JP2016044989A - 導電性膜センサおよび導電性膜の検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導電性膜の位置と特性をリアルタイムかつ高精度に測定する。
【解決手段】導電性膜センサは、導電性膜２０に磁界を放射する磁界放射器１と、磁界放射器１を構成するコイル１２のインピーダンスの実部と虚部を測定するインピーダンス測定部２と、コイルのインピーダンスの実部と導電性膜の位置および特性との第１の関係、並びにコイルのインピーダンスの虚部と導電性膜の位置および特性との第２の関係を記憶する記憶部３と、インピーダンスの実部の測定結果と第１の関係とから、導電性膜の位置と特性との第３の関係を導出すると共に、インピーダンスの虚部の測定結果と第２の関係とから、導電性膜の位置と特性との第４の関係を導出する関係導出部４と、第３、第４の関係から導電性膜２０の位置と特性を求める特定部５とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、導電性膜の位置と特性を検出する導電性膜センサおよび導電性膜の検出方法に関するものである。

コイルで磁界を励磁し、金属膜等の導電性膜に磁界を照射すると、導電性膜に渦電流が生じる。このとき、コイルと導電性膜との距離を変化させると、コイルのＱ値およびインピーダンス等の電気特性が変化する。また、導電性膜の厚さを変化させても、コイルの電気特性が変化する。

発明者は、以上のような原理を利用して導電性膜の位置と特性（厚さ、抵抗率、透磁率など）を検出する導電性膜センサを提案した（特許文献１）。この導電性膜センサは、周波数が異なる第１、第２の磁界を放射する２つのコイルと、導電性膜に第１の磁界を照射した場合の、コイルの電気特性と、導電性膜の位置および特性の第１の関係と、導電性膜に第２の磁界を照射した場合の、コイルの電気特性と、導電性膜の位置および特性の第２の関係とを保存する関係記憶装置と、導電性膜に第１の磁界を照射した場合のコイルの電気特性および第１の関係に基づき、導電性膜の位置および特性の第３の関係を算出し、電性膜に第２の磁界を照射した場合のコイルの電気特性および第２の関係に基づき、導電性膜の位置および特性の第４の関係を算出する関係算出部と、第３の関係および第４の関係に共通する、導電性膜の位置および特性の組み合わせを特定する特定部とを備えている。

特開２０１３−０１５３５５号公報

しかし、特許文献１に開示された従来の導電性膜センサでは、互いに離間して配置された２つのコイルを必要とするため、導電性膜の一箇所の点を測定することができないという第１の問題点があった。従来の導電性膜センサでは、第１のコイルによって測定した点の導電性膜の位置と特性と、第２のコイルによって測定した点の導電性膜の位置と特性とを合成した結果を、最終的な測定結果として出力する。したがって、従来の導電性膜センサでは、コイルと導電性膜との距離が場所によって変動していると、測定結果に誤差を生じることになる。

また、従来の導電性膜センサでは、第１のコイルによる測定と第２のコイルによる測定を同時に行うと、第１のコイルから放射する第１の磁界が第２のコイルによる測定に影響を与え、第２のコイルから放射する第２の磁界が第１のコイルによる測定に影響を与えるので、第１のコイルによる測定と第２のコイルによる測定を同時に行うことができない場合があるという第２の問題点があった。したがって、従来の導電性膜センサでは、リアルタイムに測定できない場合があった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、導電性膜の位置と特性をリアルタイムかつ高精度に測定することができる導電性膜センサおよび導電性膜の検出方法を提供することを目的とする。

本発明の導電性膜センサは、特定の周波数の磁界を測定対象の導電性膜に放射する磁界放射器と、この磁界放射器から前記導電性膜に磁界を放射したときに、前記磁界放射器を構成するコイルのインピーダンスの実部と虚部を測定するインピーダンス測定手段と、コイルのインピーダンスの実部と導電性膜の位置および特性との第１の関係、並びにコイルのインピーダンスの虚部と導電性膜の位置および特性との第２の関係を予め記憶する記憶手段と、前記インピーダンス測定手段が測定したインピーダンスの実部の測定結果と前記記憶手段に記憶された第１の関係とから、導電性膜の位置と特性との第３の関係を導出すると共に、前記インピーダンス測定手段が測定したインピーダンスの虚部の測定結果と前記記憶手段に記憶された第２の関係とから、導電性膜の位置と特性との第４の関係を導出する関係導出手段と、前記第３の関係と前記第４の関係とから、前記測定対象の導電性膜の位置と特性を求める特定手段とを備えることを特徴とするものである。

また、本発明の導電性膜センサの１構成例において、前記導電性膜の位置は、前記導電性膜と前記コイルとの距離で表されるものであり、前記導電性膜の特性は、前記導電性膜の厚さ、抵抗率、透磁率のいずれかである。
また、本発明の導電性膜センサの１構成例において、前記関係導出手段は、前記第３の関係を近似した関数と前記第４の関係を近似した関数を求め、前記特定手段は、前記第３の関係を近似した関数と前記第４の関係を近似した関数との交点を計算し、この交点における導電性膜の位置と特性を特定することを特徴とするものである。

また、本発明の導電性膜の検出方法は、特定の周波数の磁界を磁界放射器から測定対象の導電性膜に放射する磁界放射ステップと、前記導電性膜に磁界を放射したときに、前記磁界放射器を構成するコイルのインピーダンスの実部と虚部を測定するインピーダンス測定ステップと、コイルのインピーダンスの実部と導電性膜の位置および特性との第１の関係、並びにコイルのインピーダンスの虚部と導電性膜の位置および特性との第２の関係を予め記憶する記憶手段を参照し、前記インピーダンス測定ステップで測定したインピーダンスの実部の測定結果と前記記憶手段に記憶された第１の関係とから、導電性膜の位置と特性との第３の関係を導出すると共に、前記インピーダンス測定ステップで測定したインピーダンスの虚部の測定結果と前記記憶手段に記憶された第２の関係とから、導電性膜の位置と特性との第４の関係を導出する関係導出ステップと、前記第３の関係と前記第４の関係とから、前記測定対象の導電性膜の位置と特性を求める特定ステップとを含むことを特徴とするものである。

本発明によれば、１つのコイルで測定を行うことができるので、導電性膜の一箇所の点について導電性膜の位置と特性を測定することができる。また、本発明では、１つの周波数の磁界を用いて１回測定を行えばよい。したがって、本発明では、導電性膜の位置と特性をリアルタイムかつ高精度に測定することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る導電性膜センサの構成を示すブロック図である。 コイルのインピーダンスの実部と、導電性膜とコイルとの距離および導電性膜の厚さの関係の１例を示す図、並びにコイルのインピーダンスの虚部と、導電性膜とコイルとの距離および導電性膜の厚さの関係の１例を示す図である。 コイルのインピーダンスの実部の測定結果から導出した距離と厚さとの関係の１例を示す図、およびコイルのインピーダンスの虚部の測定結果から導出した距離と厚さとの関係の１例を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る特定部の処理を説明する図である。 本発明の第２の実施の形態に係る導電性膜センサの構成を示すブロック図である。 コイルのインピーダンスの実部と、導電性膜とコイルとの距離および導電性膜の抵抗率の関係の１例を示す図、並びにコイルのインピーダンスの虚部と、導電性膜とコイルとの距離および導電性膜の抵抗率の関係の１例を示す図である。 コイルのインピーダンスの実部の測定結果から導出した距離と抵抗率との関係の１例を示す図、およびコイルのインピーダンスの虚部の測定結果から導出した距離と抵抗率との関係の１例を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る特定部の処理を説明する図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る導電性膜センサの構成を示すブロック図である。本実施の形態の導電性膜センサは、特定の周波数の磁界を測定対象の導電性膜２０に放射する磁界放射器１と、磁界放射器１から導電性膜２０に磁界を放射したときに、磁界放射器１を構成するＬＣ共振回路１０のコイル１２のインピーダンスの実部と虚部を測定するインピーダンス測定部２と、コイル１２のインピーダンスの実部と、導電性膜２０とコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０の厚さＴの第１の関係、並びにコイル１２のインピーダンスの虚部と、導電性膜２０とコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０の厚さＴの第２の関係を予め記憶する記憶部３と、コイル１２のインピーダンスの実部の測定結果と記憶部３に記憶された第１の関係から、距離ＳＤと厚さＴとの第３の関係を導出すると共に、コイル１２のインピーダンスの虚部の測定結果と記憶部３に記憶された第２の関係から、距離ＳＤと厚さＴとの第４の関係を導出する関係導出部４と、第３の関係と第４の関係から、導電性膜２０とコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０の厚さＴを求める特定部５と、特定部５が求めた測定結果を出力する測定結果出力部６とを備えている。

測定対象の導電性膜２０は、金属または非金属の導電体からなる。磁界放射器１は、導電性膜２０と対向し、導電性膜２０に対して磁界を放射可能な位置に配置される。例えば導電性膜２０が電池の電極などに用いられる帯状の金属箔であるとすれば、この帯状の金属箔を製造する製造現場において、搬送装置によって図１の左右方向に移動中の金属箔の位置と厚さをリアルタイムで測定するために本実施の形態の導電性膜センサが設置される。

磁界放射器１は、ＬＣ共振回路１０と、電源１１とから構成される。ＬＣ共振回路１０は、コイル１２と、コイル１２に接続された図示しないキャパシタとを有する。このようなＬＣ共振回路１０に電源１１から電力を供給すると、ＬＣ共振回路１０が固有の共振周波数で共振する現象が生じ、コイル１２から導電性膜２０に向かって交流磁界が放射され、導電性膜２０に渦電流が発生する。渦電流による電気エネルギの損失は、コイル１２のインピーダンスを変化させる。このインピーダンスの変化は、導電性膜２０とコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０の特性に依存する。磁界放射器１から導電性膜２０に放射する磁界の周波数は、導電性膜２０の測定にとって都合の良い周波数に設定すればよい。本実施の形態では、磁界の周波数を８００ｋＨｚとしている。

インピーダンス測定部２は、磁界放射器１から導電性膜２０に磁界を放射したときに、コイル１２のインピーダンスの実部Ｒと虚部Ｘを測定する。なお、本実施の形態では、実際にはコイル１２のインピーダンスの虚部Ｘを測定した後に、この虚部Ｘの測定結果を所望のパラメータ、具体的には自己インダクタンス成分Ｌに変換している。このようなインピーダンス測定は周知の技術である。

記憶部３は、コイル１２のインピーダンスの実部と、導電性膜２０とコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０の厚さＴの関係（第１の関係）、並びにコイル１２のインピーダンスの虚部と、導電性膜２０とコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０の厚さＴの関係（第２の関係）を予め記憶している。

図２（Ａ）に第１の関係の１例を示し、図２（Ｂ）に第２の関係の１例を示す。図２（Ａ）の関係は、測定対象として想定される導電性膜２０と同じ材料からなり、厚さが異なる複数の導電性膜を用意し、各導電性膜についてコイル１２との距離ＳＤ［ｍｍ］を変化させながら磁界放射器１から導電性膜に周波数８００ｋＨｚの磁界を放射して、コイル１２のインピーダンスの実部Ｒ［Ω］を導電性膜毎および距離ＳＤ毎に測定することにより得られたものである。図２（Ａ）の例では、厚さＴが５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍの４種類の導電性膜についてインピーダンスの実部Ｒを測定している。

図２（Ｂ）の関係は、図２（Ａ）の場合と同じ複数の導電性膜を用いて、各導電性膜についてコイル１２との距離ＳＤ［ｍｍ］を変化させながら磁界放射器１から導電性膜に周波数８００ｋＨｚの磁界を放射して、コイル１２のインピーダンスの虚部（誘導リアクタンス）の自己インダクタンス成分Ｌ［μＨ］を導電性膜毎および距離ＳＤ毎に測定することにより得られたものである。上記のとおり、図２（Ｂ）の縦軸は虚部Ｘそのものではなく、虚部Ｘの自己インダクタンス成分Ｌとなっている。以上のような図２（Ａ）、図２（Ｂ）の関係を示すデータが記憶部３に予め登録されている。

次に、関係導出部４は、インピーダンス測定部２が測定したコイル１２のインピーダンスの実部の測定結果と、記憶部３に予め記憶された第１の関係（図２（Ａ））とから、距離ＳＤと厚さＴとの関係（第３の関係）を導出する。また、関係導出部４は、インピーダンス測定部２が測定したコイル１２のインピーダンスの虚部の測定結果と、記憶部３に予め記憶された第２の関係（図２（Ｂ））とから、距離ＳＤと厚さＴとの関係（第４の関係）を導出する。

図３（Ａ）に第３の関係の１例を示し、図３（Ｂ）に第４の関係の１例を示す。図３（Ａ）の関係は、図２（Ａ）に示した第１の関係から、インピーダンス測定部２が測定したコイル１２のインピーダンスの実部Ｒの測定結果（本実施の形態ではＲ＝２１Ω）に対応する距離ＳＤの値を導電性膜の厚さＴ毎（Ｔ＝５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ）に取得することにより得られたものである。

図３（Ｂ）の関係は、図２（Ｂ）に示した第２の関係から、インピーダンス測定部２が測定したコイル１２のインピーダンスの虚部Ｘの測定結果（本実施の形態では虚部Ｘの自己インダクタンス成分Ｌ＝１３５μＨ）に対応する距離ＳＤの値を導電性膜の厚さＴ毎に取得することにより得られたものである。

なお、後述のように第３の関係を近似した関数と第４の関係を近似した関数との交点を計算する必要があるので、関係導出部４は、第３、第４の関係を導出した後に、第３の関係を近似した関数と第４の関係を近似した関数を求める必要がある。このような関数は例えば最小二乗法によって求めることができる。

特定部５は、関係導出部４が導出した第３、第４の関係から、導電性膜２０とコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０の厚さＴを求める。図４は特定部５の処理を説明する図である。距離ＳＤおよび厚さＴを求めるためには、図４に示すように第３の関係線（図４の４０）と第４の関係線（図４の４１）とを重ね合わせて、第３の関係線と第４の関係線との交点（図４の４２）における距離ＳＤと厚さＴの値、すなわち第３、第４の関係に共通する値を特定すればよい。

具体的には、特定部５は、関係導出部４が第３の関係を近似した関数と第４の関係を近似した関数とを導出しているので、この第３の関係を近似した関数と第４の関係を近似した関数との交点を計算し、この交点における距離ＳＤと厚さＴの値を特定すればよい。この特定した値が、図１に示す導電性膜２０とコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０の厚さＴとなる。図４の例によると、距離ＳＤは１．５２ｍｍ、厚さＴは１５．７μｍとなる。

測定結果出力部６は、特定部５が求めた測定結果を出力する。出力方法としては、例えば測定結果を表示したり、測定結果の情報を外部に送出したりする方法がある。

本実施の形態では、１つのコイル１２で測定を行うことができるので、導電性膜２０の一箇所の点について距離ＳＤと厚さＴを測定することができる。また、本実施の形態では、１つの周波数の磁界を用いて１回測定を行えばよい。したがって、本実施の形態では、距離ＳＤと厚さＴをリアルタイムかつ高精度に測定することができる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態では、導電性膜の位置（距離ＳＤ）の他に、導電性膜の特性として厚さＴを測定したが、これに限るものではなく、導電性膜の特性として抵抗率を測定するようにしてもよい。
図５は本実施の形態に係る導電性膜センサの構成を示すブロック図である。本実施の形態の導電性膜センサは、磁界放射器１と、インピーダンス測定部２と、記憶部３ａと、関係導出部４ａと、特定部５ａと、測定結果出力部６とを備えている。

本実施の形態では、測定対象の導電性膜２０ａの厚さＴが既知の値Ｔ＝１０μｍで、磁界放射器１から周波数５００ｋＨｚの磁界を放射するものとする。第１の実施の形態と同様に、インピーダンス測定部２は、磁界放射器１から導電性膜２０ａに磁界を放射したときに、コイル１２のインピーダンスの実部Ｒと虚部Ｘを測定する。

記憶部３ａは、コイル１２のインピーダンスの実部と、導電性膜２０ａとコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０ａの抵抗率ρの関係（第１の関係）、並びにコイル１２のインピーダンスの虚部と、導電性膜２０ａとコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０ａの抵抗率ρの関係（第２の関係）を予め記憶している。

図６（Ａ）に第１の関係の１例を示し、図６（Ｂ）に第２の関係の１例を示す。図６（Ａ）の関係は、測定対象として想定される導電性膜２０ａと同じ厚さＴ＝１０μｍで、抵抗率が異なる複数の導電性膜を用意し、各導電性膜についてコイル１２との距離ＳＤ［ｍｍ］を変化させながら磁界放射器１から導電性膜に周波数５００ｋＨｚの磁界を放射して、コイル１２のインピーダンスの実部Ｒ［Ω］を導電性膜毎および距離ＳＤ毎に測定することにより得られたものである。図６（Ａ）の例では、抵抗率ρが２×１０^-8Ω・ｍ、３×１０^-8Ω・ｍ、４×１０^-8Ω・ｍ、５×１０^-8Ω・ｍの４種類の導電性膜についてインピーダンスの実部Ｒを測定している。

図６（Ｂ）の関係は、図６（Ａ）の場合と同じ複数の導電性膜を用いて、各導電性膜についてコイル１２との距離ＳＤ［ｍｍ］を変化させながら磁界放射器１から導電性膜に周波数５００ｋＨｚの磁界を放射して、コイル１２のインピーダンスの虚部の自己インダクタンス成分Ｌ［μＨ］を導電性膜毎および距離ＳＤ毎に測定することにより得られたものである。上記のとおり、図６（Ｂ）の縦軸は虚部Ｘそのものではなく、虚部Ｘの自己インダクタンス成分Ｌとなっている。以上のような図６（Ａ）、図６（Ｂ）の関係を示すデータが記憶部３ａに予め登録されている。

関係導出部４ａは、インピーダンス測定部２が測定したコイル１２のインピーダンスの実部の測定結果と、記憶部３ａに予め記憶された第１の関係（図６（Ａ））とから、距離ＳＤと抵抗率ρとの関係（第３の関係）を導出する。また、関係導出部４ａは、インピーダンス測定部２が測定したコイル１２のインピーダンスの虚部の測定結果と、記憶部３ａに予め記憶された第２の関係（図６（Ｂ））とから、距離ＳＤと抵抗率ρとの関係（第４の関係）を導出する。

図７（Ａ）に第３の関係の１例を示し、図７（Ｂ）に第４の関係の１例を示す。図７（Ａ）の関係は、図６（Ａ）に示した第１の関係から、インピーダンス測定部２が測定したコイル１２のインピーダンスの実部Ｒの測定結果（本実施の形態ではＲ＝２０Ω）に対応する距離ＳＤの値を導電性膜の抵抗率ρ毎（ρ＝２×１０^-8Ω・ｍ、３×１０^-8Ω・ｍ、４×１０^-8Ω・ｍ、５×１０^-8Ω・ｍ）に取得することにより得られたものである。

図７（Ｂ）の関係は、図６（Ｂ）に示した第２の関係から、インピーダンス測定部２が測定したコイル１２のインピーダンスの虚部Ｘの測定結果（本実施の形態では虚部Ｘの自己インダクタンス成分Ｌ＝１４０μＨ）に対応する距離ＳＤの値を導電性膜の抵抗率ρ毎に取得することにより得られたものである。
第１の実施の形態と同様に、関係導出部４ａは、第３、第４の関係を導出した後に、第３の関係を近似した関数と第４の関係を近似した関数を求める必要がある。

特定部５ａは、関係導出部４ａが導出した第３、第４の関係から、導電性膜２０ａとコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０ａの抵抗率ρを求める。図８は特定部５ａの処理を説明する図である。距離ＳＤおよび抵抗率ρを求めるためには、図８に示すように第３の関係線（図８の８０）と第４の関係線（図８の８１）とを重ね合わせて、第３の関係線と第４の関係線との交点（図８の８２）における距離ＳＤと抵抗率ρの値、すなわち第３、第４の関係に共通する値を特定すればよい。

具体的には、特定部５ａは、関係導出部４ａが第３の関係を近似した関数と第４の関係を近似した関数とを導出しているので、この第３の関係を近似した関数と第４の関係を近似した関数との交点を計算し、この交点における距離ＳＤと抵抗率ρの値を特定すればよい。この特定した値が、図５に示す導電性膜２０ａとコイル１２との距離ＳＤおよび導電性膜２０ａの抵抗率ρとなる。図８の例によると、距離ＳＤは１．７３ｍｍ、抵抗率ρは２．７×１０^-8Ω・ｍとなる。
測定結果出力部６は、特定部５ａが求めた測定結果を出力する。

本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に１つのコイル１２で測定を行うことができるので、導電性膜２０ａの一箇所の点について距離ＳＤと抵抗率ρを測定することができる。また、本実施の形態では、１つの周波数の磁界を用いて１回測定を行えばよい。したがって、本実施の形態では、距離ＳＤと抵抗率ρをリアルタイムかつ高精度に測定することができる。

なお、本実施の形態では、導電性膜２０ａの特性として抵抗率を測定したが、これに限るものではなく、導電性膜２０ａの特性として透磁率を測定してもよい。透磁率を測定する構成は、本実施の形態の抵抗率に関する記載を透磁率に置き換えたものとなる。

また、第１、第２の実施の形態では、コイル１２のインピーダンスの虚部Ｘ（リアクタンス）の自己インダクタンス成分Ｌを用いているが、虚部Ｘそのものを用いてもよい。この場合は、図２（Ｂ）、図６（Ｂ）の縦軸が虚部Ｘ［Ω］となる。周知のとおり、虚部Ｘと自己インダクタンスＬとは、Ｘ＝ωＬ（ωは角周波数）の関係にある。

第１、第２の実施の形態で説明した導電性膜センサの記憶部３，３ａと関係導出部４，４ａと特定部５，５ａと測定結果出力部６とは、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、記憶装置およびインタフェースを備えたコンピュータとこれらのハードウェア資源を制御するプログラムによって実現することができる。ＣＰＵは、記憶装置に格納されたプログラムに従って第１、第２の実施の形態で説明した処理を実行する。

本発明は、導電性膜の位置と特性を検出する技術に適用することができる。

１…磁界放射器、２…インピーダンス測定部、３，３ａ…記憶部、４，４ａ…関係導出部、５，５ａ…特定部、６…測定結果出力部、１０…ＬＣ共振回路、１１…電源、１２…コイル、２０，２０ａ…導電性膜。

Claims (6)

1. 特定の周波数の磁界を測定対象の導電性膜に放射する磁界放射器と、
   この磁界放射器から前記導電性膜に磁界を放射したときに、前記磁界放射器を構成するコイルのインピーダンスの実部と虚部を測定するインピーダンス測定手段と、
   コイルのインピーダンスの実部と導電性膜の位置および特性との第１の関係、並びにコイルのインピーダンスの虚部と導電性膜の位置および特性との第２の関係を予め記憶する記憶手段と、
   前記インピーダンス測定手段が測定したインピーダンスの実部の測定結果と前記記憶手段に記憶された第１の関係とから、導電性膜の位置と特性との第３の関係を導出すると共に、前記インピーダンス測定手段が測定したインピーダンスの虚部の測定結果と前記記憶手段に記憶された第２の関係とから、導電性膜の位置と特性との第４の関係を導出する関係導出手段と、
   前記第３の関係と前記第４の関係とから、前記測定対象の導電性膜の位置と特性を求める特定手段とを備えることを特徴とする導電性膜センサ。
2. 請求項１記載の導電性膜センサにおいて、
   前記導電性膜の位置は、前記導電性膜と前記コイルとの距離で表されるものであり、
   前記導電性膜の特性は、前記導電性膜の厚さ、抵抗率、透磁率のいずれかであることを特徴とする導電性膜センサ。
3. 請求項１または２記載の導電性膜センサにおいて、
   前記関係導出手段は、前記第３の関係を近似した関数と前記第４の関係を近似した関数を求め、
   前記特定手段は、前記第３の関係を近似した関数と前記第４の関係を近似した関数との交点を計算し、この交点における導電性膜の位置と特性を特定することを特徴とする導電性膜センサ。
4. 特定の周波数の磁界を磁界放射器から測定対象の導電性膜に放射する磁界放射ステップと、
   前記導電性膜に磁界を放射したときに、前記磁界放射器を構成するコイルのインピーダンスの実部と虚部を測定するインピーダンス測定ステップと、
   コイルのインピーダンスの実部と導電性膜の位置および特性との第１の関係、並びにコイルのインピーダンスの虚部と導電性膜の位置および特性との第２の関係を予め記憶する記憶手段を参照し、前記インピーダンス測定ステップで測定したインピーダンスの実部の測定結果と前記記憶手段に記憶された第１の関係とから、導電性膜の位置と特性との第３の関係を導出すると共に、前記インピーダンス測定ステップで測定したインピーダンスの虚部の測定結果と前記記憶手段に記憶された第２の関係とから、導電性膜の位置と特性との第４の関係を導出する関係導出ステップと、
   前記第３の関係と前記第４の関係とから、前記測定対象の導電性膜の位置と特性を求める特定ステップとを含むことを特徴とする導電性膜の検出方法。
5. 請求項４記載の導電性膜の検出方法において、
   前記導電性膜の位置は、前記導電性膜と前記コイルとの距離で表されるものであり、
   前記導電性膜の特性は、前記導電性膜の厚さ、抵抗率、透磁率のいずれかであることを特徴とする導電性膜の検出方法。
6. 請求項４または５記載の導電性膜の検出方法において、
   前記関係導出ステップは、前記第３の関係を近似した関数と前記第４の関係を近似した関数を求めるステップを含み、
   前記特定ステップは、前記第３の関係を近似した関数と前記第４の関係を近似した関数との交点を計算し、この交点における導電性膜の位置と特性を特定するステップを含むことを特徴とする導電性膜の検出方法。

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