JP2013158699A - 酸化処理方法および酸化処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】処理水中に処理対象を浸漬させて酸化処理を行うことに適さない処理対象であっても、容易に、ラジカルによる処理対象表面の酸化を行うことができる酸化処理方法または酸化処理システムに関する技術を提供することを課題とする。
【解決手段】過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理対象表面を酸化させる促進酸化処理工程（ステップＳ１１）を、具備する、過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いた酸化処理方法とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、酸化処理方法および酸化処理システムの技術に関する。

従来、処理対象を酸化処理して、これを殺菌、洗浄、または、脱臭等する酸化処理方法または酸化処理システムの技術は種々知られている。
前記酸化処理方法または前記酸化処理システムには、オゾンを用いて処理対象の酸化処理を行うものがある（特許文献１参照）。
前記酸化処理方法または前記酸化処理システムによって酸化処理が行われる処理対象には、例えば、医療機器や手術室内やクリーンルームや電子部品や電気製品等の固体の表面がある。

また、前記酸化処理方法または前記酸化処理システムには、水中において過酸化水素とオゾンとを反応させてラジカル（例えば、ＯＨラジカル（ヒドロキシカルラジカル））を生成し、当該ラジカルによって処理対象の酸化処理（促進酸化）を行うものがある。
前記酸化処理方法または前記酸化処理システムでは、例えば、過酸化水素とオゾンとが水中に溶解された処理水中に処理対象を浸漬させることによって、処理対象表面を酸化させる処理が行われる。

ここで、促進酸化（ＡＯＰ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ））とは、ＯＨラジカルを利用して処理対象表面の有機物またはその他の物質を分解するものであることが知られている。ＯＨラジカルは、オゾンまたは過酸化水素よりも酸化力が強く、有機物との反応性に富むものであることが知られている。

特開昭６３−５９９６１号公報

しかしながら、処理対象には、前記処理水中に処理対象を浸漬させる酸化処理方法または酸化処理システムで酸化処理することに適さないものがある。
例えば、処理対象が電子部品や電気製品等のときには、前記処理水中に処理対象を浸漬させて酸化処理を行うと、前記処理水の多量の水分によって、処理対象が故障してしまうおそれがある。
このように、前記処理水中に処理対象を浸漬させる酸化処理方法または酸化処理システムでは、処理対象が前記処理水中に浸漬させて酸化処理を行うことに適さないもののときには、ラジカルによる当該処理対象表面の酸化（促進酸化）を行うことが困難な場合がある。

本発明は以上の如き状況に鑑みてなされたものであり、処理水中に処理対象を浸漬させて酸化処理を行うことに適さない処理対象であっても、容易に、ラジカルによる処理対象表面の酸化を行うことができる技術を提供することを課題とする。

本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。

即ち、請求項１においては、過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理対象表面を酸化させる促進酸化処理工程を、具備する、過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いた酸化処理方法としたものである。

請求項２においては、過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理室内の処理対象表面を酸化させる促進酸化処理工程を、具備する、過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いた酸化処理方法としたものである。

請求項３においては、前記過酸化水素ガスによって前記処理対象表面を酸化させる過酸化水素処理工程を具備し、前記促進酸化処理工程は、前記過酸化水素処理工程において前記処理対象表面を酸化させた後、前記オゾンガスを前記処理室内に供給することによって前記ラジカルを生成して前記ラジカルによって前記処理対象表面を酸化させるものである。

請求項４においては、前記促進酸化処理工程は、前記処理室内に前記オゾンガスを供給しながら前記処理室内に前記過酸化水素ガスを供給することによって前記ラジカルを生成して前記ラジカルによって前記処理対象表面を酸化させる、ものである。

請求項５においては、処理室と、オゾンガスを発生させるオゾンガス発生装置と、過酸化水素ガスを発生させる過酸化水素ガス発生装置と、を具備し、前記過酸化水素ガスの過酸化水素と前記オゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって前記処理室内の処理対象表面を酸化させるように構成される、酸化処理システムとしたものである。

請求項６においては、前記過酸化水素ガス発生装置から前記処理室内に前記過酸化水素ガスを供給して前記処理対象表面を酸化させた後、前記オゾンガス発生装置から前記処理室内に前記オゾンガスを供給することによって前記ラジカルを生成して前記ラジカルによって前記処理対象表面を酸化させるように構成されるものである。

請求項７においては、前記オゾンガス発生装置から前記処理室内に前記オゾンガスを供給しながら前記過酸化水素ガス発生装置から前記処理室内に前記過酸化水素ガスを供給することによって前記ラジカルを生成して前記ラジカルによって前記処理対象表面を酸化させるように構成されるものである。

請求項８においては、前記処理室内の少なくとも一部の気体が循環するように構成されるものである。

本発明の効果として、以下に示すような効果を奏する。

即ち、本発明によれば、処理水中に処理対象を浸漬させて酸化処理を行うことに適さない処理対象であっても、容易に、ラジカルによる処理対象表面の促進酸化を行うことができる。

本発明の実施形態に係る酸化処理システムの全体的な構成を示した模式図。 本発明の実施例に係る酸化処理システムにおける処理室内の処理対象表面の酸化処理を行う一連の動作を示したフローチャート図。 本発明の実施例に係る酸化処理システムにおける処理室内の処理対象表面の酸化処理を行う一連の動作を示したフローチャート図。 本発明の実施形態に係る酸化処理システムの全体的な構成を示した模式図。

次に、本発明の実施形態に係る、酸化処理方法、および、酸化処理システム１、について図１から図４を用いて説明する。

まず、酸化処理システム１について説明する。
酸化処理システム１は、図１に示すように、処理室２と、オゾンガス発生装置３と、過酸化水素ガス発生装置４と、ファン５と、を具備し、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）ガスとオゾン（Ｏ３）ガスとを用いて処理室２内の処理対象表面の酸化処理を行うように構成される。酸化処理システム１によって処理対象表面が酸化処理されることにより、処理対象表面の殺菌、洗浄、または、脱臭等が行われる。

酸化処理システム１の処理室２内では、過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いて処理対象表面が酸化処理される。
酸化処理システム１の処理室２には、例えば、精密機械工業、半導体工業、医薬品工業等の製造設備や研究施設のクリーンルームやアイソレータ、手術室、殺菌装置の殺菌室、歯科・眼科等の医院の居室、洗浄装置の洗浄室、食品製造工場、ホテルの客室、介護施設、病院等の不特定多数が集う各種施設、食堂・レストラン等の厨房、または、有害な化学物質や微生物が残留した施設等がある。
酸化処理システム１の処理室２は、排気口２ａを有する。酸化処理システム１の処理室２は、排気口２ａに過酸化水素分解触媒およびオゾン分解触媒が設けられて構成される。

処理対象とは、過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いてその表面が酸化処理されるものを示す。
処理対象表面には、精密機械工業、半導体工業、医薬品工業等の製造設備や研究施設のクリーンルームやアイソレータの内壁の表面、手術室の内壁の表面、殺菌装置の殺菌室の内壁の表面、歯科・眼科等の医院の居室の内壁の表面、洗浄装置の洗浄室の内壁の表面、食品製造工場の内壁、ホテルの客室の内壁表面、介護施設もしくは病院等の不特定多数が集う各種施設の内壁表面、食堂・レストラン等の厨房の内壁表面、または、有害な化学物質や微生物が残留した施設内の内壁表面等がある。また、処理対象表面には、クリーンルーム内やアイソレータ内、手術室内、殺菌装置の殺菌室内、歯科・眼科等の医院の居室内、洗浄装置の洗浄室内、食品製造工場内、ホテルの客室内、介護施設もしくは病院等の不特定多数が集う各種施設内、食堂・レストラン等の厨房内、または、有害な化学物質や微生物が残留した施設内等に配置されるもの、例えば、クリーンルームやアイソレータ内の装置や工具の表面、手術室内の手術用具の表面、殺菌装置の殺菌室内の衣類や容器の表面、歯科・眼科等の医院の居室内の設置品や機器類の表面、洗浄装置の洗浄室内の電子部品や電気製品等の表面、食品製造工場に設置された製造機器、食品工場内の雰囲気中の浮遊菌、治具類、ケーキ、パイ、もしくは、そば等の原材料、ホテルの客室内のカーテン、ベッド等の調度品、介護施設もしくは病院等の不特定多数が集う各種施設内の調度品、食堂・レストラン等の厨房内の調度品や食器類の表面及び排気される臭い物質、または、有害な化学物質や微生物が残留した施設内の設置物の表面等がある。
このように、酸化処理システム１では、半導体の表面処理のように処理対象表面そのものの処理（酸化処理）が行われる。また、酸化処理システム１では、処理対象表面に付着した化学物質または微生物の処理（酸化処理）が行われて、処理対象表面の臭い物質の低減（脱臭）、処理対象表面の有害物質の無害化、処理対象表面の微生物の殺菌等が行われる。

なお、オゾンは強力な酸化剤であり、微生物である細菌やウイルスに対する強い不活化効果を示すことが知られている。また、オゾンに加湿等の方法で水分を追加させることにより、より強力な酸化力をもつＯＨラジカルを生成し、より強力な殺菌効果が得られることも知られている。
オゾンを用いた脱臭は、大気汚染処理として排気の脱臭、排煙処理、室内の空気浄化あるいは、浴室、病院、老人施設等でも利用されている。臭い物質を構成する硫化物や有機酸等を、オゾンの強い酸化反応を利用して分解するのが脱臭原理である。一般に、オゾンは−ＳＨ、＝Ｓ、−ＮＨ２、＝ＮＨ、−ＯＨ、−ＣＨＯを持つ化合物との反応性が大きい。悪臭物質の多くはこれらの基を持つので、オゾンによる脱臭は、多くの悪臭物質に対し効果を持つことになる。
オゾンは、各種難分解性化学物質とも、強力な酸化力により分解することが知られている。例えば、塩素系農薬、有機リン系農薬、尿素系農薬等に対する水中での処理に関する報告もある。

酸化処理システム１のオゾンガス発生装置３は、オゾンガスを発生させる装置である。
酸化処理システム１のオゾンガス発生装置３には、酸素に放電することによりオゾンガスを発生するもの（放電式オゾンガス発生装置）、または、酸素に紫外線を照射することによってオゾンガスを発生するもの（紫外線式オゾンガス発生装置）等がある。
酸化処理システム１は、オゾンガス発生装置３と処理室２内とがオゾンガス供給管６を介して接続されて、構成される。

酸化処理システム１の過酸化水素ガス発生装置４は、過酸化水素ガスを発生させる装置である。
酸化処理システム１の過酸化水素ガス発生装置４は、過酸化水素水（例えば、３５ｗｔ％過酸化水素水）を蒸発させて、過酸化水素ガスを発生させるように構成される。なお、酸化処理システム１では、求められる効果、用途、または、過酸化水素ガス発生装置４の仕様等に応じて、過酸化水素ガス発生装置４において過酸化水素ガスを発生するために用いられる過酸化水素水の濃度が決定される。酸化処理システム１は、過酸化水素ガス発生装置４と処理室２内とが過酸化水素ガス供給管７を介して接続されて、構成される。

酸化処理システム１のファン５は、過酸化水素ガス発生装置４に外気を供給して、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に、当該外気とともに過酸化水素ガスを供給するものである。
酸化処理システム１のファン５は、処理室外に配置される。酸化処理システム１のファン５は、過酸化水素ガス発生装置４の上流側に配置される。
酸化処理システム１は、ファン５と過酸化水素ガス発生装置４とが配管８を介して接続されて、構成される。

そして、酸化処理システム１は、ファン５が作動することによって、配管８を介してファン５から過酸化水素ガス発生装置４に外気が供給され、当該外気とともに過酸化水素ガス発生装置４で発生された過酸化水素ガスが過酸化水素ガス供給管７を介して過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に供給されるように、構成される。
また、酸化処理システム１は、オゾンガス発生装置３の供給ポンプや酸素発生装置等が作動することによって、オゾンガス発生装置３で発生されたオゾンガスがオゾンガス供給管６を介してオゾンガス発生装置３から処理室２内に供給されるように、構成される。
酸化処理システム１は、過酸化水素ガスまたはオゾンガスが処理室２内に供給されることによって、処理室２内の気体（過酸化水素、オゾン、酸素等）が処理室２の排気口２ａから排気されるように構成される。
以上のようにして、処理室２と過酸化水素ガス発生装置４とオゾンガス発生装置３とを組み合わせることにより、酸化処理システム１を簡易に実現することができる。

次に、酸化処理システム１における過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いて処理室２内の処理対象表面の酸化処理を行う一連の動作について説明する。

前記酸化処理システム１の一連の動作は、図２に示すように、促進酸化処理工程（ステップＳ１１）を具備する。

ステップＳ１１は、過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理室２内の処理対象表面を酸化させる工程である。
ステップＳ１１では、酸化処理システム１の過酸化水素ガス発生装置４から過酸化水素ガスと、オゾンガス発生装置３からオゾンガスと、をそれぞれ処理室２内に供給して、処理室２内においてラジカルを生成して、処理対象表面の促進酸化が行われる。
ステップＳ１１では、酸化処理システム１の処理室２内に過酸化水素ガスとオゾンガスとが供給されると、処理室２内で過酸化水素とオゾンとが反応して、処理室２内の処理対象表面および処理室２内の雰囲気中でラジカルが生成される。前記オゾンと過酸化水素とが反応して生成されるラジカルには、ＯＨラジカル（ヒドロキシカルラジカル）がある。
そして、ステップＳ１１では、前記酸化処理システム１の処理室２内で生成されたラジカルによって処理対象表面の酸化が行われることとなる。促進酸化とは、ラジカルを利用して処理対象表面の有機物またはその他の物質を分解するものであることが知られている。
このようにして、ステップＳ１１においてラジカルによって処理対象表面を酸化させる。

以上のように、酸化処理システム１は、過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって、処理室２内の処理対象表面を酸化させるように構成される。
つまり、酸化処理システム１は、過酸化水素とオゾンとが水中に溶解された処理水中に処理対象を浸漬させて、処理対象表面の酸化処理（促進酸化）を行うものではない。
このため、酸化処理システム１では、処理対象が処理水中に浸漬させることに適さないもの（例えば、電子部品や電気製品等）であっても、前記多量の水分によって当該処理対象が故障することを防止することができる。
したがって、酸化処理システム１によれば、処理水中に処理対象を浸漬させて酸化処理を行うことに適さない処理対象であっても、容易に、ラジカルによる処理対象表面の酸化を行うことができる。

ここで、前記処理水中に処理対象を浸漬させて酸化処理を行う場合には、処理対象表面を酸化させる処理の後に、処理対象表面の前記処理水を拭取る等の後処理を要する場合がある。
酸化処理システム１は、過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理室２の処理対象表面を酸化させるように構成され、前記処理水中に処理対象を浸漬させて処理対象表面を酸化させるものではない。
このため、酸化処理システム１では、処理対象表面を酸化させる処理の後処理を要さず、当該後処理の繁雑さを解消することができる。

また、前記酸化処理システム１の一連の動作は、図３に示すように、促進酸化処理工程（ステップＳ１１）に加えて、過酸化水素処理工程（ステップＳ１０）を具備することもできる。

ステップＳ１０は、過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させる工程である。
ステップＳ１０は、ステップ１１の前に行われる。
ステップＳ１０では、酸化処理システム１の過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に過酸化水素ガスを供給して、処理室２内の処理対象表面を酸化させるように行われる。
ステップＳ１０において酸化処理システム１の処理室２内に過酸化水素ガスが供給されると、処理室２内の過酸化水素濃度が上昇し、当該過酸化水素ガスによって処理室２内（処理室２内の処理対象表面、処理室２の内壁、および、処理室２内の雰囲気）が酸化されることとなる。また、酸化処理システム１の処理室２内において過酸化水素ガスが処理対象表面に到達すると、処理対象表面が酸化されて処理対象表面に酸化膜が形成されることとなる。
ステップＳ１０において過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させ後、ステップＳ１１に移行する。

このときにおけるステップＳ１１は、ステップＳ１０において処理対象表面を酸化させた後、オゾンガスを供給することによってラジカルを生成して当該ラジカルによって処理対象表面を酸化させる（促進酸化を行う）。
ステップＳ１１では、ステップＳ１０において処理対象表面を酸化させた後、酸化処理システム１のオゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給することによって、処理室２内においてラジカルを生成して、前記ラジカルによって処理対象表面を酸化させる。
ステップＳ１１では、酸化処理システム１の処理室２内にオゾンガスが供給されると、処理室２内の処理対象表面または処理室内の雰囲気中に残存する過酸化水素とオゾンとが反応して、処理室２内でラジカルが生成される。
そして、ステップＳ１１では、前記酸化処理システム１の処理室２内で生成されたラジカルによって処理対象表面が酸化されることとなる。
このようにして、ステップＳ１１においてラジカルによって処理対象表面を酸化させる。

以上のように、酸化処理システム１は、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に過酸化水素ガスを供給して処理対象表面を酸化させた後（ステップＳ１０）、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給することによってラジカルを生成して、前記ラジカルによって処理対象表面を酸化させる（ステップＳ１１）ように構成される。
そして、酸化処理システム１では、まず、過酸化水素処理工程（ステップＳ１０）において過酸化水素が処理室２内で酸化反応するので、促進酸化処理工程（ステップＳ１１）において処理室２内でのオゾンの酸化反応が抑制されることとなる。
このため、酸化処理システム１では、処理室２内において、過酸化水素と反応してラジカルを生成するためのオゾンの量を十分に確保することができる。
したがって、酸化処理システム１によれば、ラジカルによって処理対象表面を酸化させる処理（酸化促進処理）を効果的に行うことができる。

またこのため、酸化処理システム１では、過酸化水素と反応してラジカルを生成するために要する処理室２内へのオゾンガスの供給量を低減させることができる。
よって、酸化処理システム１では、オゾンガスの供給能力の低い小型または軽量のオゾンガス発生装置３でも、酸化処理システム１を実現することができる。
したがって、酸化処理システム１によれば、オゾンガス発生装置３を小型または軽量のものにして、酸化処理システム１の小型化・軽量化を図ることができる。

酸化処理システム１は、過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させた後（ステップＳ１０）、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内への過酸化水素ガスの供給を停止した状態で、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給するように構成してもよい。

また、酸化処理システム１は、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給しながら過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に過酸化水素ガスを供給することによって処理室２内でラジカルを生成して、前記ラジカルによって処理対象表面を酸化させる（ステップＳ１１）ように構成してもよい。
このように構成することにより、酸化処理システム１では、処理室２内（処理室２内の処理対象表面、および、処理室２内の雰囲気）での過酸化水素濃度を高くすることができ、処理室２内でのラジカルの生成量を増加させることができる。
したがって、酸化処理システム１によれば、ラジカルによって処理対象表面を酸化させる処理（酸化促進処理）をより効果的に行うことができる。
このとき、酸化処理システム１は、過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させた後（ステップＳ１０）、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内への過酸化水素ガスの供給を継続して、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給するように構成してもよい。
またこのとき、酸化処理システム１は、過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させた後（ステップＳ１０）、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内への過酸化水素ガスの供給を停止した状態で、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給し、その後、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内への過酸化水素ガスを供給するように構成してもよい。

ここで、酸化処理システム１では、過酸化水素ガスとオゾンガスとを処理室２内に供給すると、多量のオゾンガスが処理室２内から排気されるため、処理室２内のオゾン濃度を高くすることが困難な場合がある。
そこで、酸化処理システム１は、図４に示すように、ファン５が外気を吸引せずに処理室２内の気体（オゾンガスまたは過酸化水素ガス）を吸引するように構成されて、処理室２内の少なくとも一部の気体（オゾンガスまたは過酸化水素ガス）が循環するように、構成してもよい。
このとき、酸化処理システム１のファン５は、処理室２内の気体を吸引して、過酸化水素ガス発生装置４に当該処理室２内の気体を供給して、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に当該処理室２内の気体とともに過酸化水素ガスを供給するように構成される。
酸化処理システム１の処理室２は、吸引口２ｂを備える。酸化処理システム１の処理室２の吸引口２ｂは、処理室２内の気体がファン５に吸引されて処理室２内から取出されるものである。
酸化処理システム１は、処理室２内の吸引口２ｂとファン５と吸引管９が介して接続されて、構成される。

そして、酸化処理システム１は、ファン５が作動することによって、吸引管９を介して処理室２内から処理室２内の気体がファン５に供給されて、配管８を介してファン５から過酸化水素ガス発生装置４に前記処理室２内の気体が供給され、当該処理室２内の気体とともに過酸化水素ガス発生装置４で発生された過酸化水素ガスが過酸化水素ガス供給管７を介して過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に供給されるように、構成される。
このようにして、酸化処理システム１では、処理室２内の少なくとも一部の気体がファン５に吸引されてファン５を介して循環する。そして、酸化処理システム１では、ファン５からは外気とともに過酸化水素ガスが処理室２内に供給されない（外気が処理室２内に供給されない）。
このため、酸化処理システム１では、処理室２内の気体（オゾンガス）が処理室２の排気口２ａから排気され難くなる。
したがって、処理システム１によれば、多量のオゾンガスが処理室２内（排気口２ａ）から排気されず、容易に、処理室２内のオゾン濃度を高くすることができる。

次に、本発明の実施形態に係る酸化処理方法について、図２または図３を用いて説明する。

酸化処理方法は、図２に示すように、促進酸化処理工程（ステップＳ１１）を具備する。

ステップＳ１１は、過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理室２内の処理対象表面を酸化させる工程である。
ステップＳ１１では、酸化処理システム１の過酸化水素ガス発生装置４からの過酸化水素ガスと、オゾンガス発生装置３からのオゾンガスと、をそれぞれ処理室２内に供給して、処理室２内においてラジカルを生成して、処理対象表面の促進酸化が行われる。
ステップＳ１１では、酸化処理システム１の処理室２内に過酸化水素ガスとオゾンガスとが供給されると、処理室２内で過酸化水素とオゾンとが反応して、処理室２内でラジカルが生成される。前記オゾンと過酸化水素とが反応して生成されるラジカルには、ＯＨラジカル（ヒドロキシカルラジカル）がある。
そして、ステップＳ１１では、前記酸化処理システム１の処理室２内で生成されたラジカルによって処理対象表面の酸化が行われることとなる。促進酸化とは、ラジカルを利用して処理対象表面の有機物を分解することを示す。
このようにして、ステップＳ１１においてラジカルによって処理対象表面を酸化させる。

以上のように、酸化処理方法では、過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって、処理室２の処理対象表面を酸化させる。
つまり、酸化処理方法は、過酸化水素とオゾンとが水中に溶解された処理水中に処理対象を浸漬させて、処理対象表面の酸化処理（促進酸化）を行うものではない。
このため、酸化処理システム１では、処理対象が処理水中に浸漬させることに適さないもの（例えば、電子部品や電気製品等）であっても、前記多量の水分によって当該処理対象が故障することを防止することができる。
したがって、酸化処理方法によれば、処理水中に処理対象を浸漬させて酸化処理を行うことに適さない処理対象であっても、容易に、ラジカルによる処理対象表面の酸化を行うことができる。

酸化処理方法は、過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理室２の処理対象表面を酸化させるように構成され、前記処理水中に処理対象を浸漬させて処理対象表面を酸化させるものではない。
このため、酸化処理方法では、処理対象表面を酸化させる処理の後処理を要さず、当該後処理の繁雑さを解消することができる。

また、酸化処理方法は、図３に示すように、促進酸化処理工程（ステップＳ１１）に加えて、過酸化水素処理工程（ステップＳ１０）を具備することもできる。

ステップＳ１０は、過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させる工程である。
ステップＳ１０は、ステップ１１の前に行われる。
ステップＳ１０では、酸化処理システム１の過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に過酸化水素ガスを供給して、処理室２内の処理対象表面を酸化させるように行われる。
ステップＳ１０において酸化処理システム１の処理室２内に過酸化水素ガスが供給されると、処理室２内の過酸化水素濃度が上昇し、当該過酸化水素ガスによって処理室２内（処理室２内の処理対象表面、処理室２の内壁、および、処理室２内の雰囲気）が酸化されることとなる。また、酸化処理システム１の処理室２内において過酸化水素ガスが処理対象表面に到達すると、処理対象表面が酸化されて処理対象表面に酸化膜が形成されることとなる。
ステップＳ１０において過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させ後、ステップＳ１１に移行する。

このときにおけるステップＳ１１は、ステップＳ１０において処理対象表面を酸化させた後、オゾンガスを供給することによってラジカルを生成して当該ラジカルによって処理対象表面を酸化させる（促進酸化を行う）。
ステップＳ１１では、ステップＳ１０において処理対象表面を酸化させた後、酸化処理システム１のオゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給することによって、処理室２内においてラジカルを生成して、前記ラジカルによって処理対象表面を酸化させる。
ステップＳ１１では、酸化処理システム１の処理室２内にオゾンガスが供給されると、処理室２内の処理対象表面または処理室内の雰囲気中に残存する過酸化水素とオゾンとが反応して、処理室２内でラジカルが生成される。
そして、ステップＳ１１では、前記酸化処理システム１の処理室２内で生成されたラジカルによって処理対象表面の促進酸化が行われることとなる。
このようにして、ステップＳ１１においてラジカルによって処理対象表面を酸化させる。

以上のように、酸化処理方法は、過酸化水素処理工程（ステップＳ１０）と、促進酸化処理工程（ステップＳ１１）と、を具備し、過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いて処理対象表面を酸化させる処理を行う。つまり、酸化処理方法は、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に過酸化水素ガスを供給して処理対象表面を酸化させた後（ステップＳ１０）、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給することによってラジカルを生成して、前記ラジカルによって処理対象表面を酸化させる（ステップＳ１１）。
そして、酸化処理方法では、まず、過酸化水素処理工程（ステップＳ１０）において過酸化水素が処理室２内で酸化反応するので、促進酸化処理工程（ステップＳ１１）において処理室２内でのオゾンの酸化反応が抑制されることとなる。
このため、酸化処理システム１では、処理室２内において、過酸化水素と反応してラジカルを生成するためのオゾンの量を十分に確保することができる。
したがって、酸化処理システム１によれば、ラジカルによって処理対象表面を酸化させる処理（酸化促進処理）を効果的に行うことができる。

またこのため、酸化処理方法では、過酸化水素と反応してラジカルを生成するために要する酸化処理システム１の処理室２内へのオゾンガスの供給量を低減させることができる。
よって、酸化処理方法では、オゾンガスの供給能力の低い小型または軽量のオゾンガス発生装置３でも、酸化処理方法を行うことができる。

酸化処理方法の促進酸化処理工程（ステップＳ１１）は、過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させた後（ステップＳ１０）、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内への過酸化水素ガスの供給を停止した状態で、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給して行ってもよい。

また、酸化処理方法の酸化処理工程（ステップＳ１１）は、酸化処理装置１のオゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給しながら過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内に過酸化水素ガスを供給することによって処理室２内で前記ラジカルを生成して、前記ラジカルによって処理対象表面を酸化させるように行ってもよい。
このように促進酸化処理工程（ステップＳ１１）を行うことにより、酸化処理方法では、酸化処理システム１の処理室２内（処理室２内の処理対象表面、および、処理室２内の雰囲気）での過酸化水素濃度を高くすることができ、処理室２内でのラジカル生成量を増加させることができる。
したがって、酸化処理方法によれば、ラジカルによって処理対象表面を酸化させる処理（酸化促進処理）を効果的に行うことができる。
このとき、酸化処理方法の促進酸化処理工程（ステップＳ１１）は、過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させた後（ステップＳ１０）、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内への過酸化水素ガスの供給を継続して、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給するように行ってもよい。
またこのとき、酸化処理方法の促進酸化処理工程（ステップＳ１１）は、過酸化水素ガスによって処理対象表面を酸化させた後（ステップＳ１０）、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内への過酸化水素ガスの供給を停止した状態で、オゾンガス発生装置３から処理室２内にオゾンガスを供給し、その後、過酸化水素ガス発生装置４から処理室２内への過酸化水素ガスを供給するように行ってもよい。

１ 酸化処理システム
２ 処理室
３ オゾンガス発生装置
４ 過酸化水素ガス発生装置
５ ファン

Claims (8)

1. 過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理対象表面を酸化させる促進酸化処理工程を、具備する、
   過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いた酸化処理方法。
2. 過酸化水素ガスの過酸化水素とオゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって処理室内の処理対象表面を酸化させる促進酸化処理工程を、具備する、
   過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いた酸化処理方法。
3. 前記過酸化水素ガスによって前記処理対象表面を酸化させる過酸化水素処理工程を具備し、
   前記促進酸化処理工程は、前記過酸化水素処理工程において前記処理対象表面を酸化させた後、前記オゾンガスを前記処理室内に供給することによって前記ラジカルを生成して前記ラジカルによって前記処理対象表面を酸化させる、
   請求項２に記載の過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いた酸化処理方法。
4. 前記促進酸化処理工程は、前記処理室内に前記オゾンガスを供給しながら前記処理室内に前記過酸化水素ガスを供給することによって前記ラジカルを生成して前記ラジカルによって前記処理対象表面を酸化させる、
   請求項２または請求項３に記載の過酸化水素ガスとオゾンガスとを用いた酸化処理方法。
5. 処理室と、オゾンガスを発生させるオゾンガス発生装置と、過酸化水素ガスを発生させる過酸化水素ガス発生装置と、を具備し、
   前記過酸化水素ガスの過酸化水素と前記オゾンガスのオゾンとが反応して生成されるラジカルによって前記処理室内の処理対象表面を酸化させるように構成される、
   酸化処理システム。
6. 前記過酸化水素ガス発生装置から前記処理室内に前記過酸化水素ガスを供給して前記処理対象表面を酸化させた後、前記オゾンガス発生装置から前記処理室内に前記オゾンガスを供給することによって前記ラジカルを生成して前記ラジカルによって前記処理対象表面を酸化させるように構成される、
   請求項５に記載の酸化処理システム。
7. 前記オゾンガス発生装置から前記処理室内に前記オゾンガスを供給しながら前記過酸化水素ガス発生装置から前記処理室内に前記過酸化水素ガスを供給することによって前記ラジカルを生成して前記ラジカルによって前記処理対象表面を酸化させるように構成される、
   請求項５または請求項６に記載の酸化処理システム。
8. 前記処理室内の少なくとも一部の気体が循環するように構成される、
   請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の酸化処理システム。

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