JP2013167014A - フレキシブルプリント配線板用圧延銅箔 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】400℃で1時間の熱処理を行うと、圧延方向に平行な断面の平均結晶粒径が100μm以上となるという特性をもつ圧延銅箔。タフピッチ銅(TPC)又は無酸素銅(OFC)に所定の元素を添加しインゴットを溶解鋳造した。これを熱間圧延した後、焼鈍と冷間圧延を繰り返し、最終冷間圧延を所定の圧下率で行い、最後に、焼鈍をAr雰囲気で行い銅箔を得た。
【選択図】図1
Description
得られたFPC試験片について、振動試験をJIS−D1601掃引振動耐久試験に基づいて実施する。具体的には、ループ寸法L=20mmのループ状にして両端を固定し、周波数5〜170Hz/5min、振幅幅0.6mm、振動加速度45m/s2、試験温度−35〜115℃において振動試験を行い、試験片に定電流(1.0mA)を通電しての試験片の抵抗増加率を記録し、試験片の抵抗増加率が20%に到達するまでの時間を測定する。試験温度は室温(20℃)で10分保持後、1.5時間かけて−30℃に徐々に低下させ、−30℃で10分保持後、1.5時間かけて115℃に上昇させ、115℃で10分保持後、1時間かけて室温(20℃)まで低下させるというサイクルを繰り返す。振動試験は、それぞれ試験片の抵抗増加率が20%に到達した時点で終了する。
なお、ループ寸法とは図3に示すように、試験片の固定箇所から試験片の先端までの距離を指す。
タフピッチ銅(TPC)又は無酸素銅(OFC)に所定の元素を添加した表1に記載の各組成をもつインゴットを溶解鋳造した。これを熱間圧延した後、焼鈍と冷間圧延を繰り返し、最終冷間圧延を表1に記載の圧下率で行い、表1に記載の厚みに調整した。最後に、焼鈍をAr雰囲気で表1に記載の条件で行い各銅箔を得た。なお、比較例3では、厚み35μmの特殊電解銅箔(EDC)を用い、焼鈍をAr雰囲気で400℃×1時間の条件で行った。
得られた各圧延銅箔の表裏に厚み50μmで電着銅粒子による粗化処理を行った後、180℃の温度で2時間熱プレスするラミネート条件で厚み50μmのポリイミドフィルムを表裏に積層し、両面FCCLを作製した。その後、長さ120mmでラインアンドスペース0.3mm×0.3mmの回路エッチングを8本形成し、最後に厚み50μmのポリイミド製のカバーレイフィルムを両面に180℃の温度で1時間熱プレスすることにより積層して、長さ150mm×幅15mmのFPCの各試験片を作製した。
銅箔の圧延方向に平行な断面の平均結晶粒径は、FPC作製後、先述した手順によりSEM観察を行ってJIS H0501の切断法により測定した。
銅箔表面の平均結晶粒径は、FPC作製後、測定部分のポリイミドフィルムをアルカリ系溶液及び有機溶剤を使用して剥離し銅箔表面を露出させた後、電解研磨により表面を研磨し、SEM観察を行ってJIS H0501の切断法により測定した。
得られた各FPC試験片について、振動試験をJIS−D1601掃引振動耐久試験に基づいて実施した。先述した試験片をループ寸法L=20mmのループ状にして両端を固定し、周波数5〜170Hz/5min、振幅幅0.6mm、振動加速度45m/s2、試験温度−35〜115℃において振動試験を行い、試験片に定電流(1.0mA)を通電しての試験片の抵抗増加率を記録し、試験片の抵抗増加率が20%に到達するまでの時間を測定した。試験温度は室温(20℃)で10分保持後、1.5時間かけて−30℃に徐々に低下させ、−30℃で10分保持後、1.5時間かけて115℃に上昇させ、115℃で10分保持後、1時間かけて室温(20℃)まで低下させるというサイクルを繰り返した。試験装置は新日本測器株式会社製F−400BM−E04全自動振動試験装置とエミック株式会社製温湿度試験装置VC−500DAR(33)M3C3Rを使用した。振動試験は、それぞれ試験片の抵抗増加率が20%に到達した時点で終了した。
振動試験後の試験片の導通をテスターにより測定した。導通があった場合を○、導通がなかった場合を×とした。×という評価がついたものは、抵抗増加率20%に到達した直後に断線したものと考えられる。
振動試験後のFPC試験片からポリイミドフィルムをアルカリ系溶液及び有機溶剤を使用して剥離し振動部銅箔表面をSEM観察し、単位面積(10μm×10μm)当りの縦方向及び横方向のシェアバンドの本数を測定した。測定は2回行い、平均値を測定値とした。
比較例4〜6は、焼鈍条件が不適切であり、結晶粒が十分に発達しなかった。但し、これらは焼鈍条件を400℃×1時間としたときは、平均断面結晶粒径は100μmを超えた。
比較例7は、特殊電解銅箔を材料としたが、結晶粒が十分に発達しなかった。
Claims (11)
- 400℃で1時間の熱処理を行うと、圧延方向に平行な断面の平均結晶粒径が100μm以上となるという特性をもつ圧延銅箔。
- 圧延方向に平行な断面の平均結晶粒径が100μm以上である圧延銅箔。
- 明細書中で定義される“振動試験A”後の振動部表面にシェアバンドが形成されるという特性をもつ圧延銅箔。
- 明細書中で定義される“振動試験A”後の振動部表面に、10μm×10μmの正方形の観察視野当たり、縦方向及び横方向にそれぞれ10〜30本のシェアバンドが形成されるという特性をもつ請求項3に記載の圧延銅箔。
- 銅箔の厚みが50〜300μmである請求項1〜4の何れか一項に記載の圧延銅箔。
- Cu濃度が99.8質量%以上、酸素濃度が0.05質量%以下、且つ、Ag、Sn、B、Zr及びTiの合計濃度が0.003〜0.03質量%の組成を有する請求項1〜5の何れか一項に記載の圧延銅箔。
- Cu濃度が99.9質量%以上、酸素濃度が0.01質量%未満、且つ、Ag、Sn、B、Zr及びTiの合計濃度が0〜0.03質量%の組成を有する請求項1〜5の何れか一項に記載の圧延銅箔。
- フレキシブルプリント配線板の導体材料として使用される請求項1〜7の何れか一項に記載の圧延銅箔。
- フレキシブルプリント配線板が車載用である請求項8に記載の圧延銅箔。
- 請求項1〜9の何れか一項に記載の圧延銅箔を備えたフレキシブル銅張積層板。
- 請求項10に記載のフレキシブル銅張積層板を加工して得られたフレキシブルプリント配線板。
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