JP2014067946A - Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board - Google Patents

Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board Download PDF

Info

Publication number
JP2014067946A
JP2014067946A JP2012213678A JP2012213678A JP2014067946A JP 2014067946 A JP2014067946 A JP 2014067946A JP 2012213678 A JP2012213678 A JP 2012213678A JP 2012213678 A JP2012213678 A JP 2012213678A JP 2014067946 A JP2014067946 A JP 2014067946A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wiring board
printed wiring
metal
metal foil
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012213678A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoto Ishida
直人 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2012213678A priority Critical patent/JP2014067946A/en
Publication of JP2014067946A publication Critical patent/JP2014067946A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board which includes a plating filled via conductor achieving high connection reliability and can form a fine conductor pattern.SOLUTION: In a manufacturing method of a printed wiring board, a metal layer 53, an electroless plating layer 52, and an electrolytic plating layer 56 are formed on a metal foil 48. Subsequently, the electroless plating layer 52, the electrolytic plating layer 56, and the metal layer 53 are removed to expose the thin metal foil 48 having a uniform thickness and then form conductor patterns 48, 58 by etching. Thus, the manufacturing method of the printed wiring board enables a plating filled via conductor 60 and the thin conductor patterns 48, 58 to be concurrently formed and enables a fine pitch of the printed wiring board.

Description

本発明は、層間樹脂絶縁層のビア開口にめっき充填して成るフィルドビアを備えるプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。 The present invention relates to a printed wiring board including a filled via formed by plating and filling a via opening of an interlayer resin insulating layer, and a method for manufacturing the printed wiring board.

現在、携帯機器に用いられるプリント配線板は、高集積化と共に薄型化が求められている。ここで、プリント配線板を薄型化するためには、導体パターンの厚みを薄くする必要がある。 Currently, printed wiring boards used in portable devices are required to be highly integrated and thin. Here, in order to reduce the thickness of the printed wiring board, it is necessary to reduce the thickness of the conductor pattern.

層厚が10μm以下の導体パターンとめっき充填ビア(フィルドビア)を電解めっきにより同時に形成すると、ビア導体のめっき充填が完全には出来ず、ビア導体の最表面中央部に凹部ができ、層間樹脂絶縁層を積層するとボイド等が発生して信頼性が低下する原因となる。 When a conductor pattern with a layer thickness of 10 μm or less and a plated filling via (filled via) are formed simultaneously by electrolytic plating, the plating of the via conductor cannot be completely completed, and a recess is formed in the center of the outermost surface of the via conductor, and the interlayer resin insulation When the layers are stacked, voids and the like are generated, which causes a decrease in reliability.

US−B2−8187479では、コア基板上に銅箔、Ni層を貼り、レーザーでビア開口を設け、ビア開口内をめっき層で充填した後、エッチングで銅箔を露出させ、導体パターンを形成することが開示されている。 In U.S. Pat. No. 2,881,479, a copper foil and a Ni layer are pasted on a core substrate, a via opening is provided with a laser, the inside of the via opening is filled with a plating layer, and then the copper foil is exposed by etching to form a conductor pattern. It is disclosed.

US−B2−8187479US-B2-8187479

特許文献1では、レーザーで銅箔、Ni層を貫通してビア開口を形成するため、レーザーの出力を高める必要がある。このとき、ビア開口の大きさ形状にバラツキが生じたり、銅箔が絶縁層から剥離するなど、寸法精度が低下すると考えられる。 In Patent Document 1, since a via opening is formed by penetrating a copper foil and a Ni layer with a laser, the output of the laser needs to be increased. At this time, it is considered that the dimensional accuracy decreases, such as variations in the size and shape of the via opening, and the copper foil peeling from the insulating layer.

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、接続信頼性の高いフィルドビアを備え、微細な導体パターンを形成できるプリント配線板、該プリント配線板の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a printed wiring board having a filled via with high connection reliability and capable of forming a fine conductor pattern, and the printed wiring board. It is to provide a manufacturing method.

本願発明のプリント配線板の製造方法は、
層間樹脂絶縁層上に金属箔を積層することと;
前記金属箔上に金属層を形成することと;
前記金属層に前記金属箔を露出する開口を設けることと;
前記開口の内部にレーザーを照射して前記金属箔及び前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔を設けることと;
前記金属層上及び前記貫通孔の側壁上に無電解めっき層を形成することと;
前記無電解めっき層上に電解めっき層を形成することと;
前記金属層上に形成されている前記無電解めっき層および電解めっき層を除去し、前記金属層を露出させることと;
前記金属層を除去すること;
前記金属箔上に開口を有するレジストを形成することと;
前記開口から露出する前記金属箔を除去することで、導体パターンを形成することと;
前記レジストを剥離することと;
を有することを技術的特徴とする。
The method for producing the printed wiring board of the present invention is as follows:
Laminating a metal foil on the interlayer resin insulation layer;
Forming a metal layer on the metal foil;
Providing an opening for exposing the metal foil in the metal layer;
Providing a through-hole penetrating the metal foil and the interlayer resin insulating layer by irradiating a laser inside the opening;
Forming an electroless plating layer on the metal layer and on the sidewall of the through hole;
Forming an electrolytic plating layer on the electroless plating layer;
Removing the electroless plating layer and the electrolytic plating layer formed on the metal layer to expose the metal layer;
Removing the metal layer;
Forming a resist having an opening on the metal foil;
Removing the metal foil exposed from the opening to form a conductor pattern;
Stripping the resist;
It has a technical feature.

本願発明のプリント配線板は、
コア基板上の層間樹脂絶縁層と、
前記層間樹脂絶縁層を貫通する無電解めっき層と電解めっき層から構成されるビア導体と、
前記ビア導体と接続し、前記層間樹脂絶縁層上に形成された金属箔から構成される導体パターンと、とを有することを技術的特徴とする。
The printed wiring board of the present invention is
An interlayer resin insulation layer on the core substrate;
A via conductor composed of an electroless plating layer and an electrolytic plating layer penetrating the interlayer resin insulation layer;
And a conductive pattern connected to the via conductor and made of a metal foil formed on the interlayer resin insulation layer.

本願発明のプリント配線板の製造方法では、金属箔上に金属層、無電解めっき層、電解めっき層を形成した後、無電解めっき層、電解めっき層及び金属層を除去し、均一厚みで厚みの薄い金属箔を露出させてからエッチングでパターンを形成するので、厚みが一定の薄い導体パターンとめっき充填ビア導体を同時に形成でき、プリント配線板のファインピッチ化が可能と成る。露光・現像により形成したエッチングレジストを用いて金属層に開口を設け、該開口(メタルマスク)を介してビア開口を形成するので、ビア開口の位置精度が高い。また、金属箔、金属層をレーザーで貫通するのと比較し、金属箔のみをレーザーで貫通するので、レーザーを低出力で照射でき、ビア開口の寸法精度が高まり、ビア導体の接続信頼性が高まる。 In the method for producing a printed wiring board of the present invention, after forming a metal layer, an electroless plating layer, and an electrolytic plating layer on a metal foil, the electroless plating layer, the electrolytic plating layer, and the metal layer are removed, and the thickness is uniform. Since the thin metal foil is exposed and then the pattern is formed by etching, a thin conductor pattern having a constant thickness and a plating-filled via conductor can be formed simultaneously, and a fine pitch of the printed wiring board can be achieved. Since an opening is provided in the metal layer using an etching resist formed by exposure and development and the via opening is formed through the opening (metal mask), the positional accuracy of the via opening is high. Compared with the case where metal foil and metal layer are penetrated by laser, only metal foil is penetrated by laser, so that laser can be irradiated with low power, dimensional accuracy of via opening is increased, and connection reliability of via conductor is improved. Rise.

本発明の実施例に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board based on the Example of this invention. 実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of an Example. 実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of an Example. 実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of an Example. 実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of an Example. 実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of embodiment. 実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of embodiment. 実施形態のプリント配線板で生じる応力を示す模式。The model which shows the stress which arises in the printed wiring board of embodiment. 実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of an Example. 実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of an Example.

[第1実施形態]
本発明の第1実施形態に係るプリント配線板が図5に示されている。
第1実施形態のプリント配線板10は、コア基板30を有する。そのコア基板は第1面Fとその第1面と反対側の第2面Sとを有する絶縁基板20zと絶縁基板の第1面F上に形成されている第1導体層34Fと絶縁基板の第2面上に形成されている第2導体層34Sを有する。コア基板はさらに第1導体層34Fと第2導体層34Sとを接続しているスルーホール導体36を有する。スルーホール導体36は絶縁基板20Zを貫通している貫通孔28に形成されている。貫通孔28の形状やスルーホール導体36の形状は、コア基板30の第1面Fと第2面Sのそれぞれの表面に開口を有するそれぞれの開口部が中心に向かってテーパし、中心部で接続する砂時計形状である。コア基板30の導体層は複数の導体回路やスルーホール導体の周りに形成されているスルーホールランドを含む。コア基板30の第1面と絶縁基板20Zの第1面は同じ面であり、コア基板30の第2面と絶縁基板20Zの第2面は同じ面である。
[First embodiment]
The printed wiring board according to the first embodiment of the present invention is shown in FIG.
The printed wiring board 10 of the first embodiment has a core substrate 30. The core substrate includes an insulating substrate 20z having a first surface F and a second surface S opposite to the first surface, a first conductor layer 34F formed on the first surface F of the insulating substrate, and the insulating substrate. It has the 2nd conductor layer 34S formed on the 2nd surface. The core substrate further includes a through-hole conductor 36 that connects the first conductor layer 34F and the second conductor layer 34S. The through hole conductor 36 is formed in the through hole 28 penetrating the insulating substrate 20Z. The shape of the through hole 28 and the shape of the through hole conductor 36 are such that each opening having an opening on each surface of the first surface F and the second surface S of the core substrate 30 is tapered toward the center. Connected hourglass shape. The conductor layer of the core substrate 30 includes a plurality of conductor circuits and through-hole lands formed around the through-hole conductors. The first surface of the core substrate 30 and the first surface of the insulating substrate 20Z are the same surface, and the second surface of the core substrate 30 and the second surface of the insulating substrate 20Z are the same surface.

コア基板30の第1面Fと第1導体層34F上に層間樹脂絶縁層50Fが形成されている。この層間樹脂絶縁層50F上に導体層(最上の導体層)58Fが形成されている。導体層58Fと第1導体層34Fやスルーホール導体36は、層間樹脂絶縁層50Fを貫通するビア導体60Fで接続されている。層間樹脂絶縁層50F、導体層58Fとビア導体60Fで第1面側のビルドアップ層55Fが形成されている。第1実施形態では、第1面側のビルドアップ層は1層である。なお、第1面側のビルドアップ層は複数層積層できる。 An interlayer resin insulation layer 50F is formed on the first surface F of the core substrate 30 and the first conductor layer 34F. A conductor layer (uppermost conductor layer) 58F is formed on this interlayer resin insulation layer 50F. The conductor layer 58F is connected to the first conductor layer 34F and the through-hole conductor 36 by a via conductor 60F that penetrates the interlayer resin insulation layer 50F. A buildup layer 55F on the first surface side is formed by the interlayer resin insulation layer 50F, the conductor layer 58F, and the via conductor 60F. In the first embodiment, the build-up layer on the first surface side is a single layer. Note that a plurality of build-up layers on the first surface side can be laminated.

コア基板30の第2面Sと第2導体層34S上に層間樹脂絶縁層50Sが形成されている。この層間樹脂絶縁層50S上に導体層58Sが形成されている。導体層58Sと第2導体層34Sやスルーホール導体36は、層間樹脂絶縁層50Sを貫通するビア導体60Sで接続されている。層間樹脂絶縁層50Sと導体層58Sとビア導体60Sで第2面側のビルドアップ層55Sが形成されている。第1実施形態では、第2面側のビルドアップ層は1層である。なお、第2面側のビルドアップ層は複数層積層できる。 An interlayer resin insulation layer 50S is formed on the second surface S of the core substrate 30 and the second conductor layer 34S. Conductive layer (58S) is formed on interlayer resin insulating layer (50S). The conductor layer 58S and the second conductor layer 34S and the through-hole conductor 36 are connected by a via conductor 60S that penetrates the interlayer resin insulating layer 50S. The interlayer resin insulation layer 50S, the conductor layer 58S, and the via conductor 60S form a buildup layer 55S on the second surface side. In the first embodiment, the build-up layer on the second surface side is one layer. Note that a plurality of build-up layers on the second surface side can be laminated.

第1面側のビルドアップ層上に第1面側のソルダーレジスト層70Fが形成され、第2面側のビルドアップ層上に第2面側のソルダーレジスト層70Sが形成されている。ソルダーレジスト層70Fは、導体層やビア導体の上面を露出する開口71Fを有する。ソルダーレジスト層70Sは、導体層やビア導体の上面を露出する開口71Sを有する。第1面側のソルダーレジスト層70Fの開口71FにはICチップ実装用の半田バンプ76Fが形成されている。第2面側のソルダーレジスト層70Sの開口71Sにはマザーボード実装用のBGA半田バンプ76Sが形成されている。 A solder resist layer 70F on the first surface side is formed on the buildup layer on the first surface side, and a solder resist layer 70S on the second surface side is formed on the buildup layer on the second surface side. The solder resist layer 70F has an opening 71F that exposes the upper surface of the conductor layer or the via conductor. The solder resist layer 70S has an opening 71S that exposes the upper surface of the conductor layer or the via conductor. A solder bump 76F for mounting an IC chip is formed in the opening 71F of the solder resist layer 70F on the first surface side. BGA solder bumps 76S for mounting on the mother board are formed in the openings 71S of the solder resist layer 70S on the second surface side.

[実施形態の説明]
図6及び図7を参照して、本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法を説明する。
下面側に導体パターン34を備える層間樹脂絶縁層50上に金属箔48が積層される。金属箔48の厚みは、3μm〜10μmの範囲が好ましい。金属箔48の厚みが、3μm未満では、この金属箔から形成される導体パターンの厚みは3μm未満となるため、インピーダンスの影響を受けやすいので適さないと思われる。金属箔48の厚みが、10μmを越えると、この金属箔から形成される導体パターンの厚みは10μmを越えるため、基板を構成する金属の割合が高くなり、基板全体の反りの抑制ができないので適さないと思われる。金属箔48は、銅箔あるいはCu−W系合金箔が好ましい。低電気抵抗および低熱膨張係数であることが理由である。
[Description of Embodiment]
With reference to FIG.6 and FIG.7, the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on embodiment of this invention is demonstrated.
A metal foil 48 is laminated on an interlayer resin insulation layer 50 having a conductor pattern 34 on the lower surface side. The thickness of the metal foil 48 is preferably in the range of 3 μm to 10 μm. If the thickness of the metal foil 48 is less than 3 μm, the thickness of the conductor pattern formed from this metal foil is less than 3 μm, so that it is not suitable because it is easily affected by impedance. If the thickness of the metal foil 48 exceeds 10 μm, the thickness of the conductor pattern formed from this metal foil exceeds 10 μm, so that the ratio of the metal constituting the substrate is high and the warpage of the entire substrate cannot be suppressed. It seems not. The metal foil 48 is preferably a copper foil or a Cu—W alloy foil. The reason is low electrical resistance and low thermal expansion coefficient.

金属箔48上にスパッタ法により金属層53が形成される。金属層53はめっき法、スパッタ法または蒸着法のいずれかの方法により形成することが望ましい。金属層の厚みは、0.1μm〜5μmの範囲が好ましい。金属層の厚みが0.1μm未満では容易にレーザー貫通してしまうので、メタルマスクとして使用できない。金属層の厚みが5μmを越えると、ビア開口用のメタルマスク開口53aのエッチング時間と、パターン形成時のエッチング除去時間がかかりすぎるので適さない。本発明で、金属層53は、導体パターンに形成される金属箔48とは異なる金属材料を使用することが望ましい。金属層53は、レーザーによるビア開口のメタルマスクとして使用された後、パターン形成時に選択的エッチング液による選択的エッチングにより除去されるからである。金属層53はニッケル、クロム、チタンから成る群から選択される少なくとも1種からなることが望ましい。 A metal layer 53 is formed on the metal foil 48 by sputtering. The metal layer 53 is preferably formed by any one of plating, sputtering, and vapor deposition. The thickness of the metal layer is preferably in the range of 0.1 μm to 5 μm. If the thickness of the metal layer is less than 0.1 μm, the laser penetrates easily and cannot be used as a metal mask. If the thickness of the metal layer exceeds 5 μm, it is not suitable because it takes too much etching time for the metal mask opening 53a for via opening and etching removal time for pattern formation. In the present invention, the metal layer 53 is preferably made of a metal material different from the metal foil 48 formed in the conductor pattern. This is because the metal layer 53 is removed by selective etching with a selective etching solution at the time of pattern formation after being used as a metal mask for via opening by laser. The metal layer 53 is preferably made of at least one selected from the group consisting of nickel, chromium and titanium.

エッチングレジストフィルムが金属層53上に形成され、図示しないマスクを介して露光され、現像され、ビア開口形成位置に開口47aを備えるエッチングレジスト47が形成される(図6(C))。エッチングレジスト47の開口47aを介して、選択エッチングにより金属層53に開口53aが形成される(図6(D))。エッチングレジスト47が剥離される(図6(E))。金属層53の開口53aを介してレーザーが照射され、金属箔48と層間樹脂絶縁層50が貫通され、ビア開口51が金属箔48と層間樹脂絶縁層50に形成される(図6(F))。 An etching resist film is formed on the metal layer 53, exposed through a mask (not shown), developed, and an etching resist 47 having an opening 47a at a via opening forming position is formed (FIG. 6C). An opening 53a is formed in the metal layer 53 by selective etching through the opening 47a of the etching resist 47 (FIG. 6D). The etching resist 47 is peeled off (FIG. 6E). Laser is irradiated through the opening 53a of the metal layer 53, the metal foil 48 and the interlayer resin insulation layer 50 are penetrated, and the via opening 51 is formed in the metal foil 48 and the interlayer resin insulation layer 50 (FIG. 6F). ).

無電解めっきにより、シード層として無電解めっき層52がビア開口51の内壁と金属層53上に形成され、更に、電解めっきにより、ビア開口51の内壁の無電解めっき層52上と金属層53上の無電解めっき層52上に電解めっき層56が形成され、ビア開口51が電解めっき層56で充填される。同時に、金属層53上にも電解めっき層56が形成される(図7(A))。金属層53を前記無電解めっき層および前記電解めっき層とは異なる材料から形成することが望ましい。本発明では、前記無電解めっき層および前記電解めっき層でビア開口を充填した後、選択的エッチング液による選択的エッチングにより、前記無電解めっき層および前記電解めっき層を除去することで、ビア導体が、形成されるからである。無電解めっき膜は金属箔と同一の金属材料が適している。同一材料であると、密着性が高く、抵抗値も低くできる。同様に電解めっき膜は無電解めっき層と同一の金属材料が適している。同一材料であると、密着性が高く、抵抗値も低くできる。金属箔が銅箔の場合は、無電解銅めっき層と電解銅めっき層が適している。 By electroless plating, an electroless plating layer 52 is formed as a seed layer on the inner wall of the via opening 51 and the metal layer 53. Further, by electroplating, the electroless plating layer 52 on the inner wall of the via opening 51 and the metal layer 53 are formed. An electrolytic plating layer 56 is formed on the upper electroless plating layer 52, and the via opening 51 is filled with the electrolytic plating layer 56. At the same time, an electrolytic plating layer 56 is also formed on the metal layer 53 (FIG. 7A). It is desirable to form the metal layer 53 from a material different from the electroless plating layer and the electrolytic plating layer. In the present invention, after filling the via opening with the electroless plating layer and the electroplating layer, the electroless plating layer and the electroplating layer are removed by selective etching with a selective etching solution, thereby providing a via conductor. This is because it is formed. For the electroless plating film, the same metal material as the metal foil is suitable. When the same material is used, the adhesiveness is high and the resistance value can be lowered. Similarly, the same metal material as the electroless plating layer is suitable for the electrolytic plating film. When the same material is used, the adhesiveness is high and the resistance value can be lowered. When the metal foil is a copper foil, an electroless copper plating layer and an electrolytic copper plating layer are suitable.

選択エッチング液により、金属層53上の無電解めっき層52、電解めっき層56が除去される(図7(B))。同時に、ビア導体60の最表面の位置が、金属層53の表面と略同一面上の位置になるか(図7(B))、あるいは、導体34の方向に向かって金属層53の表面より凹む位置になるように、ビア導体最表層の無電解めっき層および電解めっき層56が除去される(図9(A)、図10(A))。選択エッチングにより金属層53が除去され、金属箔48が露出される(図7(C))。所定パターンのエッチングレジスト54が形成される(図7(D))。エッチングレジスト54の非形成部の金属箔48が除去される(図7(E))。エッチングレジスト54が除去され、無電解めっき層52、電解めっき層56から成るビア導体60と、金属箔からなる導体パターン48、58が完成する(図7(F))。ビア導体60を構成する無電解めっき層52が金属箔48と接合することで、ビア導体60と導体パターン48が接続している。 The electroless plating layer 52 and the electrolytic plating layer 56 on the metal layer 53 are removed by the selective etching solution (FIG. 7B). At the same time, the position of the outermost surface of the via conductor 60 is substantially flush with the surface of the metal layer 53 (FIG. 7B), or from the surface of the metal layer 53 toward the conductor 34. The electroless plating layer and the electrolytic plating layer 56 on the outermost layer of the via conductor are removed so as to be recessed (FIGS. 9A and 10A). The metal layer 53 is removed by selective etching, and the metal foil 48 is exposed (FIG. 7C). An etching resist 54 having a predetermined pattern is formed (FIG. 7D). The metal foil 48 where the etching resist 54 is not formed is removed (FIG. 7E). The etching resist 54 is removed, and a via conductor 60 composed of the electroless plating layer 52 and the electrolytic plating layer 56 and conductor patterns 48 and 58 composed of metal foil are completed (FIG. 7F). By connecting the electroless plating layer 52 constituting the via conductor 60 to the metal foil 48, the via conductor 60 and the conductor pattern 48 are connected.

ビア導体60の最表面の位置が金属層53の表面と略同一面上の位置まで無電解めっき層52および電解めっき層56が除去された場合(図7(B))、ビア導体60の最表面の位置は、導体パターン48、58の最表面の位置よりも、剥離された金属層の厚みt1分だけ導体34から金属箔48の方向に突出し、金属箔48の表面とビア導体60の最表面に段差が設けられる(図7(F))。ビア導体60は、導体34に向かってテーパしており最表面に近いほど径が大きくなるので、ビア導体60と導体パターン48、58上に層間樹脂絶縁層150を積層したときに(図8)、アンカー効果により密着性が向上する。さらに、応力が発生したときに、図8中に示すようにビア導体60の最上部外縁部の稜部60Pを起点に亀裂(クラック)Cが発生しやすくなるので、ビア導体60を構成する無電解めっき層52と金属箔48との接続部Fでの断線の発生を抑制できると思われる。 When the electroless plating layer 52 and the electrolytic plating layer 56 are removed until the position of the outermost surface of the via conductor 60 is substantially flush with the surface of the metal layer 53 (FIG. 7B), the outermost surface of the via conductor 60 is removed. The surface position protrudes from the conductor 34 in the direction of the metal foil 48 by the thickness t1 of the peeled metal layer from the position of the outermost surface of the conductor patterns 48 and 58, and the surface of the metal foil 48 and the via conductor 60 are the outermost positions. A step is provided on the surface (FIG. 7F). Since the via conductor 60 is tapered toward the conductor 34 and has a diameter that is closer to the outermost surface, the interlayer resin insulation layer 150 is laminated on the via conductor 60 and the conductor patterns 48 and 58 (FIG. 8). Adhesion is improved by the anchor effect. Further, when stress is generated, cracks (cracks) C are likely to start from the ridge 60P at the outermost edge of the via conductor 60 as shown in FIG. It seems that the occurrence of disconnection at the connecting portion F between the electrolytic plating layer 52 and the metal foil 48 can be suppressed.

図9(A)、(B)では、電解めっき層56および無電解めっき層52が除去されることにより、ビア導体60の最表面の位置が、金属層53の表面より導体34の方向に凹み、金属箔の最表面の位置に一致する。金属層53を選択エッチング液で除去した後、ビア導体60の最表面の位置は、導体パターン48,58の最表面の位置と略同一面上の位置になる。ビア導体60と導体パターン48,58上に層間樹脂絶縁層150を積層したときに、平坦な積層が可能になると思われる。 9A and 9B, the electrolytic plating layer 56 and the electroless plating layer 52 are removed, so that the position of the outermost surface of the via conductor 60 is recessed from the surface of the metal layer 53 toward the conductor 34. It corresponds to the position of the outermost surface of the metal foil. After the metal layer 53 is removed with the selective etching solution, the position of the outermost surface of the via conductor 60 becomes substantially the same position as the positions of the outermost surfaces of the conductor patterns 48 and 58. When the interlayer resin insulation layer 150 is laminated on the via conductor 60 and the conductor patterns 48 and 58, it seems that flat lamination is possible.

図10(A)、(B)では、ビア導体60の最表面の位置は、金属層53の表面より導体34の方向に凹み、且つ、金属箔48、58の表面より導体34から金属箔48の方向に突出する位置にある。金属層53を選択エッチング液で除去した後、ビア導体60の最表面は、導体パターン48,58の最表面よりも、導体34から金属箔48の方向に突出する。突出部の厚みは、剥離された金属層の厚み以下である。
ビア導体60は、導体34に向かってテーパしており最表面に近いほど径が大きくなるので、ビア導体60と導体パターン48,58の上に層間樹脂絶縁層150を積層したときに、アンカー効果により密着性が向上する。さらに、応力が発生したときに、ビア導体60の最上部外縁部の稜部60Pを起点に亀裂が発生しやすくなるので、ビア導体60を構成する無電解めっき層52と金属箔58との接続部Fでの断線の発生を抑制できると思われる(図8参照)。
10A and 10B, the position of the outermost surface of the via conductor 60 is recessed in the direction of the conductor 34 from the surface of the metal layer 53, and from the conductor 34 to the metal foil 48 from the surfaces of the metal foils 48 and 58. It is in a position protruding in the direction of. After removing the metal layer 53 with a selective etching solution, the outermost surface of the via conductor 60 protrudes from the conductor 34 toward the metal foil 48 rather than the outermost surfaces of the conductor patterns 48 and 58. The thickness of the protrusion is not more than the thickness of the peeled metal layer.
Since the via conductor 60 is tapered toward the conductor 34 and becomes closer to the outermost surface, the diameter becomes larger. Therefore, when the interlayer resin insulating layer 150 is laminated on the via conductor 60 and the conductor patterns 48 and 58, the anchor effect is obtained. Improves adhesion. Further, when stress is generated, cracks are likely to occur starting from the ridge 60P at the outermost edge of the via conductor 60, so that the electroless plating layer 52 constituting the via conductor 60 and the metal foil 58 are connected. It seems that the occurrence of disconnection at the part F can be suppressed (see FIG. 8).

実施形態のプリント配線板の製造方法では、金属箔48上に金属層53、無電解めっき層52、電解めっき層56を形成した後、無電解めっき層52、電解めっき層56び金属層53を除去し、均一厚みで厚みの薄い金属箔48を露出させてからエッチングで導体パターン48,58を形成するため、厚みが一定の薄い導体パターン48、58とめっき充填ビア導体60を同時に形成でき、プリント配線板のファインピッチ化が可能と成ると思われる。ビア導体60は、設計厚みより厚く、かつ、ビア導体60の最表面が金属層53表面より高くなるように電解めっき層56で形成される。その後、選択エッチング液による選択エッチングにより、金属層53上の無電解めっき層52および電解めっき層56と、ビア導体60の最表面の無電解銅めっき層および電解銅めっき層が除去されるので、最表面部に凹部が生じないビア導体60が形成される。ビア導体60の直上にビア導体を形成するとき、ビア導体60の最表面が平坦であるので、ビア開口が精度よく形成され、接続信頼性の高いビア接続が可能となると考えられる。 In the printed wiring board manufacturing method of the embodiment, after forming the metal layer 53, the electroless plating layer 52, and the electrolytic plating layer 56 on the metal foil 48, the electroless plating layer 52, the electrolytic plating layer 56, and the metal layer 53 are formed. Since the conductive patterns 48 and 58 are formed by etching after removing the metal foil 48 having a uniform thickness and a thin thickness, the thin conductive patterns 48 and 58 having a constant thickness and the plating filled via conductor 60 can be formed at the same time. It seems that the fine pitch of the printed wiring board can be achieved. The via conductor 60 is formed of the electrolytic plating layer 56 so as to be thicker than the designed thickness and so that the outermost surface of the via conductor 60 is higher than the surface of the metal layer 53. Thereafter, the electroless plating layer 52 and the electrolytic plating layer 56 on the metal layer 53 and the electroless copper plating layer and the electrolytic copper plating layer on the outermost surface of the via conductor 60 are removed by selective etching with a selective etching solution. A via conductor 60 is formed in which no recess is formed on the outermost surface portion. When a via conductor is formed immediately above the via conductor 60, the outermost surface of the via conductor 60 is flat, so that it is considered that a via opening is formed with high accuracy and via connection with high connection reliability is possible.

露光・現像により形成したエッチングレジスト47を用いて金属層53に開口53aを設け、該開口53aを介してレーザーでビア開口51を形成するので、ビア開口51の位置精度が高いと思われる。また、金属箔48、金属層53を同時にレーザーで貫通するのと比較し、金属箔48のみをレーザーで貫通させるので、レーザーを低出力で照射でき、ビア開口51の寸法精度が高まり、ビア導体60の信頼性が高まると思われる。レーザーの出力が大きいと、金属箔48が層間樹脂絶縁層50から剥離し、剥離した金属箔48と層間樹脂絶縁層50の間がめっき充填され、パターン形成後のエッチング処理でもパターン間が導体で接続する不具合が生じると考えられる。 Since the opening 53a is provided in the metal layer 53 using the etching resist 47 formed by exposure / development, and the via opening 51 is formed by the laser through the opening 53a, it is considered that the positional accuracy of the via opening 51 is high. Further, as compared with the case where the metal foil 48 and the metal layer 53 are simultaneously penetrated by the laser, only the metal foil 48 is penetrated by the laser, so that the laser can be irradiated at a low output, and the dimensional accuracy of the via opening 51 is increased. 60 reliability is expected to increase. When the laser output is large, the metal foil 48 is peeled off from the interlayer resin insulation layer 50, and the space between the peeled metal foil 48 and the interlayer resin insulation layer 50 is plated and filled. It is thought that there will be a failure to connect.

[第1実施形態のプリント配線板の製造方法]
第1実施形態のプリント配線板10の製造方法が図1〜図4に示される
(1)第1面Fとその第1面と反対側の第2面Sを有する絶縁基板20zとその両面に積層されている銅箔22、22からなる両面銅張積層板20が準備される(図1(A))。両面銅張積層板として住友ベークライト社製のELC4785TH−Gを用いることができる。絶縁基板の第1面F及び第2面S上に銅箔22,22がそれぞれラミネートされている。
[Method for Manufacturing Printed Wiring Board of First Embodiment]
A method of manufacturing the printed wiring board 10 of the first embodiment is shown in FIGS. 1 to 4. (1) An insulating substrate 20 z having a first surface F and a second surface S opposite to the first surface, and both surfaces thereof A double-sided copper clad laminate 20 composed of laminated copper foils 22 and 22 is prepared (FIG. 1A). ELC4785TH-G manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd. can be used as the double-sided copper-clad laminate. Copper foils 22 and 22 are laminated on the first surface F and the second surface S of the insulating substrate, respectively.

(2)両面銅張積層板が加工され、スルーホール導体36、第1導体層34F、第2導体層34Sを備えるコア基板30が完成する(図1(B))。コア基板の第1面と絶縁基板の第1面は同じ面であり、コア基板の第2面と絶縁基板の第2面は同じ面である。コア基板30はUS7786390に開示されている方法で製造される。 (2) The double-sided copper-clad laminate is processed to complete the core substrate 30 including the through-hole conductor 36, the first conductor layer 34F, and the second conductor layer 34S (FIG. 1B). The first surface of the core substrate and the first surface of the insulating substrate are the same surface, and the second surface of the core substrate and the second surface of the insulating substrate are the same surface. The core substrate 30 is manufactured by the method disclosed in US77786390.

(3)コア基板30の第1面F上及び第2面S上に、無機繊維とシリカなどの無機粒子とエポキシ等の熱硬化性樹脂を含むプリプレグと厚み7μmの銅箔48が順に積層される。その後、加熱プレスでプリプレグから層間樹脂絶縁層50Fと層間樹脂絶縁層50Sが形成され、銅箔48が層間樹脂絶縁層に接着される(図1(C))。ここでは、無機繊維を備える層間樹脂絶縁層が積層されたが、心材を備えない層間樹脂絶縁層を用いることもできる。 (3) On the first surface F and the second surface S of the core substrate 30, a prepreg containing inorganic fibers, inorganic particles such as silica, and a thermosetting resin such as epoxy, and a copper foil 48 having a thickness of 7 μm are sequentially laminated. The Thereafter, the interlayer resin insulation layer 50F and the interlayer resin insulation layer 50S are formed from the prepreg by heating press, and the copper foil 48 is bonded to the interlayer resin insulation layer (FIG. 1C). Here, an interlayer resin insulation layer including inorganic fibers is laminated, but an interlayer resin insulation layer not including a core material can also be used.

(4)次に、銅箔48上にめっき法により2μmのニッケル層53が形成される(図1(D))。エッチングレジストフィルムをニッケル層53上に被覆し、図示しないマスクを介して露光され、現像され、ビア開口形成位置に開口47aを備えるエッチングレジスト47が形成される(図1(E))。 (4) Next, a nickel layer 53 of 2 μm is formed on the copper foil 48 by plating (FIG. 1D). An etching resist film is coated on the nickel layer 53, exposed through a mask (not shown), developed, and an etching resist 47 having an opening 47a at a via opening forming position is formed (FIG. 1E).

(5)エッチングレジスト47の開口47aを介して、選択エッチング液による選択エッチングによりニッケル層53に開口53aが形成される(図2(A))。エッチングレジスト47が剥離される(図2(B))。ニッケル層53の開口53aを介してCO2ガスレーザーが照射され、銅箔48および層間樹脂絶縁層が貫通され、ビア開口51Fが層間樹脂絶縁層50Fに、ビア開口51Sが層間樹脂絶縁層50Sに形成される(図2(C))。 (5) An opening 53a is formed in the nickel layer 53 by selective etching with a selective etching solution through the opening 47a of the etching resist 47 (FIG. 2A). The etching resist 47 is peeled off (FIG. 2B). The CO2 gas laser is irradiated through the opening 53a of the nickel layer 53, the copper foil 48 and the interlayer resin insulation layer are penetrated, the via opening 51F is formed in the interlayer resin insulation layer 50F, and the via opening 51S is formed in the interlayer resin insulation layer 50S. (FIG. 2C).

(6)無電解銅めっきにより、無電解銅めっき層52が形成され、更に、無電解銅めっき層52をシード層として電解銅めっきにより電解銅めっき層56が形成され、ビア開口51F、51Sが電解銅めっき層56で充填される。同時に、ニッケル層53上の無電解銅めっき層上にも電解銅めっき層56が形成される(図2(D))。 (6) An electroless copper plating layer 52 is formed by electroless copper plating. Further, an electrolytic copper plating layer 56 is formed by electrolytic copper plating using the electroless copper plating layer 52 as a seed layer, and via openings 51F and 51S are formed. Filled with an electrolytic copper plating layer 56. At the same time, an electrolytic copper plating layer 56 is also formed on the electroless copper plating layer on the nickel layer 53 (FIG. 2D).

(7)選択エッチングにより、ニッケル層53上の無電解銅めっき層52、電解銅めっき層56が、ビア導体60の最表面の位置がニッケル層53の表面と略同一面になるように除去される(図2(E))。選択エッチングによりニッケル層53が除去され、銅箔48が露出される(図3(A))。この時、ビア導体60の最表面は、導体34から銅箔48の方向に向かって、ニッケル層の厚み分である2μmの厚さが突出する位置にある。所定パターンのエッチングレジスト54が形成される(図3(B))。エッチングレジスト54非形成部の銅箔48が除去される(図3(C))。エッチングレジスト54が除去され、無電解銅めっき層52、電解銅めっき層56から成るビア導体60F、60S、7μmの銅箔からなる導体パターン48,58F、58Sが完成する(図3(D))。第1面側と第2面側のビルドアップ層55F、55Sが形成される。 (7) The electroless copper plating layer 52 and the electrolytic copper plating layer 56 on the nickel layer 53 are removed by selective etching so that the position of the outermost surface of the via conductor 60 is substantially flush with the surface of the nickel layer 53. (FIG. 2E). The nickel layer 53 is removed by selective etching, and the copper foil 48 is exposed (FIG. 3A). At this time, the outermost surface of the via conductor 60 is at a position where a thickness of 2 μm corresponding to the thickness of the nickel layer protrudes from the conductor 34 toward the copper foil 48. An etching resist 54 having a predetermined pattern is formed (FIG. 3B). The copper foil 48 in the portion where the etching resist 54 is not formed is removed (FIG. 3C). Etching resist 54 is removed, and via conductors 60F and 60S made of electroless copper plating layer 52 and electrolytic copper plating layer 56, and conductor patterns 48, 58F and 58S made of 7 μm copper foil are completed (FIG. 3D). . Build-up layers 55F and 55S on the first surface side and the second surface side are formed.

(8)第1面側のビルドアップ層上に開口71Fを有する第1面側のソルダーレジスト層70Fが形成され、第1面側のビルドアップ層上に開口71Sを有する第1面側のソルダーレジスト層70Sが形成される(図4(A))。 (8) The first surface side solder resist layer 70F having the opening 71F on the first surface side buildup layer is formed, and the first surface side solder having the opening 71S on the first surface side buildup layer. A resist layer 70S is formed (FIG. 4A).

(9)ソルダーレジスト層70F、70Sの開口71F、71Sにニッケルめっき層72が形成され、さらにニッケルめっき層72上に金めっき層74が形成される(図4(B))。ニッケル−金層の代わりにニッケル−パラジウム−金層が形成されてもよい。 (9) The nickel plating layer 72 is formed in the openings 71F and 71S of the solder resist layers 70F and 70S, and the gold plating layer 74 is further formed on the nickel plating layer 72 (FIG. 4B). A nickel-palladium-gold layer may be formed instead of the nickel-gold layer.

(10)ソルダーレジスト層70Fの開口71Fに半田ボール76fが、ソルダーレジスト層70Sの開口71Sに半田ボール76sが搭載され(図4(C))、リフローにより、開口71Fに半田バンプ76Fが、開口71SにBGAバンプ76Fが形成される。プリント配線板10が完成する(図5)。 (10) The solder ball 76f is mounted on the opening 71F of the solder resist layer 70F, the solder ball 76s is mounted on the opening 71S of the solder resist layer 70S (FIG. 4C), and the solder bump 76F is opened on the opening 71F by reflow. BGA bumps 76F are formed on 71S. The printed wiring board 10 is completed (FIG. 5).

上述した実施形態では、片面1層の層間樹脂絶縁層から構成されるビルドアップ層が形成されたが、本発明の構成は、片面2層以上の層間樹脂絶縁層から構成されるビルドアップ層に適用可能である。 In the above-described embodiment, the buildup layer composed of one layer of the interlayer resin insulation layer is formed. However, the configuration of the present invention is a buildup layer composed of two or more layers of the interlayer resin insulation layer. Applicable.

30 コア基板
47 エッチングレジスト
47a 開口
48 銅箔
50 層間樹脂絶縁層
51 ビア開口
52 無電解銅めっき層
53 ニッケル層
53a 開口
56 電解銅めっき層
58 導体パターン
60 ビア導体
30 Core substrate 47 Etching resist 47a Opening 48 Copper foil 50 Interlayer resin insulation layer 51 Via opening 52 Electroless copper plating layer 53 Nickel layer 53a Opening 56 Electrolytic copper plating layer 58 Conductor pattern 60 Via conductor

Claims (15)

層間樹脂絶縁層上に金属箔を積層することと;
前記金属箔上に金属層を形成することと;
前記金属層に前記金属箔を露出する開口を設けることと;
前記開口の内部にレーザーを照射して前記金属箔及び前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔を設けることと;
前記金属層上及び前記貫通孔の側壁上に無電解めっき層を形成することと;
前記無電解めっき層上に電解めっき層を形成することと;
前記金属層上に形成されている前記無電解めっき層および電解めっき層を除去し、前記金属層を露出させることと;
前記金属層を除去すること;
前記金属箔上に開口を有するレジストを形成することと;
前記開口から露出する前記金属箔を除去することで、導体パターンを形成することと;
前記レジストを剥離することと;
を有するプリント配線板の製造方法。
Laminating a metal foil on the interlayer resin insulation layer;
Forming a metal layer on the metal foil;
Providing an opening for exposing the metal foil in the metal layer;
Providing a through-hole penetrating the metal foil and the interlayer resin insulating layer by irradiating a laser inside the opening;
Forming an electroless plating layer on the metal layer and on the sidewall of the through hole;
Forming an electrolytic plating layer on the electroless plating layer;
Removing the electroless plating layer and the electrolytic plating layer formed on the metal layer to expose the metal layer;
Removing the metal layer;
Forming a resist having an opening on the metal foil;
Removing the metal foil exposed from the opening to form a conductor pattern;
Stripping the resist;
The manufacturing method of the printed wiring board which has this.
請求項1のプリント配線板の製造方法において:
前記金属層を前記金属箔とは異なる材料から形成する。
In the manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1,
The metal layer is formed from a material different from that of the metal foil.
請求項1又は請求項2のプリント配線板の製造方法において:
前記金属層を前記無電解めっき層および前記電解めっき層とは異なる材料から形成する。
In the manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1 or Claim 2:
The metal layer is formed from a material different from the electroless plating layer and the electrolytic plating layer.
請求項1〜請求項3のいずれか1のプリント配線板の製造方法において:
前記金属層を除去したとき前記金属箔の表面と前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面とは略同一平面上に位置するようにする。
In the manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-3.
When the metal layer is removed, the surface of the metal foil and the surface of the electrolytic plating layer in the through hole are positioned on substantially the same plane.
請求項1〜請求項3のいずれか1のプリント配線板の製造方法において:
前記金属層を除去したとき前記金属箔の表面と前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面とに段差を設けるようにする。
In the manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-3.
When the metal layer is removed, a step is provided between the surface of the metal foil and the surface of the electrolytic plating layer in the through hole.
請求項5のプリント配線板の製造方法において:
前記金属層を除去したとき前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面の位置は、前記金属箔の表面の位置より、上部層間樹脂絶縁層側に突出しているようにする。
In the manufacturing method of the printed wiring board of Claim 5,
When the metal layer is removed, the position of the surface of the electrolytic plating layer in the through hole is protruded to the upper interlayer resin insulation layer side from the position of the surface of the metal foil.
請求項1〜請求項6のいずれか1のプリント配線板の製造方法において:
前記金属箔は銅箔およびCu-W合金箔のいずれか一方から選択される。
In the manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-6:
The metal foil is selected from either a copper foil or a Cu—W alloy foil.
請求項1〜請求項7のいずれか1のプリント配線板の製造方法において、
前記金属層はニッケル、クロム、チタンから成る群から選択される少なくとも1種からなる。
In the manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-7,
The metal layer is made of at least one selected from the group consisting of nickel, chromium and titanium.
請求項1〜請求項8のいずれか1のプリント配線板の製造方法において、
前記金属層はめっき法、スパッタ法または蒸着法により形成される。
In the manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-8,
The metal layer is formed by plating, sputtering, or vapor deposition.
請求項1〜請求項9のいずれか1のプリント配線板の製造方法において、
前記金属層の厚みは、0.1μm〜5μmの範囲である。
In the manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-9,
The metal layer has a thickness in the range of 0.1 μm to 5 μm.
請求項1〜請求項10のいずれか1のプリント配線板の製造方法において、
前記金属箔の厚みは、3μm〜10μmの範囲である。
In the manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-10,
The thickness of the metal foil is in the range of 3 μm to 10 μm.
コア基板上の層間樹脂絶縁層と、
前記層間樹脂絶縁層を貫通する無電解めっき層と電解めっき層から構成されるビア導体と、
前記ビア導体と接続し、前記層間樹脂絶縁層上に形成された金属箔から構成される導体パターンと、
を有するプリント配線板。
An interlayer resin insulation layer on the core substrate;
A via conductor composed of an electroless plating layer and an electrolytic plating layer penetrating the interlayer resin insulation layer;
A conductor pattern connected to the via conductor and composed of a metal foil formed on the interlayer resin insulation layer;
A printed wiring board having:
請求項12のプリント配線板において、
前記ビア導体と前記導体パターンは、前記ビア導体を構成する無電解めっき層と前記導体パターンを構成する前記金属箔が接合していることを特徴とする。
In the printed wiring board of Claim 12,
The via conductor and the conductor pattern are characterized in that the electroless plating layer constituting the via conductor and the metal foil constituting the conductor pattern are joined.
請求項12又は請求項13のプリント配線板において、
前記金属箔の表面と前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面とは略同一平面上に位置することを特徴とする。
In the printed wiring board of Claim 12 or Claim 13,
The surface of the metal foil and the surface of the electrolytic plating layer in the through hole are located on substantially the same plane.
請求項12又は請求項13のプリント配線板において、
前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面の位置は、前記金属箔の表面の位置より、上部層間樹脂絶縁層側に突出していることを特徴とする。
In the printed wiring board of Claim 12 or Claim 13,
The position of the surface of the electrolytic plating layer in the through hole protrudes toward the upper interlayer resin insulation layer from the position of the surface of the metal foil.
JP2012213678A 2012-09-27 2012-09-27 Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board Pending JP2014067946A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012213678A JP2014067946A (en) 2012-09-27 2012-09-27 Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012213678A JP2014067946A (en) 2012-09-27 2012-09-27 Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014067946A true JP2014067946A (en) 2014-04-17

Family

ID=50744028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012213678A Pending JP2014067946A (en) 2012-09-27 2012-09-27 Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014067946A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016134622A (en) * 2015-01-22 2016-07-25 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Embedded board and method of manufacturing embedded board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016134622A (en) * 2015-01-22 2016-07-25 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Embedded board and method of manufacturing embedded board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI482542B (en) Multilayer wiring substrate
JP2010135721A (en) Printed circuit board comprising metal bump and method of manufacturing the same
KR101281410B1 (en) Multilayer Wiring Substrate
JP2015122545A (en) Multilayer wiring board and manufacturing method of the same
JP2003209366A (en) Flexible multilayer wiring board and manufacturing method therefor
JP2010135720A (en) Printed circuit board comprising metal bump and method of manufacturing the same
JP2015170770A (en) Printed wiring board
JP2018032657A (en) Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
JP2012094662A (en) Method of manufacturing multilayer wiring board
WO2013161181A1 (en) Multilayer wiring substrate
JP2008016817A (en) Buried pattern substrate and its manufacturing method
JP2019121626A (en) Method for manufacturing printed-circuit board
JP2008311612A (en) Multilayer printed circuit board, and method of manufacturing the same
JP2015170769A (en) Printed wiring board and manufacturing method of the same
JP2014150091A (en) Wiring board, and method of manufacturing the same
TW201206296A (en) Multilayer wiring substrate and method of manufacturing the same
JP2001189561A (en) Multilayer wiring board and manufacturing method therefor
JP2013062293A (en) Manufacturing method of multilayer wiring board
JP2011216519A (en) Method of manufacturing wiring board
JP4187049B2 (en) Multilayer wiring board and semiconductor device using the same
JP2019067864A (en) Method for manufacturing printed wiring board
JP2002076636A (en) Wiring board and its manufacturing method
JP2014067946A (en) Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board
JP2001308484A (en) Circuit board and manufacturing method therefor
JP5419583B2 (en) Wiring board manufacturing method