JP2013161910A - 半導体装置の製造方法、半導体装置、赤外線センサの製造方法および赤外線センサ - Google Patents
半導体装置の製造方法、半導体装置、赤外線センサの製造方法および赤外線センサ Download PDFInfo
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Abstract
【課題】本発明は、低減された製造コストで製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板または半導体基板上に導電膜が形成された導電膜形成半導体基板を作用電極とし、前記作用電極上に形成される絶縁膜の原料となる電解質を含む電解質溶液を電解液とし、前記電解液中で前記作用電極と対極との間に電圧を印加し、前記作用電極上に絶縁膜を形成することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板または半導体基板上に導電膜が形成された導電膜形成半導体基板を作用電極とし、前記作用電極上に形成される絶縁膜の原料となる電解質を含む電解質溶液を電解液とし、前記電解液中で前記作用電極と対極との間に電圧を印加し、前記作用電極上に絶縁膜を形成することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置、赤外線センサの製造方法および赤外線センサに関し、特に半導体基板上に絶縁膜を形成する方法およびこの絶縁膜を用いた半導体装置および赤外線センサに関する。
半導体装置において、リーク電流を防止するためや配線のために半導体基板上に絶縁膜が設けられる。この絶縁膜は、一般的に熱酸化法、プラズマCVD法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などにより形成される。
熱酸化法による絶縁膜の形成方法は、高温にした半導体基板を酸化性雰囲気に晒し、半導体基板と酸素または水分とを化学反応させることで、半導体基板表面に熱酸化膜を形成する。
プラズマCVD法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法による絶縁膜の形成方法は、半導体基板を真空雰囲気または減圧雰囲気に設置した状態で絶縁膜を形成する(例えば、特許文献1)。
熱酸化法による絶縁膜の形成方法は、高温にした半導体基板を酸化性雰囲気に晒し、半導体基板と酸素または水分とを化学反応させることで、半導体基板表面に熱酸化膜を形成する。
プラズマCVD法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法による絶縁膜の形成方法は、半導体基板を真空雰囲気または減圧雰囲気に設置した状態で絶縁膜を形成する(例えば、特許文献1)。
しかし、熱酸化法では、半導体基板を高温にする必要があるため製造コストが高く、プラズマCVD法などでは、半導体基板を真空雰囲気に設置する必要があるため製造コストが高い。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、低減された製造コストで製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、低減された製造コストで製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
本発明は、半導体基板または半導体基板上に導電膜が形成された導電膜形成半導体基板を作用電極とし、前記作用電極上に形成される絶縁膜の原料となる電解質を含む電解質溶液を電解液とし、前記電解液中で前記作用電極と対極との間に電圧を印加し、前記作用電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
本発明によれば、半導体基板または半導体基板上に導電膜が形成された導電膜形成半導体基板を作用電極とし、作用電極上に形成される絶縁膜の原料となる電解質を含む電解質溶液を電解液とし、前記電解液中で作用電極と対極との間に電圧を印加し、作用電極上に絶縁膜を形成するため、電気炉や真空チャンバーを絶縁膜の形成に使用する必要がなく、半導体基板上に絶縁膜を有する半導体装置を低減された製造コストで製造することができる。
また、本発明によれば、電解液中で絶縁膜を形成するため、複数の半導体装置を同時に製造することが可能となり、半導体基板上に絶縁膜を有する半導体装置を量産性よく製造することができる。
また、本発明によれば、電解液中で絶縁膜を形成するため、複数の半導体装置を同時に製造することが可能となり、半導体基板上に絶縁膜を有する半導体装置を量産性よく製造することができる。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板または半導体基板上に導電膜が形成された導電膜形成半導体基板を作用電極とし、前記作用電極上に形成される絶縁膜の原料となる電解質を含む電解質溶液を電解液とし、前記電解液中で前記作用電極と対極との間に電圧を印加し、前記作用電極上に絶縁膜を形成することを特徴とする。
本実施形態の半導体装置の製造方法により形成される絶縁膜の材料は、絶縁体に限定されず、高い電気抵抗率を有する半導体であってもよい。また、この絶縁膜は、誘電体膜、電荷保持膜などであってもよい。
本実施形態の半導体装置の製造方法により形成される絶縁膜の材料は、絶縁体に限定されず、高い電気抵抗率を有する半導体であってもよい。また、この絶縁膜は、誘電体膜、電荷保持膜などであってもよい。
本実施形態の製造方法において、前記絶縁膜は、3eV以上5eV以下のバンドギャップを有する材料からなることが好ましい。(請求項2の態様)
このような構成によれば、作用電極上に電解質を原料として析出する析出層が薄いうちは析出層の電解液側の表面と作用電極との間に電気が流れ析出層が成長することができ、析出層が厚くなると析出層の電解液側の表面と作用電極との間に電気が流れなくなり絶縁膜を形成することができる。
本実施形態の製造方法において、前記絶縁膜は、硫化亜鉛からなることが好ましい。(請求項3の態様)
このような構成によれば、バンドギャップが約3.7eVである硫化亜鉛からなる絶縁膜を半導体基板上に形成できる。また、硫化亜鉛は、0.37〜13.5μmの赤外線波長領域に透過波長帯を有するため、赤外線センサに用いられるゲルマニウムレンズに絶縁膜を設けた場合に、絶縁膜による赤外線の吸収を抑制することができる。
このような構成によれば、作用電極上に電解質を原料として析出する析出層が薄いうちは析出層の電解液側の表面と作用電極との間に電気が流れ析出層が成長することができ、析出層が厚くなると析出層の電解液側の表面と作用電極との間に電気が流れなくなり絶縁膜を形成することができる。
本実施形態の製造方法において、前記絶縁膜は、硫化亜鉛からなることが好ましい。(請求項3の態様)
このような構成によれば、バンドギャップが約3.7eVである硫化亜鉛からなる絶縁膜を半導体基板上に形成できる。また、硫化亜鉛は、0.37〜13.5μmの赤外線波長領域に透過波長帯を有するため、赤外線センサに用いられるゲルマニウムレンズに絶縁膜を設けた場合に、絶縁膜による赤外線の吸収を抑制することができる。
本実施形態の製造方法において、前記電解液は、チオ硫酸ナトリウムと硫酸亜鉛とを含むことが好ましい。(請求項4の態様)
このような構成によれば、硫化亜鉛からなる絶縁膜を半導体基板上に形成できる。
本実施形態の製造方法において、前記絶縁膜は、0.5μm以上10μm以下の膜厚を有することが好ましい。(請求項5の態様)
このような構成によれば、絶縁膜が高抵抗の半導体からなる場合でも、絶縁膜が十分な電気的絶縁性を有することができる。
このような構成によれば、硫化亜鉛からなる絶縁膜を半導体基板上に形成できる。
本実施形態の製造方法において、前記絶縁膜は、0.5μm以上10μm以下の膜厚を有することが好ましい。(請求項5の態様)
このような構成によれば、絶縁膜が高抵抗の半導体からなる場合でも、絶縁膜が十分な電気的絶縁性を有することができる。
本実施形態の製造方法において、前記半導体基板に貫通孔を形成する工程をさらに備え、前記絶縁膜を形成する工程は、前記貫通孔内に前記絶縁膜を形成する工程であることが好ましい。(請求項6の態様)
このような構成によれば、半導体基板の貫通孔の側壁に絶縁膜を形成することができる。
本実施形態の製造方法において、前記貫通孔内に形成された前記絶縁膜上に導電部を形成する工程をさらに備えることが好ましい。(請求項7の態様)
このような構成によれば、半導体基板にコンタクトホールを形成することができる。
このような構成によれば、半導体基板の貫通孔の側壁に絶縁膜を形成することができる。
本実施形態の製造方法において、前記貫通孔内に形成された前記絶縁膜上に導電部を形成する工程をさらに備えることが好ましい。(請求項7の態様)
このような構成によれば、半導体基板にコンタクトホールを形成することができる。
本実施形態の製造方法において、前記半導体基板は、ゲルマニウムレンズであることが好ましい。(請求項8の態様)
このような構成によれば、ゲルマニウムレンズにコンタクトホールを形成することができる。
本実施形態は、本実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置も提供する。(請求項9の態様)
本実施形態の半導体装置によれば、半導体基板上に低減された製造コストで形成された絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。
このような構成によれば、ゲルマニウムレンズにコンタクトホールを形成することができる。
本実施形態は、本実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置も提供する。(請求項9の態様)
本実施形態の半導体装置によれば、半導体基板上に低減された製造コストで形成された絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。
本実施形態は、複数の半導体装置が形成された窓側基板と、赤外線検知素子をそれぞれ有する複数のセンサ部が複数形成された素子側基板とを、前記導電部が前記赤外線検知素子と電気的に接続するように接合する工程と、接合した前記窓側基板と前記素子側基板をダイシングする工程とを含み、前記複数の半導体装置がそれぞれ本実施形態の製造方法により製造された赤外線センサの製造方法も提供する。(請求項10の態様)
本実施形態の赤外線センサの製造方法によれば、窓側基板と素子側基板とを接合した後、ダイシングし赤外線センサを製造するため、ゲルマニウムレンズとセンサ部をまとめて接合することができ、赤外線センサの製造コストを低減することができる。
本実施形態の赤外線センサの製造方法によれば、窓側基板と素子側基板とを接合した後、ダイシングし赤外線センサを製造するため、ゲルマニウムレンズとセンサ部をまとめて接合することができ、赤外線センサの製造コストを低減することができる。
本実施形態は、本実施形態の半導体装置の製造方法により製造されかつ受光面およびその裏面を有する半導体装置と、前記半導体装置の裏面側に設けられかつ赤外線検知素子を有するセンサ部と、前記半導体装置の受光面上に設けられた電極とを備え、前記電極は、前記導電部を介して前記赤外線検知素子と電気的に接続した赤外線センサも提供する。(請求項11の態様)
本実施形態の赤外線センサによれば、半導体装置の裏面側に赤外線検知素子を有するセンサ部が設けられるため、半導体装置を透過した赤外線を赤外線検知素子により検知することができる。なお、絶縁膜の材料に硫化亜鉛を用いた場合、硫化亜鉛は赤外域で良好な透過性能を有するため、絶縁膜による赤外線吸収を抑制することができ、赤外線検知素子が受光する赤外線量の低下を抑制することができる。
また、本実施形態の赤外線センサによれば、半導体装置の受光面上に設けられた電極が、導電部を介して赤外線検知素子と電気的に接続するため、赤外線検知素子の電気的特性の変化を半導体装置の受光面上に設けられた電極から出力することができる。このことにより、赤外線検知素子の出力のための配線を容易に設けることができる。
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。
本実施形態の赤外線センサによれば、半導体装置の裏面側に赤外線検知素子を有するセンサ部が設けられるため、半導体装置を透過した赤外線を赤外線検知素子により検知することができる。なお、絶縁膜の材料に硫化亜鉛を用いた場合、硫化亜鉛は赤外域で良好な透過性能を有するため、絶縁膜による赤外線吸収を抑制することができ、赤外線検知素子が受光する赤外線量の低下を抑制することができる。
また、本実施形態の赤外線センサによれば、半導体装置の受光面上に設けられた電極が、導電部を介して赤外線検知素子と電気的に接続するため、赤外線検知素子の電気的特性の変化を半導体装置の受光面上に設けられた電極から出力することができる。このことにより、赤外線検知素子の出力のための配線を容易に設けることができる。
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。
半導体装置の製造方法および構成
図1は、本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法に用いる電解槽の概略断面図である。図2、3は、それぞれ本発明の一実施形態の半導体装置の構成を示す概略断面図である。
本実施形態の半導体装置10の製造方法は、半導体基板1または半導体基板1上に導電膜8が形成された導電膜形成半導体基板9を作用電極42とし、作用電極42上に形成される絶縁膜3の原料となる電解質を含む電解質溶液を電解液44とし、電解液44中で作用電極42と対極43との間に電圧を印加し、作用電極42上に絶縁膜3を形成することを特徴とする。
本実施形態の半導体装置10は、半導体基板1と、半導体基板1上に設けられた絶縁膜3とを備え、絶縁膜3は、電解析出により形成されたことを特徴とする。
本実施形態の半導体装置10は、導電膜8、第1導電部4をさらに備えてもよい。
以下、本実施形態の半導体装置10の構成および製造方法について説明する。
図1は、本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法に用いる電解槽の概略断面図である。図2、3は、それぞれ本発明の一実施形態の半導体装置の構成を示す概略断面図である。
本実施形態の半導体装置10の製造方法は、半導体基板1または半導体基板1上に導電膜8が形成された導電膜形成半導体基板9を作用電極42とし、作用電極42上に形成される絶縁膜3の原料となる電解質を含む電解質溶液を電解液44とし、電解液44中で作用電極42と対極43との間に電圧を印加し、作用電極42上に絶縁膜3を形成することを特徴とする。
本実施形態の半導体装置10は、半導体基板1と、半導体基板1上に設けられた絶縁膜3とを備え、絶縁膜3は、電解析出により形成されたことを特徴とする。
本実施形態の半導体装置10は、導電膜8、第1導電部4をさらに備えてもよい。
以下、本実施形態の半導体装置10の構成および製造方法について説明する。
1.半導体装置
本実施形態の半導体装置10は、半導体基板1と絶縁膜3とを含む装置であれば特に限定されない。半導体装置10は、たとえば、その表面に絶縁膜3が形成されたゲルマニウムレンズ13である。また、半導体装置10は、ダイオード、トランジスタ、光デバイスなどの半導体素子であってもよく、LSIやメモリなどの集積回路であってもよい。
本実施形態の半導体装置10は、半導体基板1と絶縁膜3とを含む装置であれば特に限定されない。半導体装置10は、たとえば、その表面に絶縁膜3が形成されたゲルマニウムレンズ13である。また、半導体装置10は、ダイオード、トランジスタ、光デバイスなどの半導体素子であってもよく、LSIやメモリなどの集積回路であってもよい。
2.半導体基板
半導体基板1は、半導体からなる基板であれば特に限定されないが、例えば、ゲルマニウム基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板などである。半導体基板1は、ドーパントを含んでもよく、含まなくてもよい。また、半導体基板1は、ドーパントを部分的に含んでもよい。さらに半導体基板1は、表面などに半導体層、導電層、絶縁層などが形成されていてもよい。
半導体基板1は、板状であってもよく、その表面に凹凸が形成されていてもよい。また、半導体基板1の主要面は、曲面であってもよい。
半導体基板1は、絶縁膜3を電解析出により形成するとき、作用電極42となる。また、半導体基板1の上に導電膜8を形成した導電膜形成半導体基板9を作用電極42として絶縁膜3を形成してもよい。
半導体基板1は、半導体からなる基板であれば特に限定されないが、例えば、ゲルマニウム基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板などである。半導体基板1は、ドーパントを含んでもよく、含まなくてもよい。また、半導体基板1は、ドーパントを部分的に含んでもよい。さらに半導体基板1は、表面などに半導体層、導電層、絶縁層などが形成されていてもよい。
半導体基板1は、板状であってもよく、その表面に凹凸が形成されていてもよい。また、半導体基板1の主要面は、曲面であってもよい。
半導体基板1は、絶縁膜3を電解析出により形成するとき、作用電極42となる。また、半導体基板1の上に導電膜8を形成した導電膜形成半導体基板9を作用電極42として絶縁膜3を形成してもよい。
半導体基板1は、貫通孔を有することができる。この貫通孔は、半導体基板1の両主要面に開口を有することができる。また、半導体装置10は、この貫通孔の内部に第1導電部4を備えることができる。このことにより、半導体装置10は、半導体基板1の両主要面を電気的に接続させるコンタクトホール6を有することができる。また、半導体装置10は、第1導電部4と半導体基板1との間に後述する絶縁膜3を有する。
このことにより、第1導電部4と半導体基板1との間にリーク電流が流れることを抑制することができる。また、絶縁膜3と半導体基板1との間に導電膜8を設けることもできる。このことにより、半導体基板1の貫通孔の側壁に容易に絶縁膜3を形成することができる。
半導体基板1が有するコンタクトホール6は、半導体基板1に貫通孔を形成する工程と、貫通孔の側壁に絶縁膜3を形成する工程と、貫通孔内に形成された絶縁膜3上に第1導電部4を形成する工程により形成することができる。貫通孔は、例えば、半導体基板上に開口を有するマスクを形成し、その後ドライエッチングをすることにより形成することができる。半導体基板1が十分な導電性を有する場合、形成した貫通孔の側壁を作用電極として後述する絶縁膜3を形成するができる。半導体基板1が十分な導電性を有さない場合、貫通孔の側壁に導電膜8を設けて導電膜8を作用電極にして絶縁膜3を形成してもよい。貫通孔内に形成された絶縁膜3上に形成する第1導電部4は、例えば、蒸着法またはめっき法などにより形成することができる。
半導体基板1は、たとえば、ゲルマニウムレンズ13である。このゲルマニウムレンズ13がコンタクトホール6を有することにより、ゲルマニウムレンズ13の受光面側と裏面側とを電気的に接続することができる。このことにより、ゲルマニウムレンズ13の受光面側に配線を形成することが可能になる。
このことにより、第1導電部4と半導体基板1との間にリーク電流が流れることを抑制することができる。また、絶縁膜3と半導体基板1との間に導電膜8を設けることもできる。このことにより、半導体基板1の貫通孔の側壁に容易に絶縁膜3を形成することができる。
半導体基板1が有するコンタクトホール6は、半導体基板1に貫通孔を形成する工程と、貫通孔の側壁に絶縁膜3を形成する工程と、貫通孔内に形成された絶縁膜3上に第1導電部4を形成する工程により形成することができる。貫通孔は、例えば、半導体基板上に開口を有するマスクを形成し、その後ドライエッチングをすることにより形成することができる。半導体基板1が十分な導電性を有する場合、形成した貫通孔の側壁を作用電極として後述する絶縁膜3を形成するができる。半導体基板1が十分な導電性を有さない場合、貫通孔の側壁に導電膜8を設けて導電膜8を作用電極にして絶縁膜3を形成してもよい。貫通孔内に形成された絶縁膜3上に形成する第1導電部4は、例えば、蒸着法またはめっき法などにより形成することができる。
半導体基板1は、たとえば、ゲルマニウムレンズ13である。このゲルマニウムレンズ13がコンタクトホール6を有することにより、ゲルマニウムレンズ13の受光面側と裏面側とを電気的に接続することができる。このことにより、ゲルマニウムレンズ13の受光面側に配線を形成することが可能になる。
絶縁膜3が形成される半導体基板1の表面は、絶縁膜3を電解析出できるように導電性を有することができる。半導体基板1が十分な導電性を有する場合には、半導体基板1を作用電極として絶縁膜3を電解析出させることができ、半導体基板1の導電性が不十分な場合には、半導体基板1に不純物をドーピングして導電性を高めてもよい。また、半導体装置10は、半導体基板1と絶縁膜3との間に導電膜8を備えてもよい。このことにより、導電膜形成半導体基板9を作用電極42として絶縁膜3を電解析出させることができる。
3.絶縁膜
絶縁膜3は、半導体基板1上に設けられる。絶縁膜3は、半導体基板1の主要面上に設けられてもよく、半導体基板1が有する貫通孔の側面上に設けられてもよい。絶縁膜3の耐電圧は高くても低くてもよい。絶縁膜3は、半導体基板1または導電膜形成半導体基板9を作用電極42として、電解液に含まれる電解質を原料として電解析出により形成される。
なお、電解析出による絶縁膜3の形成プロセスは、明らかではないが、例えば次の2つが考えられる。まず一つ目は、絶縁膜3の材料が高抵抗の半導体の場合、電解質を原料として形成される析出層45が薄いうちは析出層45の電解液側の表面と作用電極42との間に電気が流れ析出層45の成長が進み、析出層45が厚くなると析出層45の電解液側の表面と作用電極42との間に電気が流れなくなり析出層45の成長が止まり絶縁膜3が形成されるというプロセスが考えられる。二つ目は、電解質を原料として作用電極42上に前駆体の膜が形成され、この前駆体が電気化学的に反応し絶縁膜3が形成されるというプロセスが考えられる。
絶縁膜3を構成する材料は、無機化合物であってもよく、有機化合物であってもよいが、無機化合物であることが好ましい。絶縁膜3を構成する材料は、絶縁体であってもよく、電気抵抗率の高い半導体であってもよい。絶縁膜3が半導体からなる場合、絶縁膜3が十分な厚さを有することにより、耐電圧を高くすることができる。絶縁膜3の材料は、例えば、その結晶が室温において3eV以上5eV以下のバンドギャップを有してもよい。このことにより、絶縁膜を構成する材料を高い電気抵抗率とすることができる。絶縁膜3の材料にバンドギャップが3eV以上の材料を用いることにより、絶縁膜3の電気的絶縁性を高くすることができる。また、絶縁膜3の材料にバンドギャップが5eV以下の材料を用いることにより、十分な厚さを有する絶縁膜3を形成することができる。
また、絶縁膜3の材料は、例えば、硫化亜鉛である。硫化亜鉛はバンドギャップが約3.7eVであるため、絶縁膜が電気的絶縁性を有することができる。また、硫化亜鉛は、0.37〜13.5μmの赤外線波長領域に透過波長帯を有するため、赤外線センサに用いられるゲルマニウムレンズに絶縁膜を設けた場合に、絶縁膜による赤外線の吸収を抑制することができる。
絶縁膜3は、半導体基板1上に設けられる。絶縁膜3は、半導体基板1の主要面上に設けられてもよく、半導体基板1が有する貫通孔の側面上に設けられてもよい。絶縁膜3の耐電圧は高くても低くてもよい。絶縁膜3は、半導体基板1または導電膜形成半導体基板9を作用電極42として、電解液に含まれる電解質を原料として電解析出により形成される。
なお、電解析出による絶縁膜3の形成プロセスは、明らかではないが、例えば次の2つが考えられる。まず一つ目は、絶縁膜3の材料が高抵抗の半導体の場合、電解質を原料として形成される析出層45が薄いうちは析出層45の電解液側の表面と作用電極42との間に電気が流れ析出層45の成長が進み、析出層45が厚くなると析出層45の電解液側の表面と作用電極42との間に電気が流れなくなり析出層45の成長が止まり絶縁膜3が形成されるというプロセスが考えられる。二つ目は、電解質を原料として作用電極42上に前駆体の膜が形成され、この前駆体が電気化学的に反応し絶縁膜3が形成されるというプロセスが考えられる。
絶縁膜3を構成する材料は、無機化合物であってもよく、有機化合物であってもよいが、無機化合物であることが好ましい。絶縁膜3を構成する材料は、絶縁体であってもよく、電気抵抗率の高い半導体であってもよい。絶縁膜3が半導体からなる場合、絶縁膜3が十分な厚さを有することにより、耐電圧を高くすることができる。絶縁膜3の材料は、例えば、その結晶が室温において3eV以上5eV以下のバンドギャップを有してもよい。このことにより、絶縁膜を構成する材料を高い電気抵抗率とすることができる。絶縁膜3の材料にバンドギャップが3eV以上の材料を用いることにより、絶縁膜3の電気的絶縁性を高くすることができる。また、絶縁膜3の材料にバンドギャップが5eV以下の材料を用いることにより、十分な厚さを有する絶縁膜3を形成することができる。
また、絶縁膜3の材料は、例えば、硫化亜鉛である。硫化亜鉛はバンドギャップが約3.7eVであるため、絶縁膜が電気的絶縁性を有することができる。また、硫化亜鉛は、0.37〜13.5μmの赤外線波長領域に透過波長帯を有するため、赤外線センサに用いられるゲルマニウムレンズに絶縁膜を設けた場合に、絶縁膜による赤外線の吸収を抑制することができる。
絶縁膜3の形成方法を具体的に説明すると、半導体基板1または導電膜形成半導体基板9を作用電極42として電解槽41に溜められた電解液44中に設置し、電源46により作用電極42と対極43との間に電圧を印加することにより、作用電極42上に電解液44に含まれる電解質を原料として析出層45を析出させる。この析出層45が電気的絶縁性を有するまで作用電極42と対極43との間に電圧を印加することにより絶縁膜3を形成することができる。
この析出層45は、絶縁膜3を構成する材料として析出するものであってもよく、析出時には前駆体として析出しその後電気化学反応などにより絶縁膜3を構成する材料となるものであってもよい。
この析出層45は、絶縁膜3を構成する材料として析出するものであってもよく、析出時には前駆体として析出しその後電気化学反応などにより絶縁膜3を構成する材料となるものであってもよい。
作用電極42と対極43との間に電圧を印加しているとき、作用電極42と析出層45の電解液側の表面との間の電気抵抗が比較的低いと析出層45は成長し、作用電極42と析出させた析出層45の電解液側の表面との間の電気抵抗が比較的高くなると析出層45の成長は止まる。このように作用電極42上に析出層45が実質上析出しなくなるまで、作用電極42と対極43との間に電圧を印加し析出層45を析出させることにより所望の厚さの析出層45を得ることができる。この析出層45の厚さは、析出層45を構成する材料の電気伝導率、作用電極42と対極43との間に印加する電圧などにより制御することができる。
析出層45が絶縁膜3を構成する材料として析出するものである場合、絶縁膜3の耐電圧は、絶縁膜3形成時の作用電極42と対極43との間に印加する電圧などにより決まる。例えば、作用電極42と対極43との間に印加する電圧が高い場合絶縁膜3の耐電圧は高くなり、作用電極42と対極43との間に印加する電圧が低い場合、絶縁膜3の耐電圧は低くなる。
析出層45が前駆体として析出しその後電気化学反応により絶縁膜3を構成する材料となるものである場合、析出層45が絶縁膜3を構成する材料として析出するものである場合に比べ、絶縁膜3の電気的絶縁性をより高くすることができる。
絶縁膜3は、例えば、0.5μm以上10μm以下の膜厚を有することができる。絶縁膜3の膜厚を0.5μm以上とすることにより、絶縁膜3の材料の電気抵抗率が比較的低いときでも絶縁膜の耐電圧を高くすることができる。絶縁膜3の膜厚を10μm以下とすることにより、絶縁膜3を用いて微細な配線パターンを形成することができる。
絶縁膜3は、例えば、0.5μm以上10μm以下の膜厚を有することができる。絶縁膜3の膜厚を0.5μm以上とすることにより、絶縁膜3の材料の電気抵抗率が比較的低いときでも絶縁膜の耐電圧を高くすることができる。絶縁膜3の膜厚を10μm以下とすることにより、絶縁膜3を用いて微細な配線パターンを形成することができる。
絶縁膜3を電解析出により形成するときに用いる電解液44は、絶縁膜3の原料となる金属塩などの電解質を含む。図1を用いて説明すると、電解液は電解質A、Bを含み、作用電極42と対極43との間に電圧を印加したとき、電解液に含まれる電解質A、Bが作用電極上または析出層の表面において電気化学的に反応することにより析出層45が析出し、絶縁膜3が形成される。例えば、絶縁膜3を構成する材料が硫化亜鉛の場合、電解液は、電解質として硫酸亜鉛とチオ硫酸ナトリウムを含むことができる。この電解液中で作用電極42と対極43との間に電圧を印加することにより、硫酸亜鉛とチオ硫酸ナトリウムを電気化学的に反応させることができ、作用電極43上に硫化亜鉛(前駆体を含む)を析出させることができる。
なお、作用電極42上に硫化亜鉛(前駆体を含む)を析出させる場合、電解液中の硫酸亜鉛とチオ硫酸ナトリウムの比率は、硫酸亜鉛の濃度を0.25Mとしたときチオ硫酸ナトリウムの濃度が0.3M以上となるような比率であることが好ましい。このような比率にすると、硫化亜鉛からなる絶縁膜3を形成することができる。このことは、後述する「硫化亜鉛(ZnS)層形成実験1」で確かめられた。
なお、この電解質は、絶縁膜3を構成する材料により適宜変更される。
また、電解液は、金属塩のほかに、pH調整剤、pH緩衝剤、錯化剤などを含むことができる。
なお、作用電極42上に硫化亜鉛(前駆体を含む)を析出させる場合、電解液中の硫酸亜鉛とチオ硫酸ナトリウムの比率は、硫酸亜鉛の濃度を0.25Mとしたときチオ硫酸ナトリウムの濃度が0.3M以上となるような比率であることが好ましい。このような比率にすると、硫化亜鉛からなる絶縁膜3を形成することができる。このことは、後述する「硫化亜鉛(ZnS)層形成実験1」で確かめられた。
なお、この電解質は、絶縁膜3を構成する材料により適宜変更される。
また、電解液は、金属塩のほかに、pH調整剤、pH緩衝剤、錯化剤などを含むことができる。
赤外線センサの構成および製造方法
図4は、本発明の一実施形態の赤外線センサの構成を示す概略上面図であり、図5は、図4の点線A−Aにおける赤外線センサの概略断面図である。また、図6は、本発明の一実施形態の赤外線センサの製造方法の説明図である。
本実施形態の赤外線センサ30は、半導体基板1がゲルマニウムレンズ13であり、受光面およびその裏面を有する半導体装置10と、半導体装置10の裏面側に設けられかつ赤外線検知素子17を有するセンサ部25と、半導体装置10の受光面上に設けられた電極15とを備え、電極15は、第1導電部4を介して赤外線検知素子17と電気的に接続する。
本実施形態の赤外線センサ30は赤外線カメラであってもよい。
また、赤外線センサ30は、セラミックス基板11、封止部28、第2導電部29などを有することができる。
図4は、本発明の一実施形態の赤外線センサの構成を示す概略上面図であり、図5は、図4の点線A−Aにおける赤外線センサの概略断面図である。また、図6は、本発明の一実施形態の赤外線センサの製造方法の説明図である。
本実施形態の赤外線センサ30は、半導体基板1がゲルマニウムレンズ13であり、受光面およびその裏面を有する半導体装置10と、半導体装置10の裏面側に設けられかつ赤外線検知素子17を有するセンサ部25と、半導体装置10の受光面上に設けられた電極15とを備え、電極15は、第1導電部4を介して赤外線検知素子17と電気的に接続する。
本実施形態の赤外線センサ30は赤外線カメラであってもよい。
また、赤外線センサ30は、セラミックス基板11、封止部28、第2導電部29などを有することができる。
本実施形態の赤外線センサ30の製造方法は、半導体基板1がゲルマニウムレンズ13である半導体装置10が複数形成された窓側基板32と、赤外線検知素子17を有するセンサ部25が複数形成された素子側基板33とを、第1導電部4が赤外線検知素子17と電気的に接続するように接合する工程と、接合した窓側基板32と素子側基板33をダイシングする工程とを含む。
以下、本実施形態の赤外線センサ30の構成および製造方法について説明する。
以下、本実施形態の赤外線センサ30の構成および製造方法について説明する。
1.センサ部
センサ部25は、少なくとも1つの赤外線検知素子17を有する。このことにより、赤外線センサ30は、赤外線を検知することができる。また、センサ部25は、赤外線検知素子17を複数有してもよい。さらにセンサ部25の複数の赤外線検知素子17は、それぞれ画素であり、熱画像を出力できるように設けられてもよい。
センサ部25は、ゲルマニウムレンズ13を透過した赤外線が赤外線検知素子17に照射されるようにゲルマニウムレンズ13と接合される。
赤外線検知素子17は、熱型(非冷却型)の赤外線検知素子であってもよい。熱型の赤外線検知素子17は、物体から放射された赤外線を赤外線吸収膜により熱に変換し、感熱抵抗体の温度を上昇させてその電気抵抗値を変化させて、その電気抵抗値の変化から対象物の温度を検知するものであってもよい。
センサ部25は、少なくとも1つの赤外線検知素子17を有する。このことにより、赤外線センサ30は、赤外線を検知することができる。また、センサ部25は、赤外線検知素子17を複数有してもよい。さらにセンサ部25の複数の赤外線検知素子17は、それぞれ画素であり、熱画像を出力できるように設けられてもよい。
センサ部25は、ゲルマニウムレンズ13を透過した赤外線が赤外線検知素子17に照射されるようにゲルマニウムレンズ13と接合される。
赤外線検知素子17は、熱型(非冷却型)の赤外線検知素子であってもよい。熱型の赤外線検知素子17は、物体から放射された赤外線を赤外線吸収膜により熱に変換し、感熱抵抗体の温度を上昇させてその電気抵抗値を変化させて、その電気抵抗値の変化から対象物の温度を検知するものであってもよい。
センサ部25は、シリコンウェハに赤外線検知素子17および配線を形成することにより製造することができる。赤外線検知素子17は、例えば、pn接合ダイオードからなる感熱抵抗体と、シリコン窒化膜からなる赤外線吸収膜とから構成される。配線は、この感熱抵抗体の電気抵抗値を測定できるように設けられる。
熱型の赤外線検知素子17の断熱性を高くし検知感度を高くするために図5に示すように赤外線検知素子17の受光面側に第1空洞部20を設けることができる。第1空洞部20は真空状態または減圧状態とすることができる。第1空洞部20は、センサ部25とゲルマニウムレンズ13との間に設けることができる。
また、赤外線検知素子17の断熱性を高くし検知感度を高くするために図5に示すように赤外線検知素子17の裏面側に第2空洞部21を設けることができる。第2空洞部21は、センサ部25の製造においてマイクロマシニング技術を用いて形成できる。
また、赤外線検知素子17の断熱性を高くし検知感度を高くするために図5に示すように赤外線検知素子17の裏面側に第2空洞部21を設けることができる。第2空洞部21は、センサ部25の製造においてマイクロマシニング技術を用いて形成できる。
2.ゲルマニウムレンズ
ゲルマニウムレンズ13は、上述した半導体基板1に相当する。また、ゲルマニウムレンズ13は、赤外線検知素子17が受光する赤外線のレンズとなる。これは、単結晶ゲルマニウムは、1.8〜23μmの赤外線波長領域に透過波長帯があり、2〜14μmの波長域において高い屈折率を有しているためである。
ゲルマニウムレンズ13は、赤外線検知素子17を有するセンサ部25の受光面側に配置されるようにセンサ部25と接合される。また、ゲルマニウムレンズ13は、センサ部25と接合することにより、第1空洞部20を形成する。
ゲルマニウムレンズ13は、上述した半導体基板1に相当する。また、ゲルマニウムレンズ13は、赤外線検知素子17が受光する赤外線のレンズとなる。これは、単結晶ゲルマニウムは、1.8〜23μmの赤外線波長領域に透過波長帯があり、2〜14μmの波長域において高い屈折率を有しているためである。
ゲルマニウムレンズ13は、赤外線検知素子17を有するセンサ部25の受光面側に配置されるようにセンサ部25と接合される。また、ゲルマニウムレンズ13は、センサ部25と接合することにより、第1空洞部20を形成する。
ゲルマニウムレンズ13は、その表面に赤外線検知素子17が受光する赤外線量が増加するよう形成された凹部または凸部を有することができる。また、ゲルマニウムレンズ13は、その表面に凹部または凸部が形成されていないフラットな表面を有するものであってもよい。
また、ゲルマニウムレンズ13には、赤外線検知素子17に含まれる感熱体の電圧値や感熱抵抗体の電気抵抗値を測定するための配線としてコンタクトホール6が設けられる。コンタクトホール6は、ゲルマニウムレンズ13(ゲルマニウム基板)の貫通孔の側面に硫化亜鉛からなる絶縁膜3を上述した電解析出により形成し、絶縁膜3内の貫通孔を銅などの配線金属で充填することにより形成することができる。絶縁膜3の材料に硫化亜鉛を用いることにより、赤外線検知素子17が受光する赤外線量が減少するのを抑制することができる。つまり、硫化亜鉛は、0.37〜13.5μmの赤外線波長領域に透過波長帯を有するため、ゲルマニウムレンズ13の貫通孔の側面に硫化亜鉛からなる絶縁膜を設けた場合でも、赤外線検知素子17が受光する赤外線量の減少を抑制することができる。
また、ゲルマニウムレンズ13には、赤外線検知素子17に含まれる感熱体の電圧値や感熱抵抗体の電気抵抗値を測定するための配線としてコンタクトホール6が設けられる。コンタクトホール6は、ゲルマニウムレンズ13(ゲルマニウム基板)の貫通孔の側面に硫化亜鉛からなる絶縁膜3を上述した電解析出により形成し、絶縁膜3内の貫通孔を銅などの配線金属で充填することにより形成することができる。絶縁膜3の材料に硫化亜鉛を用いることにより、赤外線検知素子17が受光する赤外線量が減少するのを抑制することができる。つまり、硫化亜鉛は、0.37〜13.5μmの赤外線波長領域に透過波長帯を有するため、ゲルマニウムレンズ13の貫通孔の側面に硫化亜鉛からなる絶縁膜を設けた場合でも、赤外線検知素子17が受光する赤外線量の減少を抑制することができる。
また、コンタクトホール6の受光面側に電極15を設けることができる。この出力電極15より、赤外線検知素子17に含まれる感熱体の電圧値や感熱抵抗体の電気抵抗値を測定することができる。
3.赤外線センサの製造方法
シリコンウェハを用いて上述のような赤外線検知素子17を有するセンサ部25が複数形成された素子側基板33を形成する。
また、ゲルマニウム基板を用いて、上述のようなコンタクトホール6が形成された半導体基板1がゲルマニウムレンズ13である半導体装置10が複数形成された窓側基板32を形成する。
シリコンウェハを用いて上述のような赤外線検知素子17を有するセンサ部25が複数形成された素子側基板33を形成する。
また、ゲルマニウム基板を用いて、上述のようなコンタクトホール6が形成された半導体基板1がゲルマニウムレンズ13である半導体装置10が複数形成された窓側基板32を形成する。
真空チャンバー内において、この複数のセンサ部25を有する素子側基板33と、複数の半導体装置10が形成された窓側基板32とを、1つのセンサ部25と1つの半導体装置10とが対応するように接合する。この接合は、1つのセンサ部25の周りの端部または1つの半導体装置10の周りの端部に配置されたはんだなどにより接合される。このことにより、センサ部25と半導体装置10とがはんだ(封止部28)により接合され、第1空洞部20が形成される。また、センサ部25と半導体装置10との接合は、はんだによる接合に限定されず、直接接合(半導体同士の接合や異種金属接合)や金メッキ同士の原子拡散による接合であってもよい。
また、この接合時においてセンサ部25に形成された配線と半導体装置10に形成されたコンタクトホール6に含まれる第1導電部4とが第2導電部29により電気的に接続される。このことにより、第1導電部4を介して赤外線検知素子17に含まれる感熱体の電圧値や感熱抵抗体の電気抵抗値を測定することができる。
また、この接合時においてセンサ部25に形成された配線と半導体装置10に形成されたコンタクトホール6に含まれる第1導電部4とが第2導電部29により電気的に接続される。このことにより、第1導電部4を介して赤外線検知素子17に含まれる感熱体の電圧値や感熱抵抗体の電気抵抗値を測定することができる。
接合された素子側基板33と窓側基板32は、ダイシングされ、1つのセンサ部と1つの半導体装置10からなり、封止部28により接合された赤外線センサ10が完成する。この赤外線センサ10は、図5のようにセラミックス基板11にダイボンディングされてもよい。さらに赤外線センサに設けられた電極15に配線が接続されてもよい。
硫化亜鉛(ZnS)層形成実験1
この実験では、各1cm角の銅板上に電解析出により析出層を形成し、複数の試料を作製した。
まず、銅板の前処理を行った。前処理においては、銅板を水酸化ナトリウム水溶液に1分浸漬し、その後水洗いをし、さらに塩酸に1分浸漬し、その後水洗いをした。
この前処理を行った銅板に無電解Niめっき膜を形成した。この無電解Niめっきは、銅板上に形成する硫化亜鉛(ZnS)層の密着性向上のために行っている。
無電解Niめっきは、銅板を表1に示す浴組成を有するめっき浴に浸漬し10分間めっきを行った。めっき浴の浴温は70℃とし、浴pHは4.8とした。
この実験では、各1cm角の銅板上に電解析出により析出層を形成し、複数の試料を作製した。
まず、銅板の前処理を行った。前処理においては、銅板を水酸化ナトリウム水溶液に1分浸漬し、その後水洗いをし、さらに塩酸に1分浸漬し、その後水洗いをした。
この前処理を行った銅板に無電解Niめっき膜を形成した。この無電解Niめっきは、銅板上に形成する硫化亜鉛(ZnS)層の密着性向上のために行っている。
無電解Niめっきは、銅板を表1に示す浴組成を有するめっき浴に浸漬し10分間めっきを行った。めっき浴の浴温は70℃とし、浴pHは4.8とした。
次に、種々の条件で、無電解Niめっき膜を形成した銅板上に電解析出により析出層を成長させた。
この電解析出のために表2に示す浴組成を有する3種類の電解液A〜Cを調製した。電解液A〜Cはチオ硫酸ナトリウムの濃度のみが異なる。
この電解析出のために表2に示す浴組成を有する3種類の電解液A〜Cを調製した。電解液A〜Cはチオ硫酸ナトリウムの濃度のみが異なる。
各電解液A〜C中でCu板上のNiめっき膜を作用電極とし対極をTi板として電圧を印加することにより直流電流を流し、作用電極上に析出層を形成した。電解液の浴温は40℃とし、作用電極と対極との間の電流密度は1000mA/cm2とした。また、作用電極と対極との間に印加する最大電圧は60Vとした。
また、各電解液中での電圧印加時間を60、400、1000、1800、2400、3000、3600秒と変化させて合計21個の試料を作製した。
また、各電解液中での電圧印加時間を60、400、1000、1800、2400、3000、3600秒と変化させて合計21個の試料を作製した。
これらの21個の試料について、電解析出前の質量と電解析出後の質量とを比較する実験を行った。この結果を図7に示す。
図7に示したように、電解液Aを用いた試料では、電圧印加時間を長くすると析出量が増加したが、電解液B、Cを用いた試料では、電圧印加時間が1800秒を超えると析出量の増加は見られなかった。
図7に示したように、電解液Aを用いた試料では、電圧印加時間を長くすると析出量が増加したが、電解液B、Cを用いた試料では、電圧印加時間が1800秒を超えると析出量の増加は見られなかった。
次に、FE−SEMにより、各電解液A〜C中で電圧印加時間を2400秒として作製した合計3つの試料の析出層の表面SEM観察を行った。
電解液A中で作製した試料のSEM写真を図8に示し、電解液B中で作製した試料のSEM写真を図9に示し、電解液C中で作製した試料のSEM写真を図10に示した。
図8〜10から、電解液に含まれるチオ硫酸ナトリウムの濃度により、析出層の表面形態に違いがあることがわかった。
また、これらの3つの試料の析出層についてテスターによる導通試験を行った。その結果、電解液B、C中で作製した試料の析出層では導電性は確認されなかった。
電解液A中で作製した試料のSEM写真を図8に示し、電解液B中で作製した試料のSEM写真を図9に示し、電解液C中で作製した試料のSEM写真を図10に示した。
図8〜10から、電解液に含まれるチオ硫酸ナトリウムの濃度により、析出層の表面形態に違いがあることがわかった。
また、これらの3つの試料の析出層についてテスターによる導通試験を行った。その結果、電解液B、C中で作製した試料の析出層では導電性は確認されなかった。
次に、各電解液A〜C中で電圧印加時間を1000秒、2400秒として作製した合計6つの試料についてXRD測定を行った。
電解液A中で作製した試料のXRD測定結果を図11に示し、電解液B中で作製した試料のXRD測定結果を図12に示し、電解液C中で作製した試料のXRD測定結果を図13に示す。
図11〜13から、電解液B、Cを用いた試料では電圧印加時間が1000秒の試料に比べ電圧印加時間が2400秒の試料のほうがZnSのピークが強くなることがわかった。また、電圧印加時間が2400秒の試料において、電解液中のチオ硫酸ナトリウム濃度が高くなるとZnSのピークが強くなることがわかった。
電解液A中で作製した試料のXRD測定結果を図11に示し、電解液B中で作製した試料のXRD測定結果を図12に示し、電解液C中で作製した試料のXRD測定結果を図13に示す。
図11〜13から、電解液B、Cを用いた試料では電圧印加時間が1000秒の試料に比べ電圧印加時間が2400秒の試料のほうがZnSのピークが強くなることがわかった。また、電圧印加時間が2400秒の試料において、電解液中のチオ硫酸ナトリウム濃度が高くなるとZnSのピークが強くなることがわかった。
硫化亜鉛(ZnS)層形成実験2
この実験では、1cm角のGe基板上に電解析出によりZnS(硫化亜鉛)層を形成した。
まず、実験1と同様の方法で、Ge基板上にNiめっき膜を形成した。
このNiめっき膜を形成したGe基板を表2に示した浴組成の電解液Cに浸漬し、Niめっき膜を作用電極とし、Ti板を対極として電圧を印加することにより直流電流を流し、作用電極上に析出層を形成した。電解液の浴温は40℃とし、作用電極と対極との間の電流密度は1000mA/cm2とし、電圧印加時間は2400秒とした。また、作用電極と対極との間に印加する最大電圧は60Vとした。
このようにして作製した試料の析出層の表面観察を行った。
この試料の写真を図14に示し、析出層のSEM写真を図15に示す。
図14、15からGe基板上に析出層が形成されていることがわかった。
この実験では、1cm角のGe基板上に電解析出によりZnS(硫化亜鉛)層を形成した。
まず、実験1と同様の方法で、Ge基板上にNiめっき膜を形成した。
このNiめっき膜を形成したGe基板を表2に示した浴組成の電解液Cに浸漬し、Niめっき膜を作用電極とし、Ti板を対極として電圧を印加することにより直流電流を流し、作用電極上に析出層を形成した。電解液の浴温は40℃とし、作用電極と対極との間の電流密度は1000mA/cm2とし、電圧印加時間は2400秒とした。また、作用電極と対極との間に印加する最大電圧は60Vとした。
このようにして作製した試料の析出層の表面観察を行った。
この試料の写真を図14に示し、析出層のSEM写真を図15に示す。
図14、15からGe基板上に析出層が形成されていることがわかった。
次に、この作製した試料のXRD測定を行った。なお、比較のためにGe基板についてもXRD測定を行った。この測定結果を図16に示す。
図16から、作製した試料ではZnS(220)のピークが確認され、析出層がZnS層であることが確認された。
図16から、作製した試料ではZnS(220)のピークが確認され、析出層がZnS層であることが確認された。
1: 半導体基板 3:絶縁膜 4:第1導電部 6:コンタクトホール 8:導電膜 9:導電膜形成半導体基板 10:半導体装置 11:セラミックス基板 13:ゲルマニウムレンズ 15:電極 17:赤外線検知素子 18:センサ用基板 20:第1空洞部 21:第2空洞部 25:センサ部 28:封止部 29:第2導電部 30:赤外線センサ 32:窓側基板 33:素子側基板 41:電解槽 42:作用電極 43:対極 44:電解液 45:析出層 46:電源
Claims (11)
- 半導体基板または半導体基板上に導電膜が形成された導電膜形成半導体基板を作用電極とし、
前記作用電極上に形成される絶縁膜の原料となる電解質を含む電解質溶液を電解液とし、
前記電解液中で前記作用電極と対極との間に電圧を印加し、前記作用電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、3eV以上5eV以下のバンドギャップを有する材料からなる請求項1に記載の製造方法。
- 前記絶縁膜は、硫化亜鉛からなる請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記電解液は、チオ硫酸ナトリウムと硫酸亜鉛とを含む請求項3に記載の製造方法。
- 前記絶縁膜は、0.5μm以上10μm以下の膜厚を有する請求項1〜4のいずれか1つに記載の製造方法。
- 前記半導体基板に貫通孔を形成する工程をさらに備え、
前記絶縁膜を形成する工程は、前記貫通孔内に前記絶縁膜を形成する工程である請求項1〜5のいずれか1つに記載の製造方法。 - 前記貫通孔内に形成された前記絶縁膜上に導電部を形成する工程をさらに備える請求項6に記載の製造方法。
- 前記半導体基板は、ゲルマニウムレンズである請求項7に記載の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれか1つに記載の方法により製造された半導体装置。
- 複数の半導体装置が形成された窓側基板と、赤外線検知素子をそれぞれ有する複数のセンサ部が複数形成された素子側基板とを、前記導電部が前記赤外線検知素子と電気的に接続するように接合する工程と、
接合した前記窓側基板と前記素子側基板をダイシングする工程とを含み、
前記複数の半導体装置がそれぞれ請求項8に記載の方法により製造された赤外線センサの製造方法。 - 請求項8に記載の方法により製造されかつ受光面およびその裏面を有する半導体装置と、前記半導体装置の裏面側に設けられかつ赤外線検知素子を有するセンサ部と、前記半導体装置の受光面上に設けられた電極とを備え、
前記電極は、前記導電部を介して前記赤外線検知素子と電気的に接続した赤外線センサ。
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JP2012021962A Pending JP2013161910A (ja) | 2012-02-03 | 2012-02-03 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、赤外線センサの製造方法および赤外線センサ |
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JP (1) | JP2013161910A (ja) |
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2012
- 2012-02-03 JP JP2012021962A patent/JP2013161910A/ja active Pending
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