JP2013209375A - 金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 - Google Patents
金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013209375A JP2013209375A JP2013081411A JP2013081411A JP2013209375A JP 2013209375 A JP2013209375 A JP 2013209375A JP 2013081411 A JP2013081411 A JP 2013081411A JP 2013081411 A JP2013081411 A JP 2013081411A JP 2013209375 A JP2013209375 A JP 2013209375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- group
- compound
- hafnium
- zirconium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 49
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 106
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 12
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical compound [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims abstract description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 7
- 150000002843 nonmetals Chemical group 0.000 claims 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 42
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N benzene-d6 Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C1[2H] UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N 0.000 description 24
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 19
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4] GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta+5] WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 9
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 9
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 9
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 7
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001409 amidines Chemical class 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- JMHYNOCZNRXMLN-UHFFFAOYSA-N n,n'-dimethylethanimidamide Chemical compound CNC(C)=NC JMHYNOCZNRXMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CRMWDHWPEFVLOU-UHFFFAOYSA-N n,n'-dimethylmethanimidamide Chemical compound CNC=NC CRMWDHWPEFVLOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 4
- WGJJZRVGLPOKQT-UHFFFAOYSA-K lanthanum(3+);trifluoromethanesulfonate Chemical compound [La+3].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F WGJJZRVGLPOKQT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- PPKYHRGDPVUEIW-UHFFFAOYSA-N n,n'-bis(2-methylpropyl)ethanimidamide Chemical compound CC(C)CNC(C)=NCC(C)C PPKYHRGDPVUEIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N zirconium(4+) ion Chemical compound [Zr+4] GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 ZrCl 4 Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 2
- 238000002424 x-ray crystallography Methods 0.000 description 2
- LASVAZQZFYZNPK-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethyl-1,3,5-triazine Chemical compound CC1=NC(C)=NC(C)=N1 LASVAZQZFYZNPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N Acetamidine Chemical compound CC(N)=N OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910001122 Mischmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GDQHIACTOJANPX-UHFFFAOYSA-N [Li].CNC(C)=NC Chemical compound [Li].CNC(C)=NC GDQHIACTOJANPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWRWABLKUHSJHB-UHFFFAOYSA-N [Ta+4] Chemical compound [Ta+4] NWRWABLKUHSJHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- SDIXRDNYIMOKSG-UHFFFAOYSA-L disodium methyl arsenate Chemical compound [Na+].[Na+].C[As]([O-])([O-])=O SDIXRDNYIMOKSG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 150000002362 hafnium Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MJGFBOZCAJSGQW-UHFFFAOYSA-N mercury sodium Chemical compound [Na].[Hg] MJGFBOZCAJSGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- NKQBQVNKUQULLD-UHFFFAOYSA-N n'-methylethanimidamide Chemical compound CNC(C)=N NKQBQVNKUQULLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSWNRHCOGVRDOE-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylmethanimidamide Chemical compound CN(C)C=N DSWNRHCOGVRDOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N potassium hydride Chemical compound [KH] NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000105 potassium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001023 sodium amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N sodium amide Chemical compound [NH2-].[Na+] ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFGRPIXHCIXTLM-UHFFFAOYSA-N tungsten(4+) Chemical compound [W+4] YFGRPIXHCIXTLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNVACBPOIKOMQP-UHFFFAOYSA-N uranium(4+) Chemical compound [U+4] HNVACBPOIKOMQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPICRATUQFHULE-UHFFFAOYSA-J uranium(4+);tetrachloride Chemical compound Cl[U](Cl)(Cl)Cl HPICRATUQFHULE-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C257/00—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines
- C07C257/10—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines with replacement of the other oxygen atom of the carboxyl group by nitrogen atoms, e.g. amidines
- C07C257/14—Compounds containing carboxyl groups, the doubly-bound oxygen atom of a carboxyl group being replaced by a doubly-bound nitrogen atom, this nitrogen atom not being further bound to an oxygen atom, e.g. imino-ethers, amidines with replacement of the other oxygen atom of the carboxyl group by nitrogen atoms, e.g. amidines having carbon atoms of amidino groups bound to acyclic carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F11/00—Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】金属(IV)テトラキス(N,N’−ジアルキルアミジネート)が合成され、特性を決定された。例示する金属は、ハフニウム、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、錫及びウランを含む。これらの化合物は、揮発性、かつ熱的に高い安定性であり、金属およびその酸化物、窒化物、その他の化合物を蒸着させるのに好適である。
【選択図】なし
Description
イソブチルアミン(7.3 グラム、0.1 mol)、アセトニトリル(4.1 グラム、0.1 mol)及びランタントリフレート、La(CF3SO3)3、(1.2 グラム、0.002 mol)溶液は窒素雰囲気下で30時間還流された。未反応出発原料と副生物2,4,6−トリメチル−1,3,5−トリアジンは40℃でおよそ0.2 Torrにおいて分別蒸留により分離された。次に無色N,N’−ジイソブチルアセトアミジンは95℃及び0.06 torrにおいて留出された。さらなる精製は第二蒸留により行なわれた。収量:6.4 グラム(75%イソブチルアミンに基づく)。1H NMR(ベンゼン−d6+少量のCD3OD、ppm):3.1(d, 4、NCH2)、1.9(m, 2、CH(CH3)2)、1.7(s, 3、CCH3)、1.0(d, 12、CH(CH3)2)。
0.8グラム(3 mmol)のテトラキス(ジメチルアミド)ジルコニウム(IV)、Zr(NMe2)4は10 mLのトルエンに溶解され、次に−30℃まで30分間冷却された。この溶液に2.3グラム(13.5 mmol)N,N’−ジイソブチルアセトアミジン、iBu−AMDが加えられ、混合物は一夜中90℃に加熱された(配位交換反応)。−30℃に冷却した後に無色結晶質は沈殿され、濾過分離された。収量:1.85グラム(80%)。1HNMR(ベンゼン−d6, ppm):3.10(d, 16,J= 6.9 Hz、NCH2)、1.89(m, 8、CH(CH3)2)、1.71(s, 12、CCH3)1.00(d, 48,J= 6.6 Hz, d、CH(CH3)2)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):174(CCH3)、55.76(NCH2)、31.74(CH(CH3)2)、21.134(CH(CH3)2、12.10(CCH3)。C40H84N8Zrについて分析計算:C62.53、H11.02、N14.58。実測:C62.76、H11.25、N14.50。
この化合物は実施例2においてZr(iBu−AMD)4について記載されたものと同様の方法で、3mmolのテトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム(IV)、Hf(NMe2)4から開始して調製された。生成物は白色粉末として単離された。収量:2.17グラム(85%)。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.15(d, 16,J= 7.2 Hz、NCH2)、1.87(m, 8、CH(CH3)2),1.70(s, 12、CCH3)、0.99(d, 48,J= 6.8 Hz、CH(CH3)2)。C40H84HfN8について分析計算:C56.15、H9.90、N13.10。実測:55.85、H9.97、N13.30。
無水物ランタントリフレート(3.00グラム、5.12 mmol)は圧力容器に配置された。乾燥アセトニトリル(23.3グラム、0.568 mol)は常温容器に凝縮された。容器は液体窒素で冷却され、無水メチルアミン(53.1グラム、1.71 mol)が加えられた。容器は密封され、室温に温めることを許容される。副生物アンモニアは日々に解放された。反応は大部分3日後に完全であった。次に無色N,N’−ジメチルアセトアミジンは20℃及び0.04 torrにおいての昇華による副生物N−メチルアセトアミジンを除去することにより単離された。1H NMR(ベンゼン−d6):2.60(s, 6、NCH3)、1.40(s, 3、CCH3)。
この化合物はZr(iBu−AMD)4について実施例2に記載されるものと同様にN,N’−ジイソブチルアセトアミジンの代わりにN,N’−ジメチルアセトアミジンを用いて配位交換により調製された。代わりにZrCl4はジオキサンに溶解されたN,N’−ジメチルアセトアミジンリチウム塩と反応された(塩複分解反応)。この反応混合物は加熱されて8時間還流された。ジオキサンの蒸発後に固体残留物はペンタンに加えて抽出された。沈殿塩化リチウムを取り除く懸濁液のデカンテーション後にペンタンは減圧下に蒸発され、粗生成物を生じ、それが次に60℃及び40ミリバールの圧力において昇華により精製された。大気圧において160℃で昇華されることもできる。収率は合成が小規模で行なわれたときには昇華後に24%であった。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.03(s, 24、NCH3)、1.57(s, 12、CCH3).13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):175.99(s、CCH3)、34.55(s、NCH3),9.84(s、CCH3)。C16H36N8Zrについて分析計算:C44.51、H8.40、N25.95。実測:C45.31、H7.92、N25.60または第二分析においてC43.30、H8.76、N24.87。この生成物はTG曲線からそのT1/2値は0.6%残存量で216℃であるためにテトラキス(N,N’−ジイソブチルアセトアミジネート)ジルコニウム(IV)、実施例2の生成物よりも揮発性である。その融点は約168℃である。
この化合物は実施例5において記載される塩複分解反応によりHfCl4から調製された。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm) :3.07 (s, 24、NCH3) , 1.55 (s, 12, CCH3)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm) :175.69 (s、CCH3) 、34.31 (s、NCH3) 、10.09 (s、CCH3) 。C16H36HfN8について分析計算:C37.03、H6.99、N21.59。実測:37.00、H6.89、N21.34。この生成物はTG曲線からそのT1/2値は221℃であるためにテトラキス (N, N' −ジイソブチルアセトアミジネート) ハフニウム(IV)、実施例3の生成物よりも揮発性である。蒸発後のその残量はごくわずか、1%未満であり、その融点は約171℃である。
リチウムN,N’−ジメチルプロピオンアミジネートのジオキサン溶液は実施例4の記載方法によりアセトニトリルの代わりにプロピオンニトリルを用いて調製された。この溶液は次に、テトラキス(N,N’−ジメチルプロピオンアミジネート)ジルコニウム(IV)を調製するために実施例5に記載される塩複分解方法でZrCl4と使用された。この化合物は実施例2に記載されるものと類似する配位交換反応によっても調製されることが可能である。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.07(s, 24、NCH3)、2.10(q, 8,J= 7.6 Hz、CH2CH3)、0.96(t, 12,J= 7.6 Hz、CH2CH3)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):180.12(s、CCH2CH3),33.92(s、NCH3)、17.31(s、CCH2CH3)、10.41(s、CCH2CH3)。C20H44N8Zrについて分析計算:C49.24、H9.09、N22.97。実測:49.42、H9.04、N22.43。その融点は109℃であり十分に低いので、バブラーで気化させるのに十分な高さの温度において液体である。TG曲線からそのT1/2値は0.6%のごくわずかの残量で245℃である。
この化合物は実施例7において記載される塩複分解反応によりHfCl4から調製された。実施例1に記載されるものに類似する配位交換反応によっても調製されることが可能である。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.10(s, 24、NCH3)、2.08(q, 8,J= 7.6 Hz、CH2CH3)、0.95(t, 12,J= 7.6 Hz、CH2CH3)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):179.75(s、CCH2CH3)、33.71(s、NCH3)、17.51(s、CCH2CH3)、10.40(s、CCH2CH3)。C20H44HfN8について分析計算:C41.77、H7.71、N19.48。実測:42.32、H8.11、N19.18。その融点は114℃であり十分に低いので、バブラーで気化させるのに十分な高さの温度において液体である。TG曲線からそのT1/2値はごくわずかの不揮発残留物で252℃である。X線結晶学は図3において示されるテトラキス(N,N’−ジメチルプロピオンアミジネート)ハフニウム(IV)の分子構造を決定するために使用され、ただし、原子は50%熱長円体により示され、水素原子は明瞭のために省略される。各分子は8窒素原子により四アミジネート配位子から取り囲まれた一つのハフニウム原子を含む。
リチウムN,N’−ジメチルブチルアミジネートのジオキサン溶液はアセトニトリルの代わりにブチロニトリルを用いて、実施例4に記載される方法により調製された。この溶液は次に、テトラキス(N,N’−ジメチルブチルアミジネート)ジルコニウム(IV)を調製するために実施例5に記載される塩複分解方法でZrCl4と使用された。この化合物は実施例1に記載されるものと類似する配位交換反応によっても調製されることが可能である。化合物は室温で液体であるので、昇華ではなく蒸留により精製された。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.11(s, 24、NCH3)、2.15(t, 8,J= 8.0 Hz、CCH2CH2CH3)、1.49(m, 8、CCH2CH2CH3)、0.90(t, 12,J= 6.8 Hz、CCH2CH2CH3)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):179.27(s、CCH2CH2CH3)、34.28(s、NCH3)、26.14(s、CCH2CH2CH3)、19.82(s、CCH2CH2CH3)、14.47(s、CCH2CH2CH3)。C24H52N8Zrについて分析計算:C52.99、H9.63、N20.60。実測:53.63、H9.87、N20.89。そのT1/2値は246℃であり、蒸発してごくわずか残留物が残る。
この化合物は実施例9に記載される塩複分解反応によりHfCl4から調製された。実施例1に記載されるものと類似する配位交換反応によっても調製されることが可能である。化合物は室温において液体であるので、昇華ではなく蒸留により精製された。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.15(s, 24、NCH3)、2.13(t, 8,J= 8.0 Hz、CCH2CH2CH3)、1.49(m, 8、CCH2CH2CH3)、0.89(t, 12,J= 6.8 Hz、CCH2CH2CH3)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):178.87(s、CCH2CH2CH3)、34.08(s、NCH3)、26.29(s、CCH2CH2CH3)、19.82(s、CCH2CH2CH3)、14.41(s、CCH2CH2CH3)。C24H52HfN8について分析計算:C45.67、H8.30、N17.75。実測:45.31、H8.81、N17.61。そのT1/2値は252℃であり、蒸発してごくわずか残留物が残る。
リチウムN,N’−ジエチルアセトアミジネートのジオキサン溶液はメチルアミンの代わりにエチルアミンを用いて、実施例4に記載される方法により調製された。この溶液はテトラキス(N,N’−ジエチルアセトアミジネート)ジルコニウム(IV)を調製するために実施例5に記載される塩複分解方法でZrCl4と使用された。この化合物は実施例1に記載されるものと類似する配位交換反応によっても調製されることが可能である。化合物は室温において液体であるので、昇華の代わりに蒸留により精製された。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.32(q, 16,J= 7.2 Hz、NCH2CH3)、1.63(s, 12、CCH3)、1.10(t, 24,J= 7.2 Hz、NCH2CH3)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):173.59(s、CCH3)、41.38(s、NCH2CH3)、18.00(s、NCH2CH3)、10.20(s、CCH3)。C24H52N8Zrについて分析計算:C52.99、H9.63、N20.60。実測:52.86、H9.40、N20.99。そのT1/2値は242℃であり、蒸発してごくわずか残留物が残る。
この化合物は実施例11に記載される塩複分解方法によりHfCl4から調製された。実施例1に記載されるものと類似する配位交換反応によっても調製されることが可能である。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.32(q, 16,J= 7.2 Hz、NCH2CH3)、1.63(s, 12、CCH3)、1.10(t, 24,J= 7.2 Hz、NCH2CH3)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):173.07(s、CCH3)、41.08(s、NCH2CH3)、18.00(s、NCH2CH3)、10.59(s、CCH3)。C24H52N8Hfについて分析計算:C45.67、H8.30、N17.75。実測:46.17、H7.93、N17.27。そのT1/2値は264℃であり、蒸発してごくわずか残留物が残る。
この化合物は二段階で五塩化タンタルから調製された。第一段階は五塩化タンタルエーテル溶液(20 mLエーテルに0.95 mmol、331 mg)をリチウムN,N’−ジエチルアセトアミジネート溶液(20 mLエーテルに2 mmol、アミジンとn−ブチルリチウムヘキサン溶液(2.6 M)から現場で調製される)について−78℃において窒素下の添加を含む。トリシュロロ−ビス(N,N’−ジエチルアセトアミジネート)タンタル(V)と暫定的に記載される中間体はエーテルに部分的可溶であり、橙色溶液を与える。多少のジオキサンは中間体の溶解を促進するために加えられ、そしてもう2当量のリチウムN,N’−ジエチルアセトアミジネート(20 mLエーテルで2 mmol、アミジンとn−ブチルリチウムヘキサン溶液(2.6 M)から現場で調製される)が室温で添加された。1当量のナトリウムアマルガムはさらに加えられた(22.8 mg、0.645%ナトリウムを有する重量で3.53 g水銀アマルガムについて)。溶液は一夜中室温において撹拌された。溶液は濃紫色に12時間内に変わった。エーテルは減圧下にストリップ除去され、ペンタン(20 mL)が加えられた。紫色溶液は沈殿を分離され、水銀および不溶物質から分離される。真空下に乾燥され、生成物、紫色固体を生じ、それはテトラキス(N,N’−ジエチルアセトアミジネート)タンタル(IV)と暫定的に記載されることができる。生成物は真空下に昇華されることができた、そして昇華画分は分解なく150℃で0.01 mmHgの圧力において再昇華されることができた。生成物は不純物を含むが;その色と真空下に分解なく昇華されることができたことは揮発性タンタル(IV)アミジネートであるらしいことを示す。
他の金属中心を含有する化合物はZrCl4に代わる好適な金属源を用いて実施例3に記載されるものと同様に調製されることができる。例えば、テトラキス(N,N’−ジメチルアセトアミジネート)タングステン(IV)は塩化タングステン(IV)、WCl4を用いて調製される;テトラキス(N,N’−ジメチルアセトアミジネート)錫(IV)は塩化錫(IV)、SnCl4を用いて調製される;テトラキス(ジメチルアセトアミジネート)テルル(IV)はTeCl4から調製される;及び、テトラキス(N,N’−ジメチルアセトアミジネート)ウラン(IV)は塩化ウラン(IV)、UCl4を用いることで調製される。
10 nmol cm-2投与量のテトラキス(N,N’−ジメチルプロピオンアミジネート)ハフニウム(IV)蒸気は200℃において直接液体注入設備から10 Torr−secの暴露で400℃のALD反応器内に、20 nmol cm-2投与量のオゾンの10 Torr−sec暴露と交互に投入される。酸化ハフニウム膜は80:1の高縦横比をもつ狭孔内部に相似沈着される。
10 nmol cm-2投与量のテトラキス(N,N’−ジメチルプロピオンアミジネート)ハフニウム(IV)蒸気は200℃において直接液体注入設備から10 Torr−secの暴露で400℃の反応器内に、20 nmol cm-2投与量の水蒸気の10 Torr−sec暴露と交互に投入される。酸化ハフニウム膜は80:1の高縦横比の細孔内部に相似沈着される。
10 nmol cm-2投与量のテトラキス(N,N’−ジメチルブチルアミジネート)ハフニウム(IV)蒸気は200℃において直接液体注入設備から10 Torr−secの暴露で400℃の反応器内に、20 nmol cm-2投与量のアンモニアの10 Torr−sec暴露と交互に投入される。窒化ハフニウム膜は80:1の高縦横比の細孔内部に相似沈着される。
過剰の無水メチルアミン(39 g、1.26 mol)を、無水シアン化ナトリウム(30.2 g、0.617 mol)、無水塩酸メチルアミン(41.6 g、0.617 mol)、及びランタントリフレート(30.2 g、8.88 mmol)の混合物上に、−196℃で密閉圧力容器中で凝縮させた。混合物は室温に温めることを許容され、次に72時間40〜50℃において超音波をあてて分解された。揮発ガスは室温で反応容器から逃げることを許容され、無水メチルアミン(10 g、0.322 mol)を、冷却反応混合物上に凝縮させた。蒸発、メチルアミン添加及び超音波処理のこの作業周期はもう二回反復された。全揮発物は、反応容器を室温で緩やかに排気することにより最終的に放出された。ジエチルエーテル(50 mL)が加えられ、反応混合物は窒素下に大型フラスコに注入された。全揮発物は室温の反応混合物から−196℃で真空下の大型Schlenkフラスコに蒸気の球体から球体への移動を通じて移動された。N,N’−ジメチルホルムアミジンはエーテル無色溶液として得られた。1H NMR(ベンゼン−d6 +少量のCD3OD、ppm):7.29(s, 1、CH)、2.65(br, 6、NCH3)。
メチルアミンのナトリウム塩は分解して例18と同生成物N,N’−ジメチルホルムアミジンを生じるまで約100℃に加熱された。
1.16 g(3.29 mmol)のテトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム(IV)、Hf(NMe2)4は20 mLのジエチルエーテルに溶解され、次に−30℃に30分間冷却された。この溶液に20 mLジエチルエーテルについて0.968 g(13.4 mmol)N,N’−ジメチルホルムアミジンが加えられ、混合物は室温で一夜中撹拌された。少量の白色副生物は沈殿した(ジメチルホルムアミジン中のモノメチルホルムアミジン不純物のために起こりそうな)。上澄みエーテル溶液は沈殿と分離され、減圧下に蒸発されて白色結晶として生成物を生じる。その融点は140〜142℃である。1H NMR(ベンゼン−d6, ppm):3.03(s, 24、NCH3)、8.00(s, 4、CH)。13C NMR(ベンゼン−d6, ppm):171.60(CH)、38.67(NCH3)。そのT1/2値は187℃であり、蒸発してごくわずか残留物が残る。
蒸発速度についての恒温熱重量分析は図4において4つの異なるハフニウムアミジネート(実施例6、実施例8、実施例10及び実施例19の)について比較される。これらの測定が各温度でテトラキス(N,N’−ジメチルホルミジナート)ハフニウム(IV)は最も高い蒸発速度を有することを示す。142℃(その融点)を越えるバブラー温度で液体であるのでその高蒸発速度は極再現性がある。したがって、多用途においてテトラキス(N,N’−ジメチルホルミジナート)ハフニウム(IV)はハフニウム含有物質の蒸着に好ましい先駆物質である。室温において液体が必要とされる用途では同様の沸点の溶媒中溶液として供給されることが可能である。好適な溶媒はトリグリムまたはテトラグリムのようなポリエーテルを含む。代わりに室温で液体のテトラキス(N,N’−ジメチルブチルアミジネート)ハフニウム(IV)は気化設備への混り気のない液体の供給に使用可能である。
例20の工程はテトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム(IV)、Hf(NMe2)4の代わりにテトラキス(ジメチルアミド)ジルコニウム(IV)で繰返される。テトラキス(N,N’−ジメチルホルミジナート)ハフニウム(IV)類似性質を有するテトラキス(N,N’−ジメチルホルムアミジネート)ジルコニウム(IV)は得られる。
Claims (32)
- 該炭化水素基はアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニルおよびシクロアルキニル基、及び、炭化水素の弗化物誘導体からなる置換炭化水素基からなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。
- 該非金属原子を含む基はアルキルシリル及びアルキルアミノ基からなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。
- 金属Mはジルコニウム、ハフニウム、錫、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、ウラン、レニウム、白金、オスミウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、チタン、ロジウム、バナジウム、セリウム及び鉛からなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。
- 該金属Mはハフニウム、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、錫、テルルおよびウランからなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。
- 該金属Mはジルコニウムである、請求項1に記載の化合物。
- 該金属Mはハフニウムである、請求項1に記載の化合物。
- R1〜R12の少なくとも1つは5以下の炭素を有する低級アルキルである、請求項1に記載の化合物。
- R1〜R12は5以下の炭素を有する低級アルキルおよび水素からなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。
- R1、R3、R4、R6、R7、R9、R10およびR12はα位において枝分れしていないアルキル基である、請求項1に記載の化合物。
- 金属を含む薄膜を形成する方法であって、熱せられた支持体の表面を一以上の揮発性金属テトラアミジネート化合物の蒸気に暴露することを含む、方法。
- 該炭化水素基はアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニルおよびシクロアルキニル基及びそれらの弗化物誘導体からなる群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 該非金属原子を含む群はアルキルシリル及びアルキルアミノ基からなる群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 金属Mはジルコニウム、ハフニウム、錫、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、ウラン、レニウム、白金、オスミウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、チタン、ロジウム、バナジウム、セリウム、テルルおよび鉛からなる群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 該金属Mはハフニウム、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、錫、テルルおよびウランからなる群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 該金属Mはジルコニウムである、請求項12に記載の方法。
- 該金属Mはハフニウムである、請求項12に記載の方法。
- R1〜R12の少なくとも1つは5以下の炭素を有する低級アルキルである、請求項12に記載の方法。
- R1〜R12は5以下の炭素を有する低級アルキルおよび水素からなる群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 該支持体は酸素源にもさらされ、該薄膜は金属酸化物を含む、請求項11に記載の方法。
- 該酸素源は水蒸気を含む、請求項21に記載の方法。
- 該酸素源は酸素分子を含む、請求項21に記載の方法。
- 該酸素源はオゾンを含む、請求項21に記載の方法。
- 該支持体は窒素源にもさらされ、該薄膜は金属窒化物を含む、請求項11に記載の方法。
- 該窒素源はアンモニアを含む、請求項25に記載の方法。
- 該膜はCVD工程で付着される、請求項11に記載の方法。
- 該膜はALD工程で沈積される、請求項11に記載の方法。
- 該蒸気は固体金属テトラアミジネート化合物を気化することにより得られる、請求項11に記載の方法。
- 該蒸気は液体金属テトラアミジネート化合物を気化することにより得られる、請求項11に記載の方法。
- 該蒸気は金属テトラアミジネートを100〜250℃の範囲の温度で揮発することにより得られる、請求項11に記載の方法。
- 該表面は約200〜500℃の範囲の温度である、請求項11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US81720906P | 2006-06-28 | 2006-06-28 | |
US60/817,209 | 2006-06-28 | ||
US11/581,986 | 2006-10-17 | ||
US11/581,986 US7264486B2 (en) | 2005-10-17 | 2006-10-17 | Electrical connector |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009518210A Division JP5555872B2 (ja) | 2006-06-28 | 2007-06-26 | 金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013209375A true JP2013209375A (ja) | 2013-10-10 |
Family
ID=40328880
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009518210A Active JP5555872B2 (ja) | 2006-06-28 | 2007-06-26 | 金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 |
JP2013081411A Pending JP2013209375A (ja) | 2006-06-28 | 2013-04-09 | 金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009518210A Active JP5555872B2 (ja) | 2006-06-28 | 2007-06-26 | 金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2032529B1 (ja) |
JP (2) | JP5555872B2 (ja) |
KR (1) | KR101467587B1 (ja) |
CN (2) | CN102993050A (ja) |
WO (1) | WO2008002546A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007133837A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature deposition of phase change memory materials |
KR101467587B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2014-12-01 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 금속(ⅳ) 테트라-아미디네이트 화합물 및 기상증착에서의 그의 용도 |
KR101097112B1 (ko) | 2006-11-02 | 2011-12-22 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 금속 박막의 cvd/ald용으로 유용한 안티몬 및 게르마늄 착체 |
CN103151335B (zh) * | 2007-04-09 | 2016-09-28 | 哈佛学院院长等 | 用于铜互连的氮化钴层及它们的形成方法 |
JP5437594B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2014-03-12 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 有機金属化合物 |
US8454928B2 (en) | 2007-09-17 | 2013-06-04 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Tellurium precursors for GST deposition |
KR101458953B1 (ko) | 2007-10-11 | 2014-11-07 | 삼성전자주식회사 | Ge(Ⅱ)소오스를 사용한 상변화 물질막 형성 방법 및상변화 메모리 소자 제조 방법 |
US8834968B2 (en) | 2007-10-11 | 2014-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming phase change material layer using Ge(II) source, and method of fabricating phase change memory device |
JP5650880B2 (ja) | 2007-10-31 | 2015-01-07 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 非晶質Ge/Te蒸着方法 |
US20090215225A1 (en) | 2008-02-24 | 2009-08-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials |
US8802194B2 (en) | 2008-05-29 | 2014-08-12 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Tellurium precursors for film deposition |
JP2011522120A (ja) | 2008-05-29 | 2011-07-28 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 膜堆積用のテルル前駆体 |
US8636845B2 (en) | 2008-06-25 | 2014-01-28 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Metal heterocyclic compounds for deposition of thin films |
US8236381B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-08-07 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Metal piperidinate and metal pyridinate precursors for thin film deposition |
US8330136B2 (en) | 2008-12-05 | 2012-12-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | High concentration nitrogen-containing germanium telluride based memory devices and processes of making |
US8691668B2 (en) | 2009-09-02 | 2014-04-08 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Dihalide germanium(II) precursors for germanium-containing film depositions |
SE1000070A1 (sv) | 2010-01-26 | 2011-06-07 | Formox Ab | Katalysator för framställning av aldehyd |
WO2011095849A1 (en) | 2010-02-03 | 2011-08-11 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition |
TW201132787A (en) | 2010-03-26 | 2011-10-01 | Advanced Tech Materials | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
WO2011146913A2 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
KR101847953B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2018-04-11 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 몰리브덴(iv) 아미드 전구체 및 원자층 증착용으로서의 그것의 용도 |
CN102418084A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-04-18 | 无锡迈纳德微纳技术有限公司 | 一种源气隔离的固态源原子层沉积装置和方法 |
US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
CN104307572B (zh) * | 2014-10-16 | 2016-06-22 | 山西大学 | 一种脒基铝金属催化剂及其制备方法 |
WO2016191432A1 (en) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Synthesis and use of precursors for ald of molybdenum or tungsten containing thin films |
KR101581314B1 (ko) | 2015-07-20 | 2015-12-31 | (주)마이크로켐 | 텅스텐 전구체 및 이를 포함하는 텅스텐 함유 필름 증착방법 |
US10662527B2 (en) | 2016-06-01 | 2020-05-26 | Asm Ip Holding B.V. | Manifolds for uniform vapor deposition |
US10358407B2 (en) | 2016-10-12 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films |
US10643838B2 (en) * | 2017-06-20 | 2020-05-05 | Applied Materials, Inc. | In-situ formation of non-volatile lanthanide thin film precursors and use in ALD and CVD |
CN108641073B (zh) * | 2018-04-17 | 2020-09-29 | 山西大学 | 一种三核有机亚锡金属催化剂及其制备方法和应用 |
US11492701B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor manifolds |
CN110128373B (zh) * | 2019-06-12 | 2023-03-24 | 鸿翌科技有限公司 | 哌嗪基锡配合物及其制备方法、薄膜、太阳能电池 |
KR20210048408A (ko) | 2019-10-22 | 2021-05-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 증착 반응기 매니폴드 |
TW202136571A (zh) | 2020-02-10 | 2021-10-01 | 荷蘭商Asm Ip 控股公司 | 高深寬比孔內的氧化鉿之沉積 |
WO2021205958A1 (ja) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | 株式会社Adeka | アミジナート化合物、その二量体化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
WO2022196491A1 (ja) | 2021-03-18 | 2022-09-22 | 株式会社Adeka | スズ化合物、薄膜形成用原料、薄膜、薄膜の製造方法及びハロゲン化合物 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006037161A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Jsr Corp | 化学気相成長材料及び化学気相成長方法 |
JP2006511716A (ja) * | 2002-11-15 | 2006-04-06 | プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ | 金属アミジナートを用いる原子層の析出 |
JP2009542654A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5139825A (en) * | 1989-11-30 | 1992-08-18 | President And Fellows Of Harvard College | Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides |
US6255414B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-07-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polymerization of olefins |
JP2005533178A (ja) * | 2002-07-12 | 2005-11-04 | ザ プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 窒化タングステンの蒸着 |
US7396949B2 (en) * | 2003-08-19 | 2008-07-08 | Denk Michael K | Class of volatile compounds for the deposition of thin films of metals and metal compounds |
-
2007
- 2007-06-26 KR KR1020097001242A patent/KR101467587B1/ko active IP Right Grant
- 2007-06-26 CN CN2012104614215A patent/CN102993050A/zh active Pending
- 2007-06-26 JP JP2009518210A patent/JP5555872B2/ja active Active
- 2007-06-26 WO PCT/US2007/014768 patent/WO2008002546A1/en active Application Filing
- 2007-06-26 CN CN2007800298108A patent/CN101500989B/zh active Active
- 2007-06-26 EP EP07796442A patent/EP2032529B1/en active Active
-
2013
- 2013-04-09 JP JP2013081411A patent/JP2013209375A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006511716A (ja) * | 2002-11-15 | 2006-04-06 | プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ | 金属アミジナートを用いる原子層の析出 |
JP2006037161A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Jsr Corp | 化学気相成長材料及び化学気相成長方法 |
JP2009542654A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6012052326; Bulletin de la Societe Chimique de France Vol.133, Vol.7-8, 1996, p.711-720 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2032529B1 (en) | 2012-10-17 |
KR20090024803A (ko) | 2009-03-09 |
CN101500989A (zh) | 2009-08-05 |
EP2032529A1 (en) | 2009-03-11 |
CN102993050A (zh) | 2013-03-27 |
WO2008002546A1 (en) | 2008-01-03 |
JP5555872B2 (ja) | 2014-07-23 |
JP2009542654A (ja) | 2009-12-03 |
KR101467587B1 (ko) | 2014-12-01 |
CN101500989B (zh) | 2012-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5555872B2 (ja) | 金属(iv)テトラ−アミジネート化合物ならびに蒸着においての使用 | |
US7638645B2 (en) | Metal (IV) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition | |
JP2009542654A5 (ja) | ||
US10914001B2 (en) | Volatile dihydropyrazinly and dihydropyrazine metal complexes | |
TWI359804B (en) | Metal-containing compound, method for producing th | |
US9453036B2 (en) | Group 11 mono-metallic precursor compounds and use thereof in metal deposition | |
EP1563117B1 (en) | Atomic layer deposition using metal amidinates | |
EP2065364B1 (en) | Metal complexes of tridentate beta-ketoiminates | |
US7816550B2 (en) | Processes for the production of organometallic compounds | |
US11161857B2 (en) | Metal bicyclic amidinates | |
US7956168B2 (en) | Organometallic compounds having sterically hindered amides | |
US8779174B2 (en) | Titanium complex, processes for producing the same, titanium-containing thin film, and process for producing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140812 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140815 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141113 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150512 |