JP2013201835A - 3レベル電力変換装置 - Google Patents

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俊 鄭
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Abstract

【課題】素子への均等圧接が可能な電力変換装置を提供すること、また、直流コンデンサのループを含む配線インダクタンスを低減するスタック配置を備えた3レベル電力変換装置を提供する。
【解決手段】3レベルインバータブリッジの1相分を構成する第1、第2、第3及び第4のスイッチング素子Q1、Q2、Q3及びQ4を、順に正電位側から圧接して第1のスタック1Aを形成し、第1、第2、第3及び第4のフライホイールダイオードDF1、DF2、DF3及びDF4を、順に正電位側から圧接して第2のスタック1Bを形成し、第1及び第2のクランプダイオードDP、DNを、順に正電位側から圧接して第3のスタック1Cを形成すると共に、スタック1Aを中央とし、スタック1A、1B及び1Cの各々の中心線同士が平行且つ一直線上となるようにスタック1A、1B及び1Cを配置する。
【選択図】図1

Description

この発明は、複数の平形半導体素子によるスタックを使用した3レベル電力変換装置に関するものである。
従来から大容量の電力変換装置として3レベル電力変換装置が使用されており、近年では電力変換装置の容量拡大のみでなく電力変換装置のコンパクト化が重要になってきている。一般的に3レベル電力変換装置の主回路用半導体素子は、スイッチング素子とフライホイールダイオード及び結合ダイオードを有しており、これら各々は所定の通電モードで動作させたときのスイッチング素子に加わるサージ電圧を抑制するために半導体素子またはスタックの配置関係の工夫が為されており、またサージ抑制用としてスナバ回路が使用されてきた。近年になって、装置のコンパクト化/簡素化を検討するうえで、従来のスナバ回路を用いずにメインの直流コンデンサでサージを抑制するスナバレス方式が検討されてきている。このようなスナバレス方式の場合には、スイッチング時のサージ電圧を抑制するため、スナバ回路としての直流コンデンサのループを含む配線インダクタンスを低減するための上記配置関係が更に重要となる。
一方、サイリスタ素子等の平形半導体素子は、その大容量化に伴って直径が大きくなり、スタック構成時の素子の所定の単位面積加圧力を保つために、直径の2乗倍で圧接力も増大している。それに伴い、今まで以上に素子への均等圧接が必要とされている。
このような平型のスイッチング素子を使用した3レベル電力変換装置において、インバータブリッジ1相分のスタック構成として、主スイッチング素子とクランプダイオードとで1本のスタック、フライホイールダイオードで1本のスタックとし、計2本のスタックから成るスタック構成が提案されている(例えば特許文献1参照。)。
特許第4582629号明細書(第4−6頁、図1)
特許文献1に示されたスタック構成においては、主スイッチング素子とクランプダイオードとで構成した1本のスタックの平形半導体素子の素子数が多く、また通常主スイッチング素子とクランプダイオードとでは素子のパッケージの径が異なるため、素子への均等圧接が困難であった。また、スナバ回路としての直流コンデンサのループを含む配線インダクタンスを低減するための配置関係は特に考慮されていなかった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、素子への均等圧接が可能な電力変換装置を提供すること、また、直流コンデンサのループを含む配線インダクタンスを低減するスタック配置を備えた3レベル電力変換装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の3レベル電力変換装置は、正電位、負電位及び中間電位の3つの直流電位端子と、交流出力端子とを有する1相分の3レベルインバータブリッジ3組を備えた3レベル電力変換装置であって、前記3レベルインバータブリッジの1相分は、コレクタが前記正電位端子に接続された第1のスイッチング素子と、コレクタが前記第1のスイッチング素子のエミッタに接続された第2のスイッチング素子と、コレクタが前記第3のスイッチング素子のエミッタに接続された第3のスイッチング素子と、コレクタが前記第3のスイッチング素子のエミッタに接続され、エミッタが前記負電位端子に接続された第4のスイッチング素子と、前記中間電位端子から前記第1のスイッチング素子のエミッタに電流を流す方向に接続された第1のクランプダイオードと、前記第3のスイッチング素子のエミッタから前記中間電位に電流を流す方向に接続された第2のクランプダイオードと、前記第1乃至第4のスイッチング素子の夫々に逆並列に接続された第1、第2、第3及び第4のフライホイールダイオードとを有し、前記第1、第2、第3及び第4のスイッチング素子を、順に正電位側から圧接して第1のスタックを形成し、前記第1、第2、第3及び第4のフライホイールダイオードを、順に正電位側から圧接して第2のスタックを形成し、前記第1及び第2のクランプダイオードを、順に正電位側から圧接して第3のスタックを形成すると共に、前記第1のスタックを中央とし、前記第1、第2及び第3のスタックの各々の中心線同士が平行且つ一直線上となるように前記第1、第2及び第3のスタックを配置したことを特徴としている。
この発明によれば、素子への均等圧接が可能な電力変換装置を提供すること、また、直流コンデンサのループを含む配線インダクタンスを低減するスタック配置を備えた3レベル電力変換装置を提供することが可能となる。
本発明に係る3レベル電力変換装置の主回路1相分のスタック構成図。 本発明に係る3レベル電力変換装置の主回路1相分の回路構成図。 本発明に係る3レベル電力変換装置の主回路1相分のスタック配置図。
以下、図1乃至図3を参照して本発明の実施例について説明する。
図1は本発明の一実施例に係る3レベル電力変換装置の主回路のインバータブリッジ1相分のスタック構成図であり、図2は図1の回路構成図である。
図2において、正電位端子P、負電位端子N及び中間電位端子Cから3レベルの直流電圧が与えられる。正電位端子Pと中間電位端子Cの間には、直流コンデンサCPが、中間電位端子と負電位端子Nの間には直流コンデンサCNが接続されている。正電位端子Pと負電位端子Nの間には、スイッチング素子(自己消弧型半導体素子)Q1、Q2、Q3及びQ4の直列回路が接続されている。また、スイッチング素子Q1、Q2、Q3及びQ4にはフライホイールダイオードDF1、DF2、DF3及びDF4が夫々逆並列に接続されている。クランプダイオードDPは、中間電位端子Cから直列接続されたスイッチング素子Q1及びQ2の接続点に向けて電流を流す方向に接続され、またクランプダイオードDNは、直列接続されたスイッチング素子Q3及びQ4の接続点から中間電位端子Cに向けて電流を流す方向に接続されている。尚、端子ACは図示しない負荷に接続される出力端子である。このように接続された回路は電力変換装置のインバータブリッジ1相分として動作する。
次に図1のスタック構成図について説明する。図1において、スイッチング素子Q1、Q2、Q3及びQ4から構成される直列回路をスタック(直列圧接体)2Aとし、串状に重ねて一体で圧接する構造とする。同様に、フライホイールダイオードDF1、DF2、DF3及びDF4から構成される直列回路をスタック2B、クランプダイオードDP及びDNから構成される直列回路をスタック2Cとする。各々のスタックの平形半導体素子に付属する電極及びフィンを斜線パターンで示す。
図1の下部には直流コンデンサCP及びCNから構成されるコンデンサバンクCを図示している。そして、各スタック間、コンデンサバンクCと各スタック間の配線を実線で示す。また、コンデンサバンクCから正電位端子P、負電位端子N及び中間電位端子Cが、またスタック1Bから端子ACが接続されている。
これらのスタック1A、1B及び1Cは、平形半導体素子と冷却用のフィンを交互に重ねて一体で両端から圧接する構造となっており、図1を模式的な正面図としたとき、これらの側面図は略円形となる。即ちスタック1A、1B及び1Cは、略円柱形状となっている。そして、このようにスタック1A、1B及び1Cを構成することによって、スタックの本数は3本と増加するが、素子への均等圧接を行うことが容易となる。これは、全てのスタックにおいて、スタックを構成する平形半導体素子が同一仕様にため同一径となっているためである。
図3は本発明に係る3レベル電力変換装置の主回路1相分のスタック配置図である。この図3は各スタックの配置は図1と同じであるが、コンデンサバンクCと各スタックの位置関係が図1とは異なっている。すなわち、図1の配置の場合、円柱形状の各スタックの中心線が一直線上にある場合には、スタック1Cの外側にスタック1Cに隣接してコンデンサバンクCが配置される。これに対して、図3の配置においては、各スタックの中心線が一直線上にある点は同じであっても、コンデンサバンクCは3本のスタックの真横に配置されている。ここで、真横に配置するという意味は、図3に示すようにスタック1BとコンデンサバンクCの接続線を配線2A、スタック1CとコンデンサバンクCの接続線を配線2Bとしたとき、配線2Aと配線2Bの配線長の和が最短となるような位置にコンデンサバンクCを配置するということに等しい。ただしこの場合、保守等に必要な距離は確保されていることが前提である。
以上のような図3に示す配置を行えば、スナバレス方式の3レベル電力変換装置において、スナバ回路としての直流コンデンサのループを含む配線インダクタンスを大きく低減することが可能となる。
以上本発明の実施例を説明したが、この実施例は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、この実施例では、3レベル電力変換装置は直流入力、交流出力のインバータとして説明したが、交流入力、直流出力のコンバータであっても良い。
また、図2に示す構成においては、スタック1Bに端子ACが接続されているが、スタック1Aに接続するようにしても良い。
また、図3のスタック配置におけるコンデンサバンクCとスタックとの接続線はスタック1Bとスタック1Cとしているが、スタック1Bを止めてスタック1Aに接続するようにしても良く、また、スタック1Bの正電位側または負電位側のいずれか一方の接続線をスタック1Aに接続するようにしても良い。
更に、各スタック間及びコンデンサバンクCと各スタックの間の接続線はケーブルであっても接続母線(ブスバー)であっても良い。
1A、1B、1C スタック(直列圧接体)
2A、2B 配線
Q1、Q2、Q3、Q4 スイッチング素子(自己消弧型半導体素子)
DF1、DF2、DF3、DF4 フライホイールダイオード
DP、DN クランプダイオード
CP、CN 直流コンデンサ
C コンデンサバンク

Claims (4)

  1. 正電位、負電位及び中間電位の3つの直流電位端子と、交流出力端子とを有する1相分の3レベルインバータブリッジ3組を備えた3レベル電力変換装置であって、
    前記3レベルインバータブリッジの1相分は、
    コレクタが前記正電位端子に接続された第1のスイッチング素子と、
    コレクタが前記第1のスイッチング素子のエミッタに接続された第2のスイッチング素子と、
    コレクタが前記第3のスイッチング素子のエミッタに接続された第3のスイッチング素子と、
    コレクタが前記第3のスイッチング素子のエミッタに接続され、エミッタが前記負電位端子に接続された第4のスイッチング素子と、
    前記中間電位端子から前記第1のスイッチング素子のエミッタに電流を流す方向に接続された第1のクランプダイオードと、
    前記第3のスイッチング素子のエミッタから前記中間電位に電流を流す方向に接続された第2のクランプダイオードと、
    前記第1乃至第4のスイッチング素子の夫々に逆並列に接続された第1、第2、第3及び第4のフライホイールダイオードと
    を有し、
    前記第1、第2、第3及び第4のスイッチング素子を、順に正電位側から圧接して第1のスタックを形成し、
    前記第1、第2、第3及び第4のフライホイールダイオードを、順に正電位側から圧接して第2のスタックを形成し、
    前記第1及び第2のクランプダイオードを、順に正電位側から圧接して第3のスタックを形成すると共に、
    前記第1のスタックを中央とし、前記第1、第2及び第3のスタックの各々の中心線同士が平行且つ一直線上となるように前記第1、第2及び第3のスタックを配置したことを特徴とする3レベル電力変換装置。
  2. 前記正電位端子と前記中間電位端子の間に設けられた正側直流コンデンサと前記中間電位端子と前記負電位端子Nの間に設けられた負側直流コンデンサとでコンデンサバンクを形成し、前記第1、第2及び第3のスタックの真横に前記コンデンサバンクを配置したことを特徴とする請求項1に記載の3レベル電力変換装置。
  3. 前記コンデンサバンクと前記第2のスタック、前記コンデンサバンクと前記第3のスタックとを夫々接続線で配線し、これら2つの接続線の配線長が最短となるように前記コンデンサバンクを配置したことを特徴とする請求項2に記載の3レベル電力変換装置。
  4. 前記交流出力端子を前記第2のスタックから取り出すようにしたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の3レベル電力変換装置。
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