JP2013156650A - 高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周波数可変光源 - Google Patents
高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周波数可変光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013156650A JP2013156650A JP2013072187A JP2013072187A JP2013156650A JP 2013156650 A JP2013156650 A JP 2013156650A JP 2013072187 A JP2013072187 A JP 2013072187A JP 2013072187 A JP2013072187 A JP 2013072187A JP 2013156650 A JP2013156650 A JP 2013156650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fiber
- pulse
- output
- light source
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
- H01S3/06716—Fibre compositions or doping with active elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
- H01S3/06725—Fibre characterized by a specific dispersion, e.g. for pulse shaping in soliton lasers or for dispersion compensating [DCF]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/0675—Resonators including a grating structure, e.g. distributed Bragg reflectors [DBR] or distributed feedback [DFB] fibre lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
- H01S3/06758—Tandem amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08013—Resonator comprising a fibre, e.g. for modifying dispersion or repetition rate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094076—Pulsed or modulated pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10038—Amplitude control
- H01S3/10046—Pulse repetition rate control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1608—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth erbium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1618—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth ytterbium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2375—Hybrid lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/508—Pulse generation, e.g. generation of solitons
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
- G02B6/29304—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating
- G02B6/29316—Light guides comprising a diffractive element, e.g. grating in or on the light guide such that diffracted light is confined in the light guide
- G02B6/29317—Light guides of the optical fibre type
- G02B6/29319—With a cascade of diffractive elements or of diffraction operations
- G02B6/2932—With a cascade of diffractive elements or of diffraction operations comprising a directional router, e.g. directional coupler, circulator
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
- G02B6/29371—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating principle based on material dispersion
- G02B6/29374—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating principle based on material dispersion in an optical light guide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/115—Q-switching using intracavity electro-optic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0057—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0085—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for modulating the output, i.e. the laser beam is modulated outside the laser cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
【解決手段】50ps〜10nsのパルスを出力するマイクロチップレーザ71と、マイクロチップレーザ71の出力を受光する正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもつファイバ72と、正のGVDをもつファイバ72からの出力を受光する圧縮器73とを備えるシステムである。
【選択図】図7
Description
Z0=πT2 0/2|β2|
N2=γP0T2 0/|β2|
Zopt/Z0〜1.6/N
γ=2πn2/λAeff
1/Fc〜1.6/N
Z0は、ソリトン周期であり、或いはソリトンが伝播しない場合、それはβ2の群速度分散パラメータをもつファイバ中の伝播距離であり、そのファイバでは時間幅T0のパルスが時間幅で2倍になる。Nは、非線形係数γのファイバ中のピークパワーP0のパルスに対するソリトン次数である。γは、パルスの波長λ、ファイバ材料の非線形屈折率n2、及びファイバ中を伝播する光の有効面積Aeffの関数である。Fcは、圧縮ファクタである。
Pthresh=16Aeff/gramanLeff
で決定される。
Leff=1/g(1-exp(-gL))
である。ここで、gはファイバ増幅器の利得割合、Lは物理的なファイバ長である。向上した性能は、(Arbore他, “S-band Erbium-Doped Fiber Amplifiers for WDM Transmission Between 1488 and 1508nm” in OSA Trend in Optics and Photonics(TOPS) Vol.86, Optical Fiber Communication Conference, Postconference Edition (Optical Society of America, Washington, DC, 2003), pp.374-376)に報告されたような、より長い波長の伝播を阻止するべくデザインされたファイバを使うことで得られる。
短パルスからペデスタルを除去するための様々な方法も本発明の本実施形態で用いられる。そのような方法は、周波数逓倍、非線形ループミラーの使用、及びファイバや希ガス入り中空導波路での非線形偏光回転を含む。
Φmax=γP0Leff
γとLeffは、上で定義されている。マイクロチップパルスのよい近似であるガウシアン形状パルスの場合、生成されたスペクトル幅、δωmaxの初期パルスのスペクトル幅Δωに対する比は、
δωmax/Δω=0.86Φmax
である。
・利得スイッチレーザから10ps未満の高エネルギパルスを得るためのポンプとしてパルス圧縮マイクロチップを使用。
・時間的パス長がポンプパルス幅のオーダであるところで吸収のための多重パスを使用。
・熱レンズ作用なしの薄い安定化平面共振器への利得誘導の使用。
1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、前記パルス光源の出力を受光する増幅器と、正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記増幅器の出力を受光するファイバとを備える結合物。
光源と、前記光源の出力を受光するべく配置され、1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力する変調器と、前記変調器で出力されるパルスを増幅するべく配置された増幅器と、正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記増幅器の出力を受光するファイバと、正のGVDをもつ前記ファイバの出力を受光するべく配置された2−ステージ圧縮器とを備える結合物。
を備える結合物。
1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、前記パルス光源の出力を増幅するべく配置された増幅器と、正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記増幅器の出力を受光するファイバとを備え、前記パルス光源が電子的手段によって時間領域でスペクトル的にチャープされる結合物。
1kHzから10MHz未満までの範囲の可変繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記パルス光源の出力を受光するファイバとを備え、前記ファイバが前記パルスを増幅する結合物。
そのファイバはマルチモードファイバで、シングルモード動作する。
そのパルスエネルギは、500nJ以上である。
その2−ステージ圧縮器は、正のGVDと自己位相変調とをもつ第2ファイバを備える。
その光源は、レーザダイオードを備え、及び或いは内部或いは外部変調される。
そのパルスは、1〜100psの範囲である。
1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを受光する第1圧縮器。
その光源は更なる増幅を受け、パルスはパルス圧縮なしでのチャープパルス増幅を受ける。
その圧縮器は、パルスを受光する分散シフトファイバを備える。
その増幅器は、エルビウムファイバ増幅器である。
正のGVDをもつそのファイバは、約20mの長さをもつ。
チャープファイバ格子を備え、正のGVDをもつそのファイバの出力を受光する第2圧縮器が使用される。
そのチャープファイバ格子は、スペクトルフィルタとして機能するべく形成される。
正のGVDをもつそのファイバからのパルス出力からペデスタルを除去する手段を付加的に備えること。
その光源は、cwレーザダイオードを備え、前記変調器が前記cwレーザダイオードの出力端に配置される。
前記変調器と縦につないで配置される第2変調器。
その変調器は、電子吸収変調器である。
その増幅器は、イットリビウムドープファイバ増幅器である。
正のGVDをもつそのファイバは、約200mの長さをもつ。
正のGVDをもつそのファイバの出力を受光する付加的に備える第2圧縮器であって、前記圧縮器は、サーキュレータを備え、前記サーキュレータの出力端は、正のGVDと自己位相変調とをもつ第2ファイバを備え、前記サーキュレータは、減衰器を備え、それによって出力パルスが更なる増幅のために伸張される。
その2―ステージ圧縮器は、4−ポートサーキュレータと二つのファイバ格子を備える。
前記ダイオードからのパルス出力形状は、放物線パルス増幅器での増幅にとって十分放物線であり、その第2増幅器は、放物線パルス増幅器として動作する。
変換結晶は、その結合物の出力の波長を変えるために加えられる。
そのシステムは、物体の表面の欠陥を検出するUVスペクトルで動作でき、その結合物で発生される出力は、前記欠陥に位置したときにそれによって前記欠陥を修復するパルス、或いはパルス列を作るように準備される。
その結合物は、ラマン発生を制限する手段を含むことができる。
そのファイバは、自己位相変調のためにシングルモード動作するマルチモードファイバであり、パルスエネルギは、500nJより大きい。
そのマイクロチップレーザ出力は、50ps〜10nsの範囲である。
そのファイバは、約50の圧縮率のために約2メートルの長さをもつシングルモードファイバである。
そのファイバは、コアの無いエンドキャップを備え、それによってモードが前記ファイバの表面の前で広げられる。
大きなモードフィールド径をもつ付加的に含まれる増幅器。
その増幅器は、マルチモードファイバと穴のあるファイバ増幅器の一方である。
そのパルスエネルギは、1μJより大きく、そのファイバは、マルチモードファイバであり、前記パルスは、伸張される。
そのマイクロチップレーザは、6kHzで0.5μJ、240psを出力する。
そのファイバは、17μmのモードフィールド径をもつシングルモードを増幅する。
その二重パス配置は、非―PMファイバにとって単一偏光動作を維持する。
マイクロチップレーザと、前記マイクロチップレーザの出力を受光し且つ10ps未満のパルスを出力する正の群速度分散(GVD)と自己位相変調をもつファイバと、正のGVDをもつ前記ファイバからの出力を受光する圧縮器と、前記圧縮器の出力でポンプされる利得スイッチレーザと、を備える結合物。
150psより大きなパルスを出力するマイクロチップレーザと、前記マイクロチップレーザの出力を受光する正の群速度分散(GVD)と自己位相変調をもつシングルモード動作のファイバと、正のGVDをもつ前記ファイバからの出力を受光する圧縮器と、前記圧縮器の出力でポンプされる利得スイッチレーザと、を備える結合物。
光源をもち、1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、前記光源の出力を受光し、自己位相変調でスペクトル発生(generation)を起こす正の群速度分散(GVD)ファイバと、を備える結合物であって、前記光源は、外部変調と内部変調の一方であり、前記正のGVDファイバは、シングルモード動作のマルチモードファイバである。
その正のGVDファイバは、約20メートル、或いは約200メートルの長さをもつ。
前記正のGVDファイバからのパルス出力からペデスタルを除去するための付加的に備える手段。
そのパルスは、1〜100psの範囲である。
前記パルス光源の出力は増幅され、前記パルスはパルス圧縮なしでのチャープパルス増幅を受ける。
そのパルスエネルギは、500nJより大きい。
出力の波長を変えるための変換結晶を付加的に備えること。
付加的に備える手段であって、それによって、ラマン発生が制限される。
そのファイバは、約50の圧縮率のために約2メートルの長さをもつシングルモードファイバである。
そのファイバは、コアなしのエンドキャップを備え、それによって、モードが前記ファイバの表面前で広げられる。
そのパルスエネルギは1μJより大きく、前記ファイバはマルチモードファイバであり、前記パルスは伸張される。
そのファイバはマルチモードファイバであり、モードフィールド径17μmのシングルモードを増幅する。
そのマイクロチップレーザは、1psより大きなパルスを出力する。
そのマイクロチップレーザは、50ps〜10nsの範囲のパルスを出力し、0.5μJのパルスを出力する。
そのマイクロチップレーザは、6kHzで240psのパルスを出力する。
そのパルス光源は、前記光源の出力を受光する変調器を備える。
前記第1変調器に縦につないで配置された付加的に備える第2変調器。
その変調器は、電子吸収変調器である。
その光源は、cwレーザダイオードであり、前記cwレーザダイオードは、ゲートで制御される。
その第1圧縮器は、分散シフトファイバを備える。
前記パルス光源の出力を受光する付加的に備える第1増幅器であって、前記正のGVDファイバは、前記増幅器の出力を受光する。
その第1増幅器は、イットリビウムドープファイバとエルビウムドープファイバの一方を備える。
その増幅器と前記正のGVDファイバは、二重パスされ、その二重パス配置は、非−PMファイバに対して単一偏光動作を維持する。
その増幅器は、大きなモードフィールド径をもつ。
その増幅器は、マルチモードファイバと穴のある増幅器の一方である。
その第2増幅器は、イットリビウムドープファイバを備える。
その第2増幅器は、放物線パルス増幅器として動作する。
前記ファイバの出力を受光するべく配置された第2圧縮器を含むこと。
前記第2増幅器の出力を受光するべく配置された第2圧縮器。
その第2圧縮器は、サーキュレータ、或いは減衰器、4ポートサーキュレータ、二つのファイバ格子、格子、或いはスペクトルフィルタ、の一つを備え、出力パルスが更なる増幅のために伸張され、前記第2圧縮器が2−ステージ圧縮器である。
その格子は、チャープファイバ格子であり、前記チャープファイバ格子は、スペクトルフィルタとして機能する。
その格子は、調整可能な分散をもつ圧縮格子であり、前記格子の反射率は、波長の関数として可変である。
その格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の応力の関数として調整可能である。
その格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の温度の関数として調整可能である。
その格子は、波長の関数としてパルス振幅を変える。
光源を有し、パルスを出力するパルス光源と、前記光源の出力を受光する正の群速度分散(GVD)ファイバと、前記正のGVDファイバの出力を受光する第2増幅器と、を備え、前記ファイバは該ファイバの自己位相変調でスペクトル発生(generation)を起こし、前記第2増幅器は放物線増幅器である結合物。その光源は、外部変調されるものと内部変調されるものの一方である。
その正のGVDファイバは、シングルモード動作のマルチモードファイバである。
その正のGVDファイバは、約20メートル、或いは約200メートルの長さをもつ。
前記正のGVDファイバからの出力からペデスタルを除去するための手段を付加的に備えること。
そのパルスは、1〜100psの範囲である。
前記パルス光源の出力は増幅され、前記パルスはパルス圧縮なしでのチャープパルス増幅を受ける。
パルスエネルギは、500nJより大きい。
その結合物は、UVスペクトルで動作する。ラマン発生は制限される。
そのファイバは、約50の圧縮率のために約2メートルの長さをもつシングルモードファイバである。
そのファイバは、コアなしのエンドキャップを備え、それによって、モードが前記ファイバの表面前で広げられる。
パルスエネルギは1μJより大きく、前記ファイバはマルチモードファイバであり、前記パルスは伸張される。
そのファイバはマルチモードファイバであり、モードフィールド径17μmのシングルモードを増幅する。
前記システムの出力周波数は、100MHzの桁である。
そのパルス光源は、1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力する。
そのマイクロチップレーザは、1psより大きなパルスを出力する。
そのマイクロチップレーザは、50ps〜10nsの範囲のパルスを出力し、0.5μJのパルスを出力する。
そのマイクロチップレーザは、6kHzで240psのパルスを出力する。
そのパルス光源は、前記光源の出力を受光する変調器を備える。
その結合物が前記第1変調器に縦につないで配置された第2変調器を更に備えること。
その変調器は、電子吸収変調器である。
その光源は、cwレーザダイオードであり、そのダイオードはゲートで制御される。
そのパルス光源は、前記光源の出力を受光する第1圧縮器を備える。その第1圧縮器は、分散シフトファイバを備える。
その第1増幅器は、イットリビウムドープファイバとエルビウムドープファイバの一方を備える。
その増幅器と前記正のGVDファイバは、二重パスされる。
その二重パス配置は、非−PMファイバに対して単一偏光動作を保持する。その増幅器は、大きなモードフィールド径をもつ。
その増幅器は、マルチモードファイバと穴のある増幅器の一方である。
その第2増幅器は、イットリビウムドープファイバを備える。
第2圧縮器は、前記ファイバの出力を受光するべく配置される。
第2圧縮器は、前記第2増幅器の出力を受光するべく配置される。
その第2圧縮器は、サーキュレータ、或いは減衰器、4ポートサーキュレータ、二つのファイバ格子、格子、或いはスペクトルフィルタ、の一つを備え、出力パルスが更なる増幅のために伸張され、前記第2圧縮器が2−ステージ圧縮器である。
その格子は、チャープファイバ格子であり、スペクトルフィルタとして機能する。
その格子は、調整可能な分散をもつ圧縮格子である。
前記格子の反射率は、波長の関数として可変である。
その格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の応力の関数として調整可能である。
その格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の温度の関数として調整可能である。
その格子は、波長の関数としてパルス振幅を変える。
Claims (161)
- 1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、
前記パルス光源の出力を受光する増幅器と、
正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記増幅器の出力を受光するファイバと、
を備える結合物。 - 光源と、
前記光源の出力を受光するべく配置され、1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力する変調器と、
前記変調器で出力されるパルスを増幅するべく配置された増幅器と、
正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記増幅器の出力を受光するファイバと、
を備える結合物。 - 光源と、
前記光源の出力を受光するべく配置され、1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力する変調器と、
前記変調器で出力されるパルスを増幅するべく配置された増幅器と、
正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記増幅器の出力を受光するファイバと、
正のGVDをもつ前記ファイバの出力を受光するべく配置された2−ステージ圧縮器と、
を備える結合物。 - 約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、
前記パルス光源の出力を受光するべく配置された1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数の変調器と、
前記変調器で変調されたパルスを増幅するべく配置された第1増幅器と、
正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記増幅器の出力を受光するファイバと、
正のGVDをもつ前記ファイバの出力を増幅するべく配置された第2増幅器と、
を備える結合物。 - 1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、
前記パルス光源の出力を増幅するべく配置された増幅器と、
正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記増幅器の出力を受光するファイバと、
を備え、前記パルス光源が電子的手段によって時間領域でスペクトル的にチャープされる結合物。 - 1kHzから10MHz未満までの範囲の可変繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、
正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記パルス光源の出力を受光するファイバと、
を備える結合物。 - 1kHzから10MHz未満までの範囲の可変繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、
正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記パルス光源の出力を受光するファイバと、
を備え、前記ファイバが前記パルスを増幅する結合物。 - 1kHzから10MHz未満までの範囲の可変繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、
正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもち、前記パルス光源の出力を受光するファイバと、
を備え、前記ファイバが2重パス構成に配置される結合物。 - 前記ファイバは、マルチモードファイバである請求項1に記載の結合物。
- 前記マルチモードファイバは、シングルモード動作である請求項1に記載の結合物。
- パルスエネルギは、500nJ以上である請求項1に記載の結合物。
- 前記2−ステージ圧縮器は、正のGVDと自己位相変調とをもつ第2ファイバを備える請求項3に記載の結合物。
- 前記光源は、レーザダイオードを含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記光源は、内部変調される請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記光源は、外部変調される請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記パルスは、1〜100psの範囲である請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを受光する第1圧縮器を更に備える請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記光源は、更なる増幅を受け、前記パルスは、パルス圧縮なしでのチャープパルス増幅を受ける請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記増幅器は、ファイバ増幅器である請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記レーザダイオードは、利得スイッチレーザダイオードである請求項13に記載の結合物。
- 前記圧縮器は、前記パルスを受光する分散シフトファイバを備える請求項17に記載の結合物。
- 前記増幅器は、エルビウムファイバ増幅器である請求項1に記載の結合物。
- 前記正のGVDをもつファイバは、約20mの長さをもつ請求項1に記載の結合物。
- チャープファイバ格子を備え、正のGVDをもつ前記ファイバの出力を受光する第2圧縮器を更に備える請求項1、2、4〜6のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記チャープファイバ格子は、スペクトルフィルタとして機能するべく形成される請求項24に記載の結合物。
- 正のGVDをもつ前記ファイバからのパルス出力からペデスタルを除去する手段を更に備える請求項1に記載の結合物。
- 前記光源は、cwレーザダイオードを備え、前記変調器は、前記cwレーザダイオードの出力端に配置される請求項2〜4のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記変調器と縦につないで配置される第2変調器更に備える請求項2〜4のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記cwレーザダイオードの出力は、ゲートで制御される請求項27に記載の結合物。
- 前記変調器は、電子吸収変調器である請求項2〜4のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記増幅器は、イットリビウムドープファイバ増幅器である請求項2〜4のいずれか1項に記載の結合物。
- 正のGVDをもつ前記ファイバは、約200mの長さをもつ請求項2に記載の結合物。
- 正のGVDをもつ前記ファイバの出力を受光する第2圧縮器を更に備える請求項1〜2及び4〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記第2圧縮器は、サーキュレータを備え、該サーキュレータの出力端は、正のGVDと自己位相変調をもつ第2ファイバを備える請求項33に記載の結合物。
- 前記サーキュレータは、減衰器を備え、
それによって出力パルスは更なる増幅のために伸張される請求項34に記載の結合物。 - 前記2―ステージ圧縮器は、4−ポートサーキュレータと二つのファイバ格子とを備える請求項3に記載の結合物。
- 前記増幅器と、
正のGVD及び自己位相変調をもつ前記ファイバとは、2重パスされる請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。 - 前記ダイオードからのパルス出力形状は、放物線パルス増幅器での増幅にとって十分放物線である請求項5に記載の結合物。
- 前記第2増幅器は、放物線パルス増幅器として動作する請求項4に記載の結合物。
- 前記結合物の出力の波長を変えるために変換結晶を更に備える請求項39に記載の結合物。
- 請求項40に記載の結合物を含むシステムであって、該システムは、物体の表面の欠陥を検出するUVスペクトルで動作する。
- 前記結合物で発生される出力は、前記欠陥に位置したときにそれによって前記欠陥を修復するパルス或いはパルス列を作るように準備される請求項41に記載のシステム。
- パルス光源は、マイクロチップレーザを備える請求項6〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記マイクロチップは、1psより大きなパルスを出力する請求項43に記載の結合物。
- ラマン発生が制限される請求項1〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記ファイバは、自己位相変調のためにシングルモード動作するマルチモードファイバであり、パルスエネルギは、500nJより大きい請求項4及び6〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記マイクロチップレーザは、50ps〜10nsの範囲で出力する請求項43に記載の結合物。
- 前記ファイバは、約50の圧縮率のために約2メートルの長さをもつシングルモードファイバである請求項6に記載の結合物。
- 前記ファイバは、コアの無いエンドキャップを備え、
それによってモードが前記ファイバの表面の前で広げられる請求項46に記載の結合物。 - 大きなモードフィールド径をもつ増幅器を更に備える請求項4及び6〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記増幅器は、マルチモードファイバと穴のあるファイバ増幅器の一方である請求項4及び6〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- パルスエネルギは1μJより大きく、前記ファイバはマルチモードファイバであり、前記パルスは伸張される請求項4及び6〜8のいずれか1項に記載の結合物。
- 前記マイクロチップレーザは、0.5μJ出力する請求項43に記載の結合物。
- 前記マイクロチップレーザは、6kHzで240psのパルスを出力する請求項53に記載の結合物。
- 前記ファイバは、マルチモード増幅器ファイバである請求項7に記載の結合物。
- 前記ファイバは、17μmのモードフィールド径をもつシングルモードを増幅する請求項55に記載の結合物。
- 前記二重パス配置は、非―PMファイバにとって単一偏光動作を維持する請求項8に記載の結合物。
- 50ps〜10nsの範囲のパルスを出力するマイクロチップレーザと、
前記マイクロチップレーザの出力を受光する正の群速度分散(GVD)と自己位相変調をもつファイバと、
正のGVDをもつ前記ファイバからの出力を受光する圧縮器と、
前記圧縮器の出力でポンプされる利得スイッチレーザと、
を備えるシステム。 - 前記利得スイッチレーザの出力は、10ps未満である請求項58に記載のシステム。
- マイクロチップレーザと、
前記マイクロチップレーザの出力を受光し、且つ10ps未満のパルスを出力する正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもつファイバと、
正のGVDをもつ前記ファイバからの出力を受光する圧縮器と、
前記圧縮器の出力でポンプされる利得スイッチレーザと、
を備えるシステム。 - 150psより大きなパルスを出力するマイクロチップレーザと、
前記マイクロチップレーザの出力を受光する正の群速度分散(GVD)と自己位相変調とをもつファイバと、
正のGVDをもつ前記ファイバからの出力を受光する圧縮器と、
前記圧縮器の出力でポンプされる利得スイッチレーザと、
を備え、前記ファイバはシングルモード動作するシステム。 - 光源をもち、1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力するパルス光源と、
前記光源の出力を受光する正の群速度分散(GVD)ファイバと、
を備え、前記ファイバは、該ファイバの自己位相変調でスペクトル発生(generation)を起こすシステム。 - 前記光源は、外部変調と内部変調の一方である請求項62に記載のシステム。
- 前記正のGVDファイバは、マルチモードファイバである請求項62に記載のシステム。
- 前記マルチモードファイバは、シングルモード動作である請求項64に記載のシステム。
- 前記正のGVDファイバは、約20メートル、或いは約200メートルの長さをもつ請求項62に記載のシステム。
- 前記正のGVDファイバからのパルス出力からペデスタルを除去するための手段を更に備える請求項62に記載のシステム。
- 前記パルスは、1〜100psの範囲である請求項62に記載のシステム。
- 前記パルス光源の出力は増幅され、前記パルスはパルス圧縮なしでのチャープパルス増幅を受ける請求項62に記載のシステム。
- パルスエネルギは、500nJより大きい請求項62に記載のシステム。
- 前記システムの出力の波長を変えるために変換結晶を更に備える請求項62に記載のシステム。
- 前記システムは、UVスペクトルで動作する請求項62に記載のシステム。
- ラマン発生が制限される請求項62に記載のシステム。
- 前記ファイバは、約50の圧縮率のために約2メートルの長さをもつシングルモードファイバである請求項62に記載のシステム。
- 前記ファイバは、コアなしのエンドキャップを備え、
それによって、モードが前記ファイバの表面前で広げられる請求項62に記載のシステム。 - パルスエネルギは1μJより大きく、前記ファイバはマルチモードファイバであり、前記パルスは伸張される請求項62に記載のシステム。
- 前記ファイバはマルチモードファイバであり、モードフィールド径17μmのシングルモードを増幅する請求項62に記載のシステム。
- 前記光源は、cwレーザダイオード、レーザダイオード、利得スイッチレーザダイオード、マイクロチップレーザ、Qスイッチマイクロチップレーザ、の一つである請求項62に記載のシステム。
- 前記マイクロチップレーザは、1psより大きなパルスを出力する請求項78に記載のシステム。
- 前記マイクロチップレーザは、50ps〜10nsの範囲のパルスを出力する請求項78に記載のシステム。
- 前記マイクロチップレーザは、0.5μJのパルスを出力する請求項78に記載のシステム。
- 前記マイクロチップレーザは、6kHzで240psのパルスを出力する請求項78に記載のシステム。
- 前記パルス光源は、前記光源の出力を受光する変調器を備える請求項62に記載のシステム。
- 前記システムは、前記第1変調器に縦につないで配置された第2変調器を更に備える請求項83に記載のシステム。
- 前記変調器は、電子吸収変調器である請求項83に記載のシステム。
- 前記光源は、cwレーザダイオードである請求項83に記載のシステム。
- 前記cwレーザダイオードは、ゲートで制御される請求項86に記載のシステム。
- 前記パルス光源は、前記光源の出力を受光する第1圧縮器を備える請求項62に記載のシステム。
- 前記第1圧縮器は、分散シフトファイバを備える請求項88に記載のシステム。
- 前記システムは、前記パルス光源の出力を受光する第1増幅器を更に備え、前記正のGVDファイバは、該増幅器の出力を受光する請求項62に記載のシステム。
- 前記第1増幅器は、イットリビウムドープファイバとエルビウムドープファイバの一方を備える請求項90に記載のシステム。
- 前記増幅器と前記正のGVDファイバとは、二重パスされる請求項90に記載のシステム。
- 前記二重パス配置は、非−PMファイバに対して単一偏光動作を維持する請求項92に記載のシステム。
- 前記増幅器は、大きなモードフィールド径をもつ請求項90に記載のシステム。
- 前記増幅器は、マルチモードファイバ及び穴のある増幅器の一方である請求項90に記載のシステム。
- 前記システムは、前記正のGVDファイバの出力を受光するべく配置された第2増幅器を更に備える請求項62に記載のシステム。
- 前記第2増幅器は、イットリビウムドープファイバを備える請求項96に記載のシステム。
- 前記第2増幅器は、放物線パルス増幅器として動作する請求項96に記載のシステム。
- 前記システムは、前記ファイバの出力を受光するべく配置された第2圧縮器を更に備える請求項62に記載のシステム。
- 前記システムは、前記第2増幅器の出力を受光するべく配置された第2圧縮器更に備える請求項96に記載のシステム。
- 前記第2圧縮器は、
(1) サーキュレータ、
(2) 減衰器、それによって出力パルスが更なる増幅のために伸張される、
(3) 4ポートサーキュレータと二つのファイバ格子、前記第2圧縮器が2−ステージ圧縮器である、
(4) 格子、
(5) スペクトルフィルタ、
の一つを含む請求項99或いは100のいずれか1項に記載のシステム。 - 前記格子は、チャープファイバ格子である請求項101に記載のシステム。
- 前記チャープファイバ格子は、スペクトルフィルタとして機能する請求項102に記載のシステム。
- 前記サーキュレータの出力端は、自己位相変調をもつ第2の正のGVDファイバを備える請求項101に記載のシステム。
- 前記格子は、調整可能な分散をもつ圧縮格子である請求項101に記載のシステム。
- 前記格子の反射率は、波長の関数として可変である請求項101に記載のシステム。
- 前記格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の応力の関数として調整可能である請求項101に記載のシステム。
- 前記格子は、ファイバ格子であり、チャープが該ファイバ格子の温度の関数として調整可能である請求項101に記載のシステム。
- 前記格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の応力の関数として調整可能である請求項101に記載のシステム。
- 前記格子は、波長の関数としてパルス振幅を変える請求項101に記載のシステム。
- 光源を有し、
パルスを出力するパルス光源と、
前記光源の出力を受光する正の群速度分散(GVD)ファイバと、
前記正のGVDファイバの出力を受光する第2増幅器と、
を備え、前記ファイバは該ファイバの自己位相変調でスペクトル発生(generation)を起こし、前記第2増幅器は放物線増幅器であるシステム。 - 前記光源は、外部変調されるものと内部変調されるものの一方である。
- 前記正のGVDファイバは、マルチモードファイバである請求項111に記載のシステム。
- 前記マルチモードファイバは、シングルモード動作である請求項113に記載のシステム。
- 前記正のGVDファイバは、約20メートル、或いは約200メートルの長さをもつ請求項111に記載のシステム。
- 前記正のGVDファイバからの出力からペデスタルを除去するための手段を更に備える請求項111に記載のシステム。
- 前記パルスは、1〜100psの範囲である請求項111に記載のシステム。
- 前記パルス光源の出力は増幅され、前記パルスはパルス圧縮なしでのチャープパルス増幅を受ける請求項111に記載のシステム。
- パルスエネルギは、500nJより大きい請求項111に記載のシステム。
- 前記システムの出力の波長を変えるために変換結晶を更に備える請求項111に記載のシステム。
- 前記システムは、UVスペクトルで動作する請求項111に記載のシステム。
- ラマン発生は制限される請求項111に記載のシステム。
- 前記ファイバは、約50の圧縮率のために約2メートルの長さをもつシングルモードファイバである請求項111に記載のシステム。
- 前記ファイバは、コアなしのエンドキャップを備え、
それによって、モードが前記ファイバの表面前で広げられる請求項111に記載のシステム。 - パルスエネルギは1μJより大きく、前記ファイバはマルチモードファイバであり、前記パルスは伸張される請求項111に記載のシステム。
- 前記ファイバはマルチモードファイバであり、モードフィールド径17μmのシングルモードを増幅する請求項111に記載のシステム。
- 前記システムの出力周波数は、100MHzの桁である請求項111に記載のシステム。
- 前記パルス光源は、1kHzから10MHz未満までの範囲の繰り返し周波数で約10ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力する請求項111に記載のシステム。
- 前記光源は、cwレーザダイオード、レーザダイオード、利得スイッチレーザダイオード、マイクロチップレーザ、Qスイッチマイクロチップレーザ、の一つである請求項111に記載のシステム。
- 前記マイクロチップレーザは、1psより大きなパルスを出力する請求項129に記載のシステム。
- 前記マイクロチップレーザは、50ps〜10nsの範囲のパルスを出力する請求項129に記載のシステム。
- 前記マイクロチップレーザは、0.5μJのパルスを出力する請求項129に記載のシステム。
- 前記マイクロチップレーザは、6kHzで240psのパルスを出力する請求項129に記載のシステム。
- 前記パルス光源は、前記光源の出力を受光する変調器を備える請求項111に記載のシステム。
- 前記システムは、前記第1変調器に縦につないで配置された第2変調器を更に備える請求項134に記載のシステム。
- 前記変調器は、電子吸収変調器である請求項134に記載のシステム。
- 前記光源は、cwレーザダイオードである請求項134に記載のシステム。
- 前記cwレーザダイオードはゲートで制御される請求項137に記載のシステム。
- 前記パルス光源は、前記光源の出力を受光する第1圧縮器を備える請求項111に記載のシステム。
- 前記第1圧縮器は、分散シフトファイバを備える請求項139に記載のシステム。
- 前記システムは、前記パルス光源の出力を受光する第1増幅器を更に備え、
前記正のGVDファイバは前記増幅器の出力を受光する請求項111に記載のシステム。 - 前記第1増幅器は、イットリビウムドープファイバとエルビウムドープファイバの一方を備える請求項141に記載のシステム。
- 前記増幅器と前記正のGVDファイバとは、二重パスされる請求項141に記載のシステム。
- 前記二重パス配置は、非−PMファイバに対して単一偏光動作を保持する請求項143に記載のシステム。
- 前記増幅器は、大きなモードフィールド径をもつ請求項141に記載のシステム。
- 前記増幅器は、マルチモードファイバと穴のある増幅器の一方である請求項141に記載のシステム。
- 前記第2増幅器は、イットリビウムドープファイバを備える請求項111に記載のシステム。
- 前記システムは、前記ファイバの出力を受光するべく配置された第2圧縮器を更に備える請求項111に記載のシステム。
- 前記システムは、前記第2増幅器の出力を受光するべく配置された第2圧縮器を更に備える請求項111に記載のシステム。
- 前記第2圧縮器は、
(6) サーキュレータ、
(7) 減衰器、それによって出力パルスが更なる増幅のために伸張される、
(8) 4ポートサーキュレータと二つのファイバ格子、前記第2圧縮器が2−ステージ圧縮器である、
(9) 格子、
(10)スペクトルフィルタ、
の一つを含む請求項148或いは149のいずれか1項に記載のシステム。 - 前記格子は、チャープファイバ格子である請求項150に記載のシステム。
- 前記チャープファイバ格子は、スペクトルフィルタとして機能する請求項151に記載のシステム。
- 前記サーキュレータの出力端は、自己位相変調をもつ第2の正のGVDファイバを備える請求項150に記載のシステム。
- 前記格子は、調整可能な分散をもつ圧縮格子である請求項150に記載のシステム。
- 前記格子の反射率は、波長の関数として可変である請求項150に記載のシステム。
- 前記格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の応力の関数として調整可能である請求項150に記載のシステム。
- 前記格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の温度の関数として調整可能である請求項150に記載のシステム。
- 前記格子は、ファイバ格子であり、チャープが前記ファイバ格子の応力の関数として調整可能である請求項150に記載のシステム。
- 前記格子は、波長の関数としてパルス振幅を変える請求項150に記載のシステム。
- 前記パルス光源は、約4ns未満、或いはそれに等しいパルスを出力する請求項1〜8、62、或いは111のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記パルス光源は、約1ns未満、或いはそれに等しい、パルスを出力する請求項1〜8、62、或いは111のいずれか1項に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/437,057 US7330301B2 (en) | 2003-05-14 | 2003-05-14 | Inexpensive variable rep-rate source for high-energy, ultrafast lasers |
US10/437,057 | 2003-05-14 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006532507A Division JP5449648B2 (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-14 | 高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周期可変光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013156650A true JP2013156650A (ja) | 2013-08-15 |
JP2013156650A5 JP2013156650A5 (ja) | 2014-10-23 |
Family
ID=33449722
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006532507A Expired - Lifetime JP5449648B2 (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-14 | 高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周期可変光源 |
JP2013072187A Pending JP2013156650A (ja) | 2003-05-14 | 2013-03-29 | 高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周波数可変光源 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006532507A Expired - Lifetime JP5449648B2 (ja) | 2003-05-14 | 2004-05-14 | 高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周期可変光源 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US7330301B2 (ja) |
EP (4) | EP1627252B1 (ja) |
JP (2) | JP5449648B2 (ja) |
DK (1) | DK2549598T3 (ja) |
WO (1) | WO2004104676A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015122375A3 (ja) * | 2014-02-13 | 2015-10-15 | スペクトロニクス株式会社 | レーザ光源装置及びレーザパルス光生成方法 |
WO2015122374A3 (ja) * | 2014-02-13 | 2015-10-15 | スペクトロニクス株式会社 | レーザ光源装置及びレーザパルス光生成方法 |
Families Citing this family (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7394591B2 (en) | 2000-05-23 | 2008-07-01 | Imra America, Inc. | Utilization of Yb: and Nd: mode-locked oscillators in solid-state short pulse laser systems |
US7450618B2 (en) | 2001-01-30 | 2008-11-11 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Laser system using ultrashort laser pulses |
US8208505B2 (en) | 2001-01-30 | 2012-06-26 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser system employing harmonic generation |
WO2002061799A2 (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Control system and apparatus for use with laser excitation or ionization |
US7973936B2 (en) | 2001-01-30 | 2011-07-05 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Control system and apparatus for use with ultra-fast laser |
US7583710B2 (en) | 2001-01-30 | 2009-09-01 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Laser and environmental monitoring system |
US7609731B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-10-27 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Laser system using ultra-short laser pulses |
US7567596B2 (en) | 2001-01-30 | 2009-07-28 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Control system and apparatus for use with ultra-fast laser |
US7259906B1 (en) | 2002-09-03 | 2007-08-21 | Cheetah Omni, Llc | System and method for voice control of medical devices |
US7256930B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-08-14 | Jian Liu | High power pulse shaping fiber laser for high data rate free space telecommunication systems |
US7330301B2 (en) | 2003-05-14 | 2008-02-12 | Imra America, Inc. | Inexpensive variable rep-rate source for high-energy, ultrafast lasers |
US7113327B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-09-26 | Imra America, Inc. | High power fiber chirped pulse amplification system utilizing telecom-type components |
US7711013B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-05-04 | Imra America, Inc. | Modular fiber-based chirped pulse amplification system |
US7508853B2 (en) | 2004-12-07 | 2009-03-24 | Imra, America, Inc. | Yb: and Nd: mode-locked oscillators and fiber systems incorporated in solid-state short pulse laser systems |
US20060268393A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-11-30 | Omni Sciences, Inc. | System and method for generating supercontinuum light |
WO2006078963A2 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Omni Sciences, Inc. | Method and system for generating mid-infrared light |
EP1851532A1 (en) | 2005-02-14 | 2007-11-07 | Board of Trustees of Michigan State University | Ultra-fast laser system |
US20070065159A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-22 | Kuksenkov Dmitri V | All-optical 2R regenerator for multi-channel communication |
US7519253B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-04-14 | Omni Sciences, Inc. | Broadband or mid-infrared fiber light sources |
WO2007064703A2 (en) | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser based identification of molecular characteristics |
JP4913396B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2012-04-11 | 古河電気工業株式会社 | 極短パルス光源 |
GB2434483A (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-25 | Fianium Ltd | High-Power Short Optical Pulse Source |
US9018562B2 (en) | 2006-04-10 | 2015-04-28 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser material processing system |
GB0618021D0 (en) * | 2006-09-11 | 2006-10-18 | Qinetiq Ltd | Optical clock |
WO2008091898A1 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-31 | Imra America, Inc. | Ultrashort laser micro-texture printing |
JP5248804B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2013-07-31 | オリンパス株式会社 | 超短光パルスの光ファイバ伝送装置、およびこれを有する光学システム |
US8154793B2 (en) * | 2007-05-25 | 2012-04-10 | Cornell University | Nonlinear chirped pulse fiber amplifier with pulse compression |
FR2917544A1 (fr) * | 2007-06-15 | 2008-12-19 | Amplitude Systemes Sa | Source d'impulsions lumineuses ultrabreves de forte energie |
JP5400282B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2014-01-29 | 古河電気工業株式会社 | パルス増幅器及びこれを用いたパルス光源 |
WO2009021312A1 (en) * | 2007-08-13 | 2009-02-19 | Institut National D'optique | Low-average-power parabolic pulse amplification |
US7773294B2 (en) * | 2007-08-13 | 2010-08-10 | Institut National D'optique | Low-average-power parabolic pulse amplification |
WO2009070913A1 (fr) * | 2007-11-29 | 2009-06-11 | National Center For Nanoscience And Technology, China | Procédé et système de mesure spr |
US8311069B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-11-13 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Direct ultrashort laser system |
FR2926406B1 (fr) * | 2008-01-16 | 2010-01-15 | Amplitude Systemes | Amplificateur a fibre a derive de frequence a compensation non lineaire |
US7817683B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-10-19 | Nufern | Pulsed linearly polarized optical fiber laser using unpolarized Q-switched seed laser and having good output power stability |
JP4834718B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | パルスレーザ装置、テラヘルツ発生装置、テラヘルツ計測装置及びテラヘルツトモグラフィー装置 |
WO2009112811A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | Qinetiq Limited | Optical clock |
JP5826027B2 (ja) | 2008-03-21 | 2015-12-02 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | レーザベースの材料加工方法及びシステム |
US8165441B2 (en) | 2008-03-26 | 2012-04-24 | Imra America, Inc. | Ultra small core fiber with dispersion tailoring |
US20090246530A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Imra America, Inc. | Method For Fabricating Thin Films |
US20090246413A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Imra America, Inc. | Method for fabricating thin films |
US8675699B2 (en) | 2009-01-23 | 2014-03-18 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser pulse synthesis system |
US8246714B2 (en) * | 2009-01-30 | 2012-08-21 | Imra America, Inc. | Production of metal and metal-alloy nanoparticles with high repetition rate ultrafast pulsed laser ablation in liquids |
US8861075B2 (en) | 2009-03-05 | 2014-10-14 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser amplification system |
US8275263B1 (en) * | 2009-06-26 | 2012-09-25 | The Boeing Company | Multiplication of phase deviations |
KR101031087B1 (ko) * | 2009-07-23 | 2011-04-25 | 주식회사 와이텔포토닉스 | 파장변환 레이저 시스템 |
WO2011084863A2 (en) | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Cheetah Omni, Llc | Fiber lasers and mid-infrared light sources in methods and systems for selective biological tissue processing and spectroscopy |
US20110192450A1 (en) * | 2010-02-10 | 2011-08-11 | Bing Liu | Method for producing nanoparticle solutions based on pulsed laser ablation for fabrication of thin film solar cells |
US8858676B2 (en) * | 2010-02-10 | 2014-10-14 | Imra America, Inc. | Nanoparticle production in liquid with multiple-pulse ultrafast laser ablation |
US8540173B2 (en) * | 2010-02-10 | 2013-09-24 | Imra America, Inc. | Production of fine particles of functional ceramic by using pulsed laser |
US20110206071A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Michael Karavitis | Compact High Power Femtosecond Laser with Adjustable Repetition Rate |
US8953651B2 (en) | 2010-02-24 | 2015-02-10 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with repetition rate adjustable according to scanning speed |
US9054479B2 (en) * | 2010-02-24 | 2015-06-09 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with adjustable repetition rate |
US8279901B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-10-02 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with adjustable repetition rate and simplified structure |
US8630322B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-01-14 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser system for output manipulation |
KR20130059337A (ko) | 2010-03-30 | 2013-06-05 | 아이엠알에이 아메리카, 인코포레이티드. | 레이저 기반 재료 가공 장치 및 방법들 |
DE202010017367U1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-11-15 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Lasersystem mit nichtlinearer Kompression |
DE202010018625U1 (de) * | 2010-06-15 | 2019-01-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Lasersystem mit spektraler Filterung |
CA2862611C (en) | 2011-02-24 | 2020-11-03 | Eximo Medical Ltd. | Hybrid catheter for tissue resection |
US8750720B2 (en) * | 2011-03-01 | 2014-06-10 | The Aerospace Corporation | Photonic impulse generator |
JP5824825B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-12-02 | 株式会社ニデック | 超短パルスレーザ加工装置 |
US8411354B2 (en) * | 2011-08-05 | 2013-04-02 | Coherent, Inc. | Carrier-envelope-phase stabilization of a master oscillator optical amplifier system |
US8804233B2 (en) * | 2011-08-09 | 2014-08-12 | Ofs Fitel, Llc | Fiber assembly for all-fiber delivery of high energy femtosecond pulses |
WO2013040041A2 (en) * | 2011-09-12 | 2013-03-21 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Directly driven source of multi-gigahertz, sub-picosecond optical pulses |
EP2756562A4 (en) * | 2011-09-14 | 2015-06-17 | Fianium Inc | METHODS AND APPARATUS FOR PICOSECOND IMPULSE FIBER LASERS |
JP5818084B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2015-11-18 | アイシン精機株式会社 | テラヘルツ波発生検出装置、およびフェムト秒レーザ発生装置 |
US8908739B2 (en) * | 2011-12-23 | 2014-12-09 | Alcon Lensx, Inc. | Transverse adjustable laser beam restrictor |
JP2013138055A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査修正装置、検査修正方法およびファイバレーザ |
FR2989475B1 (fr) * | 2012-04-12 | 2014-12-05 | Amplitude Systemes | Systeme et procede d'amplification optique d'impulsions lumineuses ultra-breves au-dela de la limite de la bande spectrale de gain |
US8964798B2 (en) | 2012-07-12 | 2015-02-24 | Kla-Tencor Corporation | Reducing the spectral bandwidth of lasers |
WO2014062759A2 (en) | 2012-10-16 | 2014-04-24 | Imra America, Inc. | Compact ultra-short pulse source amplifiers |
WO2014105521A1 (en) | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Omni Medsci, Inc. | Short-wave infrared super-continuum lasers for early detection of dental caries |
WO2014105520A1 (en) | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Omni Medsci, Inc. | Near-infrared lasers for non-invasive monitoring of glucose, ketones, hba1c, and other blood constituents |
US10660526B2 (en) | 2012-12-31 | 2020-05-26 | Omni Medsci, Inc. | Near-infrared time-of-flight imaging using laser diodes with Bragg reflectors |
WO2014143276A2 (en) | 2012-12-31 | 2014-09-18 | Omni Medsci, Inc. | Short-wave infrared super-continuum lasers for natural gas leak detection, exploration, and other active remote sensing applications |
US9993159B2 (en) | 2012-12-31 | 2018-06-12 | Omni Medsci, Inc. | Near-infrared super-continuum lasers for early detection of breast and other cancers |
US9500634B2 (en) | 2012-12-31 | 2016-11-22 | Omni Medsci, Inc. | Short-wave infrared super-continuum lasers for natural gas leak detection, exploration, and other active remote sensing applications |
US9048632B1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-06-02 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Ultrafast laser apparatus |
WO2014162209A2 (en) * | 2013-04-02 | 2014-10-09 | Eolite Systems | Apparatus and method for generating ultrashort laser pulses |
US9706631B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Modulated method for efficient, narrow-bandwidth, laser Compton X-ray and gamma-ray sources |
US9601899B2 (en) * | 2014-01-07 | 2017-03-21 | Thorlabs, Inc. | Adjustable mid-infrared super-continuum generator using a tunable femtosecond oscillator |
KR102179410B1 (ko) | 2014-05-08 | 2020-11-16 | 로렌스 리버모어 내쇼날 시큐리티, 엘엘시 | 레이저-콤프턴 엑스-레이 및 레이저-콤프턴 감마-레이 소스로써 초저 조사량으로 피드백 이미징하는 방법 |
JP6538721B2 (ja) | 2014-05-08 | 2019-07-03 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー, エルエルシー | レーザー・コンプトンx線源を用いた二色放射線撮影の方法 |
EP3552571A3 (en) | 2014-05-18 | 2019-11-27 | Eximo Medical Ltd. | System for tissue ablation using pulsed laser |
TWI585033B (zh) * | 2015-02-13 | 2017-06-01 | 京華堂實業股份有限公司 | 奈米粒子製造系統 |
US11466316B2 (en) | 2015-05-20 | 2022-10-11 | Quantum-Si Incorporated | Pulsed laser and bioanalytic system |
US10246742B2 (en) | 2015-05-20 | 2019-04-02 | Quantum-Si Incorporated | Pulsed laser and bioanalytic system |
US10605730B2 (en) | 2015-05-20 | 2020-03-31 | Quantum-Si Incorporated | Optical sources for fluorescent lifetime analysis |
US11684420B2 (en) | 2016-05-05 | 2023-06-27 | Eximo Medical Ltd. | Apparatus and methods for resecting and/or ablating an undesired tissue |
CN106058621A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-10-26 | 上海理工大学 | 可调皮秒激光器 |
AU2017375481A1 (en) * | 2016-12-16 | 2019-06-20 | Quantum-Si Incorporated | Compact mode-locked laser module |
CA3047108A1 (en) | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Quantum-Si Incorporated | Compact beam shaping and steering assembly |
US10833469B2 (en) * | 2017-10-13 | 2020-11-10 | Washington University | Photonic molecule laser |
CN112424587A (zh) | 2018-06-15 | 2021-02-26 | 宽腾矽公司 | 用于具有脉冲光源的先进分析仪器的数据采集控制 |
DE102018221363A1 (de) * | 2018-12-10 | 2020-06-10 | Trumpf Laser Gmbh | Lasersystem und Verfahren zum Betreiben eines solchen Lasersystems |
CN114303082A (zh) | 2019-06-14 | 2022-04-08 | 宽腾矽公司 | 具有提升的波束校准灵敏度的分割光栅耦合器 |
EP4162570A4 (en) * | 2020-06-09 | 2024-07-17 | Inst Nat Rech Scient | ULTRA-FAST LASER SOURCES AND METHOD |
FR3119901A1 (fr) | 2021-02-12 | 2022-08-19 | Irisiome | Système et procédé de génération d’impulsion lumineuse de durée sub-picoseconde, ajustable en durée et/ou en fréquence de répétition |
IT202200000167A1 (it) * | 2022-01-07 | 2023-07-07 | Bright Solutions S R L | Dispositivo per la compressione di impulsi laser dell'ordine del nanosecondo e conseguente generazione di impulsi ultracorti dell'ordine di cento femtosecondi |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4896326A (en) * | 1988-02-03 | 1990-01-23 | Spectra-Physics, Inc. | Peak power fluctuations in optical pulse compression |
US5818630A (en) * | 1997-06-25 | 1998-10-06 | Imra America, Inc. | Single-mode amplifiers and compressors based on multi-mode fibers |
JPH10268369A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Imra America Inc | 光パルス増幅装置、チャープパルス増幅装置およびパラメトリック・チャープパルス増幅装置 |
JP2002118315A (ja) * | 2000-05-23 | 2002-04-19 | Imra America Inc | モジュール式、高エネルギ、広波長可変性、超高速、ファイバ光源 |
JP2002280324A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Sony Corp | レーザ装置 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4635263A (en) * | 1983-07-29 | 1987-01-06 | At&T Bell Laboratories | Soliton laser |
US4750809A (en) * | 1985-05-01 | 1988-06-14 | Spectra-Physics, Inc. | Pulse compression |
US4646308A (en) * | 1985-09-30 | 1987-02-24 | Spectra-Physics, Inc. | Synchronously pumped dye laser using ultrashort pump pulses |
US4913520A (en) * | 1988-10-25 | 1990-04-03 | Spectra Physics | Optical fiber for pulse compression |
US5553088A (en) * | 1993-07-02 | 1996-09-03 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft- Und Raumfahrt E.V. | Laser amplifying system |
US5461637A (en) | 1994-03-16 | 1995-10-24 | Micracor, Inc. | High brightness, vertical cavity semiconductor lasers |
US5400350A (en) * | 1994-03-31 | 1995-03-21 | Imra America, Inc. | Method and apparatus for generating high energy ultrashort pulses |
US5633885A (en) | 1994-09-29 | 1997-05-27 | Imra America, Inc. | Frequency chirp control and compensation for obtaining broad bandwidth ultrashort optical pulses from wavelength-tunable lasers |
US5567853A (en) * | 1995-02-17 | 1996-10-22 | Arco Chemical Technology, L.P. | Purification of acetone |
US5541947A (en) * | 1995-05-10 | 1996-07-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Selectively triggered, high contrast laser |
US6150630A (en) * | 1996-01-11 | 2000-11-21 | The Regents Of The University Of California | Laser machining of explosives |
US5778015A (en) * | 1996-05-16 | 1998-07-07 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical Pulse source |
US5745284A (en) * | 1996-02-23 | 1998-04-28 | President And Fellows Of Harvard College | Solid-state laser source of tunable narrow-bandwidth ultraviolet radiation |
US5956171A (en) * | 1996-07-31 | 1999-09-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electro-optic modulator and method |
US5880877A (en) * | 1997-01-28 | 1999-03-09 | Imra America, Inc. | Apparatus and method for the generation of high-power femtosecond pulses from a fiber amplifier |
US6249630B1 (en) * | 1996-12-13 | 2001-06-19 | Imra America, Inc. | Apparatus and method for delivery of dispersion-compensated ultrashort optical pulses with high peak power |
US6208458B1 (en) * | 1997-03-21 | 2001-03-27 | Imra America, Inc. | Quasi-phase-matched parametric chirped pulse amplification systems |
CN1299540A (zh) * | 1998-05-01 | 2001-06-13 | 康宁股份有限公司 | 具有分布式放大的色散控制光学波导和系统 |
US6421573B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-07-16 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Quasi-continuous wave lithography apparatus and method |
US6373565B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-04-16 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Method and apparatus to detect a flaw in a surface of an article |
JP4653867B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2011-03-16 | エーユー オプトロニクス コーポレイション | 電子部品の欠陥修復方法 |
AU6875200A (en) * | 1999-09-10 | 2001-04-17 | Nikon Corporation | Exposure device with laser device |
US6400495B1 (en) * | 2000-02-15 | 2002-06-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Laser system including passively Q-switched laser and gain-switched laser |
WO2002076666A2 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Xsil Technology Limited | A laser machining system and method |
GB2385460B (en) * | 2002-02-18 | 2004-04-14 | Univ Southampton | "Pulsed light sources" |
US6760356B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-07-06 | The Regents Of The University Of California | Application of Yb:YAG short pulse laser system |
US7330301B2 (en) * | 2003-05-14 | 2008-02-12 | Imra America, Inc. | Inexpensive variable rep-rate source for high-energy, ultrafast lasers |
US7113327B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-09-26 | Imra America, Inc. | High power fiber chirped pulse amplification system utilizing telecom-type components |
US6990270B2 (en) * | 2004-02-11 | 2006-01-24 | Fitel U.S.A. Corp. | Fiber amplifier for generating femtosecond pulses in single mode fiber |
KR101393298B1 (ko) | 2006-07-08 | 2014-05-12 | 삼성전자주식회사 | 적응적 부호화/복호화 방법 및 장치 |
RU2483423C1 (ru) | 2009-03-26 | 2013-05-27 | Мицубиси Электрик Корпорейшн | Контроллер для вращающейся машины переменного тока |
-
2003
- 2003-05-14 US US10/437,057 patent/US7330301B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-14 EP EP04785507A patent/EP1627252B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-14 JP JP2006532507A patent/JP5449648B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-14 WO PCT/US2004/013302 patent/WO2004104676A2/en active Application Filing
- 2004-05-14 DK DK12177514.2T patent/DK2549598T3/en active
- 2004-05-14 EP EP12177514.2A patent/EP2549598B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-14 EP EP16154800.3A patent/EP3070793B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-14 EP EP11176560.8A patent/EP2393170B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-12-20 US US12/003,153 patent/US7483204B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-12-19 US US12/340,020 patent/US8248690B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-26 US US13/532,835 patent/US8587864B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2012-08-07 US US13/568,182 patent/US8582201B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-03-29 JP JP2013072187A patent/JP2013156650A/ja active Pending
- 2013-10-17 US US14/056,052 patent/US9553417B2/en active Active
-
2016
- 2016-11-21 US US15/356,845 patent/US10014645B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4896326A (en) * | 1988-02-03 | 1990-01-23 | Spectra-Physics, Inc. | Peak power fluctuations in optical pulse compression |
JPH10268369A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Imra America Inc | 光パルス増幅装置、チャープパルス増幅装置およびパラメトリック・チャープパルス増幅装置 |
US5818630A (en) * | 1997-06-25 | 1998-10-06 | Imra America, Inc. | Single-mode amplifiers and compressors based on multi-mode fibers |
JP2002118315A (ja) * | 2000-05-23 | 2002-04-19 | Imra America Inc | モジュール式、高エネルギ、広波長可変性、超高速、ファイバ光源 |
JP2002280324A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Sony Corp | レーザ装置 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
ELECTRONICS LETTERS, vol. 37, no. 9, JPN6014010054, 2001, pages 558 - 560, ISSN: 0002764463 * |
ELECTRONICS LETTERS, vol. Vol.37 No.9(2001), JPN6015008667, 2001, pages 558 - 560, ISSN: 0003020961 * |
OPTICS EXPRESS, vol. 9, no. 13, JPN6015008666, 2001, pages 714 - 720, ISSN: 0003020962 * |
OPTICS LETTERS, vol. 22, no. 6, JPN6014010055, 1997, pages 381 - 383, ISSN: 0002764464 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015122375A3 (ja) * | 2014-02-13 | 2015-10-15 | スペクトロニクス株式会社 | レーザ光源装置及びレーザパルス光生成方法 |
WO2015122374A3 (ja) * | 2014-02-13 | 2015-10-15 | スペクトロニクス株式会社 | レーザ光源装置及びレーザパルス光生成方法 |
JPWO2015122374A1 (ja) * | 2014-02-13 | 2017-03-30 | スペクトロニクス株式会社 | レーザ光源装置及びレーザパルス光生成方法 |
JPWO2015122375A1 (ja) * | 2014-02-13 | 2017-03-30 | スペクトロニクス株式会社 | レーザ光源装置及びレーザパルス光生成方法 |
US9680285B2 (en) | 2014-02-13 | 2017-06-13 | Spectronix Corporation | Laser light-source apparatus and laser pulse light generating method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2549598A3 (en) | 2013-10-23 |
EP2393170A1 (en) | 2011-12-07 |
JP2007520735A (ja) | 2007-07-26 |
US7330301B2 (en) | 2008-02-12 |
WO2004104676A3 (en) | 2009-04-23 |
US8248690B2 (en) | 2012-08-21 |
US20160322771A1 (en) | 2016-11-03 |
US20080130099A1 (en) | 2008-06-05 |
US7483204B2 (en) | 2009-01-27 |
JP5449648B2 (ja) | 2014-03-19 |
EP1627252B1 (en) | 2012-06-06 |
WO2004104676A2 (en) | 2004-12-02 |
US8587864B2 (en) | 2013-11-19 |
EP2549598B1 (en) | 2016-02-10 |
EP3070793B1 (en) | 2019-11-06 |
US20120269212A1 (en) | 2012-10-25 |
US8582201B2 (en) | 2013-11-12 |
US20170077669A1 (en) | 2017-03-16 |
US20120300798A1 (en) | 2012-11-29 |
US20090097520A1 (en) | 2009-04-16 |
EP1627252A2 (en) | 2006-02-22 |
US10014645B2 (en) | 2018-07-03 |
US20040240037A1 (en) | 2004-12-02 |
DK2549598T3 (en) | 2016-05-17 |
US9553417B2 (en) | 2017-01-24 |
EP2393170B1 (en) | 2014-01-08 |
EP3070793A1 (en) | 2016-09-21 |
EP2549598A2 (en) | 2013-01-23 |
EP1627252A4 (en) | 2010-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5449648B2 (ja) | 高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周期可変光源 | |
JP5574558B2 (ja) | モジュール式、高エネルギ、広波長可変性、超高速、ファイバ光源 | |
JP4053619B2 (ja) | 高出力チャープパルス増幅装置およびコンプレッサー | |
CN113366713B (zh) | 具有啁啾脉冲放大和修整脉冲序列的超短脉冲激光源 | |
EP2827461B1 (en) | Method and laser source for generation of optically synchronized dual-wavelength ultrashort light pulses | |
US9362702B2 (en) | System and method for the optical amplification of ultrashort light pulses beyond the limit of the spectral gain band | |
WO2010008693A2 (en) | High-repetition-rate guided-mode femtosecond laser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140610 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140905 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150310 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150604 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151110 |