JP2013222816A - Connection structure manufacturing method, connection method, and connection structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数の接続端子が配列された電子部品同士が接着剤を介して接続された接続構造体の製造方法、複数の接続端子が配列された電子部品同士を接続する接続方法、及びこの接続方法を用いて製造された接続構造体に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a connection structure in which electronic components in which a plurality of connection terminals are arranged are connected via an adhesive, a connection method for connecting electronic components in which a plurality of connection terminals are arranged, and this The present invention relates to a connection structure manufactured using a connection method.
従来、ガラス基板やガラスエポキシ基板等のリジッド基板とフレキシブル基板とを接続する際や、フレキシブル基板同士を接続する際に、バインダー樹脂に導電性粒子が分散されてなる異方性導電接着剤が用いられている。フレキシブル基板の接続端子とリジッド基板の接続端子とを接続する場合を例に説明すると、両基板の接続端子が形成された領域の間に異方性導電接着剤を配置して熱加圧する。すると、バインダー樹脂は流動性を示し、フレキシブル基板の接続端子とリジッド基板の接続端子との間から流出するとともに、異方性導電接着剤中の導電性粒子は、両接続端子間に挟持されて押し潰される。 Conventionally, when connecting a rigid substrate such as a glass substrate or a glass epoxy substrate and a flexible substrate, or connecting flexible substrates, an anisotropic conductive adhesive in which conductive particles are dispersed in a binder resin is used. It has been. The case where the connection terminal of the flexible substrate and the connection terminal of the rigid substrate are connected will be described as an example. An anisotropic conductive adhesive is disposed between the regions where the connection terminals of both the substrates are formed, and heat-pressed. Then, the binder resin exhibits fluidity and flows out from between the connection terminal of the flexible substrate and the connection terminal of the rigid substrate, and the conductive particles in the anisotropic conductive adhesive are sandwiched between the connection terminals. It is crushed.
その結果、フレキシブル基板の接続端子とリジッド基板の接続端子とは、導電性粒子を介して電気的に接続され、この状態でバインダー樹脂が硬化する。両接続端子の間にない導電性粒子は、バインダー樹脂に分散されており、電気的に絶縁した状態を維持している。これにより、フレキシブル基板の接続端子とリジッド基板の接続端子との間のみで電気的導通が図られることになる。 As a result, the connection terminal of the flexible substrate and the connection terminal of the rigid substrate are electrically connected via the conductive particles, and the binder resin is cured in this state. The conductive particles that are not between the two connection terminals are dispersed in the binder resin and maintain an electrically insulated state. Thereby, electrical conduction is achieved only between the connection terminal of the flexible substrate and the connection terminal of the rigid substrate.
ところで、異方性導電接着剤を介してフレキシブル基板をリジッド基板に熱加圧する際には、加熱押圧ヘッドの熱加圧面とフレキシブル基板との間に緩衝材を介在させることが行われている。緩衝材を介在させることにより、フレキシブル基板やリジッド基板の各接続端子領域における高さのバラツキによる圧力不均衡を解消し、また、フレキシブル基板に形成された回路を熱衝撃から保護することができる。 By the way, when heat-pressing a flexible substrate to a rigid substrate via an anisotropic conductive adhesive, a buffer material is interposed between the heat-pressing surface of the heat-pressing head and the flexible substrate. By interposing the buffer material, it is possible to eliminate the pressure imbalance due to the height variation in each connection terminal region of the flexible substrate and the rigid substrate, and to protect the circuit formed on the flexible substrate from thermal shock.
しかし、図10に示すように、緩衝材50を介在して加熱押圧することにより、フレキシブル基板51は、接続端子52が設けられていない端子間領域53が押圧方向に撓み、加熱押圧ヘッドの圧力が当該端子間領域53に逃げてしまう。その結果、加熱押圧ヘッドからの押圧力が充分に接続端子52に加わらず、圧力不足による接続不良が生じうる。
However, as shown in FIG. 10, when the
また、圧力不足を解消すべく、押圧力を高めると、フレキシブル基板51は、さらに撓みが大きくなり、リジッド基板54への接続終了後に、図11に示すように、残留応力によって接続端子52がリジッド基板54の電極端子55から離間する方向に反動(スプリングバック)が生じる。これにより、接続端子52と電極端子55との抵抗値の上昇や導通不良を招くおそれがある。
Further, when the pressing force is increased to eliminate the pressure shortage, the
そこで、本発明は、可撓性を有する基板を熱加圧した場合の圧力不足を解消すると共に、基板の歪みを抑制し、スプリングバックによる導通不良を防止することができる接続構造体の製造方法、接続方法及び接続構造体を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention eliminates the pressure shortage when a flexible substrate is hot-pressed, suppresses the distortion of the substrate, and prevents a conduction failure due to springback. An object of the present invention is to provide a connection method and a connection structure.
上述した課題を解決するために、本発明に係る接続構造体の製造方法は、一面に複数の接続端子が並列して形成され可撓性を有する基板を、上記接続端子と接続される複数の電極端子が並列して形成された接続対象物上に、接着剤を介して上記接続端子が対向するように配置し、上記基板を、上記接続端子が形成された一面と反対側の他面側から、緩衝材を介して押圧するとともに上記接着剤を硬化させることにより、上記基板が接続された接続構造体を製造する製造方法において、上記基板は、上記他面の上記接続端子と重畳する位置に、第1のダミー端子が形成されているものである。 In order to solve the above-described problems, a manufacturing method of a connection structure according to the present invention includes a plurality of connection terminals formed in parallel on one surface, and a flexible substrate connected to the connection terminals. An electrode terminal is placed on a connection object formed in parallel so that the connection terminal is opposed to each other through an adhesive, and the substrate is placed on the other surface side opposite to the one surface on which the connection terminal is formed. In the manufacturing method for manufacturing the connection structure to which the substrate is connected by pressing the cushioning material and curing the adhesive, the substrate overlaps the connection terminal on the other surface. In addition, a first dummy terminal is formed.
また、本発明に係る接続方法は、一面に複数の接続端子が並列して形成され可撓性を有する基板を、上記接続端子と接続される複数の電極端子が並列して形成された接続対象物上に、接着剤を介して上記接続端子が対向するように配置し、上記基板を、上記接続端子が形成された一面と反対側の他面側から、緩衝材を介して押圧するとともに上記接着剤を硬化させることにより、上記基板を接続する接続方法において、上記基板は、上記他面の上記接続端子と重畳する位置に、第1のダミー端子が形成されているものである。 Further, the connection method according to the present invention is a connection object in which a plurality of connection terminals are formed in parallel on one surface and a flexible substrate is formed, and a plurality of electrode terminals connected to the connection terminals are formed in parallel. On the object, the connection terminals are arranged so as to face each other through an adhesive, and the substrate is pressed from the other surface side opposite to the one surface on which the connection terminals are formed via a cushioning material. In the connection method for connecting the substrates by curing the adhesive, the substrate has a first dummy terminal formed at a position overlapping the connection terminals on the other surface.
また、本発明に係る接続構造体は、上記接続方法によって基板が接続されたものである。 In addition, the connection structure according to the present invention has the substrate connected by the connection method.
本発明によれば、基板他面の接続端子と重畳する位置に第1のダミー端子が形成されているため、緩衝材が接続端子間の領域への入り込むことで基板が大きく撓み、加熱押圧ヘッドからの圧力が当該端子間領域へ逃げてしまい、接続端子への押圧力不足が生じることを防止する。したがって、基板は、適正な圧力で接続端子が押圧され、接続信頼性を向上させることができる。また、基板は、端子間領域に圧力が集中することによって大きく撓むことがないため、残留応力によって接続端子が電極端子から離間する方向に生じる反動を抑制することができる。これにより、接続構造体は、接続端子と電極端子との抵抗値の上昇や導通不良を防止することができる。 According to the present invention, since the first dummy terminal is formed at a position overlapping with the connection terminal on the other surface of the substrate, the buffer material is greatly bent by entering the region between the connection terminals, and the heating press head Is prevented from escaping to the inter-terminal region and insufficient pressing force to the connection terminals. Therefore, the connection terminal of the substrate is pressed with an appropriate pressure, and the connection reliability can be improved. In addition, since the substrate does not bend greatly due to pressure concentration in the inter-terminal region, it is possible to suppress the reaction that occurs in the direction in which the connection terminal separates from the electrode terminal due to residual stress. Thereby, the connection structure can prevent a rise in resistance value and a conduction failure between the connection terminal and the electrode terminal.
以下、本発明が適用された接続構造体の製造方法、接続方法及び接続構造体について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。 Hereinafter, a manufacturing method of a connection structure, a connection method, and a connection structure to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Further, the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may be different from the actual one. Specific dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
[プリント配線板]
本発明が適用された接続構造体は、フレキシブル基板とリジット基板とが異方性導電接続された接続構造体、あるいはフレキシブル基板同士が異方性導電接続された接続構造体であり、例えば、テレビやPC、携帯電話、ゲーム機、オーディオ機器、タブレット端末あるいは車載用モニタ等のあらゆる電子機器に内蔵されているプリント配線板に用いることができる。このようなプリント配線板においては、ファインピッチ化、軽量薄型化等の観点から、各種回路が形成されたフレキシブル基板を直接プリント配線板上に実装するいわゆるFOB(film on board)が採用されている。
[Printed wiring board]
The connection structure to which the present invention is applied is a connection structure in which a flexible substrate and a rigid substrate are connected in an anisotropic conductive manner, or a connection structure in which flexible substrates are connected in an anisotropic conductive manner. It can be used for printed wiring boards incorporated in all electronic devices such as PCs, mobile phones, game machines, audio devices, tablet terminals, and in-vehicle monitors. In such a printed wiring board, a so-called FOB (film on board) in which a flexible substrate on which various circuits are formed is directly mounted on the printed wiring board is adopted from the viewpoints of fine pitch, light weight and thinning. .
プリント配線板1は、図1に示すように、各種配線パターンが形成されると共に、ICチップ等の各種部品が実装され、さらにフレキシブル基板2が異方性導電フィルム(ACF:anisotropic conductive film)3を介して接続されることにより接続構造体を構成する。
As shown in FIG. 1, the printed
プリント配線板1は、フレキシブル基板2が接続されるFOB実装部5には、フレキシブル基板2に設けられた接続端子7と接続される複数の電極端子6が形成されている。電極端子6は、図2に示すように、例えば略矩形状に形成され、長手方向に直交する方向に亘って複数配列して形成されている。
In the printed
このFOB実装部5は、導電性の接着剤として異方性導電フィルム3を用いてフレキシブル基板2が接続される。異方性導電フィルム3は、後述するように、バインダー樹脂に導電性粒子を含有しており、フレキシブル基板2の接続端子7とプリント配線板1に形成された電極端子6とを、導電性粒子を介して電気的に接続させる。
The
[フレキシブル基板]
プリント配線板1のFOB実装部5に接続されるフレキシブル基板2は、ポリイミド等の可撓性を有する基板9の一面9a上に、図2に示すように、電極端子6と接続される接続端子7が複数配列して形成されている。接続端子7は、例えば銅箔等がパターニングされるとともに、適宜、表面にニッケル金メッキ等のメッキコート処理が施されることにより形成され、電極端子6と同様に、例えば略矩形状に形成され、長手方向に直交する方向に亘って複数配列して形成されている。
[Flexible substrate]
The
[第1のダミー端子]
また、フレキシブル基板2は、基板9の他面9b上の接続端子7と重畳する位置に、第1のダミー端子10が形成されている。第1のダミー端子10は、接続端子7の裏側に形成されることで、緩衝材20の隣り合う接続端子7間の領域8への入り込みを抑制するものである。これにより、図3に示すように、第1のダミー端子10は、緩衝材20が接続端子7間の領域8への入り込むことでフレキシブル基板2が大きく撓み、加熱押圧ヘッドからの圧力が当該端子間領域8へ逃げてしまい、接続端子7への押圧力不足が生じることを防止する。したがって、フレキシブル基板2は、適正な圧力で接続端子7が押圧され、接続信頼性を向上させることができる。
[First dummy terminal]
The
また、フレキシブル基板2は、端子間領域8に圧力が集中することによって大きく撓むことがないため、残留応力によって接続端子7が電極端子6から離間する方向に生じる反動(スプリングバック)を抑制することができる。これにより、プリント配線板1は、接続端子7と電極端子6との抵抗値の上昇や導通不良を防止することができる。
Further, since the
第1のダミー端子10は、例えば銅箔等のエッチングや、導電性ペーストや絶縁性ペーストの印刷等、公知のパターン形成手法により形成することができる。また、第1のダミー端子10は、接続端子7と同様に、例えば略矩形状に形成され、長手方向に直交する方向に亘って複数配列して形成されている。
The
第1のダミー端子10は、複数並列して設けられている接続端子7のそれぞれに重畳する位置に並列して設けられることが好ましい。これにより、フレキシブル基板2は、全ての端子間領域8における緩衝材の入り込みを抑制することができ、接続端子7への圧力不足やスプリングバックによる電極端子6との導通不良を確実に防止することができる。
It is preferable that the
また、第1のダミー端子10は、接続端子7の幅以下の幅で形成されることが好ましい。第1のダミー端子10が、接続端子7の幅よりも広い幅で形成されると、図4に示すように、第1のダミー端子10は、フレキシブル基板2が押圧されることにより接続端子7の両側から端子間領域8へはみ出した外縁部が湾曲される、いわゆるドーミングが生じる。
The
第1のダミー端子10は銅箔をパターニングすること等により形成されているため、湾曲に対する反発力が大きい。そのため、第1のダミー端子10は、フレキシブル基板2の接続後に第1のダミー端子10の残留応力によって、接続端子7が電極端子6から離間する方向にスプリングバックが生じるおそれがある。したがって、第1のダミー端子10は、接続端子7の幅以下の幅で形成されることが好ましい。
Since the
また、第1のダミー端子10の幅W1は、接続端子7の幅W2の45%以上の幅で形成されることが好ましい。第1のダミー端子10の幅W1が、接続端子7の幅W2の45%未満しかないと、緩衝材20の端子間領域8への入り込みを抑制することができず、端子間領域8が押圧方向に撓み、加熱押圧ヘッドの圧力が当該端子間領域8に逃げてしまう。その結果、加熱押圧ヘッドからの押圧力が充分に接続端子7や電極端子6に加わらず、圧力不足による接続不良が生じうる。
Further, the width W 1 of the
[第2のダミー端子]
また、フレキシブル基板2は、図5に示すように、他面9bに、端子間領域8と重畳する位置に、第1のダミー端子10と略直交する第2のダミー端子11を形成してもよい。第2のダミー端子11は、端子間領域8と重畳する位置に形成されることで、第1のダミー端子10とともに緩衝材20の端子間領域8への入り込みを抑制するものである。第2のダミー端子11を設けることにより、フレキシブル基板2は、端子間領域8における剛性が高まり、緩衝材20の接続端子7間の領域8への入り込みをより抑制することができる。
[Second dummy terminal]
In addition, as shown in FIG. 5, the
第2のダミー端子11は、第1のダミー端子10と同様に、例えば銅箔等のエッチングや、導電性ペーストや絶縁性ペーストの印刷等、公知のパターン形成手法により形成することができる。また、第2のダミー端子11は、例えばライン状に形成され、長手方向に直交する方向に亘って一定間隔で複数配列して形成され、これにより第1のダミー端子10とともに格子状パターンを形成する。
Similar to the
第2のダミー端子11は、隣り合う第1のダミー端子10,10間に亘って設けられる本数や、幅を調整することにより、端子間領域8の面積の10%〜50%の面積となるように形成されることが好ましい。ここで、端子間領域8とは、図6に示すように、フレキシブル基板2における、隣り合う接続端子7,7間の領域をいう。第2のダミー端子11の端子間領域8における占有面積が10%未満では、端子間領域8における剛性の向上が不十分となる。また、第2のダミー端子11の端子間領域8における占有面積が50%より大きいと、接続端子7と重畳する位置に第1のダミー端子10を設けた効果が低減する。
The
すなわち、フレキシブル基板2は、接続端子7と重畳する位置に第1のダミー端子10を設けることで端子間領域8への緩衝材20の入り込みを防止するものであるが、端子間領域8にも第2のダミー端子11を設け、その専有面積が増大すると、接続端子7と重畳する位置と端子間領域8との高低差が生じる面積が減少し、加熱押圧ヘッドの圧力を第1のダミー端子10に集中させ、もって接続端子7への押圧力不足が生じることを防止するとの効果が薄れてしまう。このため、第2のダミー端子11の端子間領域8における占有面積は、端子間領域8の面積の50%以下とすることが好ましい。
That is, the
また、第2のダミー端子11は、図7に示すように、フレキシブル基板2の第1のダミー端子10が設けられていない基板側縁部まで形成するようにしてもよい。図8(a)に示すように、フレキシブル基板2は、第2のダミー端子11が基板側縁部2aまで形成されていない場合、第2のダミー端子11との境界で基板側縁部2aの剛性が下がる。そのため、フレキシブル基板2は、緩衝材20を介して加熱押圧ヘッドによって押圧されると、基板側縁部2aがプリント配線板1側へ変形し、接続端子7が支点となって基板内側に設けられている接続端子7がプリント配線板1と離間する方向へ浮くことにより、接続信頼性を損なうおそれもある。
Further, as shown in FIG. 7, the
一方、図8(b)に示すように、第2のダミー端子11を基板側縁部2aまで形成することにより、当該基板側縁部2aまで剛性を維持することができる。したがって、フレキシブル基板2は、緩衝材20を介して加熱押圧ヘッドによって押圧されても基板側縁部2aがプリント配線板1側へ撓まず、接続端子7の浮きを防止することにより、接続信頼性を向上させることができる。
On the other hand, as shown in FIG. 8B, the rigidity can be maintained up to the
[第1のダミー端子/第2のダミー端子の製造方法]
これら第1のダミー端子10及び第2のダミー端子11は、上述したように、銅箔等のエッチングや導電性ペーストや絶縁性ペーストの印刷等、公知のパターン形成手法により形成することができる。このとき、第1のダミー端子10及び第2のダミー端子11は、同一の形成手法、及び同一の工程によって形成することにより、効率よく形成することができる。
[Method of manufacturing first dummy terminal / second dummy terminal]
As described above, the
また、第1のダミー端子10及び第2のダミー端子11は、フレキシブル基板2の基板9の他面9bに他の配線パターンを設ける場合には、当該他の配線パターンの形成工程において同時に形成することで、効率よく形成することができる。
The
[異方性導電フィルム]
異方性導電フィルム3は、熱硬化型あるいは紫外線硬化型の接着剤であり、加熱押圧ヘッド(図示せず)により熱加圧されることにより流動化して導電性粒子が電極端子6とフレキシブル基板2の接続端子7との間で押し潰され、加熱あるいは紫外線照射により、導電性粒子が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム3は、プリント配線板1とフレキシブル基板2とを電気的、機械的に接続する。
[Anisotropic conductive film]
The anisotropic
異方性導電フィルム3は、例えば図9に示すように、膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー樹脂15(接着剤)に導電性粒子16が分散されてなり、この熱硬化性接着材組成物がベースフィルム17上に塗布されることによりフィルム状に成型されたものである。
For example, as shown in FIG. 9, the anisotropic
ベースフィルム17は、例えば、PET(Poly Ethylene Terephthalate)、OPP(Oriented Polypropylene)、PMP(Poly-4-methlpentene-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなる。
The
バインダー樹脂15に含有される膜形成樹脂としては、平均分子量が10000〜80000程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。
The film forming resin contained in the
熱硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、市販のエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。 It does not specifically limit as a thermosetting resin, For example, a commercially available epoxy resin, an acrylic resin, etc. are mentioned.
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、2種以上の組み合わせであってもよい。 The epoxy resin is not particularly limited. For example, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin. Naphthol type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, triphenylmethane type epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じてアクリル化合物、液状アクリレート等を適宜選択することができる。例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等を挙げることができる。なお、アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 There is no restriction | limiting in particular as an acrylic resin, According to the objective, an acrylic compound, liquid acrylate, etc. can be selected suitably. For example, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, epoxy acrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, dimethylol tricyclodecane diacrylate, tetramethylene glycol tetraacrylate, 2-hydroxy- 1,3-diacryloxypropane, 2,2-bis [4- (acryloxymethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (acryloxyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclo Examples include decanyl acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, urethane acrylate, and epoxy acrylate. In addition, what made acrylate the methacrylate can also be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
潜在性硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、加熱硬化型、UV硬化型等の各種硬化剤が挙げられる。潜在性硬化剤は、通常では反応せず、熱、光、加圧等の用途に応じて選択される各種のトリガにより活性化し、反応を開始する。熱活性型潜在性硬化剤の活性化方法には、加熱による解離反応などで活性種(カチオンやアニオン、ラジカル)を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤を高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる溶出・硬化方法等が存在する。熱活性型潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン塩、ジシアンジアミド等や、これらの変性物があり、これらは単独でも、2種以上の混合体であってもよい。中でも、マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤が好適である。 The latent curing agent is not particularly limited, and examples thereof include various curing agents such as a heat curing type and a UV curing type. The latent curing agent does not normally react, but is activated by various triggers selected according to applications such as heat, light, and pressure, and starts the reaction. The activation method of the thermal activation type latent curing agent includes a method of generating active species (cation, anion, radical) by a dissociation reaction by heating, etc., and it is stably dispersed in the epoxy resin near room temperature, and epoxy at high temperature There are a method of initiating a curing reaction by dissolving and dissolving with a resin, a method of initiating a curing reaction by eluting a molecular sieve encapsulated type curing agent at a high temperature, and an elution / curing method using microcapsules. Thermally active latent curing agents include imidazole, hydrazide, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amine imides, polyamine salts, dicyandiamide, etc., and modified products thereof. The above mixture may be sufficient. Among these, a microcapsule type imidazole-based latent curing agent is preferable.
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。 Although it does not specifically limit as a silane coupling agent, For example, an epoxy type, an amino type, a mercapto sulfide type, a ureido type etc. can be mentioned. By adding the silane coupling agent, the adhesion at the interface between the organic material and the inorganic material is improved.
導電性粒子16としては、異方性導電フィルム3において使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。導電性粒子16としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン(AS)樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。
Examples of the
なお、異方性導電フィルム3は、取り扱いの容易さ、保存安定性等の見地から、ベースフィルム17が積層された面とは反対の面側にカバーフィルムを設ける構成としてもよい。また、異方性導電フィルム3の形状は、特に限定されないが、例えば、図9に示すように、巻取リール18に巻回可能な長尺テープ形状とし、所定の長さだけカットして使用することができる。
In addition, the anisotropic
また、上述の実施の形態では、接着剤として、バインダー樹脂15に適宜導電性粒子16を含有した熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形した接着フィルムを例に説明したが、本発明に係る接着剤は、これに限定されず、例えばバインダー樹脂15のみからなる絶縁性接着剤層と導電性粒子16を含有したバインダー樹脂15からなる導電性粒子含有層とを積層した構成とすることができる。また、接着剤は、このようなフィルム成形されてなる導電性接着フィルムに限定されず、バインダー樹脂組成物に導電性粒子16が分散された導電性接着ペーストとしてもよい。さらに、接着剤は、バインダー樹脂15に導電性粒子16が含有されていない絶縁性接着フィルム、あるいは絶縁性接着ペーストであってもよい。本発明に係る接着剤は、上述したいずれの形態をも包含するものである。
Moreover, although the above-mentioned embodiment demonstrated as an example the adhesive film which shape | molded the thermosetting resin composition which contained the
[接続構造体の製造方法/接続方法]
次いで、プリント配線板1にフレキシブル基板2を接続する工程について説明する。フレキシブル基板2は、基板9の一面9aに接続端子7が形成され、他面9bに第1のダミー端子10、又は第1,第2のダミー端子10,11が形成される。また、プリント配線板1には、FOG実装部5に異方性導電フィルム3が仮貼りされる。異方性導電フィルム3の仮貼りは、バインダー樹脂15が形成された面をFOG実装部5に配置し、ベースフィルム17の上から加熱押圧ヘッドによって加圧することにより、あるいはバインダー樹脂15が流動性を示すが熱硬化を開始しない温度で、低圧、短時間で熱加圧することによって行う。
[Manufacturing method / connecting method of connection structure]
Next, the process of connecting the
次いで、異方性導電フィルム3が仮貼りされたFOB実装部5上にフレキシブル基板2が載置される。このとき、フレキシブル基板2は、接続端子7が所定の電極端子6上に載置されるようにアライメント調整が行われる。そして、フレキシブル基板2の他面9b上から、バインダー樹脂15の硬化温度に加温された加熱押圧ヘッドによって、所定の圧力及び所定の時間だけ、熱加圧される。
Next, the
このとき、加熱押圧ヘッドとフレキシブル基板2との間には緩衝材20が介在される。緩衝材20は、シート状の弾性材からなり、例えばシリコンラバーが用いられる。そして、フレキシブル基板2は、第1のダミー端子10が形成されているため、緩衝材20を介して熱加圧された場合にも、緩衝材20の隣り合う接続端子7間の領域8への入り込みを抑制することができる。これにより、図3に示すように、フレキシブル基板2は、緩衝材20が接続端子7間の領域8への入り込むことで端子間領域8が下方に大きく撓み、加熱押圧ヘッドからの圧力が当該端子間領域8へ逃げてしまい、接続端子7への押圧力不足が生じることを防止する。したがって、フレキシブル基板2は、適正な圧力で接続端子7が押圧され、接続信頼性を向上させることができる。
At this time, the
異方性導電フィルム3は、バインダー樹脂15が、流動化して電極端子6と接続端子7との間から流出するとともに、導電性粒子16が電極端子6と接続端子7とに挟持され、この状態で硬化する。これにより、プリント配線板1とフレキシブル基板2とが電気的、機械的に接続された接続構造体が製造される。
In the anisotropic
また、プリント配線板1とフレキシブル基板2との接続構造体は、フレキシブル基板2が、端子間領域8への圧力集中によって大きく撓むことがないため、残留応力によって接続端子7が電極端子6から離間する方向に生じる反動(スプリングバック)を抑制することができる。したがって、この接続構造体は、接続端子7と電極端子6との抵抗値の上昇や導通不良を防止することができる。
Further, in the connection structure of the printed
また、フレキシブル基板2の他面9bに第1、第2のダミー端子10,11を形成した場合には、接続構造体は、端子間領域8における剛性が高まり、緩衝材20の接続端子7間の領域8への入り込みをより抑制することができ、接続端子7への圧力不足やスプリングバックをより確実に防止することができる。
When the first and
なお、上記では接続構造体としてプリント配線板1にフレキシブル基板2を接続した場合を例に説明したが、本発明は、FOB実装に限られず、例えば一対のフレキシブル基板同士が接続された接続構造体に適用することができる。このとき、一対のフレキシブル基板は、少なくとも一方の基板の他面に第1のダミー端子10や第2のダミー端子11を形成するが、両基板に第1のダミー端子10や第2のダミー端子11を形成することが好ましい。
In the above description, the case where the
また、第1のダミー端子10及び第2のダミー端子11は、基板9の他面9bに一様に形成されていることが好ましい。すなわち、第1のダミー端子10は、等間隔で形成されている接続端子7に応じて等間隔に形成され、これら第1のダミー端子10と略直交する複数の第2のダミー端子11も等間隔で形成されることが好ましい。これにより、全接続端子7に亘って圧力が均等に加わり、所定の圧力を過不足なくかけることができる。
The
次いで、本発明の実施例について説明する。本実施例では、基板他面に第1のダミー端子10を形成したフレキシブル基板、基板他面に第1、第2のダミー端子10,11を形成したフレキシブル基板、及び基板他面に第1のダミー端子10及び第2のダミー端子11が形成されていない従来のフレキシブル基板を用意し、各フレキシブル基板を異方性導電フィルムを介してプリント配線板の電極端子上に配置し、緩衝材を介してフレキシブル基板を加熱押圧することにより接続構造体サンプルを形成した。
Next, examples of the present invention will be described. In the present embodiment, the flexible substrate having the
そして、各接続構造体サンプルについて、フレキシブル基板の一面に形成された接続端子とプリント配線板に形成された電極端子との導通抵抗を測定し、信頼性を評価した。また、各接続構造体サンプルについて、フレキシブル基板のスプリングバックが発生したか否かを観察した。 And about each connection structure sample, the conduction resistance of the connection terminal formed in one surface of the flexible substrate and the electrode terminal formed in the printed wiring board was measured, and reliability was evaluated. Further, for each connection structure sample, it was observed whether or not the flexible substrate springback occurred.
フレキシブル基板の接続に用いた異方性導電フィルムは、ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社製ACF(CP801AM−35AC)である。このACFは、バインダー樹脂中に、粒子径10μmの金/ニッケルメッキ樹脂粒子が含有されている。 The anisotropic conductive film used to connect the flexible substrate is ACF (CP801AM-35AC) manufactured by Sony Chemical & Information Device Corporation. This ACF contains gold / nickel plating resin particles having a particle diameter of 10 μm in a binder resin.
実施例及び比較例に用いたフレキシブル基板は、厚さ50μmのポリイミド基板の一面に、接続端子として、Ni/Auめっきが施された厚さ18μmのCu配線が、600μmピッチ(L/S=1/1)で形成されている。 In the flexible substrate used in the examples and comparative examples, a Cu wiring with a thickness of 18 μm on which Ni / Au plating is applied as a connection terminal on one surface of a polyimide substrate with a thickness of 50 μm has a pitch of 600 μm (L / S = 1). / 1).
実施例及び比較例に用いたプリント配線板は、厚さ1mmでFR−4グレードのガラスエポキシ基材であり、電極端子として、Ni/Auめっきが施された厚さ35μmのCu配線が、600μmピッチ(L/S=1/1)で形成されている。 The printed wiring board used in the examples and comparative examples is a FR-4 grade glass epoxy substrate with a thickness of 1 mm, and a 35 μm thick Cu wiring with Ni / Au plating as the electrode terminal is 600 μm. It is formed with a pitch (L / S = 1/1).
フレキシブル基板の圧着条件は、190℃、5MPa、20秒である。また、加熱押圧ヘッドとのフレキシブル基板との間に設ける緩衝材として、厚さ350μmのシリコンラバーを用いた。 The pressure bonding conditions of the flexible substrate are 190 ° C., 5 MPa, and 20 seconds. In addition, a silicon rubber having a thickness of 350 μm was used as a buffer material provided between the heating and pressing head and the flexible substrate.
実施例1では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子のみ形成した。実施例1に係る第1のダミー端子は、幅135μmであり、接続端子幅(300μm)に対する第1のダミー端子幅の割合は、45%である。 In Example 1, only the first dummy terminal was formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to the first embodiment has a width of 135 μm, and the ratio of the first dummy terminal width to the connection terminal width (300 μm) is 45%.
実施例2では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子のみ形成した。実施例2に係る第1のダミー端子は、幅165μmであり、接続端子幅(300μm)に対する第1のダミー端子幅の割合は、55%である。 In Example 2, only the first dummy terminal was formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to the second embodiment has a width of 165 μm, and the ratio of the first dummy terminal width to the connection terminal width (300 μm) is 55%.
実施例3では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子のみ形成した。実施例3に係る第1のダミー端子は、幅270μmであり、接続端子幅(300μm)に対する第1のダミー端子幅の割合は、90%である。 In Example 3, only the first dummy terminal was formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to the third embodiment has a width of 270 μm, and the ratio of the first dummy terminal width to the connection terminal width (300 μm) is 90%.
実施例4では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子及び第2のダミー端子を形成した。実施例4に係る第1のダミー端子は、実施例1と同一であり、第2のダミー端子は、幅90μmのラインを10本形成し、端子間領域の面積に対する第2のダミー端子が占有する面積割合は30%である。また、実施例4では、第2のダミー端子を基板側縁部まで形成した。 In Example 4, the first dummy terminal and the second dummy terminal were formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to the fourth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the second dummy terminal is formed with ten lines having a width of 90 μm, and the second dummy terminal occupies the area of the inter-terminal region. The area ratio is 30%. In Example 4, the second dummy terminals were formed up to the substrate side edge.
実施例5では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子及び第2のダミー端子を形成した。実施例5に係る第1のダミー端子は、実施例2と同一であり、第2のダミー端子は、幅30μmのラインを10本形成し、端子間領域の面積に対する第2のダミー端子が占有する面積割合は10%である。また、実施例5では、第2のダミー端子を基板側縁部まで形成した。 In Example 5, the first dummy terminal and the second dummy terminal were formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to the fifth embodiment is the same as that of the second embodiment, and the second dummy terminal is formed with 10 lines having a width of 30 μm, and the second dummy terminal occupies the area of the inter-terminal region. The area ratio is 10%. In Example 5, the second dummy terminal was formed up to the substrate side edge.
実施例6では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子及び第2のダミー端子を形成した。実施例6に係る第1のダミー端子は、実施例2と同一であり、第2のダミー端子として、幅90μmのラインを10本形成し、端子間領域の面積に対する第2のダミー端子が占有する面積割合を30%である。また、実施例6では、第2のダミー端子を基板側縁部まで形成した。 In Example 6, the first dummy terminal and the second dummy terminal were formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to the sixth embodiment is the same as that of the second embodiment. As the second dummy terminal, ten lines having a width of 90 μm are formed, and the second dummy terminal occupies the area of the inter-terminal region. The area ratio is 30%. In Example 6, the second dummy terminal was formed up to the substrate side edge.
実施例7では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子及び第2のダミー端子を形成した。実施例7に係る第1のダミー端子は、実施例2と同一であり、第2のダミー端子として、幅150μmのラインを10本形成し、端子間領域の面積に対する第2のダミー端子が占有する面積割合を50%である。また、実施例7では、第2のダミー端子を基板側縁部まで形成した。 In Example 7, the first dummy terminal and the second dummy terminal were formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to the seventh embodiment is the same as that of the second embodiment. As the second dummy terminal, ten lines having a width of 150 μm are formed, and the second dummy terminal occupies the area of the inter-terminal region. The area ratio is 50%. Further, in Example 7, the second dummy terminal was formed up to the substrate side edge.
実施例8では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子及び第2のダミー端子を形成した。実施例8に係る第1のダミー端子は、幅195μmであり、接続端子幅(300μm)に対する第1のダミー端子幅の割合は、65%である。また、第2のダミー端子は、実施例4と同一の条件とした。 In Example 8, the first dummy terminal and the second dummy terminal were formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to Example 8 has a width of 195 μm, and the ratio of the first dummy terminal width to the connection terminal width (300 μm) is 65%. In addition, the second dummy terminal has the same conditions as in Example 4.
実施例9では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子及び第2のダミー端子を形成した。実施例9では、第2のダミー端子をフレキシブル基板の基板側縁部までは形成しないこと以外は、第1、第2のダミー端子とも、実施例6と同一の条件とした。 In Example 9, the first dummy terminal and the second dummy terminal were formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. In Example 9, the first and second dummy terminals were set to the same conditions as in Example 6 except that the second dummy terminal was not formed up to the substrate side edge of the flexible substrate.
比較例1は、フレキシブル基板の他面に第1、第2のダミー端子を設けない従来のフレキシブル基板を用いた。 In Comparative Example 1, a conventional flexible substrate in which the first and second dummy terminals are not provided on the other surface of the flexible substrate was used.
比較例2では、基板の他面に全面に亘って銅箔を設けた。すなわち、比較例2に係る第1のダミー端子は、幅300μmであり、接続端子幅(300μm)に対する第1のダミー端子幅の割合は、100%である。また、比較例2に係る第2のダミー端子は、端子間領域の面積に対する第2のダミー端子が占有する面積割合は100%である。また、実施例4では、銅箔は基板側縁部までは形成していない。 In Comparative Example 2, a copper foil was provided over the entire other surface of the substrate. That is, the first dummy terminal according to Comparative Example 2 has a width of 300 μm, and the ratio of the first dummy terminal width to the connection terminal width (300 μm) is 100%. In the second dummy terminal according to Comparative Example 2, the area ratio occupied by the second dummy terminal with respect to the area of the inter-terminal region is 100%. Moreover, in Example 4, the copper foil is not formed up to the substrate side edge.
比較例3では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第2のダミー端子のみ形成した。第2のダミー端子は、幅90μmのラインを10本形成し、端子間領域の面積に対する第2のダミー端子が占有する面積割合は30%である。また、比較例3では、第2のダミー端子は基板側縁部までは形成していない。 In Comparative Example 3, only the second dummy terminal was formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The second dummy terminal has 10 lines with a width of 90 μm, and the area ratio occupied by the second dummy terminal with respect to the area of the inter-terminal region is 30%. In Comparative Example 3, the second dummy terminal is not formed up to the substrate side edge.
比較例4では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子のみ形成した。比較例4に係る第1のダミー端子は、幅120μmであり、接続端子幅(300μm)に対する第1のダミー端子幅の割合は、40%である。 In Comparative Example 4, only the first dummy terminal was formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to Comparative Example 4 has a width of 120 μm, and the ratio of the first dummy terminal width to the connection terminal width (300 μm) is 40%.
比較例5では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子のみ形成した。比較例5に係る第1のダミー端子は、幅360μmであり、接続端子幅(300μm)に対する第1のダミー端子幅の割合は、120%である。 In Comparative Example 5, only the first dummy terminal was formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to Comparative Example 5 has a width of 360 μm, and the ratio of the first dummy terminal width to the connection terminal width (300 μm) is 120%.
比較例6では、基板の他面に設けた銅箔をエッチングすることにより、第1のダミー端子及び第2のダミー端子を形成した。比較例6に係る第1のダミー端子は、実施例2と同一であり、第2のダミー端子は、幅210μmのラインを10本形成し、端子間領域の面積に対する第2のダミー端子が占有する面積割合は70%である。また、比較例6では、第2のダミー端子を基板側縁部まで形成した。 In Comparative Example 6, the first dummy terminal and the second dummy terminal were formed by etching the copper foil provided on the other surface of the substrate. The first dummy terminal according to the comparative example 6 is the same as that of the second embodiment, and the second dummy terminal is formed with 10 lines having a width of 210 μm, and the second dummy terminal occupies the area of the inter-terminal region. The area ratio is 70%. In Comparative Example 6, the second dummy terminal was formed up to the substrate side edge.
これら各実施例及び比較例に係る接続構造体サンプルについて、電極端子と接続端子との導通抵抗を、接続初期とTCT後に測定し、抵抗の上昇値が0.7Ω未満を◎、0.7Ω以上1.0Ω未満を○、1.0Ω以上を×とした。TCTの条件は、−40℃30分⇔100℃30分、100サイクルである。また、各実施例及び比較例に係る接続構造体サンプルについて、スプリングバックの有無を、光学顕微鏡により確認した。結果を表1に示す。 For the connection structure samples according to each of the examples and comparative examples, the conduction resistance between the electrode terminal and the connection terminal was measured at the initial stage of connection and after TCT, and the resistance increase value was less than 0.7Ω. A value less than 1.0Ω was indicated as ◯, and a value equal to or greater than 1.0Ω was indicated as ×. The TCT conditions are −40 ° C. for 30 minutes to 100 ° C. for 30 minutes and 100 cycles. Moreover, about the connection structure sample which concerns on each Example and a comparative example, the presence or absence of the springback was confirmed with the optical microscope. The results are shown in Table 1.
表1に示すように、第1のダミー端子を形成した実施例1〜3では、スプリングバックが確認されたものの、導通抵抗の上昇は0.7Ω以上1.0Ω未満であった。一方、第1、第2のダミー端子を設けていない比較例1や、第1のダミー端子の幅W1が接続端子幅W2の45%未満である比較例4では、スプリングバックが確認されるとともに、TCT後に導通抵抗が1.0Ω以上上昇した。また、第1のダミー端子を設けず、第2のダミー端子のみを設けた比較例3や、第1のダミー端子の幅W1が接続端子幅W2の120%である比較例5ではスプリングバックは確認されなかったものの、TCT後に導通抵抗が1.0Ω以上上昇した。 As shown in Table 1, in Examples 1 to 3 in which the first dummy terminals were formed, although the springback was confirmed, the increase in conduction resistance was 0.7Ω or more and less than 1.0Ω. On the other hand, in Comparative Example 1 in which the first and second dummy terminals are not provided, and in Comparative Example 4 in which the width W 1 of the first dummy terminal is less than 45% of the connection terminal width W 2 , spring back is confirmed. In addition, the conduction resistance increased by 1.0Ω or more after TCT. Further, in Comparative Example 3 in which only the second dummy terminal is provided without providing the first dummy terminal, and in Comparative Example 5 in which the width W 1 of the first dummy terminal is 120% of the connection terminal width W 2 , the spring is used. Although no back was confirmed, the conduction resistance increased by 1.0Ω or more after TCT.
これは、第1のダミー端子を設けていない、あるいは狭小な第1のダミー端子を設けている端子間領域8での緩衝材の入り込みによる圧力不足や、接続端子の両側からはみ出して湾曲した第1のダミー端子によるスプリングバックに起因しているものと考えられる。
This is because the first dummy terminal is not provided or the pressure is not enough due to the entry of the buffer material in the
これにより、第1のダミー端子を設けることにより、緩衝材の端子間領域への入り込みが抑制され、接続端子へ充分に圧力を加えることができ、かつフレキシブル基板のスプリングバックを抑制して接続信頼性を向上できることがわかる。また、第1のダミー端子の幅は、接続端子の幅の45%以上で、接続端子幅以下の幅であることが好ましいことがわかる。 As a result, by providing the first dummy terminal, the entry of the cushioning material into the inter-terminal region can be suppressed, sufficient pressure can be applied to the connection terminal, and the spring back of the flexible substrate can be suppressed to ensure reliable connection. It can be seen that the performance can be improved. Further, it can be seen that the width of the first dummy terminal is preferably 45% or more of the width of the connection terminal and not more than the connection terminal width.
第1のダミー端子に加え、第2のダミー端子を設けた実施例4〜9においては、スプリングバックも確認されなかった。このうち、第1のダミー端子の幅W1が接続端子幅W2の55%、第2のダミー端子を端子間領域8面積に対する占有割合が30%で基板側縁部まで形成した実施例6では、TCT後に導通抵抗の上昇が0.7Ω未満と良好であった。
In Examples 4 to 9 in which the second dummy terminal was provided in addition to the first dummy terminal, no springback was confirmed. Of these, the first dummy terminal width W 1 is 55% of the connection terminal width W 2 , and the second dummy terminal occupies 30% of the
一方、基板の他面全面に亘って銅箔を設けた比較例2や、第2のダミー端子の面積の端子間領域面積に対する占有割合を70%とした比較例6では、TCT後に導通抵抗が1.0Ω以上上昇した。これは、第2のダミー端子の面積割合が高くなり過ぎて、第1のダミー端子を設けることによる端子間領域への圧力集中の防止が図られず、また、湾曲した銅箔の反発力によってスプリングバックが大きく働いてしまったことによる。 On the other hand, in Comparative Example 2 in which the copper foil is provided over the entire other surface of the substrate and Comparative Example 6 in which the occupation ratio of the area of the second dummy terminal to the inter-terminal region area is 70%, the conduction resistance is increased after TCT. Increased by more than 1.0Ω. This is because the area ratio of the second dummy terminal becomes too high, and it is not possible to prevent pressure concentration in the inter-terminal region by providing the first dummy terminal, and also due to the repulsive force of the curved copper foil This is because the springback has worked greatly.
これにより、第2のダミー端子の面積の端子間領域面積に対する占有割合は、10〜50%とすることが好ましいことが分かる。 Thereby, it can be seen that the occupation ratio of the area of the second dummy terminal to the area between the terminals is preferably 10 to 50%.
1 プリント配線板、2 フレキシブル基板、2a 基板側縁部、3 異方性導電フィルム、5 FOB実装部、6 電極端子、7 接続端子、8 端子間領域、9 基板、9a 一面、9b 他面、10 第1のダミー端子、11 第2のダミー端子、15 バインダー樹脂、16 導電性粒子、20 緩衝材
DESCRIPTION OF
Claims (10)
上記基板を、上記接続端子が形成された一面と反対側の他面側から、緩衝材を介して押圧するとともに上記接着剤を硬化させることにより、上記基板が接続された接続構造体を製造する製造方法において、
上記基板は、上記他面の上記接続端子と重畳する位置に、第1のダミー端子が形成されている接続構造体の製造方法。 A flexible substrate in which a plurality of connection terminals are formed in parallel on one surface is connected to the connection object formed in parallel with a plurality of electrode terminals connected to the connection terminals via an adhesive. Arrange so that the connection terminals face each other,
A connection structure to which the substrate is connected is manufactured by pressing the substrate from the other surface side opposite to the surface on which the connection terminal is formed via a cushioning material and curing the adhesive. In the manufacturing method,
The method for manufacturing a connection structure in which the substrate has a first dummy terminal formed at a position overlapping the connection terminal on the other surface.
上記基板を、上記接続端子が形成された一面と反対側の他面側から、緩衝材を介して押圧するとともに上記接着剤を硬化させることにより、上記基板を接続する接続方法において、
上記基板は、上記他面の上記接続端子と重畳する位置に、第1のダミー端子が形成されている接続方法。 A flexible substrate in which a plurality of connection terminals are formed in parallel on one surface is connected to the connection object formed in parallel with a plurality of electrode terminals connected to the connection terminals via an adhesive. Arrange so that the connection terminals face each other,
In the connection method of connecting the substrate by pressing the substrate from the other surface side opposite to the one surface on which the connection terminal is formed through a cushioning material and curing the adhesive.
A connection method in which a first dummy terminal is formed at a position where the substrate overlaps the connection terminal on the other surface.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110246767A (en) * | 2013-12-20 | 2019-09-17 | 迪睿合株式会社 | The connection method of electronic component, connector, the manufacturing method of connector and electronic component |
KR102164171B1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-13 | (주)엘프스 | self-assembled conductive bonding paste for mini LED chip bonding, mini LED chip-circuit board bondig module comprising the same and manufacturing method thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002063958A (en) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic equipment |
JP2008117972A (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | Printed wiring board and manufacturing method therefor |
-
2012
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002063958A (en) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic equipment |
JP2008117972A (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | Printed wiring board and manufacturing method therefor |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110246767A (en) * | 2013-12-20 | 2019-09-17 | 迪睿合株式会社 | The connection method of electronic component, connector, the manufacturing method of connector and electronic component |
CN110246767B (en) * | 2013-12-20 | 2024-01-12 | 迪睿合株式会社 | Electronic component, connector, method for manufacturing connector, and method for connecting electronic component |
KR102164171B1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-13 | (주)엘프스 | self-assembled conductive bonding paste for mini LED chip bonding, mini LED chip-circuit board bondig module comprising the same and manufacturing method thereof |
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