JP2013165222A - ガス供給装置及び熱処理装置 - Google Patents
ガス供給装置及び熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013165222A JP2013165222A JP2012028494A JP2012028494A JP2013165222A JP 2013165222 A JP2013165222 A JP 2013165222A JP 2012028494 A JP2012028494 A JP 2012028494A JP 2012028494 A JP2012028494 A JP 2012028494A JP 2013165222 A JP2013165222 A JP 2013165222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas supply
- raw material
- baffle plate
- supply device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 270
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 124
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 32
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 20
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- YWATTXMDZQWERV-UHFFFAOYSA-N CN(C)[Hf] Chemical compound CN(C)[Hf] YWATTXMDZQWERV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PULVCHXDNLGASZ-UHFFFAOYSA-N CN(C)[Zr] Chemical compound CN(C)[Zr] PULVCHXDNLGASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- STHAQIJXOMGURG-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C=1C=C[CH-]C=1 STHAQIJXOMGURG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- CRGGFGFWZPSXPP-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;titanium(3+) Chemical compound [Ti+3].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C CRGGFGFWZPSXPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWPNKEBOTGSHNE-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(3+) Chemical compound [Zr+3].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C OWPNKEBOTGSHNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B19/00—Machines or apparatus for drying solid materials or objects not covered by groups F26B9/00 - F26B17/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/2931—Diverse fluid containing pressure systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】有機金属材料よりなる液状の原料66から発生した原料ガスをキャリアガスを用いて被処理体Wに熱処理を施す処理容器8へ供給する原料ガス供給系62を有するガス供給装置において、液状の原料を貯留する原料貯留槽68と、原料貯留槽に設けられてキャリアガスを流すキャリアガス通路78に接続されたガス供給部74と、原料貯留槽に設けられて原料ガスを流す原料ガス通路70に接続されたガス流出部76と、ガス供給部から噴射されるキャリアガスが原料の液面に直接的に当たることを阻止するためのバッフル板80とを備える。これにより、キャリアガスが原料の液面に直接的に当たることを阻止し、パーティクルの発生を抑制する。
【選択図】図1
Description
有機金属材料よりなる液状の原料から発生した原料ガスをキャリアガスを用いて被処理体に熱処理を施す処理容器へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置において、液状の原料を貯留する原料貯留槽のガス供給部に、このガス供給部から噴射されるキャリアガスが原料の液面に直接的に当たることを阻止するためのバッフル板を設けてキャリアガスが液面に強く当たることを阻止するようにしたので、原料の液面が大きく揺れたり、この液面に気泡が混入することを防止することができる。従って、パーティクルの発生が抑制されて被処理体の表面にパーティクルが付着することを防止することができる。
ここで、先に説明した本発明のガス供給装置60の評価実験を行ったので、その評価結果について図4及び図5を参照して説明する。図4は本発明のガス供給装置の評価結果を示すグラフであり、横軸にキャリアガスの流量をとり、縦軸にウエハ上に付着したパーティクル量をとっている。ここでは、ガスノズル82のガス供給口84の直径Dを3.2mm、バッフル板80の直径Lを2.0mm、ガス供給口84とバッフル板80との間の距離を32mmにそれぞれ設定した。またメッシュ部材86としては、メッシュの大きさが0.4μmのものを用いた。
次に、本発明のガス供給装置の変形実施例について図6を参照して説明する。図6は本発明のガス供給装置の原料ガス供給系におけるガス供給部の変形実施例を示す部分拡大図であり、図6(A)は第1変形実施例を示し、図6(B)は第2変形実施例を示し、図6(C)は第3変形実施例を示す。尚、図1乃至図3に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
先の実施例においては、バッフル板80を支持するためにメッシュ部材86を用いたが、これに限定されず、支持アームでバッフル板80を支持するようにしてもよい。このような第1変形実施例は、図6(A)に示されており、図示するようにここではメッシュ部材86(図3参照)を設けておらず、これに替えて支持アーム120を設けている。すなわち、ガス供給部74のガスノズル82の先端のガス供給口84とバッフル板80との間を、1本或いは複数本の細い支持アーム120で連結してこれを支持するようになっている。図示例では2本の支持アーム120でバッフル板80を支持するようになっている。この支持アーム120は、耐腐食性材料、例えばステンレススチールにより形成することができる。
また、先の実施例では直線状のガスノズル82を設けたが、これに替えて、図6(B)に示す第2変形実施例のように所定の角度、例えば直角にL字状に曲がったL字状のガスノズル82を用いてもよい。この場合には、ガスノズル82からのキャリアガスのガス噴射方向は水平方向、すなわち原料66の液面と平行となるように設定されることになる。
上記第2変形実施例では、L字状に屈曲されたガスノズル82を用いたが、これに替えて、図6(C)に示す第3変形実施例のように、ガスノズル82は直線状に成形され、先端のガス供給口84の近傍のバッフル板80Aやメッシュ部材86の構造が第2変形実施例と同様に構成されたガスノズル82を、原料貯留槽68の側壁122に着脱可能に取り付けるようにしてもよい。この第3変形実施例の場合にも先の実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
4 内筒
6 外筒
8 処理容器
12 ウエハボート(保持手段)
28 ガス導入部
30,32,33 ガス分散ノズル
46 真空排気系
54 加熱手段
60 ガス供給装置
62 原料ガス供給系
64 反応ガス供給系
65 パージガス供給系
66 原料
68 原料貯留槽
70 原料ガス通路
74 ガス供給部
76 ガス流出部
78 キャリアガス通路
80,80A バッフル板
82 ガスノズル
84 ガス供給口
86 メッシュ部材
120 支持アーム
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (10)
- 有機金属材料よりなる液状の原料から発生した原料ガスをキャリアガスを用いて被処理体に熱処理を施す処理容器へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置において、
前記液状の原料を貯留する原料貯留槽と、
前記原料貯留槽に設けられて前記キャリアガスを流すキャリアガス通路に接続されたガス供給部と、
前記原料貯留槽に設けられて前記原料ガスを流す原料ガス通路に接続されたガス流出部と、
前記ガス供給部から噴射される前記キャリアガスが前記原料の液面に直接的に当たることを阻止するためのバッフル板と、
を備えたことを特徴とするガス供給装置。 - 前記ガス供給部は、前記原料貯留槽内へ挿入されるガスノズルを有することを特徴とする請求項1記載のガス供給装置。
- 前記バッフル板は、前記ガス供給部からのガス噴射方向に設置されていることを特徴とする請求項1又は2記載のガス供給装置。
- 前記バッフル板は、該バッフル板と前記ガス供給部のガス供給口との間を囲むようにして連結して設けられた通気性のあるメッシュ部材により支持されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のガス供給装置。
- 前記バッフル板は、支持アームにより支持されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のガス供給装置。
- 前記バッフル板の直径は、前記ガス供給口の直径の1/2〜2倍の範囲内になるように設定されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のガス供給装置。
- 前記バッフル板は、前記原料の液面と平行になるように設けられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のガス供給装置。
- 前記ガスノズルは、ガス噴射方向が前記原料の液面と平行になるように設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載のガス供給装置。
- 前記バッフル板は、前記ガス供給部のガス供給口より前方に向けてガス噴射方向の下面側に沿って前記原料の液面と平行になるように延在させて設けられることを特徴とする請求項8記載のガス供給装置。
- 被処理体に対して熱処理を施すための熱処理装置において、
前記被処理体を収容する処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理体を保持する保持手段と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内の雰囲気を排気する真空排気系と、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載のガス供給装置とを備えたことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012028494A JP5761067B2 (ja) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | ガス供給装置及び熱処理装置 |
TW102104646A TW201402888A (zh) | 2012-02-13 | 2013-02-06 | 氣體供給裝置及熱處理裝置 |
KR20130014067A KR20130093029A (ko) | 2012-02-13 | 2013-02-07 | 가스 공급 장치 및 열처리 장치 |
US13/766,285 US20130205611A1 (en) | 2012-02-13 | 2013-02-13 | Gas supply apparatus and heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012028494A JP5761067B2 (ja) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | ガス供給装置及び熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013165222A true JP2013165222A (ja) | 2013-08-22 |
JP5761067B2 JP5761067B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=48944428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012028494A Expired - Fee Related JP5761067B2 (ja) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | ガス供給装置及び熱処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130205611A1 (ja) |
JP (1) | JP5761067B2 (ja) |
KR (1) | KR20130093029A (ja) |
TW (1) | TW201402888A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016223008A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-28 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 堆積プロセスにおける化学前駆体のための容器 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI544973B (zh) * | 2015-03-20 | 2016-08-11 | 家登精密工業股份有限公司 | 半導體容器清洗機的運作方法 |
US10443128B2 (en) * | 2015-04-18 | 2019-10-15 | Versum Materials Us, Llc | Vessel and method for delivery of precursor materials |
CN110475905A (zh) | 2017-03-03 | 2019-11-19 | 应用材料公司 | 用于增加来自安瓿的通量的设备 |
CN110809818B (zh) * | 2017-08-30 | 2023-07-11 | 株式会社国际电气 | 保护板、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01109713A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
JPH01236934A (ja) * | 1982-10-15 | 1989-09-21 | Mobil Oil Corp | 反応体相分離―流れ分散装置 |
JP2006161162A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 供給装置 |
JP2007501536A (ja) * | 2003-05-27 | 2007-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体処理システムのための前駆物質を生成する方法及び装置 |
JP2009267388A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機金属化合物供給装置 |
JP2011042876A (ja) * | 2001-10-26 | 2011-03-03 | Applied Materials Inc | 原子層堆積のためのガス配送装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7186385B2 (en) * | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
JP5137366B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム及び液体材料供給装置 |
-
2012
- 2012-02-13 JP JP2012028494A patent/JP5761067B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-06 TW TW102104646A patent/TW201402888A/zh unknown
- 2013-02-07 KR KR20130014067A patent/KR20130093029A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-02-13 US US13/766,285 patent/US20130205611A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01236934A (ja) * | 1982-10-15 | 1989-09-21 | Mobil Oil Corp | 反応体相分離―流れ分散装置 |
JPH01109713A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
JP2011042876A (ja) * | 2001-10-26 | 2011-03-03 | Applied Materials Inc | 原子層堆積のためのガス配送装置 |
JP2007501536A (ja) * | 2003-05-27 | 2007-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体処理システムのための前駆物質を生成する方法及び装置 |
JP2006161162A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 供給装置 |
JP2009267388A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機金属化合物供給装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016223008A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-28 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 堆積プロセスにおける化学前駆体のための容器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130093029A (ko) | 2013-08-21 |
US20130205611A1 (en) | 2013-08-15 |
TW201402888A (zh) | 2014-01-16 |
JP5761067B2 (ja) | 2015-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5720406B2 (ja) | ガス供給装置、熱処理装置、ガス供給方法及び熱処理方法 | |
JP6538582B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP5223804B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP5616591B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP5036849B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
US10961625B2 (en) | Substrate processing apparatus, reaction tube and method of manufacturing semiconductor device | |
JP5541223B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
US20100035437A1 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2012004409A (ja) | 処理装置及び成膜方法 | |
JP2009246340A (ja) | 成膜装置のメタル汚染低減方法、半導体装置の製造方法、記憶媒体及び成膜装置 | |
JP5761067B2 (ja) | ガス供給装置及び熱処理装置 | |
KR102640002B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 기록매체, 및 프로그램 | |
US20110309562A1 (en) | Support structure and processing apparatus | |
JP2018145459A (ja) | ガス供給装置、ガス供給方法及び成膜方法 | |
JP5221089B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置および記憶媒体 | |
JP2018066050A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP2013191770A (ja) | 成膜装置の安定化方法及び成膜装置 | |
JP2013151722A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7064577B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2021150472A (ja) | 気化装置、基板処理装置、クリーニング方法および半導体装置の製造方法 | |
JP7016920B2 (ja) | 基板処理装置、基板支持具、半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
JP2009094340A (ja) | 基板処理装置のメタル汚染低減方法 | |
JP2014197636A (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
WO2020054299A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 | |
JP2021048233A (ja) | 原料貯留システム、基板処理装置、クリーニング方法およびプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5761067 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |