JP2013180942A - 酸化マグネシウム薄膜、及びその製造方法 - Google Patents
酸化マグネシウム薄膜、及びその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】上方から撮影した電子顕微鏡写真において、三角形状の微粒子が表面に形成されている、酸化マグネシウム薄膜。当該薄膜は、酸化マグネシウム原料溶液を霧化させ、発生したミスト状の酸化マグネシウム原料を基板上で熱分解させることで、10nm/min〜25nm/minの成長速度で前記基板上に形成される。
【選択図】図1
Description
酢酸マグネシウム四水和物17.5gを蒸留水332.5gに溶解させ、5wt%酢酸マグネシウム水溶液を作製した。これを、酸化マグネシウム原料溶液とする。
原料気化器に投入する原料溶液の投入量を250gに変更した点以外は、実施例1と同様にミストCVD法による成膜を実施した。得られた酸化マグネシウム薄膜の平均膜厚は311.2nm、成長速度は12.0nm/minであった。
原料気化器に投入する原料溶液の投入量を150gに変更した点以外は、実施例1と同様にミストCVD法による成膜を実施した。得られた酸化マグネシウム薄膜の平均膜厚は309.8nm、成長速度は22.9nm/minであった。
原料気化器に投入する原料溶液の投入量を300gに変更した点以外は、実施例1と同様にミストCVD法による成膜を実施した。得られた酸化マグネシウム薄膜の平均膜厚は310.8nm、成長速度は5.2nm/minであった。
原料気化器に投入する原料投入量を100gに変更した点以外は、実施例1と同様にミストCVD法による成膜を実施した。得られた酸化マグネシウム薄膜の平均膜厚は314.8nm、成長速度は26.4nm/minであった。
電子ビーム蒸着法(EB法)によって、基板加熱温度250℃として、ステンレス基板上に酸化マグネシウム薄膜を形成した。得られた酸化マグネシウム薄膜の平均膜厚は354.2nm、成長速度は20.8nm/minであった。
特許文献1の実施例の記載に従って、大気開放下での化学気相析出法(CVD法)によって、原料にMg(C5H7O2)2・2H2Oを用いて、250℃で気化させた後、基材加熱台の下方に設置しているホットプレートの温度を650℃に設定し、成膜を実施した。得られた酸化マグネシウム薄膜の平均膜厚は302.1nm、成長速度は11.4nm/minであった。
11 原料気化器
13 原料溶液
15 基材加熱台
17 ホットプレート
19 ガス源
21 ガス導管
23 超音波振動子
25 流量計
Claims (5)
- 上方から撮影した電子顕微鏡写真において、三角形状の微粒子が表面に形成されている、酸化マグネシウム薄膜。
- ミストCVD法によって製造された請求項1記載の酸化マグネシウム薄膜。
- ミストCVD法における酸化マグネシウム薄膜の成長速度が10nm/min〜25nm/minである請求項2に記載の酸化マグネシウム薄膜。
- 酸化マグネシウム原料溶液を霧化させ、発生したミスト状の酸化マグネシウム原料を加熱された基板上に供給し熱分解させることで、10nm/min〜25nm/minの成長速度で前記基板上に請求項1に記載の酸化マグネシウム薄膜を形成する、酸化マグネシウム薄膜の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の酸化マグネシウム薄膜からなる、プラズマディスプレイの誘電体層用保護膜。
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