JP2013197851A - 光電変換装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 101100175313 Mus musculus Gdf3 gene Proteins 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 102100022525 Bone morphogenetic protein 6 Human genes 0.000 description 13
- 101000899390 Homo sapiens Bone morphogenetic protein 6 Proteins 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】最大値及び最小値のダイナミックレンジを広げることができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換装置は、入射光に応じた信号を出力する複数の画素(101)と、前記複数の画素の出力信号を入力し、第1の基準電位を基に複数のドレイン接地NMOSトランジスタを通して、前記複数の画素の出力信号のうちの最大値を出力する最大値検出部(104)と、前記複数の画素の出力信号を入力し、第2の基準電位を基に複数のドレイン接地PMOSトランジスタを通して、前記複数の画素の出力信号のうちの最小値を出力する最小値検出部(105)とを有することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】光電変換装置は、入射光に応じた信号を出力する複数の画素(101)と、前記複数の画素の出力信号を入力し、第1の基準電位を基に複数のドレイン接地NMOSトランジスタを通して、前記複数の画素の出力信号のうちの最大値を出力する最大値検出部(104)と、前記複数の画素の出力信号を入力し、第2の基準電位を基に複数のドレイン接地PMOSトランジスタを通して、前記複数の画素の出力信号のうちの最小値を出力する最小値検出部(105)とを有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、光電変換装置に関する。
カメラに用いられるオートフォーカスセンサ(以下AFセンサと称す)として、複数の画素の最大値及び最小値を検出する機能を備える光電変換装置が知られている。1行の画素のそれぞれを電圧フォロワを介して出力線に接続する構成において、1行分の電圧フォロワを同時に出力線に接続することで1行の中の最大値あるいは最小値を出力することが特許文献1に記載されている。
AFセンサでは、消費電力低減のために電源電圧の低電圧化が進んでいる。それに伴い、回路の動作電圧範囲が狭まり、信号のダイナミックレンジも狭くなるという課題がある。特に、最大値検出手段と最小値検出手段の出力はドレイン接地増幅回路の形式をとっており、それぞれグランド電位又は電源電圧からトランジスタのしきい値電圧分だけ動作電圧範囲が狭まるため、電源の低電圧化によるダイナミックレンジの狭小化が顕著である。
本発明は上記課題を鑑みたものであり、最大値及び最小値のダイナミックレンジを広げることができる光電変換装置を提供することを目的とする。
本発明の光電変換装置は、入射光に応じた信号を出力する複数の画素と、前記複数の画素の出力信号を入力し、第1の基準電位を基に複数のドレイン接地NMOSトランジスタを通して、前記複数の画素の出力信号のうちの最大値を出力する最大値検出部と、前記複数の画素の出力信号を入力し、第2の基準電位を基に複数のドレイン接地PMOSトランジスタを通して、前記複数の画素の出力信号のうちの最小値を出力する最小値検出部とを有することを特徴とする。
本発明によれば、最大値と最小値のダイナミックレンジを広げることができる。
(第1の実施形態)
図1、図2及び図3(a)〜(c)を参照しながら、本発明の第1の実施形態に係る光電変換装置を説明する。光電変換装置100は、複数の画素101と、最大値検出部104と、最小値検出部105と、演算回路108とを有する。複数の画素101は、それぞれ、入射光に応じた信号を出力する。各画素101は、入射光に応じて、光電変換により電荷を生成する光電変換素子113と、リセットスイッチ112と、差動アンプ114とを有する。複数の画素101は、例えばライン状に配列されている。本実施形態では、光電変換素子113であるフォトダイオードのカソードが電源電位VDDのノードに接続され、アノードがリセットスイッチ112を介してリセット電位(VRES)111に接続されるとともに、差動アンプ114の非反転入力端子に接続される。ここでは、差動アンプ114を電圧フォロワとして用いたものを例示しているが、例えばドレイン接地回路など、これ以外の形式の増幅器であってもよい。
図1、図2及び図3(a)〜(c)を参照しながら、本発明の第1の実施形態に係る光電変換装置を説明する。光電変換装置100は、複数の画素101と、最大値検出部104と、最小値検出部105と、演算回路108とを有する。複数の画素101は、それぞれ、入射光に応じた信号を出力する。各画素101は、入射光に応じて、光電変換により電荷を生成する光電変換素子113と、リセットスイッチ112と、差動アンプ114とを有する。複数の画素101は、例えばライン状に配列されている。本実施形態では、光電変換素子113であるフォトダイオードのカソードが電源電位VDDのノードに接続され、アノードがリセットスイッチ112を介してリセット電位(VRES)111に接続されるとともに、差動アンプ114の非反転入力端子に接続される。ここでは、差動アンプ114を電圧フォロワとして用いたものを例示しているが、例えばドレイン接地回路など、これ以外の形式の増幅器であってもよい。
最大値検出部104は、複数のピーク回路102と、最大値出力線141と、定電流源142とを有する。ピーク回路102の出力ノードは、最大値出力線141に接続される。定電流源141は、一方の端子がグランド電位ノードに接続され、他方の端子が最大値出力線141に接続される。ピーク回路102は、クランプ容量121と、クランプスイッチ122と、第1の基準電位(VGR1)123(例えばグランド電位)のノードと、差動アンプ124と、ドレイン接地NMOSトランジスタ125とを有する。クランプ容量121は、一方の端子が画素101の出力ノードに接続され、他方の端子が差動アンプ124の非反転入力端子、及びクランプスイッチ122を介して第1の基準電位VGR1のノードに接続される。ドレイン接地NMOSトランジスタ125は、ドレイン端子が電源電位VDDのノードに接続され、ゲート端子が差動アンプ124の出力端子と接続され、ソース端子が差動アンプ124の反転入力端子、及び最大値出力線141に接続される。最大値検出部104は、複数の画素101の出力信号を入力し、第1の基準電位VGR1を基に複数のドレイン接地NMOSトランジスタ125を通して、複数の画素101の出力信号のうちの最大値を出力する。具体的には、最大値検出部104は、複数のドレイン接地NMOSトランジスタ125の出力ノードを最大値出力線141に接続することにより最大値を出力する。
最小値検出部105は、複数のボトム回路103と、最小値出力線151と、定電流源152とを有する。ボトム回路103の出力ノードは、最小値出力線151に接続される。定電流源152は、一方の端子が電源電位VDDのノードに接続され、他方の端子が最小値出力線151に接続される。ボトム回路103は、クランプ容量131と、クランプスイッチ132と、第2の基準電位(VGR2)133(例えばしきい値電圧Vth以上の電位)のノードと、差動アンプ134と、ドレイン接地PMOSトランジスタ135とを有する。クランプ容量131は、一方の端子が画素101の出力ノードに接続され、他方の端子が差動アンプ134の非反転入力端子、及びクランプスイッチ132を介して第2の基準電位VGR2のノードに接続される。ドレイン接地PMOSトランジスタ135は、ドレイン端子がグランド電位ノードに接続され、ゲート端子が差動アンプ134の出力端子に接続され、ソース端子が差動アンプ134の反転入力端子、及び最小値出力線151に接続される。最小値検出部105は、複数の画素101の出力信号を入力し、第2の基準電位VGR2を基に複数のドレイン接地PMOSトランジスタ135を通して、複数の画素101の出力信号のうちの最小値を出力する。具体的には、最小値検出部105は、複数のドレイン接地PMOSトランジスタ135の出力ノードを最小値出力線151に接続することにより最小値を出力する。
演算回路108は、クランプ部106と、差動増幅器107とを有する。クランプ部106は、クランプ容量161と、クランプスイッチ162と、第2の基準電位(VGR2)133のノードとを有する。クランプ容量161は、一方の端子が最大値出力線141に接続され、他方の端子がクランプスイッチ162を介して第2の基準電位VGR2のノード、及び差動アンプ164の非反転入力端子に接続される。差動増幅器107は、抵抗171,172,173,174と、差動アンプ175と、差動増幅器107の出力の基準電位(VREF)176のノードとを有する。抵抗171は、一方の端子が最小値出力線151に接続され、他方の端子が差動アンプ175の反転入力端子及び抵抗173を介して差動アンプ175の出力端子に接続される。抵抗172は、一方の端子がクランプ部106に含まれる差動アンプ164の出力端子及び反転入力端子に接続され、他方の端子が差動アンプ175の非反転入力端子、及び抵抗174を介して差動増幅器107の出力の基準電位176のノードに接続される。
次に、図2を参照しながら、図1の光電変換装置100の動作を説明する。図2のタイミング図において、112、122、132、162は、図1において同じ符号を付されたスイッチに与えられる制御信号を表している。各スイッチは、制御信号がハイレベルの時にオン、すなわち導通状態となり、制御信号がローレベルの時にはオフ、すなわち非導通状態になるものとする。
まず、時刻T1において、リセットスイッチ112及びクランプスイッチ122,132,162がオンし、光電変換素子113のアノード、すなわち差動アンプ114の非反転入力端子がリセット電位111によってリセットされる。このとき、最大値出力線141及び、最小値出力線151から出力される信号が、最大値検出部104及び最小値検出部105の基準信号になる。
次に、時刻T2において、クランプスイッチ162がオフされ、クランプ容量161に、最大値検出部104の基準信号と第2の基準電位VGR2との電位差が保持される。
次に、時刻T3において、リセットスイッチ112はオフされる。スイッチ112がオフされると、チャージインジェクションにより、光電変換素子113のアノード電位がリセット電位111から変動し、電荷蓄積を開始する。光電変換素子113が光を受けると、光電変換素子113の光電変換により発生した電荷によって光電変換素子113のアノード電位が上昇する。
次に、時刻T4において、クランプスイッチ122及び132がオフされ、クランプ容量121に、画素101の出力電位と第1の基準電位VGR1の電位差が保持される。また、クランプ容量131に、画素101の出力電位と第2の基準電位VGR2の電位差が保持される。この際、画素101の出力電位には、リセットスイッチ112のチャージインジェクションによる電位変動分が含まれており、電位変動分もクランプすることができる。時刻T4で、差動アンプ124及び134の非反転入力端子は、基準電位でのフローティング状態となる。
最大値検出部104では、ドレイン接地NMOSトランジスタ125と定電流源142とがドレイン接地増幅回路を構成する。1ラインのピーク回路102の出力ノードが全て最大値出力線141及び定電流源142に接続されるので、1ラインの画素101の信号のうちで最も電位が高いものに接続されたピーク回路102内のドレイン接地NMOSトランジスタ125のみがオンする。従って、最大値出力線141には、1ラインの画素101から出力される信号のうちの最大値が現れる。光電変換装置100は、このときの最大値出力線141の電位を最大値として、最大値検出部104から出力する。
最小値検出部105では、ドレイン接地PMOSトランジスタ135と定電流源152とがドレイン接地増幅回路を構成する。1ラインのボトム回路103の出力ノードが全て最小値出力線151及び定電流源152に接続されるので、1ラインの画素101の信号のうちで最も電位が低いものに接続されたボトム回路103内のドレイン接地PMOSトランジスタ135のみがオンする。従って、最小値出力線151には、1ラインの画素101から出力される信号のうちの最小値が現れる。光電変換装置100は、このときの最小値出力線151の電位を最小値として、最小値検出部105から出力する。
演算回路108では、最大値検出部104の出力と最小値検出部105の出力の基準電位をそろえるために、最大値検出部104の出力をクランプ容量161の一方の端子に入力する。クランプ容量161には、第1の基準電位と第2の基準電位の電位差が記憶されているので、クランプ容量162の他方の端子には第2の基準電位を基にした最大値信号が出力される。
差動増幅回路107は、第2の基準電位を基にした最大値と最小値を入力し、最大値と最小値の差分信号を増幅して、基準電位176を基準として出力する。
次に、図3(a)〜(c)を参照しながら、光電変換装置100のダイナミックレンジについて説明する。光電変換装置100に含まれるNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタのしきい値電圧はともにVthとする。
図3(a)は、ピーク回路102に含まれる差動アンプ124とドレイン接地NMOSトランジスタ125から構成される出力バッファ回路の入出力特性を示す図である。この出力バッファ構成が正常に動作するためには、ドレイン接地NMOSトランジスタ125のゲート及びソース間にしきい値電圧Vth以上の電位差が必要である。ゲート電位の上限は電源電位VDDなので、ソース出力電位の上限はVDD−Vthとなる。そのため、正常動作範囲は、グランド電位(0V)から電位VDD−Vthまでの範囲となる。
図3(b)は、ボトム回路103に含まれる差動アンプ134とドレイン接地PMOSトランジスタ135から構成される出力バッファ回路の入出力特性を示す図である。この出力バッファ構成が正常に動作するためには、ドレイン接地PMOSトランジスタ135のゲート及びソース間にしきい値電圧Vth以上の電位差が必要である。ゲート電位の下限はグランド電位なので、ソース出力電位の下限はVthとなる。そのため、正常動作範囲は、しきい値電圧Vthから電源電位VDDまでの範囲となる。
上記のように、図3(a)のピーク回路102に含まれるバッファ回路の正常動作範囲と、図3(b)のボトム回路103に含まれるバッファ回路の正常動作範囲は異なっている。そこで、ピーク回路102に含まれる第1の基準電位VGR1はグランド電位に、ボトム回路103に含まれる第2の基準電位VGR2はVthに設定することで、最大値信号と最小値信号それぞれのダイナミックレンジを最も広くすることができる。このように、第1の基準電位VGR1は、第2の基準電位VGR2よりも低いことが好ましい。
しかし、最大値信号と最小値信号の基準電位が異なると、差動増幅器107で差分信号を演算することが困難になる。また、差分信号にゲインをかける場合には基準電位の差にもゲインがかかり、差動増幅器107の出力信号のダイナミックレンジが狭くなってしまう。よって、差動増幅器107の入力前に基準電位の差をなくすことが望ましい。そこで、クランプ部106にて第1の基準電位を第2の基準電位にクランプすることで、第2の基準電位を基にした最大値信号を出力する。それにより、差動増幅回路107は、第2の基準電位を基にした最大値と最小値を入力するので、同じ基準電位に基づく最大値と最小値の差分信号を増幅して出力することができる。クランプ部106は、基準電位制御部であり、最大値出力線141の最大値及び最小値出力線151の最小値を入力し、最大値の基準電位と最小値の基準電位との電位差を小さくする。差動増幅器107は、差分演算部であり、上記の電位差が小さくされた最大値と最小値との差分を演算する。
図3(c)は、クランプ部106に含まれる差動アンプ164で構成される電圧バッファ回路の入出力特性を示す図である。差動アンプ164をRail-to-Railで設計すれば、入出力範囲はグランド電位(0V)から電源電位VDDまでの範囲となる。そのため、クランプ後の最大値及び最小値のダイナックレンジを広くすることができる。
本実施形態では、最大値出力線141及び最小値出力線151を駆動する負荷として、定電流源142及び152を用いたが、定電流源142及び152の代わりに抵抗負荷を用いてもよい。本実施形態では、第1の基準電位VGR1を第2の基準電位VGR2でクランプして基準電位を合わせる場合を例にとって説明した。すなわち、クランプ部106は、最大値出力線141の最大値の基準電位を第2の基準電位VGR2にクランプする。しかし、本実施形態はこれに限定されない。例えば、第2の基準電位VGR2を第1の基準電位VGR1でクランプすることを考える。クランプ容量161の一方の端子に最小値検出手段105の出力ノードを接続し、もう一方の端子にスイッチ162を介して第1の基準電位VGR1のノードを接続する。それにより、最小値信号を第1の基準電位VGR1を基に出力するようにしてもよい。すなわち、クランプ部106は、最小値出力線151の最小値の基準電位を第1の基準電位VGR1にクランプする。この場合でも、最大値と最小値の基準電位は揃うので、差動増幅器107が最大値と最小値の差分信号を増幅して出力することができる。
(第2の実施形態)
図4及び図5を参照しながら、本発明の第2の実施形態に係る光電変換装置を説明する。図4の光電変換装置100と図1の光電変換装置100との違いは、クランプ容量461とクランプスイッチ462と差動アンプ464が追加された点である。図4において、図1と同じ構成要素には同じ符号を付しているので、以下では図1との相違点を説明する。クランプ容量461の一方の端子は最小値出力線151に接続され、もう一方の端子はクランプスイッチ462を介して第2の基準電位VGR2のノード、及び差動アンプ464の非反転入力端子に接続される。差動アンプ464の出力端子は、反転入力端子及び抵抗171に接続される。
図4及び図5を参照しながら、本発明の第2の実施形態に係る光電変換装置を説明する。図4の光電変換装置100と図1の光電変換装置100との違いは、クランプ容量461とクランプスイッチ462と差動アンプ464が追加された点である。図4において、図1と同じ構成要素には同じ符号を付しているので、以下では図1との相違点を説明する。クランプ容量461の一方の端子は最小値出力線151に接続され、もう一方の端子はクランプスイッチ462を介して第2の基準電位VGR2のノード、及び差動アンプ464の非反転入力端子に接続される。差動アンプ464の出力端子は、反転入力端子及び抵抗171に接続される。
次に、図5を参照しながら、第2の実施形態に係る光電変換装置の動作を説明する。本実施形態に係る動作と第1の実施形態に係る動作との相違点は、スイッチ462が追加されていることである。クランプ部106は、スイッチ462をスイッチ162と同時にオン/オフさせることで、最小値検出部105の基準信号である第2の基準電位VGR2に基づく信号を第2の基準電位VGR2でクランプする。
本実施形態に特有の効果としては、クランプスイッチ162及び462をオフするときのチャージインジェクションによるクランプ容量161及び461に保持される電荷の変動を、最大値信号と最小値信号の両方に等しく与える。それにより、本実施形態は、最大値と最小値の差分信号ではチャージインジェクションの影響をキャンセルすることができ、第1の実施形態の構成と比べて最大値と最小値の差分演算を精度よく行える。
(第3の実施形態)
図6を参照しながら、本発明の第3の実施形態に係る光電変換装置を説明する。図6に示す光電変換装置100において、図1と同じ構成要素には同じ符号を付しているので、以下では図1との相違点を説明する。図1の画素101では差動アンプ114の非反転入力端子が光電変換素子113のアノードが接続されていたが、図6の画素101では、光電変換素子113のカソードが差動アンプ114の非反転入力端子に接続され、アノードがグランド電位ノードに接続される。この構成では、光電変換素子113が光を受けると、差動アンプ114の非反転入力端子の電位が低下していく。本実施形態での第1の基準電位VGR1は例えば電源電位VDDであり、第2の基準電位VGR2はVDD−Vth以下の電位であることが望ましい。この場合、第1の基準電位VGR1は、第2の基準電位VGR2よりも高い。
図6を参照しながら、本発明の第3の実施形態に係る光電変換装置を説明する。図6に示す光電変換装置100において、図1と同じ構成要素には同じ符号を付しているので、以下では図1との相違点を説明する。図1の画素101では差動アンプ114の非反転入力端子が光電変換素子113のアノードが接続されていたが、図6の画素101では、光電変換素子113のカソードが差動アンプ114の非反転入力端子に接続され、アノードがグランド電位ノードに接続される。この構成では、光電変換素子113が光を受けると、差動アンプ114の非反転入力端子の電位が低下していく。本実施形態での第1の基準電位VGR1は例えば電源電位VDDであり、第2の基準電位VGR2はVDD−Vth以下の電位であることが望ましい。この場合、第1の基準電位VGR1は、第2の基準電位VGR2よりも高い。
図1の光電変換素子113は、光を受けてホールを集めることで電位が上昇する。図6の光電変換素子113は、光を受けて電子を集めることで電位が低下していく。一般に、ホールよりも電子の移動度の方が3倍速いので、本実施形態の方が第1の実施形態よりも画素信号出力の応答性が速くなる。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
101 画素、102 ピーク回路、103 ボトム回路、104 最大値検出部、105 最小値検出部、106 クランプ部、107 差動増幅器、108 演算回路
Claims (6)
- 入射光に応じた信号を出力する複数の画素と、
前記複数の画素の出力信号を入力し、第1の基準電位を基に複数のドレイン接地NMOSトランジスタを通して、前記複数の画素の出力信号のうちの最大値を出力する最大値検出部と、
前記複数の画素の出力信号を入力し、第2の基準電位を基に複数のドレイン接地PMOSトランジスタを通して、前記複数の画素の出力信号のうちの最小値を出力する最小値検出部と
を有することを特徴とする光電変換装置。 - さらに、前記最大値及び最小値を入力し、前記最大値の基準電位と前記最小値の基準電位との電位差を小さくする基準電位制御部と、
前記電位差が小さくされた前記最大値と前記最小値との差分を演算する差分演算部とを有することを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。 - 前記基準電位制御部は、前記最大値の基準電位を前記第2の基準電位にクランプするクランプ部を有することを特徴とする請求項2記載の光電変換装置。
- 前記基準電位制御部は、前記最小値の基準電位を前記第1の基準電位にクランプするクランプ部を有することを特徴とする請求項2記載の光電変換装置。
- 前記最大値検出部は、前記複数のドレイン接地NMOSトランジスタの出力ノードを最大値出力線に接続することにより前記最大値を出力することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記最小値検出部は、前記複数のドレイン接地PMOSトランジスタの出力ノードを最小値出力線に接続することにより前記最小値を出力することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012062484A JP2013197851A (ja) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | 光電変換装置 |
US13/787,451 US20130240713A1 (en) | 2012-03-19 | 2013-03-06 | Photoelectric conversion apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012062484A JP2013197851A (ja) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013197851A true JP2013197851A (ja) | 2013-09-30 |
JP2013197851A5 JP2013197851A5 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=49156772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012062484A Abandoned JP2013197851A (ja) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | 光電変換装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130240713A1 (ja) |
JP (1) | JP2013197851A (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6781624B1 (en) * | 1998-07-30 | 2004-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal processing apparatus |
JP4659876B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-03-30 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラシステム |
-
2012
- 2012-03-19 JP JP2012062484A patent/JP2013197851A/ja not_active Abandoned
-
2013
- 2013-03-06 US US13/787,451 patent/US20130240713A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130240713A1 (en) | 2013-09-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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