    前記保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、を有し、
    前記トランジスタ
    前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持
    前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始される前までに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返す半導体装置の駆動方法。
  2. データを保持することが可能な揮発性の保持ノードと、
    パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
    前記保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、を有し、
    前記トランジスタは、
    前記パワーゲーティング期間が開始される際にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
    前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始されるまでに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返す半導体装置の駆動方法。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    前記パワーゲーティング期間経過後に前記トランジスタがオン状態となる際に前記保持ノードを浮遊状態とする半導体装置の駆動方法。
  4. それぞれにおいて同一のデータを保持することが可能な揮発性の第1の保持ノード及び第2の保持ノードと、
    パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
    前記第1の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第1のトランジスタと、
    前記第2の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第2のトランジスタと、を有し、
    前記第1のトランジスタ
    前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持
    前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始される前までに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返し、
    前記第2のトランジスタ
    前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
    前記第1のトランジスタのゲートには、前記パワーゲーティング期間以外の期間に渡って前記第2のトランジスタのゲートに供給される信号の反転信号が供給される半導体装置の駆動方法。
  5. それぞれにおいて同一のデータを保持することが可能な揮発性の第1の保持ノード及び第2の保持ノードと、
    パワーゲーティング期間中に前記データを保持するキャパシタと、
    前記第1の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第1のトランジスタと、
    前記第2の保持ノードと前記キャパシタを電気的に接続させるか否かを選択する、チャネルが酸化物半導体層に形成される第2のトランジスタと、を有し、
    前記第1のトランジスタは、
    前記パワーゲーティング期間が開始される際にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
    前記パワーゲーティング期間経過後にオン状態となってから再度パワーゲーティング期間が開始されるまでに渡ってオン状態を維持する、ことを繰り返し、
    前記第2のトランジスタは、
    前記パワーゲーティング期間が開始される前にオフ状態となってから前記パワーゲーティング期間中に渡ってオフ状態を維持し、
    前記第1のトランジスタのゲートには、前記パワーゲーティング期間以外の期間に渡って前記第2のトランジスタのゲートに供給される信号の反転信号が供給される半導体装置の駆動方法。
  6. 請求項又は請求項において、
    前記パワーゲーティング期間経過後に前記第2のトランジスタがオン状態となる際に前記第2の保持ノードを浮遊状態とする半導体装置の駆動方法。
JP2012109004A 2012-05-11 2012-05-11 半導体装置の駆動方法 Active JP5917285B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012109004A JP5917285B2 (ja) 2012-05-11 2012-05-11 半導体装置の駆動方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012109004A JP5917285B2 (ja) 2012-05-11 2012-05-11 半導体装置の駆動方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016074881A Division JP6231603B2 (ja) 2016-04-04 2016-04-04 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013236344A JP2013236344A (ja) 2013-11-21
JP2013236344A5 true JP2013236344A5 (ja) 2015-06-25
JP5917285B2 JP5917285B2 (ja) 2016-05-11

Family

ID=49762074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012109004A Active JP5917285B2 (ja) 2012-05-11 2012-05-11 半導体装置の駆動方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5917285B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
JP2015180994A (ja) * 2014-03-06 2015-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20170023813A (ko) * 2014-06-20 2017-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102341741B1 (ko) 2014-10-10 2021-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05110392A (ja) * 1991-10-16 1993-04-30 Hitachi Ltd 状態保持回路を具備する集積回路
JP2000077982A (ja) * 1998-08-27 2000-03-14 Kobe Steel Ltd 半導体集積回路
JP2006050208A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Denso Corp 電源瞬断対応論理回路
WO2009063542A1 (ja) * 2007-11-12 2009-05-22 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置
KR101720072B1 (ko) * 2009-12-11 2017-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
WO2011078373A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device, semiconductor device, and electronic device
JP5859839B2 (ja) * 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3867908A4 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REFRESH OPERATION PERFORMING IN DEEP SLEEP MODE
JP2012257192A5 (ja) 半導体装置
JP2011181905A5 (ja)
JP2015195331A5 (ja) 記憶装置
JP2013251893A5 (ja) 半導体装置
JP2014007386A5 (ja) 半導体装置
JP2012257187A5 (ja) 半導体装置
JP2013048246A5 (ja)
JP2013009285A5 (ja)
JP2012257200A5 (ja) 半導体装置
JP2013214296A5 (ja)
JP2013238872A5 (ja)
JP2011181911A5 (ja)
JP2015233159A5 (ja)
JP2014232525A5 (ja)
JP2016054282A5 (ja)
JP2011142314A5 (ja)
JP2013230078A5 (ja) 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
JP2014160526A5 (ja) 半導体装置
JP2012257197A5 (ja) 半導体装置
EP2518767A3 (en) Semiconductor device
JP2011129896A5 (ja) 半導体装置
JP2011123986A5 (ja) 半導体装置
JP2013251894A5 (ja)
JP2013138191A5 (ja)