JP2015088544A - Method for manufacturing printed wiring board, and printed wiring board - Google Patents
Method for manufacturing printed wiring board, and printed wiring board Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015088544A JP2015088544A JP2013224159A JP2013224159A JP2015088544A JP 2015088544 A JP2015088544 A JP 2015088544A JP 2013224159 A JP2013224159 A JP 2013224159A JP 2013224159 A JP2013224159 A JP 2013224159A JP 2015088544 A JP2015088544 A JP 2015088544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductor
- metal foil
- insulating layer
- printed wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、プリント配線板の製造方法および、プリント配線板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board and a printed wiring board.
特許文献1は、回路基板の製造方法を開示している。そして、特許文献1の図1によれば、特許文献1の製造方法は、両面銅張積層板を準備することと、コンフォーマル・マスク法でビアホールを絶縁基板に形成することと、ビアホールにデスミア処理をすることと、ビアホール内にめっき層を形成することを含んでいる。そして、デスミア処理をすることは、特許文献1の図1(B)示されるように、銅箔に突出部を形成することを含んでいる。コンフォーマル・マスク法は、例えば特許文献2に開示されている。
特許文献1は、銅箔の突出部を有するので、ビアホール内に電解めっきでビア導体が形成される時、特許文献1の図1(C)に示されているように、銅箔の突出部の縁にも電解めっき層が形成される。銅箔の開口を通って、ビアホール内にめっき液は供給されるので、突出部に析出するめっきの析出速度はビアホール内に析出するめっきの析出速度より速いと考えられる。そのため、特許文献1の図1に示されている方法でビアホール内にめっき層が形成されると、ビアホール内がめっきで充填される前に銅箔に形成されている開口がめっきで閉じられると考えられる。その場合、ビアホール内のめっき層にボイドが発生すると推察される。特に、銅箔の突出部とビアホールの内壁で囲まれている隅にボイドが発生すると考えられる。
Since
銅箔の開口が閉じられると、ビアホール内にめっき液が残ると考えられる。プリント配線板の使用時、ビアホール内のめっき液でビア導体の腐食が起こると考えられる。腐食により、ビア導体の断線が発生することがあると推察される。
ビア導体内にボイドが残留すると、ビア導体の断面積が局所的に小さくなる。その部分の電気抵抗が高くなる。ICチップへの電力の供給に遅延が生じると考えられる。ボイドを含むビア導体がインダクタ回路に含まれると、所望のインダクタンスやQ値が得られないと予想される。
It is considered that the plating solution remains in the via hole when the opening of the copper foil is closed. When using a printed wiring board, corrosion of the via conductor may occur due to the plating solution in the via hole. It is speculated that via conductor breakage may occur due to corrosion.
If voids remain in the via conductor, the cross-sectional area of the via conductor is locally reduced. The electrical resistance of the part becomes high. It is considered that there is a delay in supplying power to the IC chip. If a via conductor including a void is included in the inductor circuit, it is expected that a desired inductance and Q value cannot be obtained.
本発明の目的は、ビア導体を介して接続される導体回路間の接続信頼性を確保することである。別の目的は、ビア導体を含む回路の抵抗を小さくすることである。さらなる別の目的はビア導体の径を小さくすることである。 An object of the present invention is to ensure connection reliability between conductor circuits connected through via conductors. Another object is to reduce the resistance of the circuit containing the via conductor. Yet another object is to reduce the diameter of the via conductor.
本発明のプリント配線板の製造方法は、補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる層間樹脂絶縁層を準備することと、前記層間樹脂絶縁層の前記樹脂層上に第1金属箔を積層することと、前記第1金属箔および前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔をレーザで形成することと、前記第1金属箔を前記層間樹脂絶縁層から除去することと、前記層間樹脂絶縁層の前記樹脂層上に導体層を形成することと、前記貫通孔にビア導体を形成することを含む。 The method for producing a printed wiring board of the present invention comprises preparing an interlayer resin insulating layer comprising a reinforcing layer including a reinforcing material and a resin layer formed on the reinforcing layer and not including the reinforcing layer, and the interlayer resin. Laminating a first metal foil on the resin layer of the insulating layer, forming a through-hole penetrating the first metal foil and the interlayer resin insulating layer with a laser, and attaching the first metal foil to the interlayer Removing from the resin insulation layer, forming a conductor layer on the resin layer of the interlayer resin insulation layer, and forming a via conductor in the through hole.
尚、補強材を含む補強層が準備され、その補強層に樹脂層を形成することは、補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる層間樹脂絶縁層を準備することに含まれる。
また、層間樹脂絶縁層とその層間樹脂絶縁層に積層されている金属箔とからなる金属箔付層間樹脂絶縁層が準備され、その後、金属箔と層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔が形成されても良い。
A reinforcing layer including a reinforcing material is prepared, and forming a resin layer on the reinforcing layer includes a reinforcing layer including the reinforcing material and a resin layer that is formed on the reinforcing layer and does not include the reinforcing layer. It is included in preparing an interlayer resin insulation layer.
Also, an interlayer resin insulation layer with a metal foil comprising an interlayer resin insulation layer and a metal foil laminated on the interlayer resin insulation layer is prepared, and then a through-hole penetrating the metal foil and the interlayer resin insulation layer is formed. May be.
本発明のプリント配線板は、補強材を含む補強層と前記補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層とからなる絶縁層と、前記樹脂層上に形成されていて第1シード層と第1シード層上の第1電解めっき層で形成されている第1導体層と、前記補強層上に形成されていて金属箔と第2シード層と第2シード層上の第2電解めっき層で形成されている第2導体層と、前記絶縁層を貫通し、前記第1導体層と前記第2導体層を接続していて、前記第1シード層と前記第1電解めっき層で形成されているビア導体とを有する。 The printed wiring board of the present invention includes a reinforcing layer including a reinforcing material, an insulating layer formed on the reinforcing layer and including a resin layer not including the reinforcing layer, and a first seed formed on the resin layer. And a first conductor layer formed of a first electroplating layer on the first seed layer and a second electrolysis formed on the reinforcing layer and on the metal foil, the second seed layer, and the second seed layer. A second conductor layer formed of a plating layer, penetrating the insulating layer, connecting the first conductor layer and the second conductor layer, the first seed layer and the first electrolytic plating layer being And a via conductor formed.
以下に、本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法およびプリント配線板が詳細に説明される。図5は、実施形態の多層プリント配線板1を模式的に示す断面図であり、図6は、実施形態の多層プリント配線板1の応用例を示している。応用例では、多層プリント配線板1にICチップ等の電子部品70,700が実装されている。
Below, the manufacturing method and printed wiring board of the printed wiring board of one Embodiment of this invention are demonstrated in detail. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the multilayer printed
図5に示される多層プリント配線板1は、第1面Fと第1面と反対側の第2面Sを有する多層コア基板2と、多層コア基板2の第1面F上に形成されている第1ビルドアップ層3Uと、多層コア基板2の第2面S上に形成されている第2ビルドアップ層3Dとを有する。
A multilayer printed
図4は、多層コア基板2を示している。図4に示されているように、多層コア基板2は、積層方向の中央部に両面板10を有する。そして、その両面板10の両面にそれぞれ複数の樹脂絶縁層(絶縁層)30と複数の導体層44が積層されている。図4では、4層の樹脂絶縁層30と4層の導体層44が両面板10の両面に積層されている。
図1と図2は多層コア基板2の両面板10の製造方法を示している。
FIG. 4 shows the
1 and 2 show a method for manufacturing the double-sided
(1)両面板10を製造するために、図1(a)に示される金属箔付絶縁層11が準備される。図1(a)では、金属箔付絶縁層11は両面銅張積層板である。両面銅張積層板11は、補強材を含む補強層12と補強層12上に形成されていて補強層を含まない樹脂層13とからなる樹脂絶縁層(第1絶縁層)14を有する。第1絶縁層(樹脂絶縁層)14は第1面FFと第1面と反対側の第2面SSを有する。
両面銅張積層板11は、さらに、第1絶縁層14の第1面FF上に積層されている第1金属箔16としての銅箔と、第1絶縁層14の第2面SS上に積層されている第2金属箔17としての銅箔を有する。金属箔付絶縁層11は第1絶縁層14の第1面FFと第2面SS上に金属箔を積層することで作られる。
(1) In order to manufacture the double-sided
The double-sided
補強層12は、ガラスクロス等の補強材とエポキシ等の樹脂で形成されている。補強層12は、さらに、シリカ等の無機粒子を含むことが好ましい。
補強層12の厚さは、100μm以下であることが望ましく、さらに、30〜70μmの範囲であることがより望ましい。厚みが100μmを越えると、プリント配線板の厚みが大きくなる。
The reinforcing
The thickness of the reinforcing
樹脂層13は、エポキシ等の樹脂で形成されている。樹脂層13は、繊維等の補強材を含まないが、シリカ等の無機粒子を含むことが好ましい。樹脂層13の厚みは、5μm〜20μmであり、樹脂層13の厚みと補強層12の厚みの比(樹脂層13の厚み/補強層12の厚み)は1/3〜1/10である。
樹脂層13に粗面を形成することができる。そのため、樹脂層13上に後述されるシード層を直接形成することができる。
樹脂層13を補強層12上に形成することで、第1絶縁層14の第1面FF上に微細な導体回路を形成することができる。
第1金属箔16と第2金属箔17の厚さは、1〜5μmである。
The
A rough surface can be formed on the
By forming the
The thickness of the
(2)次に、第1金属箔16に炭酸ガスレーザ等のレーザが直接照射される。第1金属箔16と第1絶縁層14を貫通し、第2金属箔17に至るビア導体用開口18が形成される(図1(b)参照)。
実施形態では、ダイレクトレーザ法が用いられている。
(2) Next, the
In the embodiment, a direct laser method is used.
レーザ加工は、たとえばパルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によって行われる。加工条件が以下に示される。たとえばパルスエネルギーが0.5〜100mJであり、パルス幅が1〜100μsであり、パルス間隔が0.5ms以上であり、ショット数が2〜10の範囲内である。そして、この加工条件のもとで形成されるビア導体用開口18の径は、50〜250μmである。
このとき、第1金属箔16は第1絶縁層14よりレーザで加工され難い。この結果、図1(b)に示されるように、第1金属箔16に形成される開口18の径は第1絶縁層14に形成される開口18の径より小さくなる。第1絶縁層14の開口の外周は第1金属箔16で覆われている。第1金属箔16が第1絶縁層14の開口18上に突出している。第1絶縁層14の開口18上に突出している第1金属箔16はひさしと称される。
Laser processing is performed, for example, by a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus. The processing conditions are shown below. For example, the pulse energy is 0.5 to 100 mJ, the pulse width is 1 to 100 μs, the pulse interval is 0.5 ms or more, and the number of shots is in the range of 2 to 10. The diameter of the via
At this time, the
(3)次に、開口18の側壁および底面に存在する樹脂残滓を除去するためデスミア処理が行われる。この時、開口18の内壁は粗化される。
デスミア処理は、例えば、薬液またはプラズマで行われる。
(3) Next, a desmear process is performed in order to remove the resin residue which exists in the side wall and bottom face of the
The desmear process is performed, for example, with a chemical solution or plasma.
(4)次に、第2金属箔17が保護膜で覆われる。その後、エッチングによって第1金属箔16が除去される(図1(c))。この時、第1金属箔16のマット面が樹脂層13に転写される。樹脂層13に粗面が形成される。また、ビア導体用開口18から露出する第2金属箔17の厚みがエッチングで薄くなる。ビア導体と導体層の接続信頼性を高くするため、第2金属箔17の厚みは第1金属箔16の厚みより厚いことが好ましい。第2金属箔17の厚みと第1金属箔16の厚みとの比(第2金属箔17の厚み/第1金属箔16の厚み)が1.3〜1.5であると、接続信頼性が高い。また、第1絶縁層14の両面に微細な導体回路を形成することができる。
これにより、図1(b)に示されている第1絶縁層14の開口18上に存在する第1金属箔(ひさし)16が消失する。ビア導体用開口18内に電解めっき液が入りやすい。ビア導体用開口18内のめっき液の入れ替わりが起こりやすい。ビア導体用の開口18をめっき膜で充填することが容易になる。
(4) Next, the
As a result, the first metal foil (eave) 16 existing on the
(5)次に、第2金属箔17上の保護膜が除去される。そして、無電解銅めっき処理により、第1絶縁層14の第2面SS上に形成されている銅箔17上と、第1絶縁層14の第1面FF上と、開口18の内壁とに、無電解銅めっき膜などのシード層20が形成される(図1(d))。無電解銅めっき膜20の厚みは、例えば、0.5μm〜2μmである。無電解銅めっき膜20は樹脂層13上に直接形成される。無電解銅めっき膜20は樹脂層13の粗面上に形成される。
第1面FF上のシード層20は第1シード層であり、第2面SS上のシード層20は第2シード層である。
(5) Next, the protective film on the
The
(6)続いて、電解銅めっき処理により、無電解銅めっき膜20上に電解銅めっき膜22が形成される。この時、ビア導体用の開口18にビア導体24が形成される。電解銅めっき膜22の厚みは5μm〜20μmである。前の工程で、ひさしが除去されているので、開口18の底までめっき液が到達しやすい。また、開口18内にフレッシュなめっき液を供給することができる。開口18内でめっき液のよどみが小さくなる。そのため、開口18は電解めっき膜で充填される。
第1面FF上の電解銅めっき膜22は第1電解めっき層であり、第2面SS上の電解銅めっき膜22は第2電解めっき層である。
(6) Subsequently, electrolytic
The electrolytic
(7)次に、電解銅めっき膜22上にエッチングレジスト層26が形成される(図2(a))。
(8)次に、エッチングレジスト層26から露出する導体がエッチングで除去される(図2(b))。この時、第1絶縁層14の第1面FF上に形成されている無電解銅めっき膜20と電解銅めっき膜22が除去される。第1絶縁層14の第2面SS上に形成されている銅箔17と無電解銅めっき膜20と電解銅めっき膜22が除去される。
(7) Next, an etching resist
(8) Next, the conductor exposed from the etching resist
(9)その後、エッチングレジスト層26が除去される。両面板10が完成する(図2(c))。第1絶縁層14の第1面FF上に第1導体層28が形成される。第1絶縁層14の第2面SS上に第2導体層29が形成される。開口18に第1導体層28と第2導体層29を接続するビア導体24が形成される。第1導体層28は複数の導体回路とビア導体24を覆っている導体とビア導体24の周りに形成されているランド27を含む。ランド27はビア導体24の径より大きく、ランド27の径は75μm〜350μmである。第1導体層28は無電解銅めっき膜20と電解銅めっき膜22で形成されている。
(9) Thereafter, the etching resist
第2導体層29は複数の導体回路とビア導体24を覆っている導体とビア導体24の周りに形成されているランド27を含む。ランド27はビア導体24の径より大きく、ランド27の径は75μm〜350μmである。第2導体層29は銅箔17と無電解銅めっき膜20と電解銅めっき膜22で形成されている。
The
第2導体層29は銅箔17等の金属箔を含むが第1導体層28は金属箔を含まない。そのため、第1導体層28の厚みは第2導体層29の厚みより薄い。第1導体層28に微細な導体回路を形成することができる。従って、第1導体層28は主として信号層として機能することが好ましい。第1導体層28が信号線とそれ以外の回路(例えば、電源層)を含む場合、第1絶縁層14の第1面FF上に形成されている導体層の面積の内、信号線と機能する配線の面積が55%以上であると、第1導体層28は主として信号層として機能している。信号線が複数存在する場合、それぞれの信号線の面積を足すことで、信号層の面積は算出される。
The
第2導体層29の厚みは厚いので、第2導体層29の抵抗は低い。従って、第2導体層29は主として電源層またはグランド層として機能することが好ましい。ICチップに電力がスムーズに供給される。第2導体層29が電源層とそれ以外の回路(例えば、信号線)を含む場合、第1絶縁層14の第2面SS上に形成されている導体層の面積の内、電源と機能する配線の面積が55%以上であると、第2導体層29は主として電源層として機能している。電源回路が複数存在する場合、それぞれの電源回路の面積を足すことで、電源層の面積は算出される。同様に、グランド層の面積が55%以上であると、第2導体層29は主としてグランド層として機能している。
Since the
第1導体層28はビア導体24と同時に形成される。第1導体層28はビア導体24から延びている電解銅めっき膜22を含んでいる。開口18はめっきで充填される。そのため、第1絶縁層14の第1面FF上に形成される電解めっき膜22の厚みは第1絶縁層14の第2面SS上に形成される電解めっき膜22の厚みより厚くなりやすい。しかしながら、実施形態では、第1導体層28は金属箔を含まないので、第1導体層28の厚みは薄くなる。例えば、第1導体層28の厚みと第2導体層29の厚みの差は第2導体層29に含まれる金属箔17の厚みより小さくなる。
The
第1導体層28の電解めっき膜22が金属箔上に形成されると、第1絶縁層14上のシード層は金属箔と無電解めっき膜20を含み、開口18内のシード層は無電解めっき膜20で形成される。そのため、第1導体層28用のシード層(第1絶縁層14上のシード層)の抵抗値は、ビア導体24用のシード層(開口18内のシード層)の抵抗値より低い。第1絶縁層14の第1面FF上のシード層と開口18内の無電解めっき膜20は繋がっているので、第1導体層28を形成するための抵抗値は場所により異なりやすい。第1導体層28の厚みのバラツキが大きくなりやすい。
しかしながら、実施形態では、ビア導体24と第1導体層28を形成するためのシード層は無電解めっき膜20である。シード層が金属箔を含んでいない。そのため、第1導体層28を形成する電解めっき膜22の膜厚のバラツキが小さくなる。第2導体層29を形成するためのシード層はビア導体24を形成するためのシード層を含んでいない。そのため、第2導体層29を形成するためのシード層は金属箔17を含んでも良い。第2導体層29を形成するためのシード層が金属箔17を含むので、シード層の抵抗が低くなる。そのため、第2導体層29を形成する電解めっき膜22の厚みのバラツキが小さくなる。
When the
However, in the embodiment, the seed layer for forming the via
実施形態の製造方法および、その方法で製造される両面板10によれば、ビア導体24を形成する電解銅めっき膜(層)22がボイドを含み難い。これにより、ビア導体24を形成する電解銅めっき膜22の断面積が局所的に小さくなり難い。ビア導体24内で局部的に電気抵抗が高くなり難い。そのため、たとえば両面板10の第1導体層28と第2導体層29に含まれる導体回路と第1絶縁層14を貫通するビア導体24でインダクタが形成されても、所望のインダクタンスやQ値を得ることができる。
According to the manufacturing method of the embodiment and the double-
その理由として、以下の理由が考えられる。第1導体層28は金属箔16を含むことなく、第2導体層29は金属箔17を含む。ビア導体24の抵抗が低い。第1導体層28の膜厚と第2導体層29の膜厚のバラツキが小さい。第1導体層28の膜厚と第2導体層29の膜厚の差が金属箔17の厚み未満である。金属箔16,17の厚みは1μm〜5μmである。第1導体層28の厚みと第2導体層29の厚みとの差を小さくするため、第2導体層29に含まれる金属箔17の厚みは3μm以下であることが好ましい。
The following reasons can be considered as the reason. The
次に、図2(c)に示される両面板10の第1面FFと第2面SS上に絶縁層と導体層が交互に積層される。両面板10の第1面FFと第1絶縁層14の第1面FFは同じ面であり、両面板10の第2面SSと第1絶縁層14の第2面SSは同じ面である。多層コア基板2が製造される。実施形態では、両面板10の両面に絶縁層や導体層が積層されるので、両面板10は多層コア基板2の中央コア基板と称される。
多層コア基板2の製造方法が図3(a)〜(e)を参照して説明される。
Next, insulating layers and conductor layers are alternately laminated on the first surface FF and the second surface SS of the double-
A method for manufacturing the
(10)中央コア基板10の第1面FF上に市販のプリプレグと銅箔などの金属箔34が積層される。中央コア基板10の第2面上に市販のプリプレグと銅箔などの金属箔34が積層される。銅箔はプリプレグ上に積層される。その後、加熱プレスにより、両面板10の両面に絶縁層32,32が形成される。絶縁層32,32上に金属箔34,34が積層されている。金属箔34,34として、銅箔が好ましい。(図3(a))。
絶縁層32は、ガラスクロス等の補強材とエポキシ等の樹脂で形成されている。絶縁層32によりプリント配線板の強度と薄さが確保される。絶縁層32の厚さは、100μm以下であることが望ましく、さらに、30〜70μmの範囲であることがより望ましい。プリント配線板の強度が確保され、薄いプリント配線板が得られる。
(10) A commercially available prepreg and a
The insulating
絶縁層32に積層されている銅箔34の厚みは、1〜5μmである。絶縁層32に積層されている銅箔34の厚みは、中央コア基板10の金属箔(第2導体層に含まれる金属箔)17の厚みより薄いことが望ましい。
後述されるめっき工程で絶縁層上に形成される電解めっき膜40の厚みが薄くなる。電解めっき膜40の厚みのバラツキが小さくなる。その理由は、ビア導体用の開口36内のシード層の抵抗値と絶縁層32上のシード層の抵抗値の差が小さくなるからと考えられる。
The thickness of the
The thickness of the
(11)次いで、レーザが金属箔34に照射される。金属箔34と絶縁層32を貫通し中央コア基板10の導体層28,29に至るビア導体用の開口36が形成される(図3(b))。
金属箔34は絶縁層32の開口上にひさしを有する。ヒートサイクル等で多層コア基板2が反ると、外に位置する絶縁層32の変形量は中央に位置する絶縁層14の変形量より大きいと考えられる。金属箔34のひさしは後述されるビア導体(絶縁層32に形成されているビア導体)42に突き刺さる。そのため、ヒートサイクルでビア導体42が絶縁層32や中央コア基板2の導体層28,29から剥がれない。
(11) Next, the
The
両面板10上の絶縁層32や導体層44は、例えば、以下の方法で形成される。
絶縁層32は、第1絶縁層14と同様に、補強層と補強層上に形成されていて補強層を含まない樹脂層で形成されても良い。絶縁層32が第1絶縁層14と同様な絶縁層で形成される場合、中央コア基板10の両面に補強層と補強層上の樹脂層とで形成されている絶縁層32と金属箔34が積層される。金属箔34は絶縁層32の樹脂層上に積層されている。金属箔34にレーザが照射され、金属箔34と絶縁層32を貫通するビア導体用の開口36が絶縁層32に形成される。金属箔34はひさしを有する。その後、金属箔34は絶縁層32の樹脂層から除去される。この時、金属箔34のマット面が樹脂層に転写される。樹脂層の表面に粗面が形成される。
The insulating
Similarly to the first insulating
絶縁層32上の導体層44が両面板10の第1導体層28と同様な方法で形成されると、絶縁層32上の導体層44の厚みのバラツキが小さくなる。絶縁層32に形成されるビア導体42の抵抗が小さくなる。絶縁層32上の導体層44に含まれる導体回路や絶縁層32に形成されているビア導体42が多層コア基板2内のインダクタに含まれると、インダクタンスの値やQ値が大きくなる。
中央コア基板2に金属箔付絶縁層が積層されても良い。この場合、予め、絶縁層に金属箔が貼りつけられている。
If the
An insulating layer with metal foil may be laminated on the
(12)その後、開口36の側壁および底の樹脂残滓を除去するためのデスミアが行われる。そして、開口36の内壁と絶縁層32上に無電解銅めっき層などのシード層38が形成される(図3(c))。図3(c)では、シード層38は金属箔34上に形成されているが、絶縁層32が樹脂層を有する場合、シード層38は樹脂層上に直接形成される。
(12) Thereafter, desmearing for removing the resin residue on the side wall and bottom of the
(13)続いて、シード層38上に電解銅めっき層40が形成される。開口36は電解銅めっき層40で充填されている(図3(d))。開口36を充填しているビア導体42はフィルドビアと称される。
(14)次に、電解銅めっき層40およびビア導体42上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出する電解銅めっき層40および無電解銅めっき層38と銅箔34がエッチングにより除去される。
絶縁層32が樹脂層を有する場合、樹脂層上に金属箔が存在していないので、エッチングでシード層38とシード層38上の電解めっき層40が除去される。
(13) Subsequently, an electrolytic
(14) Next, an etching resist is formed on the electrolytic
When the insulating
(15)エッチングレジストが除去される。絶縁層32上に金属箔34と金属箔34上のシード層38とシード層38上の電解めっき層40で形成される導体層44が形成される。導体層44は複数の導体回路やビア導体42のランドを含む。また、絶縁層32を貫通し、中央コア基板2の導体層28,29と絶縁層32上の導体層44を接続するビア導体42が形成される(図3(e))。
絶縁層32が樹脂層を有する場合、導体層44は、絶縁層32上のシード層と38シード層38上の電解めっき層40で形成される。
(15) The etching resist is removed. On the insulating
When the insulating
実施形態の製造方法ではさらに、上記(10)〜(15)の工程が繰り返される。多層コア基板2が完成する(図4)。図4に示されている多層コア基板2では、中央コア基板10の両面に4層の絶縁層30と4層の導体層44が交互に清掃されている。
中央コア基板10の第2導体層29が、銅箔17を含む。そのため、中央コア基板10の強度が高くなる。高い強度を有する中央コア基板10が多層コア基板2の中央(断面方向の中央)に位置する。従って、多層コア基板2の反りが小さくなる。多層プリント配線板1の反りが小さくなる。
In the manufacturing method of the embodiment, the steps (10) to (15) are further repeated. The
The
実施形態の製造方法では次に、多層コア基板2の両面に、絶縁層50と導体層52とビア導体54を有するビルドアップ層3U,3Dが形成される(図5)。最外層のビルドアップ層3U,3D上にソルダーレジスト層60が積層される。ソルダーレジスト層60の開口62から露出する導体層52が半田パッド56として機能する。半田パッド56上に半田バンプ64が形成される。多層プリント配線板1が完成する。ビルドアップ層3U,3Dとソルダーレジスト層60と半田バンプ64は、周知の方法で形成される。ビルドアップ層やビルドアップ層の製造方法は、例えば特開2005−347391号公報に開示されている。特開2005−347391号公報の図8に符号30で示されている部分がビルドアップ層である。
Next, in the manufacturing method of the embodiment, build-up
図6は、多層プリント配線板1の応用例を示している。多層プリント配線板1上に半田バンプ64を介してICチップ70とメモリ700が実装されている。ソルダーレジスト層60とICチップ70の間およびソルダーレジスト層60とメモリ700の間にアンダーフィル66が充填されている。多層プリント配線板1は、多層コア基板2内に高いインダクタスや高いQ値を有するインダクタが形成されている。そのため、電子部品に電力がスムーズに供給される。そのため、多層プリント配線板1上にICチップ70とメモリ700を搭載することができる(図6)。
FIG. 6 shows an application example of the multilayer printed
1 多層プリント配線板
2 多層コア基板
3U,3D ビルドアップ層
10 中央コア基板(両面板)
11 金属箔付絶縁層(両面銅張積層板)
12 補強層
13 樹脂層
14 第1絶縁層
16 第1金属箔(銅箔)
17 第2金属箔(銅箔)
18 開口
20 無電解銅めっき膜(シード層)
22 電解銅めっき膜
24 ビア導体
26 エッチングレジスト
27 ランド
28 第1導体層
29 第2導体層
32 樹脂絶縁層(絶縁層)
34 金属箔(銅箔)
36 開口
38 無電解めっき膜(シード層)
40 電解めっき膜
42 ビア導体
44 導体層
50 絶縁層
52 導体層
54 ビア導体
60 ソルダーレジスト層
62 開口
64 半田パンプ
66 アンダーフィル
70 ICチップ
700 メモリ
F,FF 第1面
S,SS 第2面
1 multilayer printed
11 Insulating layer with metal foil (double-sided copper-clad laminate)
12 Reinforcing
17 Second metal foil (copper foil)
18
22 Electrolytic
34 Metal foil (copper foil)
36
40
Claims (5)
前記絶縁層の前記樹脂層上に第1金属箔を積層することと、
前記第1金属箔および前記絶縁層を貫通する貫通孔をレーザで形成することと、
前記第1金属箔を前記絶縁層から除去することと、
前記絶縁層の前記樹脂層上に導体層を形成することと、
前記貫通孔にビア導体を形成することと、
を含むプリント配線板の製造方法。 Preparing an insulating layer comprising a reinforcing layer including a reinforcing material and a resin layer formed on the reinforcing layer and not including the reinforcing layer;
Laminating a first metal foil on the resin layer of the insulating layer;
Forming a through-hole penetrating the first metal foil and the insulating layer with a laser;
Removing the first metal foil from the insulating layer;
Forming a conductor layer on the resin layer of the insulating layer;
Forming a via conductor in the through hole;
A method of manufacturing a printed wiring board including:
前記絶縁層を準備することは、前記補強層上に前記樹脂層を形成することを含む。 It is a manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1,
Preparing the insulating layer includes forming the resin layer on the reinforcing layer.
前記樹脂層上に形成されていて第1シード層と第1シード層上の第1電解めっき層で形成されている第1導体層と、
前記補強層上に形成されていて金属箔と第2シード層と第2シード層上の第2電解めっき層で形成されている第2導体層と、
前記絶縁層を貫通し、前記第1導体層と前記第2導体層を接続していて、前記第1シード層と前記第1電解めっき層で形成されているビア導体とからなるプリント配線板。 An insulating layer comprising a reinforcing layer including a reinforcing material and a resin layer formed on the reinforcing layer and not including the reinforcing layer;
A first conductor layer formed on the resin layer and formed of a first seed layer and a first electrolytic plating layer on the first seed layer;
A second conductor layer formed on the reinforcing layer and formed of a metal foil, a second seed layer, and a second electrolytic plating layer on the second seed layer;
A printed wiring board, which penetrates the insulating layer, connects the first conductor layer and the second conductor layer, and includes a via conductor formed of the first seed layer and the first electrolytic plating layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013224159A JP2015088544A (en) | 2013-10-29 | 2013-10-29 | Method for manufacturing printed wiring board, and printed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013224159A JP2015088544A (en) | 2013-10-29 | 2013-10-29 | Method for manufacturing printed wiring board, and printed wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015088544A true JP2015088544A (en) | 2015-05-07 |
Family
ID=53051042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013224159A Pending JP2015088544A (en) | 2013-10-29 | 2013-10-29 | Method for manufacturing printed wiring board, and printed wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015088544A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7516242B2 (en) | 2020-12-25 | 2024-07-16 | 新光電気工業株式会社 | Semiconductor device and its manufacturing method |
-
2013
- 2013-10-29 JP JP2013224159A patent/JP2015088544A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7516242B2 (en) | 2020-12-25 | 2024-07-16 | 新光電気工業株式会社 | Semiconductor device and its manufacturing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9332657B2 (en) | Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board | |
US8541695B2 (en) | Wiring board and method for manufacturing the same | |
US20070074902A1 (en) | Printed-wiring board, multilayer printed-wiring board and manufacturing process therefor | |
US9307643B2 (en) | Substrate with built-in electronic component and method for manufacturing substrate with built-in electronic component | |
JPWO2008053833A1 (en) | Multilayer printed wiring board | |
JP2015122545A (en) | Multilayer wiring board and manufacturing method of the same | |
JP2003031952A (en) | Core substrate and multilayer circuit board using the same | |
JP2015185564A (en) | Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board | |
JP2010135720A (en) | Printed circuit board comprising metal bump and method of manufacturing the same | |
JP2015170770A (en) | Printed wiring board | |
JP6189592B2 (en) | Component-embedded printed circuit board and manufacturing method thereof | |
KR20170118780A (en) | Printed wiring board and method for manufacturing same | |
TWI500366B (en) | Multilayer printed wiring board and manufacturing method thereof | |
JP2015170769A (en) | Printed wiring board and manufacturing method of the same | |
JP2010034197A (en) | Buildup board | |
TWI487451B (en) | Manufacturing method of multilayer printed wiring board | |
TW201444440A (en) | Printed circuit board and fabricating method thereof | |
JP2015198094A (en) | Interposer, semiconductor device, and method of manufacturing them | |
JP2010123829A (en) | Printed wiring board and manufacturing method thereof | |
JP6076431B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor package substrate | |
JP4964322B2 (en) | Heat dissipation board and method for manufacturing the same | |
JP2015060981A (en) | Printed wiring board | |
JP2012160559A (en) | Method for manufacturing wiring board | |
JP2017084914A (en) | Printed wiring board and method of manufacturing the same | |
JP2013080823A (en) | Printed wiring board and manufacturing method of the same |