JP2013207184A - 半導体集積回路装置、半導体集積回路の制御方法、及び制御パラメータの生成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】各々が同一機能を持つ複数の部分回路（e.g. モジュール）を有する半導体集積回路の消費電力の低減に寄与する。
【解決手段】半導体集積回路装置１は、例えば、複数の部分回路（１１〜１３）、温度測定部（３０）、電源供給制御部（２０）を有する。複数の部分回路（１１〜１３）は、各々が同一機能を有する。温度測定部（３０）は、複数の部分回路それぞれの温度を測定する。電源供給制御部（２０）は、複数の部分回路（１１〜１３）に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、複数の部分回路（１１〜１３）のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路装置に関する。

半導体集積回路の製造技術の進歩に伴って、回路素子の微細化による高集積化や半導体ウェハの大口径化が進んでいる。これにより、一生産ロットあたりの半導体集積回路の収量が増大している。一方、半導体素子形成プロセスの複雑化に伴って、半導体を製造する為に必要なレチクル（フォトマスク）の枚数が増大している。このため、一品種の半導体集積回路の開発コストが上昇している。このような背景から、汎用の半導体集積回路だけでなく特定用途向けの半導体集積回路においても、同一機能の複数の部分回路（e.g. モジュール）を有する一品種の半導体集積回路を開発しておき、要求仕様に応じて複数の部分回路のうち必要な回路のみを活性化して使用する開発手法が一般化している。これにより、一品種の半導体集積回路を、複用途又は要求性能の異なる複数の装置（製品）に搭載することができる。

ところで、特許文献１は、複数の演算装置（コンピュータ）を含む大規模なコンピュータシステムで使用されるジョブ投入装置に関して記載している。特許文献１は、複数の演算装置のうちのいずれにジョブを投入するかを選択する手法として以下の３つを開示している。

（１）ジョブ投入装置は、複数の演算装置の中からジョブを実行していない少なくとも１つの未稼働装置を特定する。次に、ジョブ投入装置は、少なくとも１つの未稼働装置の各々について、冷却ファン吸気口の現在の温度を取得する。そして、ジョブ投入装置は、取得された冷却ファン吸気口の現在温度が低い順番で、未稼働装置に対してジョブ投入を行う。つまり、ジョブ投入装置は、現在の周囲温度（i.e. 冷却ファン吸気口の現在温度）が低い未稼働装置をジョブの投入先として優先的に選択する。

（２）ジョブ投入装置は、複数の演算装置の中からジョブを実行していない少なくとも１つの未稼働装置を特定する。次に、ジョブ投入装置は、少なくとも１つの未稼働装置の各々について、冷却ファン吸気口の現在温度、排気口の現在温度、及び冷却ファンの現在の風量、を取得する。続いて、ジョブ投入装置は、少なくとも１つの未稼働装置の各々について、取得した冷却ファン吸気口の現在温度、排気口の現在温度、及び冷却ファンの現在の風量を用いて、特に排気口と吸気口の温度差を用いて、現在の消費電力量（言い換えると現在の発熱量）を計算する。そして、ジョブ投入装置は、現在の消費電力量が小さい順番で、未稼働装置に対してジョブ投入を行う。つまり、ジョブ投入装置は、現在の消費電力量（言い換えると現在の発熱量）が小さい未稼働装置をジョブの投入先として優先的に選択する。

（３）ジョブ投入装置は、複数の演算装置の中からジョブを実行していない少なくとも１つの未稼働装置を特定する。次に、ジョブ投入装置は、少なくとも１つの未稼働装置の各々について、予め計算されて格納されていた消費電力を取得する。消費電力の計算手法の具体例として、演算装置にジョブが投入された際の発熱素子１つ当たりの消費電流、及びＣＰＵのクロック数等に依存する係数を用いて計算することが示されている。そして、ジョブ投入装置は、予め計算されて格納されていた消費電力が小さい順番で、未稼働装置に対してジョブ投入を行う。つまり、ジョブ投入装置は、設計上の消費電力が小さい未稼働装置をジョブの投入先として優先的に選択する。

特開２０１１−１８１３１号公報

ＩＴ（Information Technology）の普及、高度化に伴って、組み込み系を含むあらゆる情報処理装置でのエネルギー消費効率の向上が火急な課題となっている。したがって、その部品である半導体集積回路に対しても消費電力の低減が求められている。

本件発明者は、半導体集積回路の消費電力の低減に関して検討を行った。同一機能の複数の部分回路（e.g. モジュール）を有する半導体集積回路において要求性能に応じて少なくとも１つの部分回路を選択して使用する際に、全ての部分回路に給電し、部分回路に振られた通し番号順又は無作為に必要数の部分回路を選択して使用することが考えられる。しかしながら、複数の部分回路の各々は、同一機能を有するとはいえ、例えば製造ばらつきに起因して、電力効率（又は電力消費効率）がそれぞれ異なっている。したがって、通し番号順又は無作為に部分回路を選ぶ上述の手法では、必ずしも電力効率の優れたものが優先的に選択されることにならない。したがって、上述した手法では、半導体集積回路の消費電力を十分に低減することは困難である。

なお、特許文献１は、複数の演算装置（コンピュータ）に含まれる未稼働装置の中から、（１）現在、つまりジョブ投入時点、の周囲温度（i.e. 冷却ファン吸気口の現在温度）、（２）現在、つまりジョブ投入時点、の消費電力量、又は（３）設計上の消費電力、の小さいものをジョブ投入先として優先的に選択することを開示している。しかしながら、特許文献１は、複数の演算装置の全てに電力が供給されて稼動している状況において演算装置の選択を行うものに過ぎない。言い換えると、特許文献１は、複数の回路の中から電力供給するべき回路を選択し、他の回路への電力供給を停止するものではない。また、特許文献１に記載された演算装置の選択基準、つまり（１）現在、つまりジョブ投入時点、の周囲温度（i.e. 冷却ファン吸気口の現在温度）、（２）現在、つまりジョブ投入時点、の消費電力量、及び（３）設計上の消費電力は、いずれも、演算装置間の電力効率の違いを評価するものではない。

本発明は、上述した本件発明者の知見に基づいてなされたものであり、各々が同一機能を持つ複数の部分回路（e.g. モジュール）を有する半導体集積回路の消費電力の低減に寄与することが可能な半導体集積回路装置、半導体集積回路の制御方法、制御パラメータの生成方法及びプログラムの提供を目的とする。

第１の態様は、半導体集積回路装置を含む。当該半導体集積回路装置は、複数の部分回路、温度測定部、及び電力供給制御を含む。前記複数の部分回路は、各々が同一機能を有する。前記温度制御部は、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御可能であって、前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、前記複数の部分回路のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択する。

第２の態様は、半導体集積回路装置を含む。当該半導体集積回路装置は、複数の部分回路、温度測定部、及び不揮発性メモリを含む。前記複数の部分回路は、各々が同一機能を有する。前記温度制御部は、前記複数の部分回路それぞれの温度を測定する。また、前記不揮発性メモリは、前記複数の部分回路に電力が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電力の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを記憶する。

第３の態様は、半導体集積回路装置を含む。当該半導体集積回路装置は、複数の部分回路、温度測定部、及び制御パラメータ生成部を含む。前記複数の部分回路は、各々が同一機能を有する。前記温度制御部は、前記複数の部分回路それぞれの温度を測定する。また、前記制御パラメータ生成部は、前記複数の部分回路に電力が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電力の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを生成する。

第４の態様は、各々が同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路の制御方法を含む。当該方法は、前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、前記複数の部分回路のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択することを含む。

第５の態様は、各々が同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路に関する制御パラメータの生成方法を含む。当該方法は、前記複数の部分回路に電力が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電力の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを生成することを含む。

第６の態様は、上述した第４の態様に係る方法をコンピュータに行わせるためのプログラムを含む。

第７の態様は、上述した第５の態様に係る方法をコンピュータに行わせるためのプログラムを含む。

上述した各態様によれば、各々が同一機能を持つ複数の部分回路（e.g. モジュール）を有する半導体集積回路の消費電力の低減に寄与することが可能な半導体集積回路装置、部分回路の選択方法、及びプログラムを提供できる。

実施の形態１に係る半導体集積回路装置の構成例を示すブロック図である。 実施の形態１に係る半導体集積回路装置における部分回路の選択手順の具体例を示すフローチャートである。 実施の形態１に係る半導体集積回路装置の第１の変形例を示すブロック図である。 実施の形態１に係る半導体集積回路装置の第２の変形例を示すブロック図である。 実施の形態１に係る半導体集積回路装置の第３の変形例を示すブロック図である。 実施の形態１に係る半導体集積回路装置の第４の変形例を示すブロック図である。 実施の形態１に係る半導体集積回路装置の第６の変形例を示すブロック図である。 実施の形態２に係る半導体集積回路装置の構成例を示すブロック図である。 遮断回路の構成例を示す回路図である。 電源供給制御部の構成例を示す回路図である。 ３つの部分回路の選択に関する順列（優先順位）の６通りのパタンを示す表である。 必要な部分回路の数を示す選択制御信号の具体例を示す表である。 実施の形態２に係る半導体集積回路装置の初期設定時の動作を示すタイミングチャートである。 実施の形態２に係る半導体集積回路装置の通常時（初期設定終了後）の動作を示すタイミングチャートである。

以下では、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図面において、同一又は対応する要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略される。

＜発明の実施の形態１＞
図１は、本実施の形態に係る半導体集積回路装置１の構成例を示している。半導体集積回路装置１は、各々が同一機能を持つ複数の部分回路１１〜１３を有する。なお、図１の構成例では、説明の便宜上、部分回路の数を３つとしているがこれは一例に過ぎない。部分回路の数は、２つでもよいし、４つ以上であってもよい。図１の例では、部分回路１１〜１３は、電源配線５０から動作に必要な電力の供給を受ける。電源配線５０は、半導体集積回路装置１の内部または外部に配置された電源回路（不図示）に接続される。

部分回路１１〜１３が有する機能については特に限定されない。部分回路１１〜１３は、半導体集積回路装置１に対する要求性能又は要求仕様に応じて、これらのうち一部のみを選択的に使用できる。部分回路１１〜１３の各々は、例えば、プロセッサ・モジュールまたはキャッシュメモリ・モジュールである。

電源供給制御部２０は、部分回路１１〜１３それぞれに対する電源の供給及び停止を制御可能である。図１の例では、電源供給制御部２０は、遮断回路２１〜２３を制御することによって各部分回路への電源供給および停止を個別に定める。遮断回路２１〜２３は、電源配線５０と部分回路１１〜１３の間にそれぞれ配置されており、部分回路１１〜１３に対する電源供給を遮断することができる。

さらに、電源供給制御部２０は、部分回路１１〜１３に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、部分回路１１〜１３のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択する。言い換えると、電源供給制御部２０は、部分回路１１〜１３に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に大きい部分回路を、電源供給が停止される部分回路として優先的に選択する。電源供給制御部２０は、遮断回路２１〜２３に電源遮断制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３をそれぞれ供給することによって、選択された部分回路に電源を供給し、選択されなかった部分回路への電源供給を停止する。

既に述べた通り、部分回路１１〜１３は、同一の機能を有するとはいえ、製造ばらつきに起因して電力効率が互いに異なる場合がある。具体的には、回路内の半導体、抵抗、及び配線などの回路要素の寄与による各部分回路の抵抗値は、これらの回路要素の製造ばらつきによって変化する。部分回路の温度上昇速度が相対的に小さいことは、その部分回路の電力効率が相対的に大きいことを意味する。したがって、部分回路１１〜１３の一部のみに電源を供給して使用する場合に、温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を優先的に選択することによって、半導体集積回路装置１の実効消費電力を効果的に低減することができる。

図１の例では、電源供給制御部２０は、部分回路１１〜１３のそれぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために、制御パラメータ生成部４０によって生成される制御パラメータを用いる。制御パラメータは、部分回路１１〜１３に過去に（言い換えると実際に）電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映している。

制御パラメータは、部分回路１１〜１３の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含んでいればよく、様々なバリエーションがある。例えば、制御パラメータは、部分回路１１〜１３に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づく第１のパラメータを含んでもよい。非通電状態において熱が十分一様に拡散し、半導体集積回路装置１の全体（あるいは部分回路１１〜１３を含む基板全体）がほぼ一定温度となった状態から部分回路１１〜１３に実質的に同時に電源供給を開始した場合、所定時間経過後の各部分回路の温度又はそれらに基づく第１のパラメータは、各部分回路の温度上昇速度を表す。電源供給の開始時点における部分回路１１〜１３の温度がほぼ同一と見なせるからである。

第１のパラメータは、具体的には、温度の測定値そのものでもよいし、測定温度の大きさを示す他の値でもよいし、測定温度の大きさ順を示す数値でもよい。ここで、「実質的に同時に」とは、配線長の違いに制御信号の伝搬遅延や、遮断回路２１〜２３の誤差などによって、電源供給の開始時間に僅かな相違が生じることは許容されることを意味する。また、「実質的に同時に」とは、温度測定に要求される精度に影響を与えない電源供給の開始時間の差が存在することは許容されることを意味する。

また、例えば、制御パラメータは、部分回路１１〜１３に対して実質的に同時に電源供給を開始する前の各部分回路の測定温度と、電源供給を開始した後の各部分回路の測定温度との差分に基づく第２のパラメータを含んでもよい。第２のパラメータは、温度差の計算値そのもとでもよいし、温度差の大きさを示す他の値でもよいし、温度差の大きさ順を示す数値でもよい。

制御パラメータ生成部４０は、上述した制御パラメータを生成する。制御パラメータの生成は、例えば、電源供給制御部２０および温度測定部３０を利用して行われる。具体例を述べると、制御パラメータ生成部４０は、部分回路１１〜１３の全てに対する電源供給の開始を電源供給制御部２０に指示すればよい。そして、電源供給の開始を指示してから所定時間経過後に温度測定部３０によって得られる各部分回路の温度に関する測定値を取得すればよい。なお、このとき、部分回路１１〜１３には同一の動作（e.g. 起動シーケンス）を行わせればよい。

制御パラメータ生成部４０は、例えば、半導体集積回路装置１の初期設定時に、制御パラメータの生成を行なってもよい。初期設定時に生成された制御パラメータは、半導体集積回路装置１に対する電源供給の停止後も保持しておけるように、不揮発性メモリ（不図示）に格納してもよい。そして、電源供給制御部２０は、初期設定が完了した後の次回以降の半導体集積回路装置１の起動時（電源供給時）において、電源供給する部分回路を不揮発性メモリ（不図示）に格納された制御パラメータに従って選択してもよい。このようにすれば、初期設定が完了した後の次回以降の起動時に制御パラメータの生成が不要になるため、半導体集積回路装置１の起動時間を短縮することができる。

温度測定部３０は、部分回路１１〜１３それぞれの温度を測定する。温度測定部３０は、例えば、部分回路１１〜１３が形成されている半導体基材（チップ）の温度を測定し、測定温度の大きさを示すアナログ又はデジタル電気信号を出力すればよい。温度測定部３０は、例えば、部分回路１１〜１３それぞれの近傍に配置された複数の、つまりこの例では３つの、温度センサ（e.g. サーミスタ、熱電対、測温抵抗体、又は半導体センサ）を含んでもよい。

図２は、半導体集積回路装置１における部分回路の選択手順の具体例を示すフローチャートである。ステップＳ１０１では、電源供給制御部２０は、全ての部分回路１１〜１３に対する電源供給を開始する。ステップＳ１０２では、温度測定部３０は、部分回路１１〜１３それぞれの温度を測定する。スッテプＳ１０３では、制御パラメータ生成部４０は、温度測定部３０による測定結果を用いて、部分回路１１〜１３それぞれの温度上昇速度が反映された制御パラメータを生成する。制御パラメータは、上述したように、電源供給開始後の温度測定値でもよいし、開始前後の温度差を示す計算値であってもよい。ステップＳ１０４では、電源供給制御部２０は、制御パラメータに基づいて、温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を優先的に選択し、選択した部分回路に電源を供給し、選択しなかった部分回路への電源供給を停止する。なお、上述したように、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３は、初期設定時にのみ実施され、初期設定完了後の通常起動時には省略されてもよい。

本実施の形態に係る半導体集積回路装置１は、既に述べた通り、部分回路１１〜１３の一部のみに電源を供給して使用する場合に、温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を優先的に選択することによって、半導体集積回路装置１の実効消費電力を効果的に低減することができる。

また、実効消費電力を低減することで、半導体集積回路装置１の発熱量の低減も期待できる。これにより、半導体集積回路装置１、及びこれを実装した装置／システム、さらには装置／システムを設置したマシンルーム又はデータセンターの冷却に要する負荷を低減できるため、冷却に要する消費電力の低減も期待できる。

なお、半導体集積回路装置１は、ＳｏＣ（System-on-a-chip）による半導体製品でもよいし、ＳｉＰ（System In Package）による半導体製品でもよい。また、本実施の形態に係る半導体集積回路装置は、複数の半導体製品（パッケージされたＩＣ（Integrated Circuit））がプリント基板に搭載されたシステムであってもよい。

また、既に述べた通り、半導体集積回路装置１は、制御パラメータ生成部４０の制御に基づいて生成される制御パラメータを格納するための不揮発性メモリを有していてもよい。例えば、半導体集積回路装置１の初期設定時に制御パラメータを生成して不揮発性メモリに格納しておけばよい。そして、初期設定後の半導体集積回路装置１の起動時には、制御パラメータの生成処理を省略し、不揮発性メモリに格納された制御パラメータに従って複数の部分回路１１〜１３に対する電源供給を制御すればよい。

また、制御パラメータ生成部４０および電源供給制御部のいずれかは、半導体集積回路装置１の外部に配置されてもよい。具体的には、制御パラメータ生成部４０は、半導体集積回路装置１の検査工程において使用されるテスタ（e.g. ＬＳＩ（Large Scale Integration）テスタ）に配置されてもよい。また、電源供給制御部２０は、複数の部分回路を含むＩＣとは別のＩＣに配置されてもよい。

また、制御パラメータ生成部４０および電源供給制御部２０の両方とも半導体集積回路装置１の外部に配置されてもよい。この場合、半導体集積回路装置１は、制御パラメータ生成部４０の制御に基づいて生成される制御パラメータを格納した不揮発性メモリを有してもよい。電源供給制御部２０は、当該不揮発性メモリから読み出した制御パラメータを用いて、複数の部分回路１１〜１３に対する電源供給を制御すればよい。

図３〜図６は、半導体集積回路装置１のいくつかの変形例を具体的に示している。図３の構成例は、不揮発性メモリ４１を含む。不揮発性メモリ４１は、例えば、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read Only Memory）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）、ＥＦＵＳＥ、フラッシュメモリである。不揮発性メモリ４１は、制御パラメータ生成部４０による制御に従って、上述した制御パラメータを初期設定時に記憶する。そして、不揮発性メモリ４１は、初期設定の完了後に行われる通常起動時において、電源供給制御部２０に制御パラメータを供給する。

図４の構成例は、半導体集積回路装置１の外部に配置された電源供給制御部２０を有する。図４の構成例は、図３に示された不揮発性メモリ４１を有してもよい。

図５の構成例も、図４の構成例と同様に、半導体集積回路装置１の外部に配置された電源供給制御部２０を有する。さらに、図５の構成例では、半導体集積回路装置１は、遮断回路２１〜２３を有していない。図５の例では、電源供給制御部２０は、電源部５１〜５３に対して電源遮断制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３を供給する。電源部５１〜５３は、部分回路１１〜１３に電源を供給可能であり、電源遮断制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３に応じて電源の供給及び停止を行う。図５の構成例は、図３に示された不揮発性メモリ４１を有してもよい。

図６の構成例は、半導体集積回路装置１の外部に配置された制御パラメータ生成部４０を有する。不揮発性メモリ４１は、制御パラメータ生成部４０による制御に従って、上述した制御パラメータを初期設定時に記憶する。そして、不揮発性メモリ４１は、初期設定の完了後に行われる通常起動時において、電源供給制御部２０に制御パラメータを供給する。制御パラメータ生成部４０は、例えば、ＬＳＩテスタに配置される。この場合、不揮発性メモリ４１への制御パラメータの書き込みは、半導体集積回路装置１の出荷前に行われてもよい。つまり、半導体集積回路装置１の出荷後の通常使用時には、制御パラメータ生成部４０を用いることなく、電源供給制御部２０が、不揮発性メモリ４１に記憶されている制御パラメータに従って部分回路１１〜１３の選択を行う。

図３又は４に示した構成例と図６に示した構成例を組み合わせてもよい。つまり、図７に示すように、電源供給制御部２０及び制御パラメータ生成部４０が半導体集積回路装置１の外部に配置されてもよい。

＜実施の形態２＞
本実施の形態では、図３に示した構成例に関する更なる具体例を説明する。図８は、本実施の形態に係る半導体集積回路装置２の構成例を示している。なお、図８の構成例では、図１と同様に、部分回路の数を３つとしているがこれは一例に過ぎない。部分回路の数は、２つでもよいし、４つ以上であってもよい。

図８の構成例は、温度測定部３０の具体例としての温度センサ３０１〜３０３を含む。温度センサ３０１〜３０３は、部分回路１１〜１３の温度をそれぞれ測定し、測定温度が数値化された測定温度データを示す測定温度信号Ｓ２１〜Ｓ２３を出力する。測定温度データの値は、部分回路の温度と相関関係を持ち、セルシウス温度や絶対温度への換算が可能である。測定温度信号Ｓ２１〜Ｓ２３は、不揮発性メモリ４１の書き込みデータ（ＷＤ）端子に供給される。

制御パラメータ生成部４０は、半導体集積回路装置２の初期設定時において、温度測定制御信号Ｓ１及びＳ２を用いて、実施の形態１で述べた制御パラメータの生成を制御する。具体的には、制御パラメータ生成部４０は、制御信号Ｓ１を電源供給制御部２０に供給することよって、全ての部分回路１１〜１３に対する電源供給を電源供給制御部２０に指示する。さらに、制御パラメータ生成部４０は、電源供給の指示から所定時間経過後に制御信号Ｓ２を不揮発性メモリ４１に供給することで、温度センサ３０１〜３０３から出力される測定温度信号Ｓ２１〜Ｓ２３（つまり、測定温度データ）の記憶を不揮発性メモリ４１に指示する。つまり、制御信号Ｓ２は、いわゆるライトイネーブル（ＷＥ）信号に相当する。

初期設定の終了後において、および半導体集積回路装置２の通常起動時において、不揮発性メモリ４１は、過去の初期設定時に記憶済みの部分回路１１〜１３の測定温度データを示す信号Ｓ３１〜Ｓ３３を電源供給制御部２０に供給する。ここでは、信号Ｓ３１は部分回路１１の測定温度データを示す信号Ｓ２１に対応し、信号Ｓ３２は部分回路１２の測定温度データを示す信号Ｓ２２に対応し、信号Ｓ３３は部分回路１３の測定温度データを示す信号Ｓ２３に対応する。

図９は、遮断回路２１の構成例を示している。図９の例では、遮断回路２１は、複数のＰチャネルＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタで構成されている。各トランジスタのゲート電極には電源遮断制御信号Ｓ１１が接続される。電源遮断制御信号Ｓ１１が論理"１"の場合にトランジスタがＯＦＦになり、電源配線５０からの電力は遮断されて部分回路１１に供給されない。電源遮断制御信号Ｓ１１が論理"０"の場合にトランジスタがＯＮになり、電源配線５０からの電力が部分回路１１に供給される。遮断回路２２および２３は、遮断回路２１と同一構成とすればよい。

図１０は、不揮発性メモリ４１及び電源供給制御部２０の構成例を示している。図１０の例では、温度センサ３０１〜３０３による測定信号Ｓ２１〜Ｓ２３（つまり測定温度データ）は、それぞれ１６ビットの２進数で表される。不揮発性メモリ４１は、ライトイネーブル（ＷＥ）端子に供給される制御信号Ｓ２（つまりＷＥ信号）に応じて、書き込みデータ（ＷＤ）端子に与えられた３つの測定温度データを記憶する。そして、不揮発性メモリ４１は、部分回路１１〜１３にそれぞれ対応する測定温度データを信号Ｓ３１〜Ｓ３３として出力する。以下では、説明の便宜上、信号Ｓ３１〜Ｓ３３の値をそれぞれ記号Ａ、Ｂ、Ｃで表すものとする。

信号Ｓ３１〜Ｓ３３が示す測定温度データＡ、Ｂ、Ｃは、典型的には、非通電状態で熱が半導体基材に十分一様に拡散して部分回路１１〜１３がほぼ同一の温度となった状態において部分回路１１〜１３に同時に給電を開始し、部分回路１１〜１３を同一の条件で稼働させ、所定時間が経過した後の部分回路１１〜１３それぞれの温度を示している。既に述べた通り、消費電力の小さい部分回路ほど温度上昇速度が小さい。このため、使用する（つまり電源を供給する）部分回路を選択する際に、測定温度データＡ、Ｂ、Ｃのうち値が小さいものに対応する部分回路を選んで使用することで、半導体集積回路装置２の消費電力を低減することができる。

３つの測定温度データＡ、Ｂ、Ｃを値の小さい順で選択する際の順列は、図１１に示すように全部で６パタンである。該当する順列のパタンが判明すれば、これに基づいて温度上昇の少ない部分回路から順に選択して使用することができる。順列パタンの判定では、測定温度データＡ、Ｂ、Ｃの中に互いに等しい値が含まれている場合でも、パタンを一意に判定する必要がある。図１１の表に示された判定式はその一例を示している。図１１の判定式によれば、任意の値の組（Ａ、Ｂ、Ｃ）に対して６つのパタンの判定式のうち１つだけが真となり、該当する唯一のパタンが確定される。

次に、図１０の電源供給制御部２０について説明する。図１０の例では、電源供給制御部２０は、組み合わせ論理回路によって構成されている。図１０の比較回路２０１〜２０３、反転回路２１１〜２１３、並びにＡＮＤ回路２２１〜２２６は、図１１に示した判定式に基づくパタン判定回路を構成している。図１０の構成例によれば、信号Ｓ３１〜Ｓ３３によって示される測定温度データＡ、Ｂ、Ｃのあらゆる値の組合せに対して、ＡＮＤ回路２２１〜２２６の何れか一つの出力のみが真、つまり論理"１"となるよう動作する。ＡＮＤ回路２２１〜２２６の論理"１"の出力は、図１１のパタン１〜６にそれぞれ対応する。

図１０の電源供給制御部２０に供給される選択制御信号Ｓ４１〜Ｓ４３は、その組合せで、図１２の表に示すように、必要とされる部分回路の個数を示す。信号Ｓ４１〜Ｓ４３は、半導体集積回路装置２の内部回路、または半導体集積回路装置２の外部から電源供給制御部２０に与えられる。

ＯＲ回路２３１〜２３３、並びにＡＮＤ回路２４１〜２４３は、選択制御信号Ｓ４１が論理"１"の場合に、ＡＮＤ回路２２１〜２２６が示す順列パタンに従って、最も測定温度が低い（言い換えると温度上昇速度が小さい、さらに言い換えると消費電力の少ない）部分回路を判定する。ＯＲ回路２５１〜２５３、並びにＡＮＤ回路２６１〜２６３は、選択制御信号Ｓ４２が論理"１"の場合に、同じく順列パタンに従って、２番目に測定温度が低い部分回路を判定する。ＮＯＲ回路２７１〜２７３は、前述の順列パタンに基づく判定結果と制御信号Ｓ４３の値に基づいて、電源を供給すべき部分回路を決定し、電源遮断制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３をそれぞれ出力する。電源遮断制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３は、遮断回路２１〜２３に対して、論理"１"のとき電源の遮断を、論理"０"のとき電源の供給を指示する。なお、選択制御信号Ｓ４３は、３つの部分回路１１〜１３の全てを使用することを示しており、この信号が論理"１"の場合、電源遮断制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３は全て論理"０"となる。

続いて以下では、半導体集積回路装置２の初期設定時の動作の一例について、図１３のタイミングチャートを用いて説明する。時刻Ｔ０において、半導体集積回路装置２への電源供給は断たれており、半導体集積回路装置２が有する半導体基材において熱は十分一様に拡散していると仮定する。このとき、部分回路１１〜１３の温度はほぼ等しい。

時刻Ｔ１において、半導体集積回路装置２に（ａ）電源が供給され、半導体集積回路装置２のリセットが行われる。このとき、制御パラメータ生成部４０により出力される（ｂ）温度測定制御信号Ｓ１は論理"０"である。したがって、電源供給制御部２０は、部分回路１１〜１３に対する温度測定（言い換えると温度上昇速度の測定、さらに言い換えると消費電力測定）の為の給電の指示を受けていない。また、制御パラメータ生成部４０により出力される（ｉ）温度測定制御信号Ｓ２も論理"０"である。したがって、不揮発性メモリ４１は、温度センサ３０１〜３０３が出力する測定温度データ（測定温度信号Ｓ２１〜Ｓ２３）を記憶する指示は受けていない。

時刻Ｔ２において、例えば半導体集積回路装置２外部から制御パラメータ生成部４０に初期設定開始の指示がなされると、制御パラメータ生成部４０は（ｂ）信号Ｓ１に論理"１"を出力する。つまり、制御パラメータ生成部４０は、部分回路１１〜１３に対する電源の供給を電源供給制御部２０に指示する。このとき、図１０の構成例では、ＮＯＲ回路２７１〜２７３が制御信号Ｓ１を受信し、（ｃ〜ｅ）電源遮断制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３に論理"０"を出力する。これにより、遮断回路２１〜２３に対して電源供給が指示される。遮断回路２１〜２３は、電源配線５０から部分回路１１〜１３のそれぞれに電源供給を開始する。

電源が供給された部分回路１１〜１３は、それぞれ稼働し、基本的に同一の動作をするものとする。すなわち、部分回路１１〜１３は、半導体プロセスの特性に基づきある程度のリーク電流を消費し、例えばクロック信号が供給されてダイナミック消費電力も生じる。また、例えば、半導体集積回路装置２に組み込まれた自己診断機能であるメモリＢＩＳＴ （Built-In Self Test）又はロジックＢＩＳＴが稼働し、製造ばらつきを反映した消費電力が部分回路１１〜１３のそれぞれで発生する。これに伴って、部分回路１１〜１３で消費された電力はほぼ全てが熱に変換され、各部分回路で半導体基材の温度が急速に上昇する。このときの温度上昇速度は、製造ばらつきを反映した消費電力と相関を有するため、各部分回路に対応して配置された温度センサ３０１〜３０３の出力はそれぞれ異なった値を示す。温度センサ３０１〜３０３は、部分回路１１〜１３に関する測定温度データを（ｆ〜ｈ）信号Ｓ２１〜Ｓ２３として継続的に出力する。

時刻Ｔ３では、制御パラメータ生成部４０は、測定に必要な所定時間の経過を検出し、（ｉ）温度測定制御信号Ｓ２に論理"１"を出力する。これにより、制御パラメータ生成部４０は、不揮発性メモリ４１に対して、温度センサ３０１〜３０３が出力する測定温度データＳ２１〜Ｓ２３の記憶を指示する。なお、時刻Ｔ２からＴ３に至る測定に必要な所定時間の最適値は、半導体基材の熱容量や部分回路１１〜１３の消費電力すなわち発熱量によって異なる。具体的には、時刻Ｔ３は、半導体集積回路装置２の発熱と放熱が均衡して部分回路１１〜１３の温度上昇が止まるよりも前のタイミングとすればよい。

時刻Ｔ４において、制御パラメータ生成部４０は、不揮発性メモリ４１に対する所定のパルス幅の出力を終えると、（ｉ）制御信号Ｓ２を論理"０"に戻し、これにより不揮発性メモリ４１への記憶指示を終了する。ついで、時刻Ｔ５において、制御パラメータ生成部４０は、（ａ）制御信号Ｓ１を論理"０"に戻し、これにより温度測定の為の部分回路１１〜１３への給電の指示を解除する。

時刻Ｔ５より後では、電源供給制御部２０は、不揮発性メモリ４１に記録された部分回路１１〜１３それぞれの測定温度データを参照することによって、電源供給を行う部分回路を決定する。ここで、不揮発性メモリ４１に記録された部分回路１１〜１３それぞれの測定温度データは、過去に実際に部分回路１１〜１３に給電することにより測定されたデータであって、部分回路１１〜１３の温度上昇速度つまり電力効率を反映した制御パラメータである。電源供給制御部２０は、部分回路１１〜１３のうち温度上昇速度の小さい（言い換えると電力効率の大きい、さらに言い換えると消費電力の小さい）部分回路から順に必要数の部分回路が選択し選択した部分回路のみに給電を行う。図１０に示した構成例では、電源供給制御部２０は、選択制御信号Ｓ４１〜Ｓ４３の指示に基づいて、消費電力の少ない部分回路から順に必要数の部分回路が選択する。そして、電源遮断制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３は、ＮＯＲ回路２７１〜２７３から出力される。

図１３を用いて説明した初期設定は、例えば、半導体集積回路装置２の検査工程において、ＬＳＩテスタを使用して実施することができる。また、この初期設定は、半導体集積回路装置２をプリント基板等に搭載して装置／システムに実装した後、装置／システムの初期化または診断機能を使用して実施することもできる。

続いて、初期設定の終了後に行われる通常起動時の動作を図１４のタイミングチャートを用いて説明する。時刻Ｔ０において、半導体集積回路装置２への電源の供給は断たれている。しかしながら、不揮発性メモリ４１に記憶された測定温度データ（つまり制御パラメータ）は、半導体集積回路装置２の電源が断たれても保存されている。

時刻Ｔ１において、半導体集積回路装置２に（ａ）電源が供給され、半導体集積回路装置２のリセットが行われる。このとき、（ｂ）温度測定制御信号Ｓ１及び（ｃ）制御信号Ｓ２は共に論理"０"である。つまり、制御パラメータ生成のための温度測定の指示は出ていない。通常起動時には制御パラメータ生成部４０に対して初期設定開始の指示はなされず、信号Ｓ１及びＳ２の状態は論理"０"のまま維持される。

また、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２の間では、（ｄ〜ｆ）選択制御信号Ｓ４１〜Ｓ４３は全て論理"０"である。つまり、選択制御信号Ｓ４１〜Ｓ４３は、必要な部分回路の数が０であることを示している。図１０の構成例に従うと、ＮＯＲ回路２７１〜２７３は、（ｇ〜ｈ）電源遮断制御信号１３１〜１３３に論理"１"を出力する。つまり、電源供給制御部２０は、部分回路１１〜１３への電源供給の遮断を遮断回路２１〜２３に指示している。

時刻Ｔ２において、（ｅ）選択制御信号Ｓ４１が論理"１"となり、必要な部分回路の数が１に変わる。このとき、電源供給制御部２０は、不揮発性メモリ４１に記憶されている各部分回路の測定温度データ（つまり制御パラメータ）を参照して、不揮発性メモリ４１に記憶された測定温度の最も低い（つまり、温度上昇速度が最も小さい、言い換えると電力効率が最も大きい）部分回路１つを選択する。ここでは、部分回路１２が選択されるものとする。そして、電源供給制御部２０は、部分回路１２への電源供給を開始するべく、遮断回路２２に与える（ｈ）電源遮断制御信号Ｓ１２を論理"０"とする。

時刻Ｔ２での動作を図１０の構成例に従って説明すると、図１１に示した６通りの順列パタンの何れに該当するかが判定され、ＡＮＤ回路２２１〜２２６の何れか１つの出力のみが真、すなわち論理"１"となる。選択制御信号Ｓ４１〜Ｓ４３は、部分回路の必要数が１であることを示しているので、判定した順列パタンに従って、不揮発性メモリ４１に記憶された測定温度の最も低い（つまり、温度上昇速度が最も小さい、言い換えると電力効率が最も大きい）部分回路が選択される。ここでは、部分回路１２の温度上昇速度が最も小さく、ついで部分回路１３の温度上昇速度が小さく、部分回路１１の温度上昇速度が最も大きいことを想定している。したがって、比較回路２０１、２０２、２０３の出力はそれぞれ論理"０"、"１"、"０"となる。よって、ＡＮＤ回路２２４の出力が論理"１"となり、図１２に示されたパタン４の順列であることを示す。その他のＡＮＤ回路２２１、２２２、２２３、２２５、２２６の出力は論理"０"となる。判定された順列パタンと、（ｄ〜ｆ）選択制御信号Ｓ４１〜Ｓ４２の指示に基づいて、ＮＯＲ回路２７２が（ｈ）電源遮断制御信号Ｓ１２に論理"０"を出力する。これにより、部分回路１２への電源供給が指示される。一方、（ｇ）制御信号Ｓ１１及び（ｉ）制御信号Ｓ１３には論理"１"が出力され、部分回路１１及び１３への電源供給の遮断が指示される。

時刻Ｔ３において、（ｅ）選択制御信号Ｓ４２も論理"１"となり、必要な部分回路の数が２に変わる。図１０の構成例及び先の仮定（Ｂ＜Ｃ＜Ａ）に従って説明すると、不揮発性メモリ４１が出力する測定温度データは時刻Ｔ２と変わらないので、判定される順列パタンはパタン４のまま変わらない。選択制御信号Ｓ４２が論理"１"となることで、判定された順列パタン４で２番目に消費電力の小さい部分回路（つまり部分回路１３）への給電が指示される。具体的には、ＡＮＤ回路２６３の出力が論理"１"に変わり、ＮＯＲ回路２７３が電源遮断制御信号Ｓ１３への出力を論理"０"とする。これにより、部分回路１３への電力の供給が行われる。

時刻Ｔ４において、さらに（ｆ）選択制御信号Ｓ４３も論理"１"となり、必要な部分回路の数が３に変わる。図１０の構成例に従って説明すると、不揮発性メモリ４１が記憶している測定温度データ（つまり制御パラメータ）に基づく順列パタンの判定に関係なく、ＮＯＲ回路２７１〜２７３の全てが論理"０"を出力する。つまり、（ｇ〜ｈ）電源制御信号Ｓ１１〜Ｓ１３によって、部分回路１１〜１３の全てに対する電源の供給が指示される。

＜その他の実施の形態＞
実施の形態２では、電源供給制御部２０を組み合わせ論理回路により構成する例を示した。しかしながら、電源供給制御部２０の動作、具体的には、"部分回路１１〜１３に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、部分回路１１〜１３のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択する動作"は、マイクロプロセッサ等のコンピュータにプログラムを実行させることによって実現されてもよい。また、制御パラメータ生成部４０の動作、具体的には、"部分回路１１〜１３に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、部分回路１１〜１３それぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを生成する動作"も、マイクロプロセッサ等のコンピュータにプログラムを実行させることによって実現されてもよい。

このプログラムは、様々なタイプの非一時的なコンピュータ可読媒体（non-transitory computer readable medium）を用いて格納され、コンピュータに供給することができる。非一時的なコンピュータ可読媒体は、様々なタイプの実体のある記録媒体（tangible storage medium）を含む。非一時的なコンピュータ可読媒体の例は、磁気記録媒体（例えばフレキシブルディスク、磁気テープ、ハードディスクドライブ）、光磁気記録媒体（例えば光磁気ディスク）、ＣＤ−ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、半導体メモリ（例えば、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ（Programmable ROM）、ＥＰＲＯＭ（Erasable PROM）、フラッシュＲＯＭ、ＲＡＭ（random access memory））を含む。また、プログラムは、様々なタイプの一時的なコンピュータ可読媒体（transitory computer readable medium）によってコンピュータに供給されてもよい。一時的なコンピュータ可読媒体の例は、電気信号、光信号、及び電磁波を含む。一時的なコンピュータ可読媒体は、電線及び光ファイバ等の有線通信路、又は無線通信路を介して、プログラムをコンピュータに供給できる。

上述した複数の実施の形態は、適宜組み合わせることも可能である。さらに、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、既に述べた本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。

上記の複数の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。

（付記１）
各々が同一機能を有する複数の部分回路と、
前記複数の部分回路それぞれの温度を測定する温度測定手段と、
前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御可能であって、前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、前記複数の部分回路のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択する電源供給制御手段と、
を備える、半導体集積回路装置。
（付記２）
前記電源供給制御手段は、前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度が反映された制御パラメータに基づいて、前記少なくとも１つの回路を選択する、付記１に記載の半導体集積回路装置。
（付記３）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づくパラメータを含む、付記２に記載の半導体集積回路装置。
（付記４）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含む、付記２に記載の半導体集積回路装置。
（付記５）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始する前の各部分回路の第１の測定温度と前記電源供給を開始した後の各部分回路の第２の測定温度との差分に基づくパラメータを含む、付記２に記載の半導体集積回路装置。
（付記６）
前記電源供給制御手段は、前記複数の部分回路のうち、電源供給時の温度上昇速度が相対的に大きい部分回路を電源供給が停止される部分回路として優先的に選択する、付記１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
（付記７）
前記温度測定手段による測定結果に基づいて前記制御パラメータを生成する生成手段をさらに備える、付記２〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
（付記８）
前記生成手段は、前記半導体集積回路装置の初期設定時において、前記複数の部分回路に対する電源供給を実質的に同時に開始してから所定時間経過後に前記温度測定手段によって測定される各部分回路の温度を取得し、取得された温度に基づいて前記制御パラメータを生成する、付記７に記載の半導体集積回路装置。
（付記９）
前記制御パラメータを記憶可能な不揮発性メモリをさらに備え、
前記電源供給制御手段は、前記不揮発性メモリから前記制御パラメータを取得する、
付記２〜５、７、８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
（付記１０）
前記温度測定手段は、各々が前記複数の部分回路のいずれかと一対一に対応する複数の温度センサ回路を含む、付記１〜９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
（付記１１）
各々が同一機能を有する複数の部分回路と、
前記複数の部分回路それぞれの温度を測定する温度測定手段と、
前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを記憶した不揮発性メモリと、
を備える半導体集積回路装置。
（付記１２）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づくパラメータを含む、付記１１に記載の半導体集積回路装置。
（付記１３）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含む、付記１１に記載の半導体集積回路装置。
（付記１４）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始する前の各部分回路の第１の測定温度と前記電源供給を開始した後の各部分回路の第２の測定温度との差分に基づくパラメータを含む、付記１１に記載の半導体集積回路装置。
（付記１５）
前記温度測定手段による測定結果に基づいて前記制御パラメータを生成する生成手段をさらに備える、付記１１〜１４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
（付記１６）
前記生成手段は、前記半導体集積回路装置の初期設定時において、前記複数の部分回路に対する電源供給が実質的に同時に開始されてから所定時間経過後に前記温度測定手段によって測定される各部分回路の温度を取得し、取得された温度に基づいて前記制御パラメータを生成する、付記１５に記載の半導体集積回路装置。
（付記１７）
前記不揮発性メモリから取得した前記制御パラメータに基づいて、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御する電源供給制御手段をさらに備える、付記８〜１２のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
（付記１８）
前記電源供給制御手段は、前記複数の部分回路の中から電源供給が行われる少なくとも１つの回路を選択する際に、前記制御パラメータに基づいて、電源供給時の温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を前記少なくとも１つの回路として優先的に選択する、付記１７に記載の半導体集積回路装置。
（付記１９）
各々が同一機能を有する複数の部分回路と、
前記複数の部分回路それぞれの温度を測定する温度測定手段と、
前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを生成する生成手段と、
を備える、半導体集積回路装置。
（付記２０）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づくパラメータを含む、付記１９に記載の半導体集積回路装置。
（付記２１）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含む、付記１９に記載の半導体集積回路装置。
（付記２２）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始する前の各部分回路の第１の測定温度と前記電源供給を開始した後の各部分回路の第２の測定温度との差分に基づくパラメータを含む、付記１９に記載の半導体集積回路装置。
（付記２３）
前記生成手段は、前記半導体集積回路装置の初期設定時において、前記複数の部分回路に対する電源供給が実質的に同時に開始されてから所定時間経過後に前記温度測定手段によって測定される各部分回路の温度を取得し、取得された温度に基づいて前記制御パラメータを生成する、付記１９〜２２のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
（付記２４）
各々が同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路の制御方法であって、
前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、前記複数の部分回路のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択すること、
を備える、半導体集積回路の制御方法。
（付記２５）
前記選択することは、前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度が反映された制御パラメータに基づいて、前記少なくとも１つの回路を選択することを含む、付記２４に記載の方法。
（付記２６）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づくパラメータを含む、付記２５に記載の方法。
（付記２７）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含む、付記２５に記載の方法。
（付記２８）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始する前の各部分回路の第１の測定温度と前記電源供給を開始した後の各部分回路の第２の測定温度との差分に基づくパラメータを含む、付記２５に記載の方法。
（付記２９）
前記温度測定手段による測定結果に基づいて前記制御パラメータを生成することをさらに備える、付記２５〜２８のいずれか１項に記載の方法。
（付記３０）
前記生成することは、前記半導体集積回路装置の初期設定時において、前記複数の部分回路に対する電源供給が実質的に同時に開始されてから所定時間経過後に前記温度測定手段によって測定される各部分回路の温度を取得し、取得された温度に基づいて前記制御パラメータを生成することを含む、付記２９に記載の方法。
（付記３１）
各々が同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路に関する制御パラメータの生成方法であって、
前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを生成すること、
を備える、制御パラメータの生成方法。
（付記３２）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づくパラメータを含む、付記３１に記載の方法。
（付記３３）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含む、付記３１に記載の方法。
（付記３４）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始する前の各部分回路の第１の測定温度と前記電源供給を開始した後の各部分回路の第２の測定温度との差分に基づくパラメータを含む、付記３１に記載の方法。
（付記３５）
前記生成することは、前記半導体集積回路装置の初期設定時において、前記複数の部分回路に対する電源供給が実質的に同時に開始されてから所定時間経過後に前記温度測定手段によって測定される各部分回路の温度を取得し、取得された温度に基づいて前記制御パラメータを生成することを含む、付記３１〜３４のいずれか１項に記載の方法。
（付記３６）
各々が同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路の制御方法をコンピュータに行わせるためのプログラムであって、
前記方法は、
前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、前記複数の部分回路のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択すること、
を備える、プログラム。
（付記３７）
前記選択することは、前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度が反映された制御パラメータに基づいて、前記少なくとも１つの回路を選択することを含む、付記３６に記載のプログラム。
（付記３８）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づくパラメータを含む、付記３７に記載のプログラム。
（付記３９）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含む、付記３７に記載のプログラム。
（付記４０）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始する前の各部分回路の第１の測定温度と前記電源供給を開始した後の各部分回路の第２の測定温度との差分に基づくパラメータを含む、付記３７に記載のプログラム。
（付記４１）
前記方法は、前記温度測定手段による測定結果に基づいて前記制御パラメータを生成することをさらに備える、付記３７〜４０のいずれか１項に記載の方法。
（付記４２）
各々が同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路に関する制御パラメータの生成方法をコンピュータに行わせるためのプログラムであって、
前記方法は、
前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを生成すること、
を備える、プログラム。
（付記４３）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づくパラメータを含む、付記４２に記載のプログラム。
（付記４４）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含む、付記４２に記載のプログラム。
（付記４５）
前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始する前の各部分回路の第１の測定温度と前記電源供給を開始した後の各部分回路の第２の測定温度との差分に基づくパラメータを含む、付記４２に記載のプログラム。
（付記４６）
前記生成することは、前記半導体集積回路装置の初期設定時において、前記複数の部分回路に対する電源供給が実質的に同時に開始されてから所定時間経過後に前記温度測定手段によって測定される各部分回路の温度を取得し、取得された温度に基づいて前記制御パラメータを生成することを含む、付記４２〜４５のいずれか１項に記載のプログラム。

１、２ 半導体集積回路装置
１１〜１３ 部分回路
２０ 電源供給制御部
２１〜２３ 遮断回路
３０ 温度測定部
４０ 制御パラメータ生成部
４１ 不揮発性メモリ
５０ 電源配線
５１〜５３ 電源部
２０１〜２０３ 比較回路
２１１〜２１３ 反転回路
２２１〜２２６ ＡＮＤ回路
２３１〜２３３ ＯＲ回路
２４１〜２４３ ＡＮＤ回路
２５１〜２５３ ＯＲ回路
２６１〜２６３ ＡＮＤ回路
２７１〜２７３ ＮＯＲ回路
３０１〜３０３ 温度センサ
ＷＥ ライトイネーブル端子
ＷＤ ライトデータ端子
ＲＤ リードデータ端子

Claims (10)

1. 各々が同一機能を有する複数の部分回路と、
   前記複数の部分回路それぞれの温度を測定する温度測定手段と、
   前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御可能であって、前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、前記複数の部分回路のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択する電源供給制御手段と、
   を備える、半導体集積回路装置。
2. 前記電源供給制御手段は、前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度が反映された制御パラメータに基づいて、前記少なくとも１つの回路を選択する、請求項１に記載の半導体集積回路装置。
3. 前記制御パラメータは、前記複数の部分回路に対して実質的に同時に電源供給を開始した後に測定された各部分回路の温度に基づくパラメータを含む、請求項２に記載の半導体集積回路装置。
4. 前記制御パラメータは、前記複数の部分回路の間の温度上昇速度の違いを特定できるパラメータを含む、請求項２に記載の半導体集積回路装置。
5. 前記温度測定手段による測定結果に基づいて前記制御パラメータを生成する生成手段をさらに備える、請求項２〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
6. 前記生成手段は、前記半導体集積回路装置の初期設定時において、前記複数の部分回路に対する電源供給を実質的に同時に開始してから所定時間経過後に前記温度測定手段によって測定される各部分回路の温度を取得し、取得された温度に基づいて前記制御パラメータを生成する、請求項５に記載の半導体集積回路装置。
7. 各々が同一機能を有する複数の部分回路と、
   前記複数の部分回路それぞれの温度を測定する温度測定手段と、
   前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを記憶した不揮発性メモリと、
   を備える半導体集積回路装置。
8. 各々が同一機能を有する複数の部分回路と、
   前記複数の部分回路それぞれの温度を測定する温度測定手段と、
   前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを生成する生成手段と、
   を備える、半導体集積回路装置。
9. 各々が同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路の制御方法であって、
   前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの温度上昇速度が相対的に小さい部分回路を、前記複数の部分回路のうち電源供給が行われる少なくとも１つの回路として優先的に選択すること、
   を備える、半導体集積回路の制御方法。
10. 各々が同一機能を有する複数の部分回路を含む半導体集積回路に関する制御パラメータの生成方法であって、
    前記複数の部分回路に過去に電源が供給されたときの各部分回路の温度上昇速度を反映しており、前記複数の部分回路それぞれに対する電源の供給及び停止を制御するために使用される制御パラメータを生成すること、
    を備える、制御パラメータの生成方法。

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