JP2013174666A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】マルチギャップ構造を有する液晶表示装置における表示品質を向上させる。
【解決手段】液晶表示装置は、対向配置された第1基板11及び第2基板12、第1基板11の一面に部分的に設けられた液晶性樹脂膜19、第1基板11と第2基板12の間に設けられた液晶層20を備える。液晶層20は、液晶性樹脂膜19の設けられた第1領域の第1層厚が当該第1領域以外の第2領域の第2層厚よりも小さい。液晶性樹脂膜19は、液晶層20の液晶材料と屈折率異方性がほぼ等しく、かつその分子配向状態が電圧無印加時における液晶層20とほぼ等しい。そして、第1領域と第2領域のそれぞれにおける第1基板11と第2基板12の間のリタデーションがほぼ等しい。
【選択図】図2

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に応答速度の異なる複数の表示領域を有する液晶表示装置に関する。
通常の液晶表示装置は、2枚の基板間に均一な厚さの液晶層を設けるために、シリカ、プラスチック、ガラス等の材質のロッド状、又は球状スペーサー、又は感光性樹脂等からなるスペーサーを基板間に配置している。一般にこれらスペーサーは光学的に等方性の材料を用いて形成されている。この点、光学的に異方性を有する液晶材料を用いて形成される液晶層とは異なる。また、透過/反射型液晶表示装置やカラー表示型晶表示素子においては、透過領域と反射領域、または各カラー表示領域にて最適な液晶層のリタデーションが異なる場合に、液晶層厚を調整するために基板上に構造物を配置する手法が知られている。
また、特開2008−242370号公報(特許文献1)には、ドット表示部とセグメント表示部が混在する液晶表示装置において、セグメント表示を行う第1の液晶セルとドット表示を行う第2の液晶セルを積層し、第1の液晶セルのセグメント表示を行う領域をカバーする第2の液晶セル上に第1の広域電極を配置し、第2の液晶セルのドット表示を行う領域をカバーする第1の液晶セル上に第2の広域電極を配置する2層構造の液晶表示装置(液晶表示素子)が開示されている。この先行例の液晶表示装置は、セグメント表示を行う第1の液晶セルを第2の液晶セルに比べ高速に駆動し、2層液晶セルの裏面に配置したマルチカラーバックライトを複数の発光色で間欠点灯させつつ液晶セルを同期動作させることによりセグメント表示部の複数のセグメント表示において異なるカラー表示が可能で、ドット表示部はモノカラー表示可能なフィールドシーケンシャル駆動型の液晶表示装置である。高速応答可能な第1の液晶セルはマルチプレックス駆動条件において低いデューティ比に設定し、さらに液晶層厚を略2μmと大幅に薄く設定することにより第2の液晶セルに比べ大幅な高速応答を実現した液晶セルを用いて良好なカラー表示が実現できる。
ところで、液晶表示装置の一部の表示領域を高速化して表示したい場合に、上記した先行例のように特殊な電極構造を有する高速応答液晶セルと通常応答液晶セルを積層する必要があることから、液晶表示装置自体の重量や厚さが増加する懸念がある。
一方で、2枚の基板間の一部に構造物を形成することによって複数の液晶層厚を有するマルチギャップ構造を作製することも可能と考えられる。しかし、そのようなマルチギャップ構造の基板間に同一の液晶材料を用いて液晶層を形成した場合には、液晶層の厚みの違いによる外観上の違いが識別できる状態になると表示品位が低下する。特に補償板を用いて液晶層のリタデーションを略相殺して暗表示を実現する液晶表示装置においては液晶層の厚みの違いによる外観上の違いが観察されやすいと考えられる。したがって、従来技術では透過領域と反射領域に分割する場合や特定波長で表示を行う領域を分割する場合など、明らかに設計条件が異なる場合にマルチギャップ構造が用いられてきたと考えられる。このため、1つの透過領域内または1つの反射領域内で相互に応答速度が異なる複数の領域を実現するためには、例えばマルチプレックス駆動の場合、その領域のみデューティ比を変化させる等の駆動条件の工夫により専ら改善が行われてきた。しかし、特に立下り応答時間は液晶層厚の2乗に比例することから、駆動条件の工夫によって著しく応答速度を改善するのは困難と考えられる。
特開2008−242370号公報
本発明に係る具体的態様は、マルチギャップ構造を有する液晶表示装置における表示品質を向上させることを目的の1つとする。
本発明に係る一態様の液晶表示装置は、(a)対向配置された第1基板及び第2基板と、(b)第1基板の一面に部分的に設けられた液晶性樹脂膜と、(c)第1基板と第2基板の間に設けられた液晶層を含み、(d)液晶層は、液晶性樹脂膜の設けられた第1領域の第1層厚が当該第1領域以外の第2領域の第2層厚よりも小さく、(e)液晶性樹脂膜は、液晶層の液晶材料と屈折率異方性がほぼ等しく、かつその分子配向状態が電圧無印加時の液晶層とほぼ等しく、(f)第1領域と第2領域のそれぞれにおける第1基板と第2基板の間のリタデーションがほぼ等しい、ことを特徴とする液晶表示装置である。
本発明に係る他の態様の液晶表示装置は、(a)対向配置された第1基板及び第2基板と、(b)第1基板の一面に部分的に設けられた光学的に等方性の透光性樹脂膜と、(c)透光性樹脂膜の上側に設けられた液晶性樹脂膜と、(d)第1基板と第2基板の間に設けられた液晶層を含み、(e)液晶層は、透光性樹脂膜及び液晶性樹脂膜の設けられた第1領域の第1層厚が当該第1領域以外の第2領域の第2層厚よりも小さく、(f)液晶性樹脂膜は、液晶層の液晶材料よりも屈折率異方性が大きく、かつその分子配向状態が電圧無印加時の液晶層とほぼ等しく、(g)第1領域と第2領域のそれぞれにおける第1基板と第2基板の間のリタデーションがほぼ等しい、ことを特徴とする液晶表示装置である。
本発明に係る他の態様の液晶表示装置は、(a)対向配置された第1基板及び第2基板と、(b)第1基板の一面に部分的に設けられた光学的に等方性の透光性樹脂膜と、(c)第1基板の一面であって透光性樹脂膜と重ならない位置に部分的に設けられた液晶性樹脂膜と、(d)第1基板と第2基板の間に設けられた液晶層を含み、(e)液晶層は、液晶性樹脂膜の設けられた第1領域の第1層厚が透光性樹脂膜の設けられた第2領域の第2層厚よりも小さく、(f)液晶性樹脂膜は、液晶層の液晶材料よりも屈折率異方性が小さく、かつその分子配向状態が電圧無印加時の液晶層とほぼ等しく、(g)第1領域と第2領域のそれぞれにおける第1基板と第2基板の間のリタデーションがほぼ等しい、ことを特徴とする液晶表示装置である。
従来技術において液晶層厚が異なる複数の領域を得るためには、液晶層厚を薄くしたい領域に対応する少なくとも一方の基板上に等方的な光学特性を有する膜などの構造物を設ける手法が知られていた。しかし、この場合には構造物の有無により各領域における液晶層のリタデーションが異なることから、例えば視角補償板を用いる液晶表示装置においては正面観察時や斜め方向からの観察時にリタデーションの相違による表示特性の違いが外観から視認可能になり表示品位の低下を引き起こす。これに対して、本発明に係る液晶表示装置では、液晶層厚を部分的に薄くするための手段として液晶性樹脂膜を用いることで、この液晶性樹脂膜が存在しない領域と存在する領域の双方において光学特性をほぼ等しくすることができる。これにより、正面観察時や斜め方向からの観察時に、液晶層の層厚の異なる領域が存在することを判別しにくくすることができる。したがって、マルチギャップ構造を有する液晶表示装置における表示品質を向上させることが可能となる。
上記した何れかの態様の液晶表示装置においては、例えば、液晶材料の誘電率異方性が負であり液晶層が垂直配向に配向制御される。
上記した何れかの態様の液晶表示装置は、第1基板と第2基板を挟んで対向配置される第1偏光板及び第2偏光板と、第1基板と第1偏光板の間又は第2基板と第2偏光板の間の少なくとも一方に配置された視角補償板を更に含んでもよい。
図1(A)および図1(B)は、一実施形態の液晶表示装置の構成を模式的に示す平面図である。 図2は、第1実施形態の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。 図3は、第2実施形態の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。 図4は、第3実施形態の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1(A)および図1(B)は、一実施形態の液晶表示装置の構成を模式的に示す平面図である。図1(A)に示すように本実施形態の液晶表示装置は、セグメント表示領域(第1表示領域)Sとドット表示領域D(第2表示領域)を有する。セグメント表示領域Sには、文字「ST」の表示を行うためのセグメント表示部S1と文字「LY」の表示を行うためのセグメント表示部S2が配置されている。ドット表示領域Dには、01〜20の5行4列の矩形状画素により構成されるドット表示部D1が配置される。本実施形態の液晶表示装置は、セグメント表示領域Sにおける液晶層厚がドット表示領域Dよりも薄いマルチギャップ構造を採用している。また、液晶表示装置には、裏面に少なくとも表示領域全体を照明するバックライトと液晶層に電圧を印加するための駆動回路が設けられている。
図1(B)に示すように、バックライトは、セグメント表示領域Sをカバーする領域BL1とドット表示領域Dをカバーする領域BL2に分割されている。具体的には、バックライトは、例えばそれぞれの領域BL1、BL2は隔壁で分割され、それぞれの領域BL1、BL2内に無機LEDチップ等の光源が配置され、各表示領域の直下で点灯させる直下型構造を有する。あるいは、バックライトは、領域BL1とBL2の境界に反射板を配置し、各領域BL1、BL2の側面に光源を配置し、導光板にて光を伝播させて照明するサイドライト型構造を有してもよいし、領域BL1、BL2がそれぞれ有機LED等の面発光光源であってそれぞれの領域が分割して駆動可能な構造を有してもよい。また、いずれの場合であってもバックライトの各領域BL1、BL2における照明色は相互に異なってもよい。また、相対的に液晶層厚が薄く応答速度が高速なセグメント表示領域Sにおいてはバックライトの照明光を複数の色にて間欠点灯させつつセグメント表示部のスイッチング動作と同期させるフィールドシーケンシャル駆動を行うことによってマルチカラー表示を実現することもできる。この場合、バックライトは分割されていても、されていなくても表示を行うことは可能である。
図2は、第1実施形態の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。図2に示す第1実施形態の液晶表示装置は、対向配置された第1基板11および第2基板12と、両基板の間に配置された液晶層20を主に備える。第1基板11の外側には第1偏光板31が配置され、第2基板12の外側には第2偏光板32が配置され、第2基板12と第2偏光板32の間には視角補償板33が配置されている。液晶層20の周囲はシール材(図示省略)によって封止されている。
第1基板11および第2基板12は、それぞれ、例えばガラス基板、プラスチック基板等の透明基板である。第1基板11と第2基板12との相互間にはスペーサーが分散して配置されている。これらのスペーサーにより、第1基板11と第2基板12との間隙が所定距離(例えば数μm程度)に保たれる。
液晶層20は、第1基板11と第2基板12の相互間に設けられている。本実施形態においては、液晶層20は、誘電率異方性Δεが負(Δε<0)の液晶材料(ネマティック液晶材料)を用いて構成されており、モノドメインの垂直配向に配向制御されている。
第1偏光板31および第2偏光板32は、例えば、各々の吸収軸が互いに略直交するように配置されている。また、第1偏光板31および第2偏光板32は、いずれか一方の吸収軸が各表示領域の左右方向に対して時計回りに45°、他方の吸収軸が反時計回りに45°に配置されている。視角補償板33は、例えば負の二軸光学異方性を有する視角補償板であり、第2基板12と第2偏光板32の間に配置されている。なお、この視角補償板33は、第1基板11と第1偏光板31の間に配置されていてもよい。また、第1基板11と第1偏光板31の間、第2基板12と第2偏光板32の間の双方に視角補償板が配置されてもよい。
電極13および電極14は、それぞれ第1基板11の一面上に設けられている。また、電極16および電極17は、それぞれ第2基板12の一面上に設けられている。各電極13、14、16、17は、例えばインジウム錫酸化物(ITO)などの透明導電膜を適宜パターニングすることによって構成されている。ここでは、電極13と電極16とが対向する領域がドット表示領域Dに相当し、電極14と電極17とが対向する領域がセグメント表示領域Sに相当する。
配向膜15は、第1基板11の一面側に各電極13、14を覆うようにして設けられている。同様に、配向膜18は、第2基板12の一面側に、各電極16、17を覆うようにして設けられている。本実施形態においては、配向膜15および配向膜18として液晶層20の初期状態(電圧無印加時)における配向状態を垂直配向状態に規制するもの(垂直配向膜)が用いられている。各配向膜15、18にはラビング処理等の配向処理が施されており、各配向膜15、18は液晶層20の液晶分子に対して90°に近い角度のプレティルト角を付与する。
液晶性樹脂膜(液晶性樹脂層)19は、第2基板12の配向膜18上であってセグメント表示領域S内に設けられている。この液晶性樹脂膜19は、例えば液晶性を有する感光性樹脂層を用いて形成することができる。また、この液晶性樹脂膜19は導電性を有しないことが好ましい。この液晶性樹脂膜19は、液晶層20の電圧無印加時における配向状態とほぼ等しい配向状態を有する。このような分子配向状態は、液晶性樹脂膜19の形成時に、第2基板12上に設けられた配向膜18による配向規制力を利用することで実現できる。具体的には、液晶性樹脂膜19は、所定の材料液を第2基板12の配向膜18上に塗布し、セグメント表示領域Sのみが感光される様に遮光膜でパターニングされたフォトマスクに略密着された状態で紫外線を露光後、アルカリ水溶液にて現像、焼成することによりパターン形成される。このとき、配向膜18上に塗布されることでこの配向膜18による配向規制力を受ける。
上記した第1実施形態の液晶表示装置において、液晶性樹脂膜19の屈折率異方性をΔn1、液晶層20の液晶材料の屈折率異方性をΔn2、液晶性樹脂膜19の厚さをd1、第1基板11と第2基板12の基板間距離をd2とすると、セグメント表示領域SのリタデーションRsは、Rs=Δn1d1+Δd2(d2−d1)と表され、ドット表示領域DのリタデーションRdは、Rd=Δn2d2と表される。このため、セグメント表示部S1、S2とドット表示部D1が電圧無印加時において外観観察時に等しく視認されるためにRsとRdをほぼ等しくするには、Δn1とΔn2がほぼ等しければよいことになる。したがって、第1実施形態の液晶表示装置は、液晶性樹脂膜19の屈折率異方性Δn1と液晶層20の液晶材料の屈折率異方性Δn2がほぼ等しくなるように各々の材料を選択している。
なお、液晶性樹脂膜19の屈折率異方性Δn1と液晶層20の液晶材料の屈折率異方性Δn2が異なる場合であっても、セグメント表示部S1、S2とドット表示部D1が電圧無印加時において外観観察時に等しく視認されるようにすることができる。以下、その実施形態を説明する。
図3は、第2実施形態の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。第2実施形態の液晶表示装置は、Δn1>Δn2の場合に適した構造を有する。なお、第1実施形態の液晶表示装置(図2参照)と共通する構成要素については同一符号を付しており、それらについては詳細な説明を省略する。第2実施形態の液晶表示装置は上記した第1実施形態の液晶表示装置との比較では、第2基板12上に透光性樹脂膜21aが設けられた点が主に異なっている。
透光性樹脂膜(透光性樹脂層)21aは、第2基板12上であってセグメント表示領域S内に設けられている。この透光性樹脂膜21aは、等方的な光学特性を有する透明な感光性樹脂を用いて形成されている。
配向膜18aは、電極16、17および透光性樹脂膜21aを覆って第2基板12の一面上に形成されている。
液晶性樹脂膜19aは、第2基板12の配向膜18a上であってセグメント表示領域S内に、透光性樹脂膜21aと重畳するように設けられている。
上記した第2実施形態の液晶表示装置において、液晶性樹脂膜19aの屈折率異方性をΔn1、液晶層20の液晶材料の屈折率異方性をΔn2、液晶性樹脂膜19aの厚さをd1、第1基板11と第2基板12の基板間距離をd2、透光性樹脂膜21aの厚さをd3とすると、セグメント表示領域SのリタデーションRsは、Rs=Δn1d1+Δd2(d2−d1−d3)と表され、ドット表示領域DのリタデーションRdは、Rd=Δn2d2と表される。このため、セグメント表示部S1、S2とドット表示部D1が電圧無印加時において外観観察時に等しく視認されるためにRsとRdをほぼ等しくするには、液晶性樹脂膜19aの厚さd1と透光性樹脂膜21aの厚さd3を調整すればよい。すなわち、Rs=Rdとなるためには、Δn1d1−Δn2(d1+d3)=0の条件を満たせばよいので、これをさらに変形すると、d1/d3=Δn2/(Δn1−Δn2)の関係式が得られる。したがって、液晶性樹脂膜および液晶材料の各屈折率異方性Δn1、Δn2が決まりΔn2/(Δn1−Δn2)の値が決まれば、この値とd1/d3がほぼ等しくなるように各厚さd1、d3を調整すればよい。
図4は、第3実施形態の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。第3実施形態の液晶表示装置は、Δn1<Δn2の場合に適した構造を有する。なお、第1実施形態の液晶表示装置(図2参照)と共通する構成要素については同一符号を付しており、それらについては詳細な説明を省略する。第3実施形態の液晶表示装置は、上記した第1実施形態の液晶表示装置との比較では第2基板12上に透光性樹脂膜21bが設けられた点が主に異なっており、第2実施形態の液晶表示装置との比較では液晶性樹脂膜19bと透光性樹脂膜21bを設けた位置が主に異なっている。
透光性樹脂膜(透光性樹脂層)21bは、第2基板12上であってドット表示領域D内に設けられている。この透光性樹脂膜21bは、等方的光学特性を有する透明な感光性樹脂を用いて形成されている。なお、ドット表示部Dの電極16は透光性樹脂膜21aの形成後にその上に形成されてもよい。
配向膜18bは、電極16、17および透光性樹脂膜21bを覆って第2基板12の一面上に形成されている。
液晶性樹脂膜19bは、第2基板12の配向膜18b上であってセグメント表示領域S内に設けられている。
上記した第3実施形態の液晶表示装置において、液晶性樹脂膜19bの屈折率異方性をΔn1、液晶層20の液晶材料の屈折率異方性をΔn2、液晶性樹脂膜19bの厚さをd1、第1基板11と第2基板12の基板間距離をd2、透光性樹脂膜21bの厚さをd3とすると、セグメント表示領域SのリタデーションRsは、Rs=Δn1d1+Δn2(d2−d1)と表され、ドット表示領域DのリタデーションRdは、Rd=Δn2(d2−d3)と表される。このため、セグメント表示部S1、S2とドット表示部D1が電圧無印加時において外観観察時に等しく視認されるためにはd1/d3とΔn2/(Δn2−Δn1)が略等しくなるように調整すればよい。
なお、上記したいずれの実施形態においても、液晶性樹脂膜がセグメント表示領域のほぼ全面に配置された構造を示したが、液晶性樹脂膜は各セグメント表示部のみに配置されていてもよい。例えば、図1に示した表示パターンであれば、文字「ST」と「LY」の表示がなされる白抜き部分のみ選択的に液晶性樹脂膜を設けてもよい。また、いずれの実施形態においても、セグメント表示部とドット表示部はスタティック駆動又はマルチプレックス駆動されるが、両者で同じ駆動条件であってもよく、別々でもよい。さらに、上記においてはセグメント表示部とドット表示部が混在した液晶表示装置に関して示してきたが、全面がセグメント表示またはドット表示であってもよい。この場合であっても、表示領域内を複数の領域に分割し、それら各分割領域について上記した実施形態と同様にマルチギャップ構造を導入すればよい。
(実施例1)
以下、Δn1とΔn2が略等しく、かつ液晶層が垂直配向である液晶表示装置(図2参照)の実施例を説明する。
厚さ0.7mmの青板ガラスの一方の面を研磨した後にSiO膜によるアンダーコートを施し、さらにITO(インジウム錫酸化物)からなる透明導電膜を基板全面に成膜してなるシート抵抗30Ω/sq.の基板(下基板)を用意した。そして、この下基板の透明導電膜に対してフォトリソグラフィー工程およびウェットエッチング工程を行うことにより、ドット表示部およびセグメント表示部のそれぞれに対応したパターンの透明電極を形成した。
次に、透明電極を形成した下基板に、表面自由エネルギーが37.5mN/mを示す垂直配向膜をフレキソ印刷にてパターン形成し、この垂直配向膜に対して、ラビング処理により液晶表示装置の上方位に均一なプレティルト配向状態が得られるようにした。
次いで、一方の基板上に、屈折率異方性が約0.1であり液晶性を示す感光性樹脂を含有する溶液をスピンナーにて塗布し、60℃で120秒間のプリベーク後、所望のパターンのフォトマスクを介して密着露光機にて高圧水銀ランプ光源による紫外線を1000mJ露光した。露光後、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)0.1%水溶液にて浸漬現像を行い、純水リンスすることにより現像液と純水を置換し、下基板を乾燥させ、240℃のオーブンにて20分間焼成した。なお、触針式段差計の測定結果から液晶性樹脂膜の膜厚は約3.0μmであった。
上基板も下基板と同様にして所定パターンの透明電極を形成した後に垂直配向膜を形成し、この垂直配向膜に対して、ラビング処理により液晶表示装置の下方位に均一なプレティルト配向状態が得られるようにした。
次に、上基板側のドット表示部にステンレスマスクを配置した状態にて粒径3μmのプラスティックスペーサーを乾式散布法にて基板面内にランダムに散布した。このようにしてセグメント表示領域にのみスペーサーを配置した状態の上基板をクリーンオーブン内にて120℃で10分間焼成することにより、スペーサーを基板面に固着させた。
また、セグメント表示領域にステンレスマスクを配置した状態にて粒径6μmのプラスティックスペーサーを乾式散布法にて基板面内にランダムに散布した。このようにしてドット表示領域にのみスペーサーを配置した状態の上基板をクリーンオーブン内にて120℃で10分間焼成することにより、スペーサーを基板面に固着させた。
次に、下基板側に粒径が6μmのシリカ粒子が2wt%混入したシール材を両基板が重なる面内領域外形枠より1mm小さく枠状にディスペンサーにて塗布した。また、液晶表示装置の右側辺の一部に真空注入用の注入口を配置した。上基板と下基板を基板端面にて位置合わせして貼り合わせ、一定の圧力でプレスした状態にて150℃で60分間焼成した。
次に、注入口から上基板と下基板の間にΔεが負でΔnが約0.1の液晶材料を真空注入にて注入し、注入口を紫外線硬化樹脂で封止した後、120℃で60分間焼成した。
その後、上基板と下基板の合体物であるセルを中性洗剤で洗浄し乾燥させた後、下基板の外側に、面内位相差45nmで厚さ方向位相差が440nmの負の二軸光学異方性を有する視角補償板が一体となっている偏光板をその吸収軸方向が液晶層の層厚方向の略中央における分子配向方位に対して吸収軸が略45°になるようにして貼り合わせた。同様に、上基板の外側に、偏光板をその吸収軸方向が下基板側の偏光板の吸収軸方向と略直交するようにして貼り合わせた。以上により実施例1の液晶表示装置が完成した。
実施例1の液晶表示装置の電圧無印加時における正面方向および斜め方向からの外観観察より、セグメント表示領域とドット表示領域の間で光学特性の違いがほぼ視認されず、良好なノーマリーブラック状態が得られることを確認できた。すなわち、上下基板内のリタデーションと視角補償板によるリタデーションが良好に相殺されていることが分かった。また、この実施例1の液晶表示装置に外部駆動回路を接続し、各表示部を1/6デューティ、1/4バイアスにて明表示させることにより表示パターン通りの表示状態を実現することができ、かつ応答速度についてはセグメント表示部の方が速いことが分かった。しかし、同じ駆動条件ではセグメント表示部とドット表示部の透過率が異なることが確認された。各表示部を別々に駆動することにより表示輝度がほぼ等しくなるように調整できることから駆動回路および駆動条件は別々にする方が好ましいといえる。さらに、液晶性樹脂膜が配置されたセグメント表示部はデューティ比を低下させて動作させた方が応答速度の高速化には有利である。
(実施例2)
以下、Δn1>Δn2かつ液晶層が垂直配向である液晶表示装置(図3参照)の実施例を説明する。
厚さ0.7mmの青板ガラスの一方の面を研磨した後にSiO膜によるアンダーコートを施し、さらにITO(インジウム錫酸化物)からなる透明導電膜を基板全面に成膜してなるシート抵抗30Ω/sq.の基板(下基板)を用意した。そして、この下基板の透明導電膜に対してフォトリソグラフィー工程およびウェットエッチング工程を行うことにより、ドット表示部およびセグメント表示部のそれぞれに対応したパターンの透明電極を形成した。
この下基板にネガ型透光性感光性樹脂をスピンナーで塗布し、ホットプレート上にて100℃で120秒間仮焼成した後、セグメント表示領域のみ露光されるパターンのフォトマスクを介して密着露光機にて200mJ露光した。露光後、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)1%水溶液にて浸漬現像を行い、純水リンスすることにより現像液と純水を置換し、基板を乾燥させ、220℃のオーブンにて30分間焼成した。なお、触針式段差計の測定結果から遮光樹脂膜と透光性樹脂膜の積層層厚は約1.0μmであった。
次に、透明電極を形成した下基板に、表面自由エネルギーが37.5mN/mを示す垂直配向膜をフレキソ印刷にてパターン形成し、この垂直配向膜に対して、ラビング処理により液晶表示装置の上方位に均一なプレティルト配向状態が得られるようにした。
次いで、一方の基板上に、屈折率異方性が約0.15であり液晶性を示す感光性樹脂を含有する溶液をスピンナーにて塗布し、60℃で120秒間のプリベーク後、セグメント表示領域のみ露光されるパターンのフォトマスクを介して密着露光機にて高圧水銀ランプ光源による紫外線を1000mJ露光した。露光後、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)0.1%水溶液にて浸漬現像を行い、純水リンスすることにより現像液と純水を置換し、下基板を乾燥させ、240℃のオーブンにて20分間焼成した。なお、触針式段差計の測定結果から液晶性樹脂膜の膜厚は約2.0μmであった。
上基板も下基板と同様にして所定パターンの透明電極を形成した後に垂直配向膜を形成し、この垂直配向膜に対して、ラビング処理により液晶表示装置の下方位に均一なプレティルト配向状態が得られるようにした。
次に、上基板側のドット表示部にステンレスマスクを配置した状態にて粒径3μmのプラスティックスペーサーを乾式散布法にて基板面内にランダムに散布した。このようにしてセグメント表示領域にのみスペーサーを配置した状態の上基板をクリーンオーブン内にて120℃で10分間焼成することにより、スペーサーを基板面に固着させた。
また、セグメント表示領域にステンレスマスクを配置した状態にて粒径6μmのプラスティックスペーサーを乾式散布法にて基板面内にランダムに散布した。このようにしてドット表示領域にのみスペーサーを配置した状態の上基板をクリーンオーブン内にて120℃で10分間焼成することにより、スペーサーを基板面に固着させた。
次に、下基板側に粒径が6μmのシリカ粒子が2wt%混入したシール材を両基板が重なる面内領域外形枠より1mm小さく枠状にディスペンサーにて塗布した。また、液晶表示装置の右側辺の一部に真空注入用の注入口を配置した。上基板と下基板を基板端面にて位置合わせして貼り合わせ、一定の圧力でプレスした状態にて150℃で60分間焼成した。
次に、注入口から上基板と下基板の間にΔεが負でΔnが約0.1の液晶材料を真空注入にて注入し、注入口を紫外線硬化樹脂で封止した後、120℃で60分間焼成した。
その後、上基板と下基板の合体物であるセルを中性洗剤で洗浄し乾燥させた後、下基板の外側に、面内位相差45nmで厚さ方向位相差が440nmの負の二軸光学異方性を有する視角補償板が一体となっている偏光板をその吸収軸方向が液晶層の層厚方向の略中央における分子配向方位に対して吸収軸が略45°になるようにして貼り合わせた。同様に、上基板の外側に、偏光板をその吸収軸方向が下基板側の偏光板の吸収軸方向と略直交するようにして貼り合わせた。以上により実施例2の液晶表示装置が完成した。
実施例2の液晶表示装置の電圧無印加時における正面方向および斜め方向からの外観観察結果、並びに外部駆動回路を接続してマルチプレックス駆動したときの動作状態は実施例1の液晶表示装置と同等であった。
(実施例3)
以下、Δn1<Δn2かつ液晶層が垂直配向である液晶表示装置(図4参照)の実施例を説明する。
厚さ0.7mmの青板ガラスの一方の面を研磨した後にSiO膜によるアンダーコートを施し、さらにITO(インジウム錫酸化物)からなる透明導電膜を基板全面に成膜してなるシート抵抗30Ω/sq.の基板(下基板)を用意した。そして、この下基板の透明導電膜に対してフォトリソグラフィー工程およびウェットエッチング工程を行うことにより、ドット表示部およびセグメント表示部のそれぞれに対応したパターンの透明電極を形成した。
この下基板にネガ型透光性感光性樹脂をスピンナーで塗布し、ホットプレート上にて100℃で120秒間仮焼成した後、ドット表示領域のみ露光されるパターンのフォトマスクを介して密着露光機にて200mJ露光した。露光後、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)1%水溶液にて浸漬現像を行い、純水リンスすることにより現像液と純水を置換し、基板を乾燥させ、220℃のオーブンにて30分間焼成した。なお、触針式段差計の測定結果から遮光樹脂膜と透光性樹脂膜の積層層厚は約2.0μmであった。
次に、透明電極を形成した下基板に、表面自由エネルギーが37.5mN/mを示す垂直配向膜をフレキソ印刷にてパターン形成し、この垂直配向膜に対して、ラビング処理により液晶表示装置の上方位に均一なプレティルト配向状態が得られるようにした。
次いで、一方の基板上に、屈折率異方性が約0.1であり液晶性を示す感光性樹脂を含有する溶液をスピンナーにて塗布し、60℃で120秒間のプリベーク後、セグメント表示領域のみ露光されるパターンのフォトマスクを介して密着露光機にて高圧水銀ランプ光源による紫外線を1000mJ露光した。露光後、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)0.1%水溶液にて浸漬現像を行い、純水リンスすることにより現像液と純水を置換し、下基板を乾燥させ、240℃のオーブンにて20分間焼成した。なお、触針式段差計の測定結果から液晶性樹脂膜の膜厚は約3.0μmであった。
上基板も下基板と同様にして所定パターンの透明電極を形成した後に垂直配向膜を形成し、この垂直配向膜に対して、ラビング処理により液晶表示装置の下方位に均一なプレティルト配向状態が得られるようにした。
次に、上基板側のドット表示部にステンレスマスクを配置した状態にて粒径3μmのプラスティックスペーサーを乾式散布法にて基板面内にランダムに散布した。このようにしてセグメント表示領域にのみスペーサーを配置した状態の上基板をクリーンオーブン内にて120℃で10分間焼成することにより、スペーサーを基板面に固着させた。
また、セグメント表示領域にステンレスマスクを配置した状態にて粒径4μmのプラスティックスペーサーを乾式散布法にて基板面内にランダムに散布した。このようにしてドット表示領域にのみスペーサーを配置した状態の上基板をクリーンオーブン内にて120℃で10分間焼成することにより、スペーサーを基板面に固着させた。
次に、下基板側に粒径が6μmのシリカ粒子が2wt%混入したシール材を両基板が重なる面内領域外形枠より1mm小さく枠状にディスペンサーにて塗布した。また、液晶表示装置の右側辺の一部に真空注入用の注入口を配置した。上基板と下基板を基板端面にて位置合わせして貼り合わせ、一定の圧力でプレスした状態にて150℃で60分間焼成した。
次に、注入口から上基板と下基板の間にΔεが負でΔnが約0.15の液晶材料を真空注入にて注入し、注入口を紫外線硬化樹脂で封止した後、120℃で60分間焼成した。
その後、上基板と下基板の合体物であるセルを中性洗剤で洗浄し乾燥させた後、下基板の外側に、面内位相差45nmで厚さ方向位相差が440nmの負の二軸光学異方性を有する視角補償板が一体となっている偏光板をその吸収軸方向が液晶層の層厚方向の略中央における分子配向方位に対して吸収軸が略45°になるようにして貼り合わせた。同様に、上基板の外側に、偏光板をその吸収軸方向が下基板側の偏光板の吸収軸方向と略直交するようにして貼り合わせた。以上により実施例3の液晶表示装置が完成した。
実施例3の液晶表示装置の電圧無印加時における正面方向および斜め方向からの外観観察結果、並びに外部駆動回路を接続してマルチプレックス駆動したときの動作状態は実施例1の液晶表示装置と同等であった。
なお、本発明は上述した実施形態並びに各実施例の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施をすることが可能である。
S:セグメント表示領域
S1、S2:セグメント表示部
D:ドット表示領域
D1:ドット表示部
BL1:セグメント表示領域Sをカバーする領域
BL2:ドット表示領域Dをカバーする領域
11:第1基板
12:第2基板
13、14、16、17:電極
15、18、18a、18b:配向膜
19、19a、19b:液晶性樹脂膜
20:液晶層
21a、21b:透光性樹脂膜
31:第1偏光板
32:第2偏光板

Claims (5)

  1. 対向配置された第1基板及び第2基板と、
    前記第1基板の一面に部分的に設けられた液晶性樹脂膜と、
    前記第1基板と前記第2基板の間に設けられた液晶層、
    を含み、
    前記液晶層は、前記液晶性樹脂膜の設けられた第1領域の第1層厚が当該第1領域以外の第2領域の第2層厚よりも小さく、
    前記液晶性樹脂膜は、前記液晶層の液晶材料と屈折率異方性がほぼ等しく、かつその分子配向状態が電圧無印加時における前記液晶層とほぼ等しく、
    前記第1領域と前記第2領域のそれぞれにおける前記第1基板と前記第2基板の間のリタデーションがほぼ等しい、
    液晶表示装置。
  2. 対向配置された第1基板及び第2基板と、
    前記第1基板の一面に部分的に設けられた光学的に等方性の透光性樹脂膜と、
    前記透光性樹脂膜の上側に設けられた液晶性樹脂膜と、
    前記第1基板と前記第2基板の間に設けられた液晶層、
    を含み、
    前記液晶層は、前記透光性樹脂膜及び前記液晶性樹脂膜の設けられた第1領域の第1層厚が当該第1領域以外の第2領域の第2層厚よりも小さく、
    前記液晶性樹脂膜は、前記液晶層の液晶材料よりも屈折率異方性が大きく、かつその分子配向状態が電圧無印加時における前記液晶層とほぼ等しく、
    前記第1領域と前記第2領域のそれぞれにおける前記第1基板と前記第2基板の間のリタデーションがほぼ等しい、
    液晶表示装置。
  3. 対向配置された第1基板及び第2基板と、
    前記第1基板の一面に部分的に設けられた光学的に等方性の透光性樹脂膜と、
    前記第1基板の一面であって前記透光性樹脂膜と重ならない位置に部分的に設けられた液晶性樹脂膜と、
    前記第1基板と前記第2基板の間に設けられた液晶層、
    を含み、
    前記液晶層は、前記液晶性樹脂膜の設けられた第1領域の第1層厚が前記透光性樹脂膜の設けられた第2領域の第2層厚よりも小さく、
    前記液晶性樹脂膜は、前記液晶層の液晶材料よりも屈折率異方性が小さく、かつその分子配向状態が電圧無印加時における前記液晶層とほぼ等しく、
    前記第1領域と前記第2領域のそれぞれにおける前記第1基板と前記第2基板の間のリタデーションがほぼ等しい、
    液晶表示装置。
  4. 前記液晶材料の誘電率異方性が負であり前記液晶層が垂直配向に配向制御された、請求項1〜4の何れか1項に記載の液晶表示装置。
  5. 前記第1基板と前記第2基板を挟んで対向配置される第1偏光板及び第2偏光板と、
    前記第1基板と前記第1偏光板の間又は前記第2基板と前記第2偏光板の間の少なくとも一方に配置された視角補償板、を更に含む、請求項1〜4の何れか1項に記載の液晶表示装置。
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