JP2013205179A - 導電体センサ及び導電体の検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】手前に導電性膜が配置された導電体の位置を特定可能なセンサを提供する。
【解決手段】磁界放射器1と、磁界放射器から導電体までの距離と、磁界放射器のインダクタンスと、の関係を保存する関係記憶装置401と、関係と、手前に導電性膜3が配置された測定対象導電体2に向けて磁界放射器1が磁界を放射した場合の磁界放射器1のインダクタンスの測定値と、に基づいて、磁界放射器1から測定対象導電体2までの距離Dを特定する特定部301と、を備える、導電体センサ。
【選択図】図1
【解決手段】磁界放射器1と、磁界放射器から導電体までの距離と、磁界放射器のインダクタンスと、の関係を保存する関係記憶装置401と、関係と、手前に導電性膜3が配置された測定対象導電体2に向けて磁界放射器1が磁界を放射した場合の磁界放射器1のインダクタンスの測定値と、に基づいて、磁界放射器1から測定対象導電体2までの距離Dを特定する特定部301と、を備える、導電体センサ。
【選択図】図1
Description
本発明は検出技術に係り、導電体センサ及び導電体の検出方法に関する。
コイルで磁界を励磁し、金属等からなる導電体に磁界を照射すると、導電体に渦電流が生じる。ここで、電磁誘導作用により、コイルと、導電体と、の距離を変化させると、コイルのクオリティファクタの値(以下において、「Q値」あるいは「Qの値」などという。)も変化する。したがって、コイルから導電体までの距離と、コイルのQ値と、の関係を予め取得しておけば、測定対象導電体に磁界を照射した際のコイルのQの測定値から、コイルから測定対象導電体までの距離を算出することが可能である(例えば、特許文献1参照。)。
しかし、導電体の手前に導電性膜が配置されている場合、コイルから磁界を励磁すると、導電性膜と、導電体と、の両方に渦電流が生じる。そのため、導電体の位置を正確に検出できないという問題がある。そこで、本発明は、手前に導電性膜が配置された導電体の位置を特定可能な導電体センサ及び導電体の検出方法を提供することを目的の一つとする。
本発明の態様によれば、(a)磁界放射器と、(b)磁界放射器から導電体までの距離と、磁界放射器のインダクタンスと、の関係を保存する関係記憶装置と、(c)関係と、手前に導電性膜が配置された測定対象導電体に向けて磁界放射器が磁界を放射した場合の磁界放射器のインダクタンスの測定値と、に基づいて、磁界放射器から測定対象導電体までの距離を特定する特定部と、を備える、導電体センサが提供される。
また、本発明の態様によれば、(a)磁界放射器から導電体までの距離と、磁界放射器のインダクタンスと、の関係を用意することと、(b)手前に導電性膜が配置された測定対象導電体に向けて磁界放射器から磁界を放射し、磁界放射器のインダクタンスの値を測定することと、(c)関係と、インダクタンスの測定値と、に基づいて、磁界放射器から測定対象導電体までの距離を特定することと、を含む、導電体の検出方法が提供される。
本発明によれば、手前に導電性膜が配置された導電体の位置を特定可能な導電体センサ及び導電体の検出方法を提供可能である。
以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
実施の形態に係る導電体センサは、図1に示すように、磁界を放射する磁界放射器1と、磁界放射器1に接続された中央演算処理装置(CPU)300と、を備える。CPU300には、磁界放射器から導電体までの距離と、磁界放射器のインダクタンスと、の関係を保存する関係記憶装置401が接続されている。CPU300は、関係記憶装置401に保存されている関係と、手前に導電性膜3が配置された測定対象導電体2に向けて磁界放射器1が磁界を放射した場合の磁界放射器1のインダクタンスの測定値と、に基づいて、磁界放射器1から測定対象導電体2までの距離D1を特定する特定部301を含む。
磁界放射器1は、コイル11を有する。コイル11は、例えばLC発振回路の一部をなしている。コイル11のQ値は、ωを共振角周波数、Lをコイル11の自己インダクタンス、Rをコイル11の高周波抵抗として、下記(1)式で与えられる。
Q = ωL / R ・・・(1)
Q = ωL / R ・・・(1)
導電性膜3及び測定対象導電体2は、例えばアルミニウム、銅、又はこれらを支配的に含む合金等の非磁性体からなる。導電性膜3は、磁界放射器1が放射する磁界の表皮深さよりも充分薄い金属箔等である。また、測定対象導電体2は、例えば、磁界放射器1が放射する磁界の表皮深さよりも充分厚い板やローラ等の部材である。
LC発振回路の発振に伴い、コイル11から導電性膜3及び測定対象導電体2に向かって、高周波交流磁界が形成され、導電性膜3及び測定対象導電体2のそれぞれに渦電流が発生する。渦電流による電気エネルギの損失は、コイル11の見かけ上の高周波抵抗Rを増大させ、Q値を低下させる。また、渦電流による電気エネルギの損失は、コイル11から導電性膜3までの距離D2、及びコイル11から測定対象導電体2までの距離D1に依存して変化する。したがって、Q値も、コイル11から導電性膜3までの距離D2、及びコイル11から測定対象導電体2までの距離D1に依存して変化する。また、コイル11の見かけ上の自己インダクタンス、高周波抵抗、又はインピーダンス等の特性、あるいはそれらに相関するLC発振回路の発振、LC発振回路を流れる電流も、コイル11から導電性膜3までの距離D2、及びコイル11から測定対象導電体2までの距離D1に依存して変化する。
ここで、本発明者は、鋭意研究の末、コイル11のインピーダンスの実部である高周波抵抗R及びQ値は、導電性膜3の厚さの影響を強く受けるが、コイル11のインピーダンスの虚部であるインダクタンスは、導電性膜3の厚さの影響を受けにくいことを見出した。例えば、図2に示すように、背後に導電体が配置されていない、アルミニウムからなる厚さが5μm、10μm、15μm、20μm、又は50μmのサンプル導電性膜13、あるいは不図示のアルミニウムからなる厚さ10mmのサンプル導電ブロックに向けて、コイル11から周波数100kHzの磁界を放射し、コイル11の抵抗値を測定した。すると、図3に示すように、厚さ20μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が最も高くなり、厚さ15μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が2番目に高くなり、厚さ50μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が3番目に高くなり、厚さ10μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が4番目に高くなり、厚さ5μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が5番目に高くなり、厚さ10mmのサンプル導電ブロックが配置されたときに抵抗値が最も低くなった。
また、背後に導電体が配置されていないサンプル導電性膜13あるいはサンプル導電ブロックに向けて、コイル11から周波数50kHzの磁界を放射し、コイル11の抵抗値を測定した。すると、図4に示すように、厚さ50μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が最も高くなり、厚さ20μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が2番目に高くなり、厚さ15μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が3番目に高くなり、厚さ10μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が4番目に高くなり、厚さ5μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が5番目に高くなり、厚さ10mmのサンプル導電ブロックが配置されたときに抵抗値が最も低くなった。
さらに、背後に導電体が配置されていないサンプル導電性膜13あるいはサンプル導電ブロックに向けて、コイル11から周波数10kHzの磁界を放射し、コイル11の抵抗値を測定した。すると、図5に示すように、厚さ50μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が最も高くなり、厚さ10mmのサンプル導電ブロックが配置されたときに抵抗値が2番目に高くなり、厚さ20μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が3番目に高くなり、厚さ15μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が4番目に高くなり、厚さ10μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が5番目に高くなり、厚さ5μmのサンプル導電性膜13が配置されたときに抵抗値が最も低くなった。
以上示したように、コイル11の抵抗値は、導電性膜の厚さが特定の値をとるときに、極大値をとる傾向にある。さらに、コイル11の抵抗値の極大値を与える導電性膜の厚さも、磁界の周波数に応じて変化する傾向にある。
次に、背後に導電体が配置されていないサンプル導電性膜13あるいはサンプル導電ブロックに向けて、コイル11から同様の周波数の磁界を放射し、コイル11のQ値を測定した場合、コイル11のQ値は、抵抗Rの逆数(1/R)への依存度が高いので、図6、図7、及び図8に示すように、コイル11のQ値は、抵抗Rと同じように、導電性膜の厚さが特定の値をとるときに、極小値をとる傾向にある。さらに、コイル11のQ値の極小値を与える導電性膜の厚さは、磁界の周波数に応じて変化する傾向にある。
これに対し、背後に導電体が配置されていないサンプル導電性膜13あるいはサンプル導電ブロックに向けて、コイル11から周波数100kHzの磁界を放射し、コイル11のインダクタンスの値を測定した。すると、図9に示すように、コイル11のインダクタンスの値は、サンプル導電性膜13の厚さが薄くなるほど高くなる傾向にあった。また、背後に導電体が配置されていないサンプル導電性膜13あるいはサンプル導電ブロックに向けて、コイル11から周波数50kHzの磁界を放射し、コイル11のインダクタンスの値を測定した場合も、図10に示すように、コイル11のインダクタンスの値は、サンプル導電性膜13の厚さが薄くなるほど高くなる傾向にあった。さらに、背後に導電体が配置されていないサンプル導電性膜13あるいはサンプル導電ブロックに向けて、コイル11から周波数10kHzの磁界を放射し、コイル11のインダクタンスの値を測定した場合も、図11に示すように、コイル11のインダクタンスの値は、サンプル導電性膜13の厚さが薄くなるほど高くなる傾向にあった。
以上示したように、コイル11のインダクタンスの値は、磁界の周波数に関わらず、導電性膜の厚さが薄くなるほど高くなる傾向にある。さらに、導電性膜の厚さによるコイル11のインダクタンスのばらつきは、磁界の周波数が低くなるほど抑制される傾向にある。
次に、図12に示すように、手前にアルミニウムからなる厚さが5μm、10μm、15μm、20μm又は50μmのサンプル導電性膜13が配置された、あるいは手前にサンプル導電性膜13が配置されていない、アルミニウムからなる厚さが10mmのサンプル導電体12に向けて、コイル11からサンプル導電性膜13までの距離D2を500μmに保って、コイル11から周波数50kHzの磁界を放射し、コイル11の抵抗値を測定した。すると、図13に示すように、サンプル導電性膜13が配置されていない場合は、コイル11の抵抗値は、コイル11からサンプル導電体12までの距離D1が長くなるほど、減少する傾向にあった。しかし、サンプル導電性膜13が配置されている場合は、コイル11の抵抗値は、コイル11からサンプル導電体12までの距離D1が長くなるほど、増加する傾向にあった。さらに、コイル11の抵抗値は、サンプル導電性膜13の厚さに応じて著しくばらついた。
また、手前にサンプル導電性膜13が配置された、あるいは手前にサンプル導電性膜13が配置されていないサンプル導電体12に向けて、コイル11から周波数10kHzの磁界を放射し、コイル11の抵抗値を測定した。すると、図14に示すように、サンプル導電性膜13が配置されている場合も、厚さが20μm以下であれば、コイル11の抵抗値は、コイル11からサンプル導電体12までの距離D1が長くなるほど、減少する傾向にあった。しかし、サンプル導電性膜13の厚さが50μmの場合は、コイル11の抵抗値は、距離D1が長くなるほど、増加する傾向にあり、依然として、コイル11の抵抗値は、サンプル導電性膜13の厚さに応じてばらついた。
以上示したように、コイル11の抵抗値は、導電体の手前に配置された導電性膜の有無、及び導電性膜の厚さによってばらつく傾向にある。したがって、コイル11の抵抗値と、コイル11から導電体までの距離と、を関係づけるのは困難である。
次に、手前にサンプル導電性膜13が配置された、あるいは手前にサンプル導電性膜13が配置されていないサンプル導電体12に向けて、コイル11のQ値を測定した。その結果、コイル11のQ値は、抵抗Rの逆数(1/R)への依存度が高いため、図15及び図16に示すように、コイル11のQ値は、導電体の手前に配置された導電性膜の有無、及び導電性膜の厚さによってばらつく傾向にある。したがって、コイル11のQ値と、コイル11から導電体までの距離と、を関係づけるのは困難である。
これに対し、手前にサンプル導電性膜13が配置された、あるいは手前にサンプル導電性膜13が配置されていないサンプル導電体12に向けて、コイル11から周波数50kHzの磁界を放射し、コイル11のインダクタンスの値を測定した。すると、図17に示すように、サンプル導電性膜13の有無にかかわらず、コイル11のインダクタンスの値は、コイル11からサンプル導電体12までの距離D1が長くなるほど、増加する傾向にあった。
また、手前にサンプル導電性膜13が配置された、あるいは手前にサンプル導電性膜13が配置されていないサンプル導電体12に向けて、コイル11から周波数10kHzの磁界を放射し、コイル11のインダクタンスの値を測定した。すると、図18に示すように、サンプル導電性膜13の有無、及びサンプル導電性膜13の厚さによる、コイル11のインダクタンスのばらつきは顕著に抑制された。
以上示したように、コイル11のインダクタンスは、抵抗値R及びQ値と比較して、導電性膜の有無、及び導電性膜の厚さによる影響を受けにくい傾向にある。さらに、コイル11のインダクタンスのばらつきは、磁界の周波数が低くなるほど、導電性膜で生じる渦電流が減少するため、抑制される傾向にある。したがって、コイル11のインダクタンスの値と、コイル11から導電体までの距離と、を関係づけるのが可能となる。
そこで、例えば、図18に示す磁界放射器1からサンプル導電体12までの距離D1に対するコイル11のインダクタンスの値の平均をとり、コイル11のインダクタンスの値から、距離D1が一意的に定まる関係式を予め算出し、算出した関係式を図1に示す入力装置312等を介して関係記憶装置401に保存する。あるいは、関係記憶装置401に、コイル11のインダクタンスの値から、距離D1が一意的に定まるテーブルを保存してもよい。またあるいは、図18に示したように、導電性膜の有無がインダクタンスに与える影響が少ないことから、図19に示すように、導電性膜が導電体の手間に配置されていない場合の、距離D1と、インダクタンスと、の関係を、関係記憶装置401に保存してもよい。
図1に示す特定部301は、関係記憶装置401から、磁界放射器1から導電体までの距離D1と、コイル11のインダクタンスと、の関係を読み出す。また、特定部301は、磁界放射器1の前に、厚さが不明のアルミニウムからなる導電性膜3と、アルミニウムからなる測定対象導電体2と、が配置され、磁界放射器1から測定対象導電体2までの距離D1を測定する際に、磁界放射器1に、関係記憶装置401に保存されている関係を取得した際に用いた周波数と同じ周波数の磁界を放射させる。当該周波数は、導電性膜3の厚さのインダクタンスへの影響を抑制するよう、換言すれば、導電性膜3で生じる渦電流を抑制するよう設定されている。
さらに、特定部301は、磁界放射器1からインダクタンスの値を受信し、インダクタンスの測定値と、距離D1とコイル11のインダクタンスとの関係と、に基づいて、磁界放射器1から測定対象導電体2までの距離D1の値を特定する。例えば、関係が、距離D1を従属変数とし、インダクタンスを独立変数とする式で表される場合、特定部301は、式の独立変数に、インダクタンスの測定値を代入して、距離D1の値を算出する。特定部301は、算出した距離D1の値を、磁界放射器1から測定対象導電体2までの距離の測定値として、例えば出力装置313に出力させる。
以上示したように、実施の形態に係る導電体センサによれば、導電性膜3の有無及び厚さが未知であり、かつ変化しても、磁界放射器1から測定対象導電体2までの距離D1を正確に測定することが可能となる。また、実施の形態に係る導電体センサは、測定対象導電体2の手前に、導電性の粉が飛散していても、磁界放射器1から測定対象導電体2までの距離D1を正確に測定することが可能となる。実施の形態に係る導電体センサは、例えば、電池の電極などに用いられる金属箔の製造ラインに用いられる金属製ローラであって、金属箔を搬送する金属製ローラの位置を、金属箔を間に挟んで測定する際などに有用である。
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、関係記憶装置401は、関係を、導電体の材料毎に保存していてもよい。この場合、特定部301は、測定対象導電体2の材料と同じ材料のサンプル導電体を用いて取得された関係を、関係記憶装置401から読み出せばよい。この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、関係記憶装置401は、関係を、導電体の材料毎に保存していてもよい。この場合、特定部301は、測定対象導電体2の材料と同じ材料のサンプル導電体を用いて取得された関係を、関係記憶装置401から読み出せばよい。この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。
1 磁界放射器
2 測定対象導電体
3 導電性膜
11 コイル
12 サンプル導電体
13 サンプル導電性膜
301 特定部
312 入力装置
313 出力装置
401 関係記憶装置
2 測定対象導電体
3 導電性膜
11 コイル
12 サンプル導電体
13 サンプル導電性膜
301 特定部
312 入力装置
313 出力装置
401 関係記憶装置
Claims (12)
- 磁界放射器と、
磁界放射器から導電体までの距離と、磁界放射器のインダクタンスと、の関係を保存する関係記憶装置と、
前記関係と、手前に導電性膜が配置された測定対象導電体に向けて前記磁界放射器が磁界を放射した場合の前記磁界放射器のインダクタンスの測定値と、に基づいて、前記磁界放射器から前記測定対象導電体までの距離を特定する特定部と、
を備える、導電体センサ。 - 前記導電性膜と、前記測定対象導電体と、が、非磁性体からなる、請求項1に記載の導電体センサ。
- 前記磁界放射器がLC発振回路を構成するコイルを備る、請求項1又は2に記載の導電体センサ。
- 前記磁界放射器が、前記関係を取得する際に用いられた磁界の周波数と同じ周波数の前記磁界を、前記測定対象導電体に向けて放射する、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の導電体センサ。
- 前記周波数が、前記導電性膜の厚さが前記インダクタンスに与える影響を抑制するよう設定されている、請求項4に記載の導電体センサ。
- 前記関係記憶装置が、前記関係を、前記導電体の材料毎に保存している、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の導電体センサ。
- 磁界放射器から導電体までの距離と、磁界放射器のインダクタンスと、の関係を用意することと、
手前に導電性膜が配置された測定対象導電体に向けて磁界放射器から磁界を放射し、前記磁界放射器のインダクタンスの値を測定することと、
前記関係と、前記インダクタンスの測定値と、に基づいて、前記磁界放射器から前記測定対象導電体までの距離を特定することと、
を含む、導電体の検出方法。 - 前記導電性膜と、前記測定対象導電体と、が、非磁性体からなる、請求項7に記載の導電体の検出方法。
- 前記磁界放射器がLC発振回路を構成するコイルを備る、請求項7又は8に記載の導電体の検出方法。
- 前記磁界放射器が、前記関係を取得する際に用いられた磁界の周波数と同じ周波数の前記磁界を、前記測定対象導電体に向けて放射する、請求項7乃至9のいずれか1項に記載の導電体の検出方法。
- 前記周波数が、前記導電性膜の厚さが前記インダクタンスに与える影響を抑制するよう設定されている、請求項10に記載の導電体の検出方法。
- 前記関係を取得する際に用いられた前記導電体の材料と、前記測定対象導電体の材料と、が同じである、請求項7乃至11のいずれか1項に記載の導電体の検出方法。
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JP2016044989A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | アズビル株式会社 | 導電性膜センサおよび導電性膜の検出方法 |
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