JP2013197425A5 - - Google Patents
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以下、図１を用いて本発明のＳｉＣ基板の研削加工方法を説明する。
図１において、厚み０．３〜１．０ｍｍの無機材料製基板支持プレート３の表面に軟化温度が２８０℃以上の溶剤型ポリイミド樹脂接着剤４を用いてＳｉＣ基板１を貼付した積層体ｗを基板用チャック２上にＳｉＣ基板１面を上方に向けて載置し、ついで、２００〜３，１００ｍｉｎ−１で回転している砥番＃２４０〜＃１０，０００のカップホイール型ダイヤモンド砥石５を前記積層体のＳｉＣ基板１面に当接、摺擦させて５０〜３００ｍｉｎ−１で回転しているＳｉＣ基板１面をダウンインフィード(down infeed grinding)研削加工する。研削加工中、ＳｉＣ基板面とカップホイール型ダイヤモンド砥石が摺擦する研削加工作用点には、研削液が１〜２０リットル／分の割合で供給される。
図１において、厚み０．３〜１．０ｍｍの無機材料製基板支持プレート３の表面に軟化温度が２８０℃以上の溶剤型ポリイミド樹脂接着剤４を用いてＳｉＣ基板１を貼付した積層体ｗを基板用チャック２上にＳｉＣ基板１面を上方に向けて載置し、ついで、２００〜３，１００ｍｉｎ−１で回転している砥番＃２４０〜＃１０，０００のカップホイール型ダイヤモンド砥石５を前記積層体のＳｉＣ基板１面に当接、摺擦させて５０〜３００ｍｉｎ−１で回転しているＳｉＣ基板１面をダウンインフィード(down infeed grinding)研削加工する。研削加工中、ＳｉＣ基板面とカップホイール型ダイヤモンド砥石が摺擦する研削加工作用点には、研削液が１〜２０リットル／分の割合で供給される。
１ ＳｉＣ基板
２ ポーラスセラミックチャック
３ 基板支持プレート
４ ポリイミド樹脂接着層
５．研削砥石
ｗ 積層体（被研削加工ＳｉＣ基板）
２ ポーラスセラミックチャック
３ 基板支持プレート
４ ポリイミド樹脂接着層
５．研削砥石
ｗ 積層体（被研削加工ＳｉＣ基板）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012064655A JP2013197425A (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 炭化珪素基板の平坦化研削加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012064655A JP2013197425A (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 炭化珪素基板の平坦化研削加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013197425A JP2013197425A (ja) | 2013-09-30 |
| JP2013197425A5 true JP2013197425A5 (ja) | 2013-11-28 |
Family
ID=49395977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012064655A Pending JP2013197425A (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 炭化珪素基板の平坦化研削加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2013197425A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6935224B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2021-09-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
| CN114126859B (zh) * | 2019-07-25 | 2023-10-20 | Ａｇｃ株式会社 | 层叠构件 |
| KR20220037437A (ko) * | 2019-07-25 | 2022-03-24 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 적층 부재 |
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2012
- 2012-03-22 JP JP2012064655A patent/JP2013197425A/ja active Pending
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