JP2013229524A - Multilayer wiring board and method of manufacturing the same - Google Patents

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Shinnosuke Maeda
真之介 前田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board having a good connection reliability, capable of preventing surely coming-off of a via.SOLUTION: A multilayer wiring board 10 has a build-up structure formed of a plurality of resin insulation layers 33 to 36 alternately laminated with a plurality of conductor layers 42, thereby forming a multi-layer. The resin insulation layers 33 to 36 contain glass cloths 51 in inner layers of resin insulation materials 50. Via holes 43 are formed on resin insulation materials 50 of resin insulation layers 33 to 36, and a through hole 52 is formed on a position corresponding to the via hole 43 in the glass cloth 51. A part to be an open edge of the through hole 52 on the glass cloth 51, inwardly projects from an inner wall of the via hole 43 and bites into a side part of a via conductor 44. An inner diameter of the via hole 43 has the largest width in a region adjacent to the glass cloth 51 on the inner wall of the via hole 43.

Description

本発明は、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化したビルドアップ構造を有する多層配線基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a multilayer wiring board having a build-up structure in which a plurality of resin insulation layers and a plurality of conductor layers are alternately laminated to form a multilayer, and a method for manufacturing the same.

近年、電気機器、電子機器等の小型化に伴い、これらの機器に搭載される多層配線基板等にも小型化や高密度化が要求されている。この多層配線基板としては、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層一体化する、いわゆるビルドアップ法にて製造された配線基板が実用化されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1の多層配線基板において、樹脂絶縁層の下層導体層と上層導体層とは、樹脂絶縁層内に形成されたビア導体を介して接続されている。   In recent years, with the miniaturization of electrical equipment, electronic equipment, etc., miniaturization and high density are required for multilayer wiring boards and the like mounted on these equipments. As this multilayer wiring board, a wiring board manufactured by a so-called build-up method in which a plurality of resin insulation layers and a plurality of conductor layers are alternately laminated and integrated has been put into practical use (for example, see Patent Document 1). ). In the multilayer wiring board of Patent Document 1, the lower conductor layer and the upper conductor layer of the resin insulation layer are connected via via conductors formed in the resin insulation layer.

より詳しくは、特許文献1の多層配線基板では、樹脂絶縁層は樹脂絶縁材料中にガラスクロスを含んでいる。そして、樹脂絶縁層において、その厚さ方向に貫通形成されたビア穴の内壁面からガラスクロスが突出するとともに、ビア穴内に形成されたビア導体の側部にガラスクロスが食い込んでいる。この構成によって、ビア穴内からビア導体が抜け落ちることが防止される。   More specifically, in the multilayer wiring board of Patent Document 1, the resin insulating layer includes glass cloth in the resin insulating material. In the resin insulating layer, the glass cloth protrudes from the inner wall surface of the via hole formed through in the thickness direction, and the glass cloth bites into the side portion of the via conductor formed in the via hole. With this configuration, the via conductor is prevented from falling out of the via hole.

特開2009−246358号公報JP 2009-246358 A

ところが、特許文献1の多層配線基板において、ビア穴は、逆円錐台状に形成されており、一方の開口部から他方の開口部に向けて拡径している。従って、この多層配線基板が反って過度なストレスが加わった場合、特に、ビア穴において直径が小さな開口部側から直径が大きな開口部側に向けてビア導体にストレスが加わった場合には、ビア孔内に形成されたビア導体がビア孔内から抜けるといったビア抜けの問題が生じることが懸念される。このため、更なる改良を加え、接続信頼性を向上させた多層配線基板が望まれている。   However, in the multilayer wiring board of Patent Document 1, the via hole is formed in an inverted truncated cone shape, and the diameter is increased from one opening to the other opening. Therefore, when this multilayer wiring board is warped and excessive stress is applied, especially when a via conductor is stressed from the opening portion having a small diameter toward the opening portion having a large diameter in the via hole, the via There is a concern that a problem of via missing such that the via conductor formed in the hole comes out of the via hole. For this reason, the multilayer wiring board which added the further improvement and improved connection reliability is desired.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ビア抜けを確実に防止することができ、接続信頼性に優れた多層配線基板を提供することにある。また、別の目的は、上記多層配線基板を製造するのに好適な多層配線基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board that can reliably prevent a via from being removed and has excellent connection reliability. Another object is to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board suitable for manufacturing the multilayer wiring board.

そして上記課題を解決するための手段(手段1)としては、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化したビルドアップ構造を有し、前記樹脂絶縁層のうちの少なくとも1層は樹脂絶縁材料の内層部に無機繊維層を含み、当該樹脂絶縁層の樹脂絶縁材料にビア穴が形成され、前記無機繊維層において前記ビア穴に対応する位置に透孔が形成され、前記ビア穴内及び前記透孔内に前記導体層間を電気的に接続するビア導体が形成されている多層配線基板であって、前記無機繊維層の前記透孔の開口縁となる部位は、前記無機繊維層に隣接する前記ビア穴の内壁面より内側に突出するとともに、前記ビア穴の内径は、前記ビア穴の内壁面のうち前記無機繊維層に隣接する領域において最も大きくなっていることを特徴とする多層配線基板がある。   And as a means (means 1) for solving the above-mentioned problem, it has a build-up structure in which a plurality of resin insulation layers and a plurality of conductor layers are alternately laminated to form a multilayer, and at least one of the resin insulation layers One layer includes an inorganic fiber layer in the inner layer portion of the resin insulating material, a via hole is formed in the resin insulating material of the resin insulating layer, and a through hole is formed at a position corresponding to the via hole in the inorganic fiber layer, A multilayer wiring board in which via conductors that electrically connect the conductor layers are formed in the via holes and in the through holes, the portion serving as an opening edge of the through holes of the inorganic fiber layer is formed of the inorganic wiring board. The via hole protrudes inward from the inner wall surface of the via hole adjacent to the fiber layer, and the inner diameter of the via hole is largest in a region adjacent to the inorganic fiber layer of the inner wall surface of the via hole. Multilayer There is a line board.

手段1に記載の発明によると、無機繊維層の透孔の開口縁がビア穴の内壁面より内側に突出しているため、その無機繊維層の突出部をビア導体の側部に食い込ませることができる。このため、ビア穴内に形成されたビア導体がビア穴内から抜けるといったビア抜けを防止することができる。さらに、ビア穴の内径は、ビア穴の内壁面のうち無機繊維に隣接する領域で最も大きくなっている。この場合、ビア穴は外層側開口部及び内層側開口部が窄まった形状となるため、ビア抜けを確実に防止することができ、多層配線基板の接続信頼性を高めることができる。   According to the invention described in the means 1, since the opening edge of the through hole of the inorganic fiber layer protrudes inward from the inner wall surface of the via hole, the protruding portion of the inorganic fiber layer can be bitten into the side portion of the via conductor. it can. For this reason, it is possible to prevent a via drop such that the via conductor formed in the via hole comes out of the via hole. Furthermore, the inner diameter of the via hole is the largest in the region adjacent to the inorganic fiber on the inner wall surface of the via hole. In this case, since the via hole has a shape in which the outer layer side opening and the inner layer side opening are narrowed, it is possible to reliably prevent the via from being lost and to improve the connection reliability of the multilayer wiring board.

無機繊維層を含む樹脂絶縁層は、粒状の無機材料を0%以上40%未満の重量割合で含んでいてもよい。また、粒状の無機材料を0%として無機材料を含まずに樹脂絶縁層を形成してもよい。このようにすると、ビア穴のレーザ穴加工を行う場合に、樹脂絶縁層のエネルギー吸収率が無機繊維層よりも高くなり、無機繊維層における透孔近傍の樹脂絶縁層が効率よく加工される。この結果、無機繊維層に隣接する領域において内径が最も大きくなるようビア穴を形成することが可能となる。   The resin insulating layer including the inorganic fiber layer may include a granular inorganic material in a weight ratio of 0% or more and less than 40%. Alternatively, the resin insulating layer may be formed without containing an inorganic material by setting the granular inorganic material to 0%. In this way, when laser processing of the via hole is performed, the energy absorption rate of the resin insulating layer is higher than that of the inorganic fiber layer, and the resin insulating layer near the through hole in the inorganic fiber layer is processed efficiently. As a result, it is possible to form the via hole so that the inner diameter becomes the largest in the region adjacent to the inorganic fiber layer.

無機繊維層に隣接するビア穴の内壁面より内側に突出する無機繊維層の平均突出長は、ビア穴の内径(最大径部位の内径)の1/3以下であってもよい。また、透孔の平均内径は、ビア穴における最大径部位の内径の1/3以上であってもよい。このようにすると、無機繊維層をビア導体の側部に確実に食い込ませることができ、ビア抜けを防止することができる。   The average protrusion length of the inorganic fiber layer protruding inward from the inner wall surface of the via hole adjacent to the inorganic fiber layer may be 1/3 or less of the inner diameter of the via hole (the inner diameter of the maximum diameter portion). Further, the average inner diameter of the through holes may be 1/3 or more of the inner diameter of the maximum diameter portion in the via hole. If it does in this way, an inorganic fiber layer can be made to bite into a side part of a via conductor certainly, and a via omission can be prevented.

ビア導体は、ビア穴内及び透孔内を充填してなるフィルドビア導体であってもよい。また、ビア導体は、ビア穴の内壁面に沿って形成され、内側に窪みを有するコンフォーマルビア導体であってもよい。さらに、コンフォーマルビア導体の内側の窪みに樹脂絶縁層の一部が充填されていてもよい。   The via conductor may be a filled via conductor formed by filling the via hole and the through hole. Further, the via conductor may be a conformal via conductor formed along the inner wall surface of the via hole and having a depression inside. Furthermore, a part of the resin insulating layer may be filled in the recess inside the conformal via conductor.

ビア穴は、外層側開口部及び内層側開口部を有するとともに、外層側開口部からビア穴における最大径部位に向かって徐々に大径となる第1テーパ面と、ビア穴における最大径部位から内層側開口部に向かって徐々に小径となる第2テーパ面と、を有していてもよい。この場合、ビア穴及びビア導体は断面略六角形状(断面算盤玉状)となり、ビア抜けを確実に防止することができる。なお、ビア穴及びビア導体の形状としては、湾曲した側面を有する俵状の形状、角度の異なる複数の傾斜した側面や段差状の側面を有する多角形状等であってもよい。   The via hole has an outer layer side opening and an inner layer side opening, a first taper surface that gradually increases in diameter from the outer layer side opening toward the maximum diameter portion in the via hole, and a maximum diameter portion in the via hole. A second tapered surface that gradually decreases in diameter toward the inner layer side opening. In this case, the via hole and the via conductor have a substantially hexagonal cross section (cross section abacus ball shape), and the via can be reliably prevented from coming off. The via hole and via conductor may have a bowl-like shape having curved side surfaces, a plurality of inclined side surfaces having different angles, or a polygonal shape having stepped side surfaces.

樹脂絶縁層は、無機繊維層を厚さ方向の略中央部に有してもよい。このようにすると、無機繊維層が樹脂絶縁層の表面から露出することがなく、その無機繊維層を樹脂絶縁層の内層部に確実に含有させることができる。また、ビア穴の内壁面において略中央部から無機繊維層が突出するため、ビア抜けを確実に防止することができる。さらに、樹脂絶縁層の厚さ方向の略中央部に無機繊維層を有する場合、断面略六角形状(断面算盤玉状)のビア穴及びビア導体を確実に形成することができる。   The resin insulating layer may have an inorganic fiber layer at a substantially central portion in the thickness direction. In this way, the inorganic fiber layer is not exposed from the surface of the resin insulating layer, and the inorganic fiber layer can be reliably contained in the inner layer portion of the resin insulating layer. Moreover, since the inorganic fiber layer protrudes from the substantially central portion on the inner wall surface of the via hole, it is possible to reliably prevent the via from coming off. Further, when the inorganic fiber layer is provided at the substantially central portion in the thickness direction of the resin insulating layer, the via hole and the via conductor having a substantially hexagonal cross section (cross section abacus shape) can be reliably formed.

無機繊維層に形成される透孔の大きさは、ビア穴よりも小さければ特に限定されるものではない。例えば、透孔の平均内径は、ビア穴における外層側開口径及び内層側開口径より小さくてもよい。このようにすると、透孔の開口縁をビア導体の側部に確実に食い込ませることができ、ビア抜けを確実に防止することができる。   The size of the through hole formed in the inorganic fiber layer is not particularly limited as long as it is smaller than the via hole. For example, the average inner diameter of the through holes may be smaller than the outer layer side opening diameter and the inner layer side opening diameter of the via hole. If it does in this way, the opening edge of a through-hole can be made to bite into the side part of a via conductor reliably, and a via omission can be prevented reliably.

ビア穴における外層側開口径は内層側開口径よりも大きくてもよい。この場合、めっきを行う際に外層側開口部を介してビア穴内にビア導体を確実に形成することができる。   The outer layer side opening diameter in the via hole may be larger than the inner layer side opening diameter. In this case, a via conductor can be reliably formed in the via hole through the outer layer side opening when plating.

樹脂絶縁層を構成する樹脂絶縁材料は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。   The resin insulating material constituting the resin insulating layer can be appropriately selected in consideration of insulation, heat resistance, moisture resistance, and the like. Preferable examples of the resin insulating material include thermosetting resins such as epoxy resins, phenol resins, urethane resins, silicone resins, and polyimide resins, and thermoplastic resins such as polycarbonate resins, acrylic resins, polyacetal resins, and polypropylene resins. .

また、上記課題を解決するための別の手段(手段2)としては、手段1に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記樹脂絶縁材料中に前記無機繊維層としてのガラスクロスを含んで構成された前記樹脂絶縁層を前記導体層上に配置する絶縁層配置工程と、前記樹脂絶縁層に対して炭酸ガスレーザを用いたレーザ穴加工を施して、前記樹脂絶縁材料に前記ビア穴を形成するとともに前記ガラスクロスに前記透孔を形成し、その際の加工熱を前記ガラスクロスの平面方向に沿って伝導させて前記透孔の開口縁の周囲の前記樹脂絶縁材料を焼失させることにより、前記ビア穴の最大径部位を形成するビア穴形成工程と、めっきを行って前記ビア穴内及び前記透孔内に前記ビア導体を形成するビア導体形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。   Further, as another means (means 2) for solving the above-described problem, the multilayer wiring board manufacturing method according to means 1, wherein the resin insulating material includes a glass cloth as the inorganic fiber layer. An insulating layer disposing step of disposing the resin insulating layer configured on the conductor layer; and applying a laser hole processing to the resin insulating material using a carbon dioxide laser to form the via hole in the resin insulating material. Forming and forming the through hole in the glass cloth, and conducting the processing heat at that time along the plane direction of the glass cloth to burn out the resin insulating material around the opening edge of the through hole. And a via hole forming step for forming the maximum diameter portion of the via hole, and a via conductor forming step for performing plating to form the via conductor in the via hole and the through hole. There is a method of manufacturing the plate.

従って、手段2に記載の発明によると、絶縁層配置工程でガラスクロスを含んで構成された樹脂絶縁層を導体層上に配置した後、ビア穴形成工程が行われる。このビア穴形成工程では、樹脂絶縁層に対して炭酸ガスレーザを用いたレーザ穴加工を施すことにより、樹脂絶縁材料にビア穴が形成されるとともにガラスクロスに透孔が形成される。このとき、加工熱がガラスクロスの平面方向に沿って伝導される。炭酸ガスレーザのエネルギー吸収率は、ガラスクロスよりも樹脂絶縁材料の方が高いため、ガラスクロスを伝導した加工熱によって透孔の開口縁の周囲の樹脂絶縁材料が焼失される。この結果、ビア穴内において、ガラスクロスに隣接する領域に最大径部位が形成される。この後、ビア導体形成工程にてめっきを行うことでビア穴内及び透孔内にビア導体が形成される。このようにすると、ビア抜けを確実に防止することができ、接続信頼性に優れた多層配線基板を製造することができる。   Therefore, according to the invention described in the means 2, the via hole forming step is performed after the resin insulating layer including the glass cloth is arranged on the conductor layer in the insulating layer arranging step. In this via hole forming step, laser hole processing using a carbon dioxide laser is performed on the resin insulating layer, whereby via holes are formed in the resin insulating material and through holes are formed in the glass cloth. At this time, the processing heat is conducted along the plane direction of the glass cloth. Since the energy absorption rate of the carbon dioxide laser is higher in the resin insulating material than in the glass cloth, the resin insulating material around the opening edge of the through hole is burned out by the processing heat conducted through the glass cloth. As a result, a maximum diameter portion is formed in a region adjacent to the glass cloth in the via hole. Thereafter, the via conductor is formed in the via hole and the through hole by plating in the via conductor forming step. In this way, it is possible to reliably prevent via disconnection, and it is possible to manufacture a multilayer wiring board having excellent connection reliability.

本実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the multilayer wiring board in this Embodiment. 樹脂絶縁層におけるビア穴及びビア導体を示す拡大断面図。The expanded sectional view which shows the via hole and via conductor in a resin insulating layer. 多層配線基板の製造方法におけるコア基板形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the core board | substrate formation process in the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法における絶縁層配置工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the insulating layer arrangement | positioning process in the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法におけるビア穴形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the via hole formation process in the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法におけるビア導体形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the via conductor formation process in the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法におけるビルドアップ工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the buildup process in the manufacturing method of a multilayer wiring board. 本実施の形態のビア穴及びビア導体のSEM写真を示す説明図。Explanatory drawing which shows the SEM photograph of the via hole and via conductor of this Embodiment. 別の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the multilayer wiring board in another embodiment.

以下、本発明を多層配線基板に具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, an embodiment in which the present invention is embodied in a multilayer wiring board will be described in detail with reference to the drawings.

図1に示されるように、本実施の形態の多層配線基板10は、コア基板11と、コア基板11のコア主面12(図1では上面)上に形成される第1ビルドアップ層31と、コア基板11のコア裏面13(図1では下面)上に形成される第2ビルドアップ層32とからなる。   As shown in FIG. 1, the multilayer wiring board 10 of the present embodiment includes a core substrate 11, a first buildup layer 31 formed on the core main surface 12 (upper surface in FIG. 1) of the core substrate 11, and The second buildup layer 32 is formed on the core back surface 13 (the lower surface in FIG. 1) of the core substrate 11.

コア基板11は、例えば補強材としてのガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させてなる樹脂絶縁材(ガラスエポキシ材)にて構成されている。コア基板11における複数個所には厚さ方向に貫通するスルーホール用孔15(貫通孔)が形成されており、スルーホール用孔15内にはスルーホール導体16が形成されている。スルーホール導体16は、コア基板11のコア主面12側とコア裏面13側とを接続している。なお、スルーホール導体16の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体17で埋められている。また、コア基板11のコア主面12及びコア裏面13には、銅からなる導体層41がパターン形成されており、各導体層41は、スルーホール導体16に電気的に接続されている。   The core substrate 11 is made of, for example, a resin insulating material (glass epoxy material) obtained by impregnating a glass cloth as a reinforcing material with an epoxy resin. Through holes 15 (through holes) penetrating in the thickness direction are formed at a plurality of locations in the core substrate 11, and through hole conductors 16 are formed in the through hole 15. The through-hole conductor 16 connects the core main surface 12 side and the core back surface 13 side of the core substrate 11. The inside of the through-hole conductor 16 is filled with a closing body 17 such as an epoxy resin. Further, a conductor layer 41 made of copper is patterned on the core main surface 12 and the core back surface 13 of the core substrate 11, and each conductor layer 41 is electrically connected to the through-hole conductor 16.

コア基板11のコア主面12上に形成された第1ビルドアップ層31は、熱硬化性樹脂(樹脂絶縁材料としてのエポキシ樹脂)を主体とした複数の樹脂絶縁層33,35と、銅からなる複数の導体層42とを交互に積層したビルドアップ構造を有している。樹脂絶縁層35上における複数箇所には、端子パッド45がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂絶縁層35の上面は、ソルダーレジスト37によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト37の所定箇所には、端子パッド45を露出させる開口部46が形成されている。そして、開口部46から露出した端子パッド45は、図示しないはんだバンプを介して半導体チップの接続端子に電気的に接続される。また、樹脂絶縁層33及び樹脂絶縁層35内にはビア穴43及びビア導体44がそれぞれ形成されている。各ビア導体44は、導体層41,42及び端子パッド45を相互に電気的に接続している。   The first buildup layer 31 formed on the core main surface 12 of the core substrate 11 includes a plurality of resin insulating layers 33 and 35 mainly composed of a thermosetting resin (an epoxy resin as a resin insulating material), and copper. A plurality of conductor layers 42 are alternately stacked. Terminal pads 45 are formed in an array at a plurality of locations on the resin insulation layer 35. Further, the upper surface of the resin insulating layer 35 is almost entirely covered with a solder resist 37. An opening 46 for exposing the terminal pad 45 is formed at a predetermined portion of the solder resist 37. And the terminal pad 45 exposed from the opening part 46 is electrically connected to the connection terminal of a semiconductor chip via the solder bump which is not shown in figure. A via hole 43 and a via conductor 44 are formed in the resin insulating layer 33 and the resin insulating layer 35, respectively. Each via conductor 44 electrically connects the conductor layers 41 and 42 and the terminal pad 45 to each other.

コア基板11のコア裏面13上に形成された第2ビルドアップ層32は、上述した第1ビルドアップ層31とほぼ同じ構造を有している。即ち、第2ビルドアップ層32は、熱硬化性樹脂(樹脂絶縁材料としてのエポキシ樹脂)を主体とした複数の樹脂絶縁層34,36と、複数の導体層42とを交互に積層したビルドアップ構造を有している。樹脂絶縁層34及び樹脂絶縁層36内にはビア穴43及びビア導体44がそれぞれ形成されている。樹脂絶縁層36の下面上における複数箇所には、BGA用パッド48がアレイ状に形成されている。また、樹脂絶縁層36の下面は、ソルダーレジスト38によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト38の所定箇所には、BGA用パッド48を露出させる開口部49が形成されている。開口部49から露出したBGA用パッド48は、図示しないはんだバンプを介してマザーボード(外部基板)に電気的に接続される。   The second buildup layer 32 formed on the core back surface 13 of the core substrate 11 has substantially the same structure as the first buildup layer 31 described above. That is, the second buildup layer 32 is a buildup in which a plurality of resin insulation layers 34 and 36 mainly composed of a thermosetting resin (an epoxy resin as a resin insulation material) and a plurality of conductor layers 42 are alternately laminated. It has a structure. Via holes 43 and via conductors 44 are formed in the resin insulating layer 34 and the resin insulating layer 36, respectively. BGA pads 48 are formed in an array at a plurality of locations on the lower surface of the resin insulating layer 36. The lower surface of the resin insulating layer 36 is almost entirely covered with a solder resist 38. An opening 49 for exposing the BGA pad 48 is formed at a predetermined position of the solder resist 38. The BGA pad 48 exposed from the opening 49 is electrically connected to a mother board (external board) via a solder bump (not shown).

本実施の形態の各樹脂絶縁層33〜36は、樹脂絶縁材料50の内層部に無機繊維層としてのガラスクロス51を含む。より詳しくは、各樹脂絶縁層33〜36は、シリカフィラーなどの粒状の無機材料を含まずにガラスクロス51のみを含むビルドアップ材を用いて形成されている。各樹脂絶縁層33〜36の厚さは、40μm程度であり、ガラスクロス51の厚さは15μm程度である。各樹脂絶縁層33〜36において、厚さ方向の略中央部にガラスクロス51が設けられている。   Each of the resin insulating layers 33 to 36 of the present embodiment includes a glass cloth 51 as an inorganic fiber layer in the inner layer portion of the resin insulating material 50. More specifically, each of the resin insulating layers 33 to 36 is formed using a build-up material including only the glass cloth 51 without including a granular inorganic material such as silica filler. Each resin insulating layer 33 to 36 has a thickness of about 40 μm, and the glass cloth 51 has a thickness of about 15 μm. In each of the resin insulating layers 33 to 36, a glass cloth 51 is provided at a substantially central portion in the thickness direction.

図2に示されるように、樹脂絶縁層33の樹脂絶縁材料50にビア穴43が形成されるとともに、ガラスクロス51においてビア穴43に対応する位置に透孔52が形成されている。そして、ビア穴43内及び透孔52内に導体層41,42間を電気的に接続するビア導体44が形成されている。本実施の形態において、ビア導体44は、ビア穴43内及び透孔52内を充填してなるフィルドビア導体であり、ビア穴43及びビア導体44は、断面略六角形状(断面算盤玉状)に形成されている。   As shown in FIG. 2, a via hole 43 is formed in the resin insulating material 50 of the resin insulating layer 33, and a through hole 52 is formed at a position corresponding to the via hole 43 in the glass cloth 51. A via conductor 44 that electrically connects the conductor layers 41 and 42 is formed in the via hole 43 and the through hole 52. In the present embodiment, the via conductor 44 is a filled via conductor formed by filling the via hole 43 and the through hole 52, and the via hole 43 and the via conductor 44 have a substantially hexagonal cross section (a cross-section abacus shape). Is formed.

ガラスクロス51において透孔52の開口縁となる部位は、ガラスクロス51に隣接するビア穴43の内壁面より内側に突出するとともに、ビア導体44の側部に食い込んでいる。ビア穴43の内径は、ビア穴43の内壁面においてガラスクロス51に隣接する領域において最も大きくなっている。より詳しくは、ビア穴43は、外層側開口部54及び内層側開口部55を有するとともに、外層側開口部54からビア穴43における最大径部位56に向かって徐々に大径となる第1テーパ面57を有している。また、ビア穴43における最大径部位56から内層側開口部55に向かって徐々に小径となる第2テーパ面58を有している。   In the glass cloth 51, the portion that becomes the opening edge of the through hole 52 protrudes inward from the inner wall surface of the via hole 43 adjacent to the glass cloth 51 and bites into the side portion of the via conductor 44. The inner diameter of the via hole 43 is largest in a region adjacent to the glass cloth 51 on the inner wall surface of the via hole 43. More specifically, the via hole 43 includes an outer layer side opening 54 and an inner layer side opening 55, and the first taper gradually increases in diameter from the outer layer side opening 54 toward the maximum diameter portion 56 in the via hole 43. It has a surface 57. The via hole 43 has a second tapered surface 58 that gradually decreases in diameter from the maximum diameter portion 56 toward the inner layer side opening 55.

本実施の形態において、ガラスクロス51に形成されている透孔52の平均内径は、ビア穴43における外層側開口部54の及び内層側開口部55の口径よりも小さくなっている。さらに、ビア穴43における外層側開口部54の口径は内層側開口部55の口径よりも大きくなっている。具体的には、透孔52の平均内径は30μm程度であり、最大径部位56の口径は70μm程度である。また、外層側開口部54の口径は50μm程度であり、内層側開口部55の口径は40μm程度である。   In the present embodiment, the average inner diameter of the through holes 52 formed in the glass cloth 51 is smaller than the diameters of the outer layer side opening 54 and the inner layer side opening 55 in the via hole 43. Furthermore, the diameter of the outer layer side opening 54 in the via hole 43 is larger than the diameter of the inner layer side opening 55. Specifically, the average inner diameter of the through holes 52 is about 30 μm, and the diameter of the maximum diameter portion 56 is about 70 μm. The outer layer side opening 54 has a diameter of about 50 μm, and the inner layer side opening 55 has a diameter of about 40 μm.

本実施の形態において、ビア穴43の内壁面より内側に突出しているガラスクロス51の平均突出長は、ビア穴43の内径(最大径部位56の内径)の1/3以下となっている。つまり、ガラスクロス51における透孔52の平均内径は、ビア穴43における最大径部位56の内径の1/3以上となっており、ガラスクロス51がビア導体44の側部に確実に食い込んでいる。   In the present embodiment, the average protruding length of the glass cloth 51 protruding inward from the inner wall surface of the via hole 43 is 1/3 or less of the inner diameter of the via hole 43 (the inner diameter of the maximum diameter portion 56). That is, the average inner diameter of the through holes 52 in the glass cloth 51 is not less than 1/3 of the inner diameter of the maximum diameter portion 56 in the via hole 43, and the glass cloth 51 surely bites into the side portion of the via conductor 44. .

次に、本実施の形態の多層配線基板10の製造方法について述べる。   Next, a method for manufacturing the multilayer wiring board 10 of the present embodiment will be described.

まず、ガラスエポキシからなる基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。そして、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板の表裏面を貫通する貫通孔15を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、銅張積層板の貫通孔15の内面に対する無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、貫通孔15内にスルーホール導体16を形成する。   First, a copper clad laminate in which a copper foil is pasted on both sides of a substrate made of glass epoxy is prepared. And drilling is performed using a drill machine, and the through-hole 15 which penetrates the front and back of a copper clad laminated board is previously formed in the predetermined position. And the through-hole conductor 16 is formed in the through-hole 15 by performing the electroless copper plating and the electrolytic copper plating with respect to the inner surface of the through-hole 15 of a copper clad laminated board.

その後、スルーホール導体16の空洞部を絶縁樹脂材料(エポキシ樹脂)で穴埋めし、閉塞体17を形成する。さらに、銅張積層板の銅箔とその銅箔上に形成された銅めっき層とを、例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。この結果、図3に示されるように、スルーホール導体16及び導体層41が形成されたコア基板11を得る。   Thereafter, the cavity of the through-hole conductor 16 is filled with an insulating resin material (epoxy resin) to form the closing body 17. Furthermore, the copper foil of the copper clad laminate and the copper plating layer formed on the copper foil are patterned by, for example, a subtractive method. As a result, as shown in FIG. 3, the core substrate 11 on which the through-hole conductor 16 and the conductor layer 41 are formed is obtained.

そして、ビルドアップ工程を行うことで、コア基板11のコア主面12の上に第1ビルドアップ層31を形成するとともに、コア基板11のコア裏面13の上にも第2ビルドアップ層32を形成する。   Then, by performing a build-up process, the first build-up layer 31 is formed on the core main surface 12 of the core substrate 11, and the second build-up layer 32 is also formed on the core back surface 13 of the core substrate 11. Form.

詳しくは、図4に示されるように、コア基板11において各導体層41が形成されたコア主面12及びコア裏面13の上に、樹脂絶縁材料50中にガラスクロス51を含んで構成されたシート状の樹脂絶縁層33,34を配置し、樹脂絶縁層33,34を貼り付ける(絶縁層配置工程)。   Specifically, as shown in FIG. 4, the resin insulating material 50 includes a glass cloth 51 on the core main surface 12 and the core back surface 13 on which the respective conductor layers 41 are formed in the core substrate 11. The sheet-like resin insulating layers 33 and 34 are arranged, and the resin insulating layers 33 and 34 are attached (insulating layer arranging step).

その後、炭酸ガスレーザ(COレーザ)を用いてレーザ穴加工を施すことによって樹脂絶縁層33,34の所定の位置にビア穴43を形成するとともにガラスクロス51に透孔52を形成する(ビア穴形成工程)。ここで、炭酸ガスレーザのエネルギー吸収率は、ガラスクロス51よりも樹脂絶縁材料50の方が高い。このため、ガラスクロス51に透孔52を形成する際に加わる加工熱がガラスクロス51をその平面方向に伝導することにより、透孔52の開口縁の周囲の樹脂絶縁材料50が焼失される。この結果、図5に示されるように、ビア穴43内において、ガラスクロス51に隣接する領域で最大径部位56が形成されるとともに、第1テーパ面57及び第2テーパ面58が形成される。また、外層側開口部54側からレーザが照射されて加工されるため、ビア穴43において外層側開口部54の口径D1(外層側開口径)は、内層側開口部55の口径D2(内層側開口径)よりも大きくなる。 Thereafter, laser hole machining is performed using a carbon dioxide laser (CO 2 laser) to form via holes 43 at predetermined positions of the resin insulating layers 33 and 34 and to form through holes 52 in the glass cloth 51 (via holes). Forming step). Here, the energy absorption rate of the carbon dioxide laser is higher in the resin insulating material 50 than in the glass cloth 51. For this reason, the processing heat applied when forming the through holes 52 in the glass cloth 51 conducts the glass cloth 51 in the plane direction, so that the resin insulating material 50 around the opening edge of the through holes 52 is burned out. As a result, as shown in FIG. 5, in the via hole 43, the maximum diameter portion 56 is formed in the region adjacent to the glass cloth 51, and the first tapered surface 57 and the second tapered surface 58 are formed. . Further, since the laser is irradiated and processed from the outer layer side opening 54 side, the diameter D1 (outer layer side opening diameter) of the outer layer side opening 54 in the via hole 43 is equal to the diameter D2 (inner layer side) of the inner layer side opening 55. (Opening diameter).

次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴43内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばOプラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。 Next, a desmear process for removing smear in each via hole 43 is performed using an etching solution such as a potassium permanganate solution. As the desmear process, in addition to treatment with an etchant, for example it may perform processing of plasma ashing using O 2 plasma.

デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴43内にビア導体44を形成する(ビア導体形成工程)。さらに、従来公知の手法(例えばセミアディティブ法)によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層33,34上に導体層42をパターン形成する(図6参照)。   After the desmear process, via conductors 44 are formed in each via hole 43 by performing electroless copper plating and electrolytic copper plating according to a conventionally known method (via conductor formation process). Further, the conductor layer 42 is patterned on the resin insulating layers 33 and 34 by performing etching by a conventionally known method (for example, a semi-additive method) (see FIG. 6).

他の樹脂絶縁層35,36及び導体層42についても、上述した樹脂絶縁層33,34及び導体層42と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層33,34上に積層していく。なおここで、樹脂絶縁層35上の導体層42として、複数の端子パッド45が形成され、樹脂絶縁層36上の導体層42として、複数のBGA用パッド48が形成される(図7参照)。   The other resin insulation layers 35 and 36 and the conductor layer 42 are also formed by the same method as the resin insulation layers 33 and 34 and the conductor layer 42 described above, and are laminated on the resin insulation layers 33 and 34. Here, a plurality of terminal pads 45 are formed as the conductor layer 42 on the resin insulating layer 35, and a plurality of BGA pads 48 are formed as the conductor layer 42 on the resin insulating layer 36 (see FIG. 7). .

次に、樹脂絶縁層35,36上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト37,38を形成する。その後、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト37,38に開口部46,49をパターニングする。以上の工程を経ることで図1に示す多層配線基板10を製造する。   Next, solder resists 37 and 38 are formed by applying and curing a photosensitive epoxy resin on the resin insulating layers 35 and 36. Thereafter, exposure and development are performed with a predetermined mask placed, and the openings 46 and 49 are patterned in the solder resists 37 and 38. The multilayer wiring board 10 shown in FIG. 1 is manufactured through the above steps.

本発明者は、上記の方法で製造した多層配線基板10について、ビア導体44の軸線上でその厚さ方向に切断し、ビア導体44の切断面を電子顕微鏡(SEM)で観察した。図8には、ビア導体44における切断面のSEM写真60を示している。図8に示されるように、断面略六角形状をなすビア穴43内において、ガラスクロス51が突出してビア導体44の側部に食い込んでおり、ビア穴43の内径は、ビア穴43の内壁面においてガラスクロス51が存在する深さ位置にて最も大きくなっている。さらに、断面略六角形状のビア穴43において、隙間なくビア導体44が形成されており、ビア導体44の密着性が十分に確保されていることが確認された。   The inventor cut the multilayer wiring board 10 manufactured by the above method in the thickness direction on the axis of the via conductor 44 and observed the cut surface of the via conductor 44 with an electron microscope (SEM). FIG. 8 shows an SEM photograph 60 of the cut surface of the via conductor 44. As shown in FIG. 8, in the via hole 43 having a substantially hexagonal cross section, the glass cloth 51 protrudes and bites into the side of the via conductor 44, and the inner diameter of the via hole 43 is the inner wall surface of the via hole 43. In FIG. 4, the depth is the largest at the depth position where the glass cloth 51 exists. Furthermore, it was confirmed that the via conductors 44 were formed without gaps in the via holes 43 having a substantially hexagonal cross section, and the adhesion of the via conductors 44 was sufficiently ensured.

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施の形態の多層配線基板10では、樹脂絶縁層33〜36はガラスクロス51を内層部に含み、ガラスクロス51の透孔52の開口縁がビア穴43の内壁面から突出するとともにビア導体44の側部に食い込んでいる。このため、ビア穴43内に形成されたビア導体44がビア穴43内から抜けるといったビア抜けを防止することができる。さらに、ビア穴43の内径は、ビア穴43の内壁面においてガラスクロス51に隣接する領域で最も大きくなっている。この場合、ビア穴43は外層側開口部54及び内層側開口部55が窄まった形状となるため、ビア抜けを確実に防止することができる。   (1) In the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, the resin insulating layers 33 to 36 include the glass cloth 51 in the inner layer portion, and the opening edge of the through hole 52 of the glass cloth 51 protrudes from the inner wall surface of the via hole 43. At the same time, it bites into the side of the via conductor 44. For this reason, it is possible to prevent a via drop such that the via conductor 44 formed in the via hole 43 comes out of the via hole 43. Further, the inner diameter of the via hole 43 is the largest in the region adjacent to the glass cloth 51 on the inner wall surface of the via hole 43. In this case, since the via hole 43 has a shape in which the outer layer side opening 54 and the inner layer side opening 55 are narrowed, it is possible to reliably prevent the via from coming off.

(2)本実施の形態の多層配線基板10において、炭酸ガスレーザのエネルギー吸収率は、ガラスクロス51よりも樹脂絶縁材料50の方が高い。このため、レーザ穴加工時において、ガラスクロス51の平面方向に伝導した加工熱によって透孔52の開口縁の周囲の樹脂絶縁材料50が焼失される。この結果、ビア穴43内において、ガラスクロス51に隣接する領域に最大径部位56を確実に形成することができる。   (2) In the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, the energy absorption rate of the carbon dioxide laser is higher in the resin insulating material 50 than in the glass cloth 51. For this reason, at the time of laser hole machining, the resin insulating material 50 around the opening edge of the through hole 52 is burned out by the processing heat conducted in the plane direction of the glass cloth 51. As a result, the maximum diameter portion 56 can be reliably formed in a region adjacent to the glass cloth 51 in the via hole 43.

(3)本実施の形態の多層配線基板10では、ビア穴43の内壁面から突出しているガラスクロス51の平均突出長は、ビア穴43の内径の1/3以下である。このようにすると、ガラスクロス51をビア導体44の側部に確実に食い込ませることができ、ビア抜けを防止することができる。   (3) In the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, the average protrusion length of the glass cloth 51 protruding from the inner wall surface of the via hole 43 is 1/3 or less of the inner diameter of the via hole 43. In this way, the glass cloth 51 can be surely bited into the side portion of the via conductor 44, and the via omission can be prevented.

(4)本実施の形態の多層配線基板10では、ガラスクロス51に形成される透孔52の平均内径は、ビア穴43における外層側開口径D1及び内層側開口径D2よりも小さい。この場合、透孔52の開口縁をビア導体44の側部に確実に食い込ませることができる。さらに、ビア穴43における外層側開口径D1は内層側開口径D2よりも大きい。このように外層側開口径D1を大きくすることにより、めっきを行う際に外層側開口部54を介してビア穴43内にフィルドビア導体44を確実に形成することができる。   (4) In the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, the average inner diameter of the through holes 52 formed in the glass cloth 51 is smaller than the outer layer side opening diameter D1 and the inner layer side opening diameter D2 in the via hole 43. In this case, the opening edge of the through hole 52 can be surely bited into the side portion of the via conductor 44. Further, the outer layer side opening diameter D1 in the via hole 43 is larger than the inner layer side opening diameter D2. By increasing the outer layer side opening diameter D1 in this manner, the filled via conductor 44 can be reliably formed in the via hole 43 through the outer layer side opening 54 when performing plating.

(5)本実施の形態の多層配線基板10において、樹脂絶縁層33〜36はガラスクロス51を厚さ方向の略中心部に有する。この場合、ガラスクロス51が樹脂絶縁層33〜36の表面から露出することなく、そのガラスクロス51を樹脂絶縁層33〜36に確実に含有させることができる。また、ビア穴43の内壁面における中央部からガラスクロス51が突出するため、ビア抜けを確実に防止することができる。さらに、樹脂絶縁層33〜36において、ガラスクロス51を厚さ方向の略中心部に有するので、断面略六角形状(断面算盤玉状)のビア穴43及びビア導体44を確実に形成することができる。また、ガラスクロス51を含ませることで樹脂絶縁層33〜36の強度を十分に確保することができる。   (5) In the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, the resin insulating layers 33 to 36 have a glass cloth 51 at a substantially central portion in the thickness direction. In this case, the glass cloth 51 can be reliably contained in the resin insulating layers 33 to 36 without exposing the glass cloth 51 from the surfaces of the resin insulating layers 33 to 36. Further, since the glass cloth 51 protrudes from the central portion of the inner wall surface of the via hole 43, it is possible to reliably prevent the via from coming off. Furthermore, in the resin insulating layers 33 to 36, since the glass cloth 51 is provided at the substantially central portion in the thickness direction, the via holes 43 and the via conductors 44 having a substantially hexagonal cross section (cross section abacus ball shape) can be reliably formed. it can. Moreover, the intensity | strength of the resin insulation layers 33-36 is fully securable by including the glass cloth 51. FIG.

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。   In addition, you may change embodiment of this invention as follows.

・上記実施の形態の多層配線基板10では、全ての樹脂絶縁層33〜36において、断面略六角形状をなす同一形状のビア穴43及びビア導体44が形成されていたが、断面略六角形状のビア穴43及びビア導体44は、樹脂絶縁層33〜36の少なくとも1層に形成されるものであればよい。図9にはその多層配線基板10Aの具体例を示している。図9の多層配線基板10Aにおいて、コア基板11側の樹脂絶縁層33,34は、上記実施の形態と同様にガラスクロス51を含んで構成された絶縁層である。また、それら樹脂絶縁層33,34よりも外層側の樹脂絶縁層35A,36Aは、ガラスクロス51を含まずに構成された樹脂絶縁層である。この多層配線基板10Aでは、コア基板11側の樹脂絶縁層33,34に、断面略六角形状のビア穴43及びビア導体44が形成されている。一方、外層側の樹脂絶縁層35A,36Aには、内層側から外層側に向けて拡径した形状のビア穴43A及びビア導体44Aが形成されている。なおこの場合、樹脂絶縁層33,34,35A,36Aに含まれるガラスクロス51の有無に応じてレーザ照射条件を適宜調整してレーザ穴加工を行うようにする。このように製造しても、多層配線基板10Aにおけるビア導体44の抜けを防止することができ、接続信頼性を高めることができる。   In the multilayer wiring board 10 of the above-described embodiment, the via holes 43 and the via conductors 44 having the same shape having a substantially hexagonal cross section are formed in all the resin insulating layers 33 to 36. The via hole 43 and the via conductor 44 may be formed in at least one of the resin insulating layers 33 to 36. FIG. 9 shows a specific example of the multilayer wiring board 10A. In the multilayer wiring board 10A of FIG. 9, the resin insulating layers 33 and 34 on the core substrate 11 side are insulating layers including the glass cloth 51 as in the above embodiment. Further, the resin insulation layers 35A and 36A on the outer layer side of the resin insulation layers 33 and 34 are resin insulation layers configured without including the glass cloth 51. In the multilayer wiring board 10A, via holes 43 and via conductors 44 having a substantially hexagonal cross section are formed in the resin insulating layers 33 and 34 on the core substrate 11 side. On the other hand, via holes 43A and via conductors 44A having a diameter expanded from the inner layer side toward the outer layer side are formed in the resin insulating layers 35A and 36A on the outer layer side. In this case, laser hole processing is performed by appropriately adjusting the laser irradiation conditions depending on the presence or absence of the glass cloth 51 included in the resin insulating layers 33, 34, 35A, and 36A. Even if manufactured in this way, it is possible to prevent the via conductor 44 from coming off in the multilayer wiring board 10A, and to improve connection reliability.

・上記実施の形態の多層配線基板10では、ビア導体44は、ビア穴43内及び透孔52内を完全に埋めるフィルドビア導体であったが、これに限定されるものではなく、ビア穴43内及び透孔52内に、コンフォーマルビア導体を形成してもよい。この場合、ビア穴43及び透孔52の形状に沿って均一な厚さのビア導体が形成され、そのビア導体の内側に形成された窪みに上層側の樹脂絶縁層の一部が充填される。   In the multilayer wiring board 10 of the above embodiment, the via conductor 44 is a filled via conductor that completely fills the via hole 43 and the through hole 52. However, the present invention is not limited to this. A conformal via conductor may be formed in the through hole 52. In this case, a via conductor having a uniform thickness is formed along the shape of the via hole 43 and the through hole 52, and a recess formed inside the via conductor is filled with a part of the upper resin insulating layer. .

・上記実施の形態の多層配線基板10では、各樹脂絶縁層33〜36は、シリカフィラーなどの粒状の無機材料を含まずにガラスクロス51のみを含むビルドアップ材を用いて形成されていたが、これに限定されるものではない。ガラスクロス51に加えてシリカフィラーを20重量%以下の割合で含むビルドアップ材を用いて各樹脂絶縁層33〜36を形成してもよい。なおこの場合、シリカフィラーを含ませることで各樹脂絶縁層33〜36の加工性が若干悪くなる。このため、ビア穴43のテーパ面57,58の傾斜は緩やかになるが、ガラスクロス51に隣接する領域において最も大きくなるようビア穴43の内壁面を形成することができる。   -In the multilayer wiring board 10 of the said embodiment, although each resin insulating layer 33-36 was formed using the buildup material which contains only the glass cloth 51, without including granular inorganic materials, such as a silica filler. However, the present invention is not limited to this. In addition to the glass cloth 51, the resin insulating layers 33 to 36 may be formed using a build-up material containing a silica filler in a proportion of 20% by weight or less. In this case, the processability of each of the resin insulating layers 33 to 36 is slightly deteriorated by including a silica filler. For this reason, although the inclination of the tapered surfaces 57 and 58 of the via hole 43 is gentle, the inner wall surface of the via hole 43 can be formed to be the largest in the region adjacent to the glass cloth 51.

・上記実施の形態では、コア基板11を有する多層配線基板10に具体化するものであったが、コア基板11を有しないコアレス配線基板に本発明を具体化してもよい。   In the above embodiment, the present invention is embodied in the multilayer wiring substrate 10 having the core substrate 11. However, the present invention may be embodied in a coreless wiring substrate not having the core substrate 11.

・上記実施の形態における多層配線基板10の形態は、BGA(ボールグリッドアレイ)のみに限定されず、例えばPGA(ピングリッドアレイ)やLGA(ランドグリッドアレイ)等の配線基板に本発明を適用させてもよい。   The form of the multilayer wiring board 10 in the above embodiment is not limited to BGA (ball grid array), but the present invention is applied to a wiring board such as PGA (pin grid array) or LGA (land grid array). May be.

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, in addition to the technical ideas described in the claims, the technical ideas grasped by the embodiments described above are listed below.

(1)手段1において、前記樹脂絶縁層は、粒状の無機材料を含まずに形成されることを特徴とする多層配線基板。   (1) The multilayer wiring board according to means 1, wherein the resin insulating layer is formed without containing a granular inorganic material.

(2)手段1において、前記樹脂絶縁層は、前記無機繊維層を厚さ方向の略中央部に有することを特徴とする多層配線基板。   (2) The multilayer wiring board according to (1), wherein the resin insulating layer has the inorganic fiber layer at a substantially central portion in the thickness direction.

(3)手段1において、前記樹脂絶縁層の厚さが50μm以下であることを特徴とする多層配線基板。   (3) The multilayer wiring board according to means 1, wherein the resin insulating layer has a thickness of 50 μm or less.

(4)手段1において、前記透孔の平均内径は、前記ビア穴における最大径部位の内径の1/3以上であることを特徴とする多層配線基板。   (4) The multilayer wiring board according to (1), wherein an average inner diameter of the through holes is 1/3 or more of an inner diameter of a maximum diameter portion in the via hole.

(5)手段1において、前記透孔の平均内径は、前記ビア穴における外層側開口径及び内層側開口径よりも小さいことを特徴とする多層配線基板。   (5) The multilayer wiring board according to (1), wherein an average inner diameter of the through holes is smaller than an outer layer side opening diameter and an inner layer side opening diameter in the via hole.

(6)手段1において、前記ビア穴における外層側開口径は内層側開口径よりも大きいことを特徴とする多層配線基板。   (6) The multilayer wiring board according to means 1, wherein an outer layer side opening diameter of the via hole is larger than an inner layer side opening diameter.

(7)手段1において、前記ビア穴は断面略六角形状であることを特徴とする多層配線基板。   (7) The multilayer wiring board according to means 1, wherein the via hole has a substantially hexagonal cross section.

(8)手段1において、前記ビア穴は断面算盤玉状であることを特徴とする多層配線基板。   (8) The multilayer wiring board according to means 1, wherein the via hole has a abacus cross section.

10,10A…多層配線基板
33〜36…樹脂絶縁層
42…導体層
43…ビア穴
44…ビア導体
50…樹脂絶縁材料
51…無機繊維層としてのガラスクロス
52…透孔
54…外層側開口部
55…内層側開口部
56…最大径部位
57…第1テーパ面
58…第2テーパ面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,10A ... Multilayer wiring board 33-36 ... Resin insulation layer 42 ... Conductor layer 43 ... Via hole 44 ... Via conductor 50 ... Resin insulation material 51 ... Glass cloth as an inorganic fiber layer 52 ... Through-hole 54 ... Outer layer side opening 55 ... Inner layer side opening 56 ... Maximum diameter portion 57 ... First taper surface 58 ... Second taper surface

Claims (6)

複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化したビルドアップ構造を有し、前記樹脂絶縁層のうちの少なくとも1層は樹脂絶縁材料の内層部に無機繊維層を含み、当該樹脂絶縁層の樹脂絶縁材料にビア穴が形成され、前記無機繊維層において前記ビア穴に対応する位置に透孔が形成され、前記ビア穴内及び前記透孔内に前記導体層間を電気的に接続するビア導体が形成されている多層配線基板であって、
前記無機繊維層の前記透孔の開口縁となる部位は、前記無機繊維層に隣接する前記ビア穴の内壁面より内側に突出するとともに、
前記ビア穴の内径は、前記ビア穴の内壁面のうち前記無機繊維層に隣接する領域において最も大きくなっている
ことを特徴とする多層配線基板。
It has a build-up structure in which a plurality of resin insulation layers and a plurality of conductor layers are alternately laminated to form a multilayer, and at least one of the resin insulation layers includes an inorganic fiber layer in the inner layer portion of the resin insulation material, Via holes are formed in the resin insulating material of the resin insulating layer, and through holes are formed at positions corresponding to the via holes in the inorganic fiber layer, and the conductor layers are electrically connected in the via holes and the through holes. A multilayer wiring board in which via conductors to be connected are formed,
The portion that becomes the opening edge of the through hole of the inorganic fiber layer protrudes inward from the inner wall surface of the via hole adjacent to the inorganic fiber layer, and
An inner diameter of the via hole is the largest in a region adjacent to the inorganic fiber layer on the inner wall surface of the via hole.
前記無機繊維層を含む前記樹脂絶縁層は、粒状の無機材料を0%以上40%未満の重量割合で含むことを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。   2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the resin insulating layer including the inorganic fiber layer includes a granular inorganic material in a weight ratio of 0% to less than 40%. 前記無機繊維層に隣接する前記ビア穴の前記内壁面より内側に突出する前記無機繊維層の平均突出長は、前記ビア穴の内径の1/3以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板。   The average protruding length of the inorganic fiber layer protruding inward from the inner wall surface of the via hole adjacent to the inorganic fiber layer is 1/3 or less of the inner diameter of the via hole. 2. The multilayer wiring board according to 2. 前記ビア導体は、前記ビア穴内及び前記透孔内を充填してなるフィルドビア導体であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板。   4. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the via conductor is a filled via conductor formed by filling the via hole and the through hole. 5. 前記ビア穴は、外層側開口部及び内層側開口部を有するとともに、前記外層側開口部から前記ビア穴における最大径部位に向かって徐々に大径となる第1テーパ面と、前記ビア穴における最大径部位から前記内層側開口部に向かって徐々に小径となる第2テーパ面と、を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板。   The via hole has an outer layer side opening and an inner layer side opening, a first tapered surface that gradually increases in diameter from the outer layer side opening toward the maximum diameter portion of the via hole, and the via hole 5. The multilayer wiring board according to claim 1, further comprising: a second tapered surface having a gradually decreasing diameter from the maximum diameter portion toward the inner layer side opening. 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記樹脂絶縁材料中に前記無機繊維層としてのガラスクロスを含んで構成された前記樹脂絶縁層を前記導体層上に配置する絶縁層配置工程と、
前記樹脂絶縁層に対して炭酸ガスレーザを用いたレーザ穴加工を施して、前記樹脂絶縁材料に前記ビア穴を形成するとともに前記ガラスクロスに前記透孔を形成し、その際の加工熱を前記ガラスクロスの平面方向に沿って伝導させて前記透孔の開口縁の周囲の前記樹脂絶縁材料を焼失させることにより、前記ビア穴の最大径部位を形成するビア穴形成工程と、
めっきを行って前記ビア穴内及び前記透孔内に前記ビア導体を形成するビア導体形成工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 5,
An insulating layer disposing step of disposing on the conductor layer the resin insulating layer configured to include glass cloth as the inorganic fiber layer in the resin insulating material;
The resin insulating layer is subjected to laser hole processing using a carbon dioxide laser to form the via hole in the resin insulating material and the through hole in the glass cloth. A via hole forming step of forming the maximum diameter portion of the via hole by conducting along the plane direction of the cloth and burning out the resin insulating material around the opening edge of the through hole;
And a via conductor forming step of forming the via conductor in the via hole and in the through hole by performing plating.
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