JP2013230428A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 自己組織化を用いたパターン形成方法であって、酸不安定基で置換された有機基を置換基として持つケイ素含有膜形成用組成物を被加工基板上に塗布してケイ素含有膜を形成する工程、該ケイ素含有膜上にフォトレジスト膜を形成する工程、該フォトレジスト膜に対してパターンを露光する工程、該フォトレジスト膜を剥離する工程、前記ケイ素含有膜上に自己組織化が可能なポリマー膜を形成する工程、該ポリマー膜にミクロドメイン構造を形成する工程、該ポリマー膜にパターンを形成する工程、該ポリマー膜のパターンをマスクとして前記ケイ素含有膜にパターン転写する工程、及び該ケイ素含有膜に転写されたパターンをマスクとして前記被加工基板にパターン転写する工程を含むことを特徴とする自己組織化を用いたパターン形成方法。
【選択図】なし
Description
酸不安定基で置換された水酸基または酸不安定基で置換されたカルボキシル基を含む有機基を置換基として持つケイ素含有化合物を含有するケイ素含有膜形成用組成物を、被加工基板上に塗布、加熱してケイ素含有膜を形成する工程、
該ケイ素含有膜上にフォトレジストを塗布加熱し、フォトレジスト膜を形成する工程、
該フォトレジスト膜に対して高エネルギー線でパターンを露光、加熱処理する工程、
該フォトレジスト膜を、剥離液を用いて剥離する工程、
自己組織化が可能なポリマーを、前記フォトレジスト膜を剥離した後の前記ケイ素含有膜上に塗布し、ポリマー膜を形成する工程、
該ポリマー膜を加熱処理により自己組織化し、ミクロドメイン構造を形成する工程、
該ミクロドメイン構造を形成したポリマー膜をドライエッチングすることによりパターンを形成する工程、
該ポリマー膜のパターンをマスクとしてドライエッチングにより前記ケイ素含有膜にパターン転写する工程、及び
該ケイ素含有膜に転写されたパターンをマスクとしてドライエッチングにより前記被加工基板にパターン転写する工程を含むことを特徴とする自己組織化を用いたパターン形成方法を提供する。
本発明は、酸不安定基で置換された水酸基または酸不安定基で置換されたカルボキシル基を含む有機基を置換基として持つケイ素含有化合物を含有するケイ素含有膜形成用組成物を、被加工基板上に塗布、加熱してケイ素含有膜を形成する工程、該ケイ素含有膜上にフォトレジストを塗布加熱し、フォトレジスト膜を形成する工程、及び該フォトレジスト膜に対して高エネルギー線でパターンを露光、加熱処理する工程、を含む。
(式中、R1は酸不安定基で置換された水酸基または酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する有機基であり、R2は前記R1と同じか、水素原子または炭素数1〜30の1価の有機基であり、R3は前記R1と同じか、水素原子または炭素数1〜30の1価の有機基である。)
(一般式(1)中、Pは水素原子、
(合成方法1:酸触媒)
本発明で用いるケイ素含有化合物は、加水分解性ケイ素化合物を含む原料を酸触媒の存在下、加水分解縮合を行うことで製造することができる。
また、ケイ素含有化合物は、加水分解性ケイ素化合物を含む原料をアルカリ触媒の存在下、加水分解縮合を行うことで製造することができる。このとき使用されるアルカリ触媒は、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、エチルメチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロシクロノネン、ジアザビシクロウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、アニリン、N,N−ジメチルアニリン、ピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリンハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等を挙げることができる。触媒の使用量は、加水分解性ケイ素化合物を含む原料1モルに対して1×10−6モル〜10モル、好ましくは1×10−5モル〜5モル、より好ましくは1×10−4モル〜1モルである。
U(OR7)m7(OR8)m8 (2)
(式中、R7、R8は炭素数1〜30の有機基であり、m7+m8はUの種類により決まる価数と同数であり、m7、m8は0以上の整数、Uは周期律表のIII族、IV族、またはV族の元素で炭素及びケイ素を除くものである。)
(D−1) (D−2)
(式中、R11は炭素数1〜20の有機基、R12は酸不安定基、0≦n1≦3、1≦n2≦3で、1≦n1+n2≦5である。R13は水素原子またはメチル基、R14は単結合または炭素数1〜20の2価の有機基を示す。R15は水素原子または炭素数1〜30の有機基、R16は炭素数1〜6のアルキル基、R17は水素原子またはメチル基、R18は単結合または炭素数1〜20の2価の有機基、0≦n≦2である。m1、m2は上記部分構造を含有する重合体中のモル比であり、0<m1<1、0<m2<1、0<m1+m2≦1である。)
(熱架橋促進剤)
本発明においては、熱架橋促進剤を本発明に使用できるケイ素含有膜形成用組成物に配合してもよい。配合可能な熱架橋促進剤として、下記一般式(3)または(4)で示される化合物を挙げることができる。具体的には、特許4716037号に記載されている材料を添加することができる。
LaHbX (3)
(式中、Lはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウム、Xは水酸基、
または炭素数1〜30の1価または2価以上の有機酸基であり、aは1以上の整数、bは0または1以上の整数で、a+bは水酸基または有機酸基の価数である。)
MY (4)
(式中、Mはスルホニウム、ヨードニウムまたはアンモニウムであり、Yは非求核性対向イオンである。)
本発明に使用できるケイ素含有膜形成用組成物の安定性を向上させるため、炭素数が1〜30の1価または2価以上の有機酸を添加することが好ましい。このとき添加する酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレン酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、トリフルオロ酢酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、シュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、エチルマロン酸、プロピルマロン酸、ブチルマロン酸、ジメチルマロン酸、ジエチルマロン酸、コハク酸、メチルコハク酸、グルタル酸、アジピン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、クエン酸等を例示することができる。特にシュウ酸、マレイン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、クエン酸等が好ましい。また、安定性を保つため、2種以上の酸を混合して使用してもよい。添加量はケイ素含有膜形成用組成物に含まれるケイ素含有化合物100質量部に対して0.001〜25質量部、好ましくは0.01〜15質量部、より好ましくは0.1〜5質量部である。
本発明で使用できるケイ素含有膜形成用組成物に水を添加してもよい。水を添加すると、ケイ素含有膜形成用組成物中のポリシロキサン化合物が水和されるため、リソグラフィー性能が向上する。ケイ素含有膜形成用組成物の溶剤成分における水の含有率は0質量%を超え50質量%未満であり、特に好ましくは0.3〜30質量%、更に好ましくは0.5〜20質量%である。
本発明ではケイ素含有膜形成用組成物に光酸発生剤を添加してもよい。本発明で使用される光酸発生剤として、具体的には、特開2009−126940号公報(0160)〜(0179)段落に記載されている材料を添加することができる。
更に、本発明で使用できるケイ素含有膜形成用組成物に、安定剤として環状エーテルを置換基として有する1価または2価以上のアルコールを添加することができる。特に特開2009−126940号公報(0181)〜(0182)段落に記載されている安定剤を添加すると本発明に使用できるケイ素含有膜形成用組成物の安定性を向上させることができる。
更に、本発明に使用できるケイ素含有膜形成用組成物に、必要に応じてケイ素含有膜形成用組成物に界面活性剤を配合することが可能である。このようなものとして、具体的には、特開2009−126940号公報(0185)段落に記載されている材料を添加することができる。
図1のプロセスにおいては、まず被加工基板1上にケイ素含有膜形成用組成物を塗布、加熱し、ケイ素含有膜2を形成する(A、B)。次に、ケイ素含有膜2上にフォトレジストを塗布、加熱し、フォトレジスト膜3を形成する(C)。フォトレジスト膜3を露光し、膜内に酸を発生させることで、ケイ素含有膜2の一部を接触角が変化したケイ素含有膜2’に変化させ、パターンを得る(D)。フォトレジスト膜3を剥離する(E)。フォトレジスト膜3剥離後のケイ素含有膜2、2’の上に自己組織化ポリマーを塗布し、自己組織化ポリマー膜4を形成する(F)。ケイ素含有膜2、2’の接触角差及び加熱により自己組織化ポリマー膜4の自己組織化をさせる(G)。その後、自己組織化ポリマー膜4及びケイ素含有膜2、2’をエッチングし被加工基板1にパターン転写することができる(H)。
[合成例1−1]
メタノール220g、メタンスルホン酸0.2g及び脱イオン水80gの混合物に[モノマー101]25.9g、[モノマー102]41.9g及び[モノマー120]9.5gの混合物を添加し、12時間、40℃に保持し、加水分解縮合させた。反応終了後、プロピレングリコールエチルエーテル(PGEE)200gを加え、副生アルコールを減圧で留去した。そこに、酢酸エチル1000ml及びPGEE300gを加え、水層を分液した。残った有機層に、イオン交換水100mlを加えて撹拌、静置、分液した。これを3回繰り返した。残った有機層を減圧で濃縮してケイ素含有化合物1−1のPGEE溶液330g(化合物濃度10%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=2,200であった。
エタノール400g、25%水酸化テトラメチルアンモニウム5g及び脱イオン水200gの混合物に[モノマー101]20.4g、[モノマー102]7.6g及び[モノマー128]95.5gの混合物を添加し、4時間、40℃に保持し、加水分解縮合させた。反応終了後、酢酸2gを加えて中和し、副生アルコールを減圧で留去した。そこに、酢酸エチル1200ml及びPGEE400gを加え、水層を分液した。残った有機層に、イオン交換水100mlを加えて撹拌、静置、分液した。これを3回繰り返した。残った有機層を減圧で濃縮してケイ素含有化合物1−17のPGEE溶液410g(化合物濃度20%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=2,300であった。
メタノール120g、70%硝酸0.1g及び脱イオン水60gの混合物に[モノマー100]5.0g、[モノマー101]3.4g、及び[モノマー102]68.5gの混合物を添加し、12時間、40℃に保持し、加水分解縮合させた。反応終了後、PGEE300gを加え、副生アルコールおよび過剰の水を減圧で留去して、ポリシロキサン化合物1−25のPGEE溶液310g(ポリマー濃度10%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=2,200であった。
4−tertブトキシスチレン27.3g、4−トリメトキシシリルスチレン104.3g、MAIB(ジメチル−2,2′−アゾビス(イソブチレート))4.2gおよびPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)100gでモノマー溶液を調製した。窒素雰囲気としたフラスコにPGMEA50gを入れ、撹拌しながら80℃まで加熱した後、前記モノマー溶液を2時間かけて滴下した。次いで、重合液の温度を80℃に保ち20時間撹拌を続けた後、加熱を止め室温まで冷却した。得られた重合液をPGMEA200gで希釈し、この溶液を撹拌した2000gのメタノールに滴下し、析出したケイ素含有化合物を濾別した。得られたケイ素含有化合物を600gのメタノールで2回洗浄し、50℃で20時間真空乾燥してケイ素含有膜形成用組成物1−31を得た。このケイ素含有膜形成用組成物のGPCによる質量平均分子量(Mw)は、ポリスチレン換算で9,800、分散度(Mw/Mn)は1.91であった。13C−NMRで分析したところ、共重合組成比は、4−tertブトキシスチレン由来の単位/4−トリメトキシシリルスチレン由来の単位=26/74であった。
TPSHCO3 :炭酸モノ(トリフェニルスルホニウム)
TPSOx :シュウ酸モノ(トリフェニルスルホニウム)
TPSTFA :トリフルオロ酢酸トリフェニルスルホニウム
TPSOCOPh :安息香酸トリフェニルスルホニウム
TPSH2PO4 :リン酸モノ(トリフェニルスルホニウム)
TPSMA :マレイン酸モノ(トリフェニルスルホニウム)
TPSNf :ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム
QMAMA :マレイン酸モノ(テトラメチルアンモニウム)
QMATFA :トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム
QBANO3 :硝酸テトラブチルアンモニウム
Ph2ICl :塩化ジフェニルヨードニウム
PGEE :プロピレングリコールエチルエーテル
2Lのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン1,500gを注入し、−75℃まで冷却した。その後、s−ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:1N)を12.3g注入し、蒸留脱水処理を行った4−エトキシエトキシスチレンを161g滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−60℃以上にならないように注意した。15分間反応後、更に蒸留脱水処理を行った4−t−ブトキシスチレンを98.7g滴下注入し、30分間反応させた。この後、メタノール10gを注入し、反応を停止させた。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール800gを注入撹拌し、静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を3回繰り返し、金属Liを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン580g、メタノール507g、シュウ酸5.0gを加え、40℃に加温し、40時間脱保護反応を行い、ピリジン3.5gを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン0.6Lに溶解し、水7.0Lの溶液中に沈殿させ、洗浄し、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体166.2gを得た。
共重合組成比
ヒドロキシスチレン:4−t−ブトキシスチレン=57.7:42.3
質量平均分子量(Mw)=9,300
分子量分布(Mw/Mn)=1.13
これを(ジブロック−A)とする。
2Lのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン1,500gを注入し、−75℃まで冷却した。その後、s−ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:1N)を12.5g注入し、蒸留脱水処理を行った4−t−ブトキシスチレンを41g滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−60℃以上にならないように注意した。15分間反応後、更に蒸留脱水処理を行った4−エトキシエトキシスチレンを154g滴下注入し、15分間反応させた。最後に蒸留脱水処理を行った4−t−ブトキシスチレンを再度41g滴下注入し、30分間反応後、メタノール10gを注入し、反応を停止させた。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール800gを注入撹拌し、静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を3回繰り返し、金属Liを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン580g、メタノール507g、シュウ酸5.0gを加え、40℃に加温し、40時間脱保護反応を行い、ピリジン3.5gを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン0.6Lに溶解し、水7.0Lの溶液中に沈殿させ、洗浄し、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体163.2gを得た。
共重合組成比
ヒドロキシスチレン:4−t−ブトキシスチレン=62.5:37.5
質量平均分子量(Mw)=10,200
分子量分布(Mw/Mn)=1.09
これを(トリブロック−B)とする。
2Lのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン1,500gを注入し、−75℃まで冷却した。その後、s−ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:1N)を14.5g注入し、蒸留脱水処理を行った4−エトキシエトキシスチレンを193g滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−60℃以上にならないように注意した。15分間反応後、更に蒸留脱水処理を行ったメタクリル酸メチルエステルを47g滴下注入し、0℃まで30分間かけて昇温させながら反応を行い、その後メタノール10gを注入し、反応を停止させた。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を減圧濃縮し、メタノール800gを注入撹拌し、静置後、上層のメタノール層を取り除いた。この操作を3回繰り返し、金属Liを取り除いた。下層のポリマー溶液を濃縮し、テトラヒドロフラン580g、メタノール507g、シュウ酸5.0gを加え、40℃に加温し、40時間脱保護反応を行い、ピリジン3.5gを用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン0.6Lに溶解し、水7.0Lの溶液中に沈殿させ、洗浄し、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体148.9gを得た。
共重合組成比
ヒドロキシスチレン:メタクリル酸メチルエステル=67.9:32.1
質量平均分子量(Mw)=11,200
分子量分布(Mw/Mn)=1.12
これを(ジブロック−C)とする。
<下層膜の未露光部の接触角サンプル>
ケイ素含有膜形成用組成物Sol.1〜41を塗布して240℃で60秒間加熱して、膜厚35nmのケイ素含有膜Film1〜41を作成し、純水との接触角(CA1)を測定した(表4)。
シリコンウエハー上に、ケイ素含有膜形成用組成物Sol.1〜41を塗布して240℃で60秒間加熱して、膜厚35nmのケイ素含有膜Film1〜41を作製した。次いで、ArF液浸露光装置((株)ニコン製;NSR−S610Cで全面露光し、100℃で60秒間ベークし、ケイ素含有膜の露光部の膜を得た。これらについて、純水との接触角(CA2)を測定した(表5)。
シリコンウエハー上に、信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−50(カーボン含有量80質量%)を膜厚200nmで形成した。その上にケイ素含有膜形成用組成物Sol.11〜25および41を塗布して240℃で60秒間加熱して、膜厚35nmのケイ素含有膜Film11〜25および41作製した。
シリコンウエハー上に、信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−50(カーボン含有量80質量%)を膜厚200nmで形成した。その上にケイ素含有膜形成用組成物Sol.26〜41を塗布して240℃で60秒間加熱して、膜厚35nmのケイ素含有膜Film26〜41作製した。
分子量(Mw)=7,800
分散度(Mw/Mn)=1.78
前記、パターニング試験で作成したパターンを、まず酸素系のガスを用いて、加工条件(1)によりポリ(メタ)アクリル酸エステル部分をドライエッチングし、残ったポリスチレン部分をマスクにしてケイ素含有膜の加工を条件(2)でドライエッチングし、次いで条件(3)でドライエッチングしスピンオンカーボン膜にパターンを転写した。得られたパターンの線幅を(株)日立ハイテクノロジーズ製電子顕微鏡(CG4000)で形状を比較し表8にまとめた。
装置:東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置Telius SP
エッチング条件(1):
チャンバー圧力 5Pa
Upper/Lower RFパワー 100W/50W
O2ガス流量 10ml/min
N2ガス流量 10ml/min
Arガス流量 10ml/min
処理時間 30sec
装置:東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置Telius SP
エッチング条件(2):
チャンバー圧力 15Pa
Upper/Lower RFパワー 500W/300W
CHF3ガス流量 50ml/min
CF4ガス流量 150ml/min
Arガス流量 100ml/min
処理時間 40sec
装置:東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置Telius SP
エッチング条件(3):
チャンバー圧力 5Pa
Upper/Lower RFパワー 1000W/300W
O2ガス流量 300ml/min
N2ガス流量 100ml/min
Arガス流量 100ml/min
処理時間 30sec
Claims (3)
- 自己組織化を用いたパターンの形成方法であって、
酸不安定基で置換された水酸基または酸不安定基で置換されたカルボキシル基を含む有機基を置換基として持つケイ素含有化合物を含有するケイ素含有膜形成用組成物を、被加工基板上に塗布、加熱してケイ素含有膜を形成する工程、
該ケイ素含有膜上にフォトレジストを塗布加熱し、フォトレジスト膜を形成する工程、
該フォトレジスト膜に対して高エネルギー線でパターンを露光、加熱処理する工程、
該フォトレジスト膜を、剥離液を用いて剥離する工程、
自己組織化が可能なポリマーを、前記フォトレジスト膜を剥離した後の前記ケイ素含有膜上に塗布し、ポリマー膜を形成する工程、
該ポリマー膜を加熱処理により自己組織化し、ミクロドメイン構造を形成する工程、
該ミクロドメイン構造を形成したポリマー膜をドライエッチングすることによりパターンを形成する工程、
該ポリマー膜のパターンをマスクとしてドライエッチングにより前記ケイ素含有膜にパターン転写する工程、及び
該ケイ素含有膜に転写されたパターンをマスクとしてドライエッチングにより前記被加工基板にパターン転写する工程を含むことを特徴とする自己組織化を用いたパターン形成方法 - 前記フォトレジスト膜に対して高エネルギー線でパターンを露光、加熱処理する工程の後、前記フォトレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程を含み、その後、前記フォトレジスト膜を、剥離液を用いて剥離する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工基板として、基材上にCVD法による炭素を主成分とする有機ハードマスクまたは塗布型有機膜が形成されたものを用いることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (5)
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015149475A (ja) * | 2014-01-07 | 2015-08-20 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
WO2016199762A1 (ja) * | 2015-06-11 | 2016-12-15 | 日産化学工業株式会社 | 感放射線性組成物 |
JP2017514671A (ja) * | 2014-03-15 | 2017-06-08 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | ブロックコポリマーの秩序化 |
JP2022507257A (ja) * | 2018-11-13 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | コンフォーマル膜の交互積層成長のための方法 |
WO2022210960A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 日産化学株式会社 | 誘導自己組織化用シリコン含有下層膜形成用組成物 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5722008B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2015-05-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス及び基板処理装置 |
TWI567497B (zh) * | 2012-04-06 | 2017-01-21 | Az電子材料盧森堡有限公司 | 負型感光性矽氧烷組成物 |
TWI567498B (zh) | 2012-04-06 | 2017-01-21 | Az電子材料盧森堡有限公司 | 負型感光性矽氧烷組成物 |
US9508562B2 (en) * | 2014-06-27 | 2016-11-29 | Globalfoundries Inc. | Sidewall image templates for directed self-assembly materials |
CN107077072B (zh) * | 2014-11-19 | 2021-05-25 | 日产化学工业株式会社 | 能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
TWI566036B (zh) * | 2015-03-31 | 2017-01-11 | 奇美實業股份有限公司 | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 |
US9941125B2 (en) * | 2015-08-31 | 2018-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for integrated circuit patterning |
JP2017088762A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 国立大学法人名古屋大学 | 自己組織化用高分子材料、自己組織化膜、自己組織化膜の製造方法、パターン及びパターンの形成方法 |
WO2017130629A1 (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
KR102395936B1 (ko) | 2016-06-16 | 2022-05-11 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | 규소-풍부 실세스퀴옥산 수지 |
US9887135B1 (en) | 2017-04-28 | 2018-02-06 | Globalfoundries Inc. | Methods for providing variable feature widths in a self-aligned spacer-mask patterning process |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012053253A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2012078828A (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-19 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 下層組成物および下層を像形成する方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2616250B2 (ja) | 1994-06-27 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 有橋環式炭化水素アルコールおよび感光性材料用中間化合物 |
US6013416A (en) | 1995-06-28 | 2000-01-11 | Fujitsu Limited | Chemically amplified resist compositions and process for the formation of resist patterns |
JP3751065B2 (ja) | 1995-06-28 | 2006-03-01 | 富士通株式会社 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
KR100452670B1 (ko) * | 1997-08-06 | 2005-10-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자실리콘화합물,레지스트재료및패턴형성방법 |
KR100382960B1 (ko) | 1998-07-03 | 2003-05-09 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 락톤 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트 유도체, 중합체,포토레지스트 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법 |
JP4131062B2 (ja) | 1998-09-25 | 2008-08-13 | 信越化学工業株式会社 | 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP3940546B2 (ja) | 1999-06-07 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
JP4012173B2 (ja) | 1999-06-07 | 2007-11-21 | 株式会社東芝 | 多孔質構造体の製造方法、多孔質構造体形成材料、パターン形成方法、パターン形成材料、電気化学セル、および中空糸フィルター |
TWI297421B (en) * | 2001-04-06 | 2008-06-01 | Ind Tech Res Inst | Silicon-containing copolymer and photosensitive resin composition containing the same |
JP4420169B2 (ja) | 2001-09-12 | 2010-02-24 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP3944734B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2007-07-18 | 信越化学工業株式会社 | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP2004354417A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2005007244A (ja) | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Ube Ind Ltd | 高分子混合物の作製方法 |
JP2005008701A (ja) | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Ube Ind Ltd | 高分子膜及びその作製方法 |
JP4716037B2 (ja) | 2006-04-11 | 2011-07-06 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
EP1845132B8 (en) | 2006-04-11 | 2009-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method |
KR101423058B1 (ko) * | 2006-10-12 | 2014-07-25 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 4층계 적층체에 의한 반도체장치의 제조방법 |
JP4793592B2 (ja) | 2007-11-22 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜、金属酸化物含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7763319B2 (en) * | 2008-01-11 | 2010-07-27 | International Business Machines Corporation | Method of controlling orientation of domains in block copolymer films |
US7521094B1 (en) | 2008-01-14 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | Method of forming polymer features by directed self-assembly of block copolymers |
SE533265C2 (sv) | 2008-12-15 | 2010-08-03 | Sandvik Intellectual Property | Slagkross med horisontell axel |
KR101535227B1 (ko) | 2008-12-31 | 2015-07-08 | 삼성전자주식회사 | 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
US8821978B2 (en) | 2009-12-18 | 2014-09-02 | International Business Machines Corporation | Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom |
US8828493B2 (en) | 2009-12-18 | 2014-09-09 | International Business Machines Corporation | Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom |
JP5062352B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-10-31 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP5785121B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-09-24 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5650086B2 (ja) | 2011-06-28 | 2015-01-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
JP5780222B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2015-09-16 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5882776B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-03-09 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
JP5833492B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-12-16 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素化合物、ポリシロキサン化合物、これを含むレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
JP5830041B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2015-12-09 | 信越化学工業株式会社 | ポリシロキサン含有レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたパターン形成方法 |
-
2012
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012053253A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2012078828A (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-19 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 下層組成物および下層を像形成する方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015149475A (ja) * | 2014-01-07 | 2015-08-20 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
JP2017514671A (ja) * | 2014-03-15 | 2017-06-08 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | ブロックコポリマーの秩序化 |
WO2016199762A1 (ja) * | 2015-06-11 | 2016-12-15 | 日産化学工業株式会社 | 感放射線性組成物 |
JPWO2016199762A1 (ja) * | 2015-06-11 | 2018-04-05 | 日産化学工業株式会社 | 感放射線性組成物 |
JP2021008469A (ja) * | 2015-06-11 | 2021-01-28 | 日産化学株式会社 | 感放射線性組成物 |
US11561472B2 (en) | 2015-06-11 | 2023-01-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Radiation sensitive composition |
JP2022507257A (ja) * | 2018-11-13 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | コンフォーマル膜の交互積層成長のための方法 |
JP7402395B2 (ja) | 2018-11-13 | 2023-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | コンフォーマル膜の交互積層成長のための方法 |
WO2022210960A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 日産化学株式会社 | 誘導自己組織化用シリコン含有下層膜形成用組成物 |
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