JP2013214719A - 光電変換素子および光電変換素子アレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入射光を電気信号に変換して検出する光電変換素子において、下部電極4と、下部電極4の上に設けられた絶縁層2と、絶縁層2の上に設けられた、表面で入射光を受ける受光部1と、受光部1の表面から絶縁層2が露出するように設けられた溝状のスリット3とを含み、スリット3により入射光が絶縁層2を導波する表面プラズモンに変換され、表面プラズモンを受光部1と下部電極4との間の電気信号として検出する。
【選択図】図2
Description
図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかる光電変換素子の斜視図であり、図2は図1の光電変換素子100をI−I方向に見た場合(スリット長さ方向に垂直な平面)の断面図である。
まず、スリット3の無い光電変換素子(図2で、受光部1がスリット3を有さない場合)について考える。光が媒質I(真空)を伝搬し、媒質II(受光部1)に入射し、これらの境界面で表面プラズモンに変換されるとする。入射光の角周波数をω、波数をk、表面プラズモン伝搬方向の波数をkx、真空中の高速をc、光が伝搬する媒質1の誘電率をε1、屈折率をn、入射する媒質2の誘電率をε2、入射角(入射表面の法線と入射光とのなす角)をθとすると、一般に、
また、上述のような表面プラズモンの伝搬において、伝搬効率を高めるためには、絶縁層2の上面と下面(絶縁層2に接する下部電極4の上面)は平坦であることが望ましい。
よって、スリット3の深さ方向の共振によって、絶縁層2に発生する伝搬波を選択することが可能になる。
図7は、全体が200で表される、本発明の実施の形態2にかかる光電変換素子の斜視図である。図7中、図1、2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。
つまり、2つのスリット3を互いに直交するように形成することにより、入射光の偏光に依存せず、表面プラズモンに変換することが可能となり、電気信号の出力を大きくすることができる。また、実施の形態1にかかる光電変換素子100と同様に、スリット3の幅、高さ、絶縁層の厚さを調整することにより、検出波長を制御することが可能となる。
図8は、全体が300で表される、本発明の実施の形態3にかかる光電変換素子の断面図であり、図1のI−I方向と同じ方向に見た場合の断面を示す。図8中、図1、2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。
図9は、全体が400で表される、本発明の実施の形態4にかかる光電変換素子の断面図であり、図1のI−I方向と同じ方向に見た場合の断面を示す。図9中、図1、2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。
図10Aは、全体が500で表される、本発明の実施の形態5にかかる光電変換素子の断面図であり、図1のI−I方向と同じ方向に見た場合の断面を示す。図10A中、図1、2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。
入射光の波数ベクトルを
逆格子ベクトルを
とすると、
入射光の波数を
入射角(入射表面の法線と入射光とのなす角)をθ、構造の周期(ピッチ)をT、mを整数とすると、以下のような関係が成立する。
図11は、実施の形態1にかかる光電変換素子100をマトリックス状に配置した光電変換素子アレイの上面図である(光電変換素子100のみ記載)。また、図12は、図11の断面図であり、基板8の上に読み出し回路部7が設けられ、その上にマトリックス状に光電変換素子100が設けられた構造となっている。
図16は、光電変換素子をマトリックス状に配置した光電変換素子アレイの上面図である(光電変換素子のみを記載)。図17は、図16の光電変換素子アレイの、A−A’における断面図であり、実施の形態6と同様に読み出し回路が下部電極4の下方に配置されている。
これにより、波長を選択するための、フィルタや検出器表面の周期構造等を必要とすることなく、光電変換素子の構造を変えるのみで各光電変換素子の検出波長を制御することができる。
Claims (17)
- 入射光を電気信号に変換して検出する光電変換素子であって、
下部電極と、
該下部電極の上に設けられた絶縁層と、
該絶縁層の上に設けられた、表面で入射光を受ける受光部と、
該受光部の表面から該絶縁層が露出するように設けられた溝状のスリットとを含み、
該スリットにより該入射光が該絶縁層を導波する表面プラズモンに変換され、該表面プラズモンを該受光部と該下部電極との間の電気信号として検出することを特徴とする光電変換素子。 - 上記絶縁層の上面および下面は平坦であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 上記スリットの底面は、上記絶縁層の内部または上記下部電極に達していることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 上記スリットの内部に、誘電体材料または絶縁体材料が充填されたことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 上記スリットは、上記受光部の表面で互いに直交する2つのスリットからなることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 上記スリットは、上記受光部の表面に垂直な断面が矩形、V字型、または該スリット内に向かって側壁が凸の曲面であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 上記受光部は、該受光部の表面から上記絶縁層が露出しない深さで、上記スリットに平行に設けられた溝状の反射用スリットを含むことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 複数の上記反射用スリットが、上記スリットの両側に、一定の間隔で設けられたことを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子。
- 複数の上記反射用スリットが、上記スリットの両側に、該スリットから離れるほど間隔が大きくなるように設けられたことを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子。
- 上記受光部および上記下部電極の一方が基準電位に接続され、他方が積分回路に接続され、該積分回路により上記表面プラズモンを電気信号として読み出すことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 上記受光部と上記下部電極との間にバイアス電圧が印加されることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 上記下部電極の底面が平坦であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 請求項1に記載の複数の光電変換素子がマトリックス状に配置され、該光電変換素子から検出された上記電気信号が読み出し回路により読み出されることを特徴とする光電変換素子アレイ。
- 上記光電変換素子のスリットの幅、深さ、および絶縁層の厚さのうちの少なくとも2つが互いに異なる光電変換素子を含むことを特徴とする請求項13に記載の光電変換素子アレイ。
- 上記受光部の電位は共通電位に維持され、上記読み出し回路は上記下部電極に接続されたことを特徴とする請求項13に記載の光電変換素子アレイ。
- 上記読み出し回路は上記受光部に接続され、上記下部電極の電位は共通電位に維持されたことを特徴とする請求項13に記載の光電変換素子アレイ。
- 複数の上記光電変換素子において、上記下部電極が一体の電極からなることを特徴とする請求項16に記載の光電変換素子アレイ。
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