JP2013179249A - 電子部品搭載用基板 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性が高く、絶縁基板の変形が抑制された電子部品搭載用基板を提供する。
【解決手段】電子部品の搭載部１ａを含む上面、および複数の溝２を有しており上面と反対側に位置する下面を有する絶縁基板１と、複数の溝のそれぞれに充填された金属材料３とを備える電子部品搭載用基板９である。電子部品搭載用基板９は、溝２に充填された金属材料３によって絶縁基板１の熱伝導性が高められているため、放熱性が高い。また、絶縁基板１の下面に対して金属材料３が充填された溝２が設けられた範囲が小さいため、絶縁基板１に作用する熱応力が小さく、絶縁基板１の反り等の変形が抑制される。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品の搭載部を含む上面を有する電子部品搭載用基板に関するものである。

半導体素子や容量素子，圧電振動子等の電子部品が搭載される基板として、酸化アルミニウム質焼結体等の絶縁材料からなる四角板状等の絶縁基板の上面に、電子部品の搭載部が設けられた電子部品搭載用基板が用いられている。

絶縁基板には、電子部品と電気的に接続される配線導体が形成されている。搭載部に電子部品が搭載され、電子部品と導体層とが電気的に接続される。電子部品搭載用基板に電子部品が搭載されてなる、半導体装置等の電子装置において、導体層を介して、搭載される電子部品と外部の電気回路との電気的な接続が行なわれる。

特開平６−314861号公報

上記の電子部品搭載用基板においては、電子部品の作動に伴い発生する熱を外部に放散させる機能（放熱性）の向上が求められている。特に、電子部品として搭載される半導体集積回路素子や発光素子からの発熱量の増大にともない、放熱性がより重要になってきている。

電子部品搭載用基板の放熱性を高める技術としては、例えば、放熱用の金属板や金属層を絶縁基板の下面に広い面積で設ける技術が知られている。しかしながら、絶縁基板の下面に金属板や金属層を設けた場合には、絶縁基板と金属板等との熱膨張係数の差に起因して大きな熱応力が絶縁基板に作用する。そのため、この応力による絶縁基板の反り等の変形が発生する可能性がある。

本発明は上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、放熱性が高く、絶縁基板の変形が抑制された電子部品搭載用基板を提供することにある。

本発明の一つの態様の電子部品搭載用基板は、電子部品の搭載部を含む上面、および複数の溝を有しており前記上面と反対側に位置する下面を有する絶縁基板と、前記複数の溝のそれぞれに充填された金属材料とを備えることを特徴とする。

本発明の一つの態様の電子部品搭載用基板によれば、絶縁基板の下面が複数の溝を有しており、これらの溝に金属材料が充填されていることから、金属材料によって、絶縁基板の上面から下面に向かう熱の伝導性が高められている。そのため、電子部品搭載用基板としての放熱性が高い。

また、絶縁基板の下面に対して、金属材料が充填された溝が設けられた範囲が小さい。そのため、絶縁基板に作用する熱応力が小さく、絶縁基板の反り等の変形が抑制される。
したがって、放熱性が高く、絶縁基板の変形が抑制された電子部品搭載用基板を提供することができる。

（ａ）は本発明の第１の実施形態の電子部品搭載用基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明の第２の実施形態の電子部品搭載用基板を示す下面図である。 図１に示す電子部品搭載用基板の第１の変形例を示す下面図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１に示す電子部品搭載用基板の第２の変形例を示す断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１に示す電子部品搭載用基板の第３の変形例を示す下面図である。 図１に示す電子部品搭載用基板の第４の変形例における要部を示す下面図である。

以下、本発明の実施形態の電子部品搭載用基板について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下は説明ための便宜的なものであり、実際に電子部品搭載用基板が使用されるときの上下を特定するものではない。

（第１の実施形態）
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態の電子部品搭載用基板を示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。上面に電子部品の搭載部１ａを有するとともに、下面に複数の溝２を有する絶縁基板１と、溝２内に充填された金属材料３とによって電子部品搭載用基板９が基本的に形成されている。

絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミック焼結体等の絶縁材料によって形成されている。

絶縁基板１は、例えば四角板状（直方体状）であり、上面に電子部品（図示せず）が搭載される搭載部１ａを有している。電子部品としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子，弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子，容量素子，抵抗器，半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。これらの電子部品は、一般に四角板状であり、このような電子部品を効率よく収容するために、搭載部１ａは、例えば平面視で四角形状に設けられている。

なお、絶縁基板１は、図１に示すような平板状に限らず、上面に凹部（図示せず）を有するものであってもよい。この場合、例えば凹部の底面が電子部品の搭載部（図示せず）になる。

絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形した複数のセラミックグリーンシートを積層し、焼成することによって製作されている。

また、図１に示す例において、搭載部１ａに四角形状の配線導体４が形成されている。配線導体４は、搭載部１ａに搭載される電子部品の電極を接続するための接続パッドとして機能する。配線導体４と電子部品の電極との接続は、例えばスズ−銀系のはんだ等の導
電性接続材や、ボンディングワイヤ等の導電性接続材を介して行なわれる。

これらの配線導体４は、例えば絶縁基板１の上面から内部を経て下面等の外表面まで形成されている。配線導体４のうち絶縁基板１の下面等に露出した部分（図示せず）が外部電気回路（図示せず）に電気的に接続されれば、配線導体４を介して電子部品と外部電気回路とが電気的に接続される。

配線導体４は、例えばタングステンやモリブデン，マンガン，銅，銀，パラジウム，金，白金等の金属の材料からなる。このような金属の材料は、例えばタングステンの場合であれば、タングステンの粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストを、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの表面の所定位置にスクリーン印刷法等の方法で印刷して焼成する方法で絶縁基板１の表面に被着させることができる。

なお、電子部品搭載用基板９に電子部品を搭載する前に、配線導体４の露出した表面のうち凹部２内に露出した表面にニッケルや金等のめっき層を被着させておいてもよい。これにより、配線導体４の酸化腐食が抑制される。また、配線導体４において、はんだの濡れ性およびボンディング性等の特性が向上する。

搭載部１ａに電子部品が搭載され、電子部品と配線導体４とが電気的に接続された後、必要に応じて電子部品４が封止用の樹脂や蓋体（リッド）等によって封止され、電子装置（図示せず）が製作される。電子装置は、例えば半導体装置やセンサ装置、撮像装置、発光装置等である。

搭載部１ａに搭載される電子部品は、例えば演算や記憶、光電変換による発光等の作動に伴い、熱を発生する。この熱が電子装置に留まると、電子部品の温度が高くなって正常な作動が妨げられる可能性がある。そのため、電子装置を製作するための電子部品搭載用基板９の放熱性が高いことが望ましい。この実施形態の電子部品搭載用基板９においては、上記のように金属材料３が充填された溝２が下面に設けられているため、放熱性を高める上で有効である。

絶縁基板１の下面に複数の溝２が設けられ、この溝２に金属材料３が充填されていることにより、絶縁基板１の上面から下面に向かう方向における熱伝導性が向上する。これは、酸化アルミニウム質焼結体等に比べて熱伝導率が高い金属材料３が充填されていることにより、金属材料３を経て絶縁基板１の下面に熱を効率よく伝導できることによる。

金属材料３は、例えば、タングステンやモリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、ニッケル等である。これらの金属材料３は、熱伝導率が約50〜400Ｗ／ｍＫ程度と高
い。これに対して、酸化アルミニウム質焼結体の熱伝導率は約15〜20Ｗ／ｍＫ程度である。

このような電子部品搭載用基板９によれば、溝２に充填されている金属材料３によって、絶縁基板１の上面から下面に向かう熱の伝導性が高められている。そのため、絶縁基板１の上面において発生した熱について、下面に伝導されるときの熱抵抗が低減される。したがって、放熱性の高い電子部品搭載用基板９を提供することができる。

溝２は、例えば、絶縁基板１となる複数のセラミックグリーンシートの一部に打ち抜き加工を施して開口部を設けておき、この開口部を設けたセラミックグリーンシートが最下層になるように積層して焼成することによって、絶縁基板１の下面に設けることができる。また、溝２は、複数のセラミックグリーンシートを積層した後に、その積層体の下面にレーザ加工等を施すこと等の方法で設けることもできる。

溝２内への金属材料３の充填は、例えば、溝２となる開口部を設けたセラミックグリーンシートの積層体において、その開口部内に上記金属材料３となる金属の粉末を有機溶剤等とともに混練して作製したペーストを充填した後、焼成することによって行なうことができる。すなわち、金属材料３は、配線導体４と同様にメタライズ法で設けられたものでもよい。

また、金属材料３の一部は、上記メタライズ法で設けられたものの上に、めっき法等の方法で付着されたものであってもよい。例えば、金属材料３は、溝２の底から深さ方向の一部がメタライズ法で設けられたタングステンからなるものであり、それよりも開口端に近い部分がめっき法で設けられたニッケルやコバルト、金等からなるようなものでも構わない。

個々の溝２のパターンは、図１に示す例においては平面視（下面視）で直線状である。溝２は、直線状に限らず、折れ線状、曲線状またはこれらの形状が組み合わされたパターンであってもよい。溝２が直線状であるときには、上記のような打ち抜き加工等の方法による形成が容易である。そのため、電子部品搭載用基板９の生産性を高く確保する上では、溝２が平面視で直線状であることが好ましい。

溝２の幅は、図１に示す例においては溝２の全長にわたって同じ程度である。溝２の幅は、溝２の長さ方向に沿って互いに異なる部分があってもよい。例えば溝２の側壁の一部に凹部分や凸部分を設けて、溝２に充填される金属材料３と溝２の側壁との接合面積をより大きくして、金属材料３の溝２の側壁（絶縁基板１）に対する接合強度を高めるようにしてもよい。

また、図１に示す例においては、複数の溝２の全部が絶縁基板１の下面の対辺の間の全長にわたって設けられている。これにより電子部品搭載用基板９の放熱性が極力高められている。しかし、複数の溝２は、必ずしも、全部が絶縁基板１の下面の対辺の間の全長にわたって設けられている必要はない。例えば、複数の溝２は、互いに長さが異なるものが含まれていてもよい。また、複数の溝２の一部または全部が、絶縁基板１の外辺に達していないものであってもよい。

このような溝２の長さは、電子部品搭載用基板９に搭載される電子部品の平面視における形状および寸法、電子部品の発熱量、絶縁基板１の機械的強度や配線導体４の配置位置、電子部品搭載用基板９としての生産性および経済性等の条件を考慮して、適宜設定すればよい。

また、溝２の幅方向における金属材料３の縦断面（以下、単に金属材料３の断面という）の形状は、図１に示す例では四角形状である。金属材料３の断面の形状は、四角形状に限らず、角部が円弧状に成形された四角形状、扇形状、楕円を例えば長軸または短軸に沿って分割したような部分楕円形状またはこれらの形状であって外周の一部に凹凸を有するような形状等であっても構わない。

金属材料３の断面の形状が四角形状の場合には、例えば前述した方法によって溝２を設けることが容易である。すなわち、溝２となる開口部が打ち抜き加工で設けられたときの断面形状が四角形状になるため、特に追加で加工が施されることなく、上記断面の形状で金属材料３を充填することが可能な溝２が設けられる。

溝２の深さは、電子部品搭載用基板９に対して求められる放熱性や、絶縁基板１の機械的な強度の確保、配線導体４を設けるスペースの確保、生産性および経済性等を考慮して
、適宜設定すればよい。例えば、絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体からなり、金属材料３がメタライズ法で形成されたタングステンからなる場合に、求められる放熱性の向上が、溝２および金属材料３が設けられないものに比べて約２〜５倍程度のときであれば、溝２の深さは、絶縁基板１の厚みに対して約20〜50％程度に設定すればよい。

また、溝２の深さは、複数の溝２の間で互いに異なっていてもよい。例えば、絶縁基板１の外周部分においては相対的に溝２の深さを浅くして、絶縁基板１の外周部分における機械的な強度を極力高くするようにしてもよい。絶縁基板１の外周部分は、電子部品搭載用基板９の、電子部品搭載や搬送、梱包等の取扱い時において、誤ってジグ等にぶつけること等による外力が加わりやすい。これに対して、絶縁基板１の外周部分における機械的な強度を高くしておけば、上記外力による絶縁基板１の外周部分の機械的な破壊がより効果的に抑制され得る。

図１に示す例において、溝２は、絶縁基板１の下面に縦横に、つまり格子状に設けられている。このように格子状に溝２が設けられていることによって、絶縁基板１のより広い範囲において、上面から下面に向かう方向の熱伝導率が向上する。そのため、この場合には、電子部品搭載用基板９の放熱性を高める上で有利である。

また、絶縁基板１の下面において溝２および金属材料３が偏りなく配置されているので、金属材料３と絶縁基板１との熱膨張率（線膨張係数）の差、または焼成時の収縮率の差等に起因して生じる応力が、絶縁基板１においてほぼ同じ程度に生じ得る。そのため、このような応力の偏りに起因して、絶縁基板１に反り等の変形が生じることが、より効果的に抑制されている。

（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態の電子部品搭載用基板９ａを示す下面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。以下の説明において、第１の実施形態と同様の事項については説明を省略する。

第２の実施形態の電子部品搭載用基板９ａにおいては、絶縁基板１の下面に横方向にのみ、溝２が設けられ、この溝２内に金属材料３が充填されている点が、第１の実施形態の電子部品搭載用基板９と異なっている。これ以外の部位について、第２の実施形態の電子部品搭載用基板９ａは、第１の実施形態の電子部品搭載用基板９と同様である。

第２の実施形態の電子部品搭載用基板９ａにおいても、絶縁基板１の下面に複数の溝２が設けられ、これらの溝２に金属材料３が充填されていることから、絶縁基板１の上面から下面に向かう方向の熱伝導率が高められている。また、絶縁基板１の下面において、金属材料３が充填された溝２が設けられた範囲が小さいため、絶縁基板１に作用する熱応力が小さく、絶縁基板１の反り等の変形が抑制される。したがって、この第２の実施形態の場合にも、放熱性が高く、絶縁基板１の変形が抑制された電子部品搭載用基板９ａを提供することができる。

このような電子部品搭載用基板９ａにおいては、絶縁基板１の下面に設けられた溝２の本数が少なく抑えられている。そのため、絶縁基板１の機械的な強度を確保する上では有利である。また、溝２を設ける工程が少なくなり、生産性を高く確保する上でも有利である。

第２の実施形態の電子部品搭載用基板９ａにおいては、金属材料３が充填された溝２の本数が少ない分、絶縁基板１の上面から下面に向かう方向における熱伝導率を高める効果が小さくなる可能性がある。そのため、個々の溝２の幅を、例えば複数の溝２が縦横に設
けられたような場合に比べて大きくして、上記熱伝導率を高める効果の低下を極力抑えるようにしてもよい。

また、この例の電子部品搭載用基板９ａにおいて、溝２は、絶縁基板１の下面の外周まで達していない。つまり、溝２は絶縁基板１の下面の中央部分に設けられている。そのため、溝２に充填された金属材料３と絶縁基板１との間に生じる上記熱応力等の応力は、絶縁基板１の外周側では抑制され、絶縁基板１全体に、反りを生じさせるような大きな応力が作用する可能性が低減される。したがって、絶縁基板１の反り等の変形の抑制が可能である。

第２の実施形態の電子部品搭載用基板９ａにおいても、個々の溝２の平面視におけるパターン、深さおよび幅、ならびに溝２に充填された金属材料３の断面の形状等は、上記第１の実施形態の電子部品搭載用基板９ａの場合と同様に適宜設定してよい。

（変形例）
図３は、図１に示す電子部位品搭載用基板９の第１の変形例を示す下面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。

図３に示す例において、金属材料３が充填された溝２は、絶縁基板１の下面の外周部ほど本数が少なくなっている。この場合にも、例えば絶縁基板１の上面の中央部が電子部品の搭載部１ａであるときには、上面から下面に向かう熱伝導率が、搭載部１ａの下側では効果的に高められる。そのため搭載部１ａに搭載される電子部品で発生する熱に対する放熱性は高く確保され得る。

また、絶縁基板１の外周部分では金属材料３が充填された溝２の本数が少ないので、絶縁基板１の外周側において、金属材料３と絶縁基板１との間に大きな応力が生じることが効果的に抑制される。そのため、この場合にも、絶縁基板１の反り等の変形の抑制が可能である。

また、この第１の変形例は、絶縁基板１の下面の中央部における複数の溝２の配置の密度が、外周部における複数の溝２の配置の密度よりも大きい例とみなすこともできる。複数の溝２の配置の密度とは、絶縁基板１の下面において、単位面積あたりに複数の溝２の合計の面積が占める割合である。絶縁基体１の下面全体に面積等に応じて単位面積を適宜設定し、その単位面積毎に複数の溝２の合計の面積を計測すれば、複数の溝２の配置の密度を算出することができる。

上記単位面積の一例を図３に示す。図３において二点鎖線で囲んだ二つ製法形状の部分が、それぞれ単位面積を示している。この例において、単位面積は、絶縁基板１の正方形状の下面を１６等分する大きさである。下面視において、単位面積あたりの複数の溝２の合計の面積が、絶縁基板１の下面の中央部では比較的大きく、外周部では比較的小さい。

それぞれに金属材料３が充填された複数の溝２について、絶縁基板１の下面の中央部における配置の密度が、外周部における配置の密度よりも大きい場合には、搭載部１ａの下側で、絶縁基板１の上面から下面に向かう熱伝導率をより高くすることができる。そのため、搭載部１ａに搭載される電子部品で発生する熱に対する放熱性をより高くすることができる。

なお、例えば、複数の溝２の幅が互いにほぼ同じ程度であれば、溝２の配置の密度は、互いに隣り合う溝２同士の隣接間隔が小さいほど、大きくなる。絶縁基板１の下面の中央部では、外周部に比べて隣り合う溝２同士の隣接間隔が小さく、溝２の配置の密度が大き
い。言い換えれば、溝２の配置の密度を大きくするには、例えば、複数の溝２の幅を同じ程度として、複数の溝２同士の隣接間隔を小さくすればよい。

図４（ａ）および（ｂ）は、それぞれ前述した第１の実施形態の電子部位品搭載用基板９の第２の変形例を示す断面図である。図４において図１と同様の部位には同様の符号を付している。

図４に示す例において、金属材料３が充填された溝２は、絶縁基板１の下面の中央部における深さが、外周部における深さよりも大きい。この場合にも、例えば絶縁基板１の上面の中央部が電子部品の搭載部１ａであるときには、上面から下面に向かう熱伝導率が、搭載部１ａの下側ではより効果的に高められる。そのため搭載部１ａに搭載される電子部品で発生する熱に対する放熱性は高く確保され得る。

すなわち、この場合には、絶縁基板１のうち電子部品が発生する熱がより多く伝えられる中央部（搭載部１ａの下側）において、金属材料３が、絶縁基板１の上面により近い位置まで延びて設けられている。そのため、金属材料３による、熱伝導率を高める効果がより大きい。

また、絶縁基板１の外周部分では金属材料３が充填された溝２が相対的に浅い。すなわち、絶縁基板１の外周側において金属材料３の体積が比較的小さい。したがって、この場合にも、金属材料３と絶縁基板１との間に大きな応力が生じることが効果的に抑制され、絶縁基板１の反り等の変形の抑制が可能である。

上記のような、途中で深さが異なっている溝２は、例えば、絶縁基板１となる複数のセラミックグリーンシートの一部に打ち抜き加工を施して開口部を設けておき、この開口部を設けたセラミックグリーンシートが最下層になるように積層して焼成することによって設けることができる。また、溝２は、複数のセラミックグリーンシートを積層した後に、その積層体の下面にレーザ加工や切削加工等を施すこと等の方法で設けることもできる。

図４（ａ）に示す例においては、溝２の深さが、絶縁基板１の中央部と外周部との間で異なっており、この中央部と外周部との間において溝２の底が段状になっている。このような形態の溝２は、例えば、前述した絶縁基板１となる複数のセラミックグリーンシートに開口部を設ける方法で溝２が設けられるときに適している。つまり、上記中央部において、外周部よりも開口部を設けるセラミックグリーンシートの層数を多くして溝２を深くすればよい。この場合、途中で深さが異なる溝２の形成が容易であり、電子部品搭載用基板９としての生産性を高く確保する上で有利である。

また、図４（ｂ）は、溝２の深さが、絶縁基板１の下面の外周部から中央部に向かって漸次深くなっている。このような溝２は、例えば、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの積層体の下面にレーザ加工や切削加工が施されて溝２が設けられるときに適している。

図５（ａ）および（ｂ）は、それぞれ前述した第１の実施形態の電子部位品搭載用基板９の第３の変形例を示す下面図である。図５において図１と同様の部位には同様の符号を付している。これらの例において、金属材料絶縁基板１の下面の中央部における溝２の幅が、外周部における溝２の幅よりも大きい。

この場合にも、例えば絶縁基板１の上面の中央部が電子部品の搭載部１ａであるときには、上面から下面に向かう熱伝導率が、搭載部１ａの下側ではより効果的に高められる。そのため、搭載部１ａに搭載される電子部品で発生する熱に対する放熱性は、より高く確
保され得る。

すなわち、この場合には、平面透視において、絶縁基板１のうち電子部品が発生する熱がより多く伝えられる中央部（搭載部１ａの下側）における複数の溝２（金属材料３）の合計の面積が比較的大きい。そのため、金属材料３による、熱伝導率を高める効果がより大きい。

また、絶縁基板１の外周部分では溝２が比較的狭く、金属材料３の体積が比較的小さく抑えられ得る。したがって、この場合にも、金属材料３と絶縁基板１との間に大きな応力が生じることが効果的に抑制され、絶縁基板１の反り等の変形の抑制が可能である。

上記のような、絶縁基板１の下面の中央部において外周部よりも幅が広い溝２は、例えば、絶縁基板１となる複数のセラミックグリーンシートの一部に打ち抜き加工を施して溝２となる開口部を設けるときに、その開口部の形状を上記溝２の形状となるようにすればよい。

図５（ａ）は、絶縁基板１の下面の中央部と外周部との間で、溝２の幅の幅が段階的に異なっている例である。図５（ａ）の例では、溝２の幅が異なる部分は１段であるが、２段以上でもよい。このような場合には、溝２の幅の調整が容易であるため、溝２を形成する工程の作業性を高くしておく上で有利である。

また、図５（ｂ）は、絶縁基板１の下面の外周部と中央部との間で、溝２の幅が次第に大きくなっている場合の例である。図５（ｂ）の例では、溝２の幅が広い部分の範囲を極力小さく抑えながら、電子部品搭載用基板としての放熱性を高める上で有効である。

なお、電子部品搭載用基板９としての放熱性を考慮すれば、溝２の幅を、溝２の全長にわたって大きくすることが有効であるが、溝２の幅を、溝２の全長にわたって大きくすると、前述したように、絶縁基板１と溝２内の金属材料との熱膨張係数の差に起因した熱応力が大きくなり、絶縁基板に反り等の変形が発生しやすくなる可能性がある。また、絶縁基板１の外周部分における機械的な強度が低くなる可能性がある。これに対して、上記のように絶縁基板１の下面の中央部のみで溝２の幅を大きくしておけば、絶縁基板１の変形や機械的な強度の低下等を抑制できる。

図６は、前述した第１の実施形態の電子部位品搭載用基板９の第４の変形例を示す下面図である。図６において図１と同様の部位には同様の符号を付している。図６に示す例において、絶縁基板１の下面に縦横に設けられた複数の溝２は、縦方向の溝２と横方向の溝２とが交差し合う部分に向かって幅が広くなるように設けられている。

この場合には、金属材料３が溝２内から絶縁基板１の下面に広がることの抑制が可能である。例えば絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの積層体の下面に縦横に設けた溝２内に、金属材料３となる金属のペーストを充填するときに、縦横の溝２が互いに交差し合う部分で縦横のペーストが重複して溝２内からはみ出やすい。これに対して、上記交差し合う部分で溝２の幅が広げられているので、上記金属のペーストのはみ出しが抑制され得る。

また、電子部品搭載用基板９、９ａについて、複数の溝２のうち絶縁基板１の下面の中央部に位置する部分に充填された金属材料３の熱伝導率が、複数の溝２のうち絶縁基板の下面の外周部に位置する部分に充填された金属材料３の熱伝導率よりも大きいものでもよい。なお、絶縁基板１の下面の中央部および外周部ともに金属材料３として、同じ符号を用いる。

この場合にも、例えば絶縁基板１の上面の中央部が電子部品の搭載部１ａであるときには、上面から下面に向かう熱伝導率が、搭載部１ａの下側ではより効果的に高められる。そのため、搭載部１ａに搭載される電子部品で発生する熱に対する放熱性は、より高く確保され得る。

すなわち、この場合には、平面透視において、絶縁基板１のうち電子部品が発生する熱がより多く伝えられる中央部（搭載部１ａの下側）において溝２に充填された金属材料３の熱伝導率が比較的大きい。そのため、搭載部１ａが位置している絶縁基板１の中央部において、金属材料３による熱伝導率を高める効果がより大きい。

絶縁基板１の下面の中央部に位置する部分において溝２に充填された金属材料３の熱伝導率を、外周部において溝２に充填された金属材料の熱伝導率を高くするには、例えば、金属材料３としてタングステンと銅との混合金属材料を用い、中央部において外周部よりも銅の含有量を多くすればよい。熱伝導率（20℃）は、タングステンが約190Ｗ／ｍ・Ｋ
であるのに対して、銅が約390Ｗ／ｍ・Ｋである。

また、金属材料３として、メタライズ法により設けられたタングステン層と、めっき法により設けられた銅層とが順次被着されたものとしておいて、中央部においてタングステン層の厚みを相対的に小さく（銅層の厚みを大きく）するようにしてもよい。

１・・・・絶縁基板
１ａ・・・搭載部
２・・・・溝
３・・・・金属材料
４・・・・配線導体
９、９ａ・電子部品搭載用基板

Claims (6)

1. 電子部品の搭載部を含む上面、および複数の溝を有しており前記上面と反対側に位置する下面を有する絶縁基板と、
   前記複数の溝のそれぞれに充填された金属材料とを備えることを特徴とする電子部品搭載用基板。
2. 前記複数の溝は、前記絶縁基板の前記下面に縦横に配列されて設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品搭載用基板。
3. 前記複数の溝は、前記絶縁基板の前記下面の中央部における深さが、外周部における深さよりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品搭載用基板。
4. 前記複数の溝は、前記絶縁基板の前記下面の中央部における幅が、外周部における幅よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品搭載用基板。
5. 前記複数の溝は、前記絶縁基板の前記下面の中央部における配置の密度が、外周部における配置の密度よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品搭載用基板。
6. 前記複数の溝のうち前記絶縁基板の前記下面の中央部に位置する部分に充填された金属材料の熱伝導率が、前記複数の溝のうち前記絶縁基板の前記下面の外周部に位置する部分に充填された金属材料の熱伝導率よりも大きいことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電子部品搭載用基板。

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