JP2013203617A - 13族元素窒化物結晶の製造方法および積層体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】種結晶基板1上にアルミニウム−チタニウム金属膜2を形成する。金属膜2を窒素ガス含有雰囲気下で熱処理することにより、アルミニウム−チタニウム窒化物膜3を生成させる。窒化物膜3上にフラックス法によって13族元素窒化物結晶4を成長させる。
【選択図】 図1
Description
金属膜を窒素ガス含有雰囲気下で熱処理することにより、アルミニウム−チタニウム窒化物膜を生成させる窒化工程、および
窒化物膜上にフラックス法によって13族元素窒化物結晶を成長させる生成結晶育成工程
を有することを特徴とする、13族元素窒化物結晶の製造方法に係るものである。
本発明の窒化物単結晶膜および積層体は、高品質であることが要求される技術分野、例えばポスト蛍光灯といわれている高演色性の白色LEDや高速高密度光メモリ用青紫レーザディスク、ハイブリッド自動車用のインバータに用いるパワーデバイスなどに用いることができる。
種結晶基板は、一体の均質な単結晶からなっていてよく、あるいは支持基板上に種結晶膜を設けたものでもよい。また、他にバッファ層や中間層を有していてよい。
アルミニウム−チタニウムとは、これら両成分からなる金属膜を意味する。これは均質な合金であって良いが、アルミニウム粒子とチタニウム粒子とが微細に混じり合った混合物をなしていてもよい。
次いで、アルミニウム−チタニウム金属膜を窒化処理する。金属膜を窒化し、窒化物膜に開孔部を形成するための熱処理温度は限定されないが、13族元素窒化物の生成促進という観点からは、850℃以上が好ましい。また、欠陥の伝播抑制という観点からは、1100℃以下が好ましい。
アルミニウム−チタニウム金属膜を窒化することにより、窒化物膜を得る。この窒化物膜においては、例えば図3に示すように、窒化アルミニウムのピークと窒化チタニウムのピークとが検出されるので、均質な化合物ではなく、窒化アルミニウム相と窒化チタニウム相とが微細に混合された不均質な混合物である。
窒化物膜表面のSEM画像において開孔部とそれ以外の部分が2値化されるようにする。個々の開孔部に内接する円の最大直径を求め、その平均値を“開孔部の最大内接円の平均直径”とした。
2値化は次の方法により行った。窒化処理したサンプル表面の2次電子線像(以後SEIと略す)を電子顕微鏡にて、3万倍の倍率にて撮影する。撮影した写真を米国Media
Cybernetics社のImage pro plusによって2値化処理を行う。上記のSEI写真を無圧縮(Tiff形式)で、パソコンに取り込む。圧縮(jpeg)だと画像が劣化するので好ましくない。また、画像はなるべく1Mピクセル以上の高画素数で取り込むことが好ましい。この画像を8ビットグレースケールに変換する。すなわち、画像の各画素が0〜255の階調に分類される。ソフトの強度分布機能(上述ソフトだと、「表示レンジ」)によってピーク強度を読み取る。これをXpeakとする。また、階調分布の上から99.9%に分布する階調の値を読み取る。これをX99.9とする。次に、2値化の閾値を決める。この閾値以下の階調すべてを白、閾値以上の階調をすべて黒という具合に2分する。この閾値はXpeak×2-X99.9で求める。そして、2値画像の黒色部分が開孔部である。
13族元素とは、IUPACが策定した周期律表による第13族元素のことである。13族元素は、具体的にはガリウム、アルミニウム、インジウム、タリウム等である。また、添加剤としては、炭素や、低融点金属(錫、ビスマス、銀、金)、高融点金属(鉄、マンガン、チタン、クロムなどの遷移金属)及びゲルマニウムが挙げられる。低融点金属は、ナトリウムの酸化防止を目的として添加する場合がある。
面の法線方向であってよく、m面の法線方向であってよく、c面の法線方向であってよい。
例えば、ガリウム原料物質としては、ガリウム単体金属、ガリウム合金、ガリウム化合物を適用できるが、ガリウム単体金属が取扱いの上からも好適である。アルミニウム原料物質としては、アルミニウム単体金属、アルミニウム合金、アルミニウム化合物を適用できるが、アルミニウム単体金属が取扱いの上からも好適である。インジウム原料物質としては、インジウム単体金属、インジウム合金、インジウム化合物を適用できるが、インジウム単体金属が取扱いの上からも好適である。
図1(c)に示す積層体は、そのままでデバイス用部材として利用できる。しかし、用途によっては、種結晶基板1だけを研磨加工等で除去することができる。あるいは、種結晶基板1および膜3Aを除去し、窒化物膜4のみとし、デバイス基材として利用することができる。
2インチ種結晶基板用のGaNウェハー上に、表1に示す所定組成比になるようにアルミニウム/チタニウム膜をスパッタリング法によって形成した。また、窒化後の膜厚みが表1に示す値となるようにスパッタするアルミニウム/チタニウム膜厚みを調整している。次いで、アルミニウム/チタニウム膜を形成したGaNウェハーをカーボン容器に入れ、表1に示す圧力のN2雰囲気下で、表1に示す温度にて1時間の熱処理を施し、窒化物膜を得た。
窒化物膜は薄いため、下記条件の低角入射X線法にて測定を行った。
管電圧:50kV
管電流:300mA
平行ビーム光学系
2θ測定固定角(入射角):1°
測定範囲(2θ):20〜80°
ステップ幅:0.02°
測定時間:3sec/step
2インチ種基板用GaNウェハー上に、スパッタにてアルミニウム膜を形成した。次いで、アルミニウム膜を形成したGaNウェハーをカーボン容器に入れ、0.1MPaのN2雰囲気下で1000℃×1時間の熱処理を施し、窒化物膜を形成した。この窒化物膜について、実施例A1〜A9と同様にしてX線回折測定を行った。この結果、窒化アルミニウムの回折ピークが観察され、アルミニウムが窒化されている膜に変わっていることが確認された。窒化アルミニウムは凝集が進み、塊状で存在していた。
次いで、実施例A1〜A9と同様にして、CL法による欠陥密度測定、ハイトゲージによる反り測定を行った。結果を表1に示す。
2インチ種基板用GaNウェハー上に、スパッタにてチタニウム膜を形成した。チタニウム膜を形成したGaNウェハーをカーボン容器に入れ、0.1MPaのN2雰囲気下で1000℃×1時間の熱処理を施した。この窒化物膜について、実施例A1〜A7と同様にしてX線回折測定を行った。この結果、窒化チタニウムの回折ピークが観察され、チタニウムが窒化していることが確認された。窒化チタニウム膜中の開孔部の最大内接円の平均直径はサブミクロンのオーダーであった。
実施例A1〜A9と同様にして窒化物膜を形成した。ただし、窒化後の窒化物膜の厚みが所定の厚みとなるように、アルミニウム−チタニウム金属膜の厚みを変えた。アルミニウム−チタニウム金属膜の含有比率、熱処理時の雰囲気および圧力、熱処理温度、アルミニウム−チタニウム金属膜の膜厚を、表2に示す。
実施例A1〜A9と同様にして窒化物膜を形成した。ここでは、窒化時の雰囲気圧力或いは雰囲気を変えた。ただし、窒化後の窒化物膜の厚みが所定の厚みとなるように、アルミニウム−チタニウム金属膜の厚みを変えた。アルミニウム−チタニウム金属膜の含有比率、熱処理時の雰囲気および圧力、熱処理温度、アルミニウム−チタニウム金属窒化物膜の膜厚を、表3に示す。
この結果、実施例C1〜C5では、欠陥密度はいずれも105〜106/cm2台であり、低欠陥化していた。また、反りも10μm以下であり、反りが減少していた。
実施例A1〜A9と同様にしてアルミニウム−チタニウム金属膜を形成した。次いで、アルミニウム−チタニウム金属膜を形成したGaNウェハーをカーボン容器に入れ、1000℃×1時間の熱処理を施した。ただし、比較例C1では真空下で熱処理し、比較例C2では0.1MPaの水素雰囲気下で熱処理した。この結果、窒化アルミニウム、窒化チタニウムの回折ピークが観察されず、アルミニウムとはチタニウムとが塊状で存在していた。
実施例A1〜A9と同様にしてアルミニウム−チタニウム金属膜を形成した。次いで、アルミニウム−チタニウム金属膜を形成したGaNウェハーをカーボン容器に入れ、1000℃×1時間の熱処理を施した。ただし、雰囲気圧力は0.1MPaとし、雰囲気は、水素+アンモニア(20%)とした。この結果、窒化アルミニウムと窒化チタニウムの回折ピークが観察され、窒化されて混合物膜に変わっていることが確認された。また、膜の開孔部の間隔はサブミクロンであった。マスクと接する種基板のGaN部位がエッチングされていた。
実施例A1〜A9と同様にして窒化物膜を形成した。ここでは、窒化処理温度を変えた。ただし、窒化後の窒化物膜の厚みが所定の厚みとなるように、アルミニウム−チタニウム金属膜の厚みを変えた。アルミニウム−チタニウム金属膜の含有比率、熱処理時の雰囲気および圧力、熱処理温度、アルミニウム−チタニウム金属膜の膜厚を、表4に示す。
Claims (13)
- 種結晶基板上にアルミニウム−チタニウム金属膜を形成する金属膜形成工程、
前記金属膜を窒素ガス含有雰囲気下で熱処理することにより、アルミニウム−チタニウム窒化物膜を生成させる窒化工程、および
前記窒化物膜上にフラックス法によって13族元素窒化物結晶を成長させる結晶育成工程
を有することを特徴とする、13族元素窒化物結晶の製造方法。 - 前記アルミニウム−チタニウム金属膜をスパッタリング法によって形成することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記窒化工程において前記窒化物膜内に開孔部が生成することを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
- 前記開孔部の最大内接円の平均直径が1.0〜30μmであることを特徴とする、請求項3記載の方法。
- 前記13族元素窒化物結晶が窒化ガリウム結晶であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記窒化物膜の厚さが3〜150nmであることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記熱処理時における温度が850〜1100℃であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記窒化物膜におけるアルミニウムとチタニウムとの比率が1:0.1〜10であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 種結晶基板、
この種結晶基板上に形成されたアルミニウム−チタニウム窒化物膜、および
このアルミニウム−チタニウム窒化物膜上にフラックス法によって形成された13族元素窒化物結晶を有することを特徴とする、積層体。 - 前記窒化物膜内に開孔部が生成していることを特徴とする、請求項9記載の積層体。
- 前記開孔部の最大内接円の平均直径が1.0〜30μmであることを特徴とする、請求項10記載の積層体。
- 前記13族元素窒化物結晶が窒化ガリウム結晶であることを特徴とする、請求項9〜11のいずれか一つの請求項に記載の積層体。
- 前記窒化物膜におけるアルミニウムとチタニウムとの比率が1:0.1〜10であることを特徴とする、請求項9〜12のいずれか一つの請求項に記載の積層体。
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