JP2013152983A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書で開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。 The technology disclosed in this specification relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体素子の一方の面側と他方の面側とにそれぞれリードフレームを配置し、2個のリードフレームにより半導体素子が狭持されている半導体装置が知られている。例えば、特許文献1には、2個の横型の半導体素子が2個のリードフレームにより狭持されている半導体装置が開示されている。2個の横型の半導体素子は、表面にのみ電極を備えており、それらの裏面同士が当接されている。2個のリードフレームの一方は、一方の横型の半導体素子の表面に形成された電極に当接するように配置され、2個のリードフレームの他方は、他方の横型の半導体素子の表面に形成された電極に当接するように配置されている。そして、一方のリードフレームの端子部と他方のリードフレームの端子部とが接合されることで、2個の横型の半導体素子が2個のリードフレームにより狭持されている。この状態では、一方のリードフレームが一方の横型の半導体素子の電極に押圧されて電気的に接続し、他方のリードフレームが他方の横型の半導体素子の電極に押圧されて電気的に接続している。これによって、2個の横型の半導体素子が並列に接続されている。 2. Description of the Related Art A semiconductor device is known in which a lead frame is disposed on each of one surface side and the other surface side of a semiconductor element, and the semiconductor element is held between two lead frames. For example, Patent Document 1 discloses a semiconductor device in which two horizontal semiconductor elements are sandwiched between two lead frames. The two horizontal semiconductor elements are provided with electrodes only on the front surface, and their back surfaces are in contact with each other. One of the two lead frames is disposed so as to contact an electrode formed on the surface of one horizontal semiconductor element, and the other of the two lead frames is formed on the surface of the other horizontal semiconductor element. It arrange | positions so that it may contact | abut. Then, by joining the terminal portion of one lead frame and the terminal portion of the other lead frame, two horizontal semiconductor elements are held between the two lead frames. In this state, one lead frame is pressed and electrically connected to the electrode of one horizontal semiconductor element, and the other lead frame is pressed and electrically connected to the electrode of the other horizontal semiconductor element. Yes. As a result, two horizontal semiconductor elements are connected in parallel.
縦型の半導体素子は、その表面と裏面にそれぞれ電極が形成されている。特許文献1の技術を縦型の半導体素子に適用して、1個の縦型の半導体素子を2個のリードフレームで狭持しようとすると、1個の縦型の半導体素子の表面電極と裏面電極にそれぞれリードフレームが電気的に接続され、一方のリードフレームの端子部と他方のリードフレームの端子部とが接合される。しかしながら、この場合、一方のリードフレームの端子部と他方のリードフレームの端子部とが接合されるため、半導体素子の表面電極と裏面電極とが短絡してしまう。 The vertical semiconductor element has electrodes formed on the front surface and the back surface, respectively. When the technology of Patent Document 1 is applied to a vertical semiconductor element and one vertical semiconductor element is sandwiched between two lead frames, the front electrode and the back surface of one vertical semiconductor element A lead frame is electrically connected to each electrode, and a terminal portion of one lead frame and a terminal portion of the other lead frame are joined. However, in this case, since the terminal portion of one lead frame and the terminal portion of the other lead frame are joined, the front surface electrode and the back surface electrode of the semiconductor element are short-circuited.
本明細書では、縦型の半導体素子をその表面と裏面にそれぞれ配置されたリードフレームにより狭持することができ、かつ、半導体素子の表面の電極と裏面の電極とを短絡させることなく製造することができる方法を開示する。 In the present specification, a vertical semiconductor element can be sandwiched by lead frames respectively disposed on the front surface and the back surface, and the front surface electrode and the back surface electrode of the semiconductor element are manufactured without being short-circuited. A method that can be disclosed is disclosed.
本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体素子準備工程と、第1リードフレーム準備工程と、第2リードフレーム準備工程と、配置工程と、圧接工程と、封止工程と、除去工程とを備える。半導体素子準備工程では、表面と裏面とにそれぞれ1又は複数の電極を有する縦型の半導体素子を準備する。第1リードフレーム準備工程では、半導体素子の表面に形成された1個の電極と対向する第1基部と、第1基部の外側に配置され、第1基部に連結される少なくとも1個の第1連結端子部と、第1基部と第1連結端子部の外側に設けられ、第1基部と第1連結端子部のうち少なくとも一方と連結されている第1外枠部とを有する第1リードフレームを準備する。第2リードフレーム準備工程では、半導体素子の裏面に形成された1個の電極と対向する第2基部と、第2基部の外側に配置され、第2基部に連結される少なくとも1個の第2連結端子部と、第2基部と第2連結端子部の外側に設けられ、第2基部と第2連結端子部のうち少なくとも一方と連結されている第2外枠部とを有する第2リードフレームを準備する。配置工程では、半導体素子の表面に形成された1個の電極と第1基部とが接触するように第1リードフレームを配置し、半導体素子の裏面に形成された1個の電極と第2基部とが接触するように第2リードフレームを配置する。圧接工程では、第1リードフレームの第1基部が半導体素子の表面に形成された1個の電極に押圧されると共に第2リードフレームの第2基部が半導体素子の裏面に形成された1個の電極に押圧されるように、第1リードフレームの第1外枠部と第2リードフレームの第2外枠部を互いに圧接させる。封止工程では、第1外枠部と第2外枠部とを互いに圧接させた状態で、半導体素子と、第1基部と、第2基部とを樹脂で封止する。
除去工程では、第1外枠部と第2外枠部とを除去する。配置工程では、第1連結端子部と第2連結端子部とが半導体素子の表面に対して鉛直方向において互いに重なり合わない位置に配置される。
The method for manufacturing a semiconductor device disclosed in this specification includes a semiconductor element preparation step, a first lead frame preparation step, a second lead frame preparation step, an arrangement step, a pressure contact step, a sealing step, and a removal step. With. In the semiconductor element preparation step, a vertical semiconductor element having one or more electrodes on the front surface and the back surface is prepared. In the first lead frame preparation step, a first base that faces one electrode formed on the surface of the semiconductor element, and at least one first that is disposed outside the first base and connected to the first base. A first lead frame having a connection terminal portion, a first base portion, and a first outer frame portion provided on the outside of the first connection terminal portion and connected to at least one of the first base portion and the first connection terminal portion. Prepare. In the second lead frame preparation step, at least one second base disposed on the outer side of the second base and connected to the second base is opposed to one electrode formed on the back surface of the semiconductor element. A second lead frame having a connection terminal portion, a second base portion, and a second outer frame portion provided on the outside of the second connection terminal portion and connected to at least one of the second base portion and the second connection terminal portion. Prepare. In the disposing step, the first lead frame is disposed so that one electrode formed on the surface of the semiconductor element and the first base are in contact with each other, and one electrode and the second base formed on the back surface of the semiconductor element. The second lead frame is disposed so as to be in contact with each other. In the pressure contact process, the first base portion of the first lead frame is pressed against one electrode formed on the surface of the semiconductor element, and the second base portion of the second lead frame is formed on the back surface of the semiconductor element. The first outer frame portion of the first lead frame and the second outer frame portion of the second lead frame are pressed against each other so as to be pressed by the electrodes. In the sealing step, the semiconductor element, the first base portion, and the second base portion are sealed with resin in a state where the first outer frame portion and the second outer frame portion are in pressure contact with each other.
In the removing step, the first outer frame portion and the second outer frame portion are removed. In the arranging step, the first connecting terminal portion and the second connecting terminal portion are arranged at positions that do not overlap each other in the vertical direction with respect to the surface of the semiconductor element.
上記の方法では、半導体素子に対して第1リードフレームと第2リードフレームが配置されたときに、第1端子部と第2端子部とが半導体素子の表面に対して鉛直方向において互いに重なり合わないように配置される。このため、第1リードフレームの第1外枠部と、第2リードフレームの第2外枠部とが互いに圧接されたときに、第1端子部と第2端子部は、外枠部を介して電気的に接続されるが、直接的に接触することはない。したがって、第1外枠部と第2外枠部を除去すると、第1端子部と第2端子部とが、互いに圧接されて電気的に接続することはない。したがって、半導体素子の表面の電極と裏面の電極とが短絡することを防止することができる。そのため、縦型の半導体素子をその表面と裏面にそれぞれ配置されたリードフレームにより狭持しつつ、半導体素子の表面の電極と裏面の電極とが短絡することを防止することができる。 In the above method, when the first lead frame and the second lead frame are disposed with respect to the semiconductor element, the first terminal portion and the second terminal portion overlap each other in the vertical direction with respect to the surface of the semiconductor element. Arranged not to. Therefore, when the first outer frame portion of the first lead frame and the second outer frame portion of the second lead frame are pressed against each other, the first terminal portion and the second terminal portion are interposed via the outer frame portion. Are electrically connected, but are not in direct contact. Therefore, when the first outer frame portion and the second outer frame portion are removed, the first terminal portion and the second terminal portion are not pressed and electrically connected to each other. Therefore, it is possible to prevent a short circuit between the electrode on the front surface and the electrode on the back surface of the semiconductor element. Therefore, it is possible to prevent a short circuit between the electrode on the front surface and the electrode on the back surface of the semiconductor element while holding the vertical semiconductor element with the lead frames respectively disposed on the front surface and the back surface.
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。 The main features of the embodiments described below are listed. The technical elements described below are independent technical elements and exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. Absent.
(特徴1)実施例の半導体装置の製造方法では、半導体素子の表面又は裏面に複数の電極が形成されていてもよい。また、第1リードフレームと第2リードフレームの一方は、半導体基板の表面及び裏面に形成された電極のうち、第1基部又は第2基部に押圧されない電極について、その電極と接続され、かつ、第1基部と第2基部のいずれとも連結されない非連結端子部をさらに有していてもよい。この場合、半導体素子と第1基部と第2基部とを樹脂で封止する前に、半導体素子の表面又は裏面に形成された複数の電極のうち、第1基部又は第2基部に押圧されない電極に対して、その電極とその電極に対応する非連結端子部とを配線部材で接続する接続工程をさらに有していてもよい。また、配置工程では、第1連結端子部と第2連結端子部と非連結端子部とが半導体素子の表面に対して鉛直方向において互いに重なり合わない位置に配置されていてもよい。このような方法によると、半導体素子の表面又は裏面に形成された複数の電極と、それらに対応する端子部(連結端子部又は非連結端子部)とを電気的に接続することができる。 (Feature 1) In the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment, a plurality of electrodes may be formed on the front surface or the back surface of the semiconductor element. In addition, one of the first lead frame and the second lead frame is connected to the electrode that is not pressed by the first base or the second base among the electrodes formed on the front and back surfaces of the semiconductor substrate, and You may further have the non-connecting terminal part which is not connected with any of the 1st base and the 2nd base. In this case, before sealing the semiconductor element, the first base, and the second base with resin, the electrode that is not pressed by the first base or the second base among the plurality of electrodes formed on the front surface or the back surface of the semiconductor element On the other hand, you may have further the connection process which connects the electrode and the non-connecting terminal part corresponding to the electrode with a wiring member. In the arranging step, the first connecting terminal portion, the second connecting terminal portion, and the non-connecting terminal portion may be arranged at positions that do not overlap each other in the vertical direction with respect to the surface of the semiconductor element. According to such a method, it is possible to electrically connect a plurality of electrodes formed on the front surface or the back surface of the semiconductor element and the corresponding terminal portions (connected terminal portions or non-connected terminal portions).
(第1実施例)
図1〜図5を参照して、本実施例の半導体装置と、その製造方法について説明する。図5に示すように、本実施例の半導体装置10は、縦型のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)20の一方の面(図1の上側の面。以下「表面」と呼ぶ)に第1リードフレーム30を備え、IGBT20の他方の面(図1の下側の面。以下「裏面」と呼ぶ)に第2リードフレーム40を備えている。IGBT20、第1リードフレーム30、及び、第2リードフレーム40は、樹脂60によって封止されている。ただし、第1リードフレーム30の第1端子部34の先端部分と、第2リードフレーム40の3個の第2端子部44、45、46のそれぞれの先端部分は、樹脂60の外側に突出している。半導体装置10では、1個の第1端子部34は、3個の第2端子部44、45、46のいずれとも接合されていない。第1端子部34、第2端子部44、45、46には、図示しない外部配線を接続することができる。
(First embodiment)
With reference to FIGS. 1-5, the semiconductor device of a present Example and its manufacturing method are demonstrated. As shown in FIG. 5, the
IGBT20は、縦型のIGBTである。図1に示すように、IGBT20は、半導体基板21の表面(図1の上側の面)にエミッタ電極22とゲート電極パッド24とを備え、裏面(図1の下側の面)にコレクタ電極26を備えている。エミッタ電極22は、半導体基板21の表面側に形成されたエミッタ領域(図示省略)に接触している。ゲート電極パッド24は、半導体基板21の表面側に形成されたゲート電極(図示省略)に電気的に接続されている。コレクタ電極26は、半導体基板21の裏面全面に形成されたコレクタ領域(図示省略)に接触している。本実施例のIGBT20は、特許請求の範囲の「半導体素子」の一例である。
The
図1に示すように、第1リードフレーム30は、IGBT20の表面側に備えられる。第1リードフレーム30は、第1基部32と、1個の第1端子部34と、第1外枠部38とを有している。図5から明らかなように、半導体装置10が完成した状態では、第1リードフレーム30より第1外枠部38が除去される。第1基部32は、IGBT20の表面に形成されたエミッタ電極22と対向する部分であって、方形の板状に形成されている。第1基部32は、エミッタ電極22の全体に当接可能な大きさに形成されている。ただし、第1基部32は、第1リードフレーム30をIGBT20の表面上に配置した際に、IGBT20のエミッタ電極22の全体に当接するが、ゲート電極パッド24に当接せずに表面に露出させる形状に形成されている。第1端子部34は、第1基部32の外側の1箇所に設けられている。第1端子部34は、板状に形成されている。第1端子部34は、第1基部32と連結され、第1端子部34と第1基部32は一体に形成されている。第1外枠部38は、第1基部32と第1端子部34の外側に設けられている枠体である。第1外枠部38は、第1端子部34の先端部分と連結している。また、第1外枠部38と第1基部32とは、複数本の連結部39を介して連結している。図2に示すように、第1基部32は、第1端子部34及び第1外枠部38よりも厚く形成されている。そのため、図2に示すように、図1のA−A断面において第1リードフレーム30を見ると、第1端子部34及び第1外枠部38の裏面(図2の下側の面)は、第1基部32の裏面(図2の下側の面)よりも上方に位置している。
As shown in FIG. 1, the
第2リードフレーム40は、IGBT20の裏面側に備えられる。第2リードフレーム40は、第2基部42と、3個の第2端子部44と、第2外枠部48とを有している。図5から明らかなように、半導体装置10が完成した状態では、第2リードフレーム40より第2外枠部48が除去されている。第2基部42は、IGBT20の裏面と対向する部分であって、方形の板状に形成されている。第2基部42は、IGBT20の裏面全面と当接可能な大きさに形成されている。第2端子部44、45、46は、第2基部42の外側の3箇所に設けられている。第2端子部44、45は、第2基部42に連結され、第2端子部44、45と第2基部42とは一体に形成されている。一方、第2端子部46は、第2基部42には直接連結されておらず、第2基部42とは離れた位置に形成されている。後で説明するように、第2端子部46は、ワイヤ50によってゲート電極パッド24と電気的に接続される端子部である。第2端子部44〜46は、いずれも板状に形成されている。第2外枠部48は、第2基部42と第2端子部44〜46の外側に設けられている枠体である。第2外枠部48は、第2端子部44〜46と連結している。また、第2外枠部48と第2基部42とは、複数本の連結部49を介して連結している。図2に示すように、第2基部42は、第2端子部44〜46及び第2外枠部48よりも厚く形成されている。そのため、図2に示すように、図1のA−A断面において第2リードフレーム40を見ると、第2端子部44〜46及び第2外枠部48の表面(図2の上側の面)は、第2基部42の表面(図2の上側の面)よりも下方に位置している。
The
次いで、本実施例の半導体装置10(図5参照)の製造方法を説明する。まず、上述した縦型のIGBT20と、第1リードフレーム30と、第2リードフレーム40を準備する。次いで、図1、図2に示すように、第2リードフレーム40の上に、縦型のIGBT20を配置し、そのIGBT20の上に第1リードフレーム30を配置する。この際、IGBT20の表面を第1リードフレーム30に対向させ、IGBT20の裏面を第2リードフレーム40に対向させる。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 10 (see FIG. 5) of this example will be described. First, the
IGBT20、第1リードフレーム30、及び、第2リードフレーム40が上記の構成を備えるため、上記のように第2リードフレーム40の上にIGBT20を配置すると、IGBT20のコレクタ電極26と第2基部42とが接触する。また、IGBT20の表面上に第1リードフレーム30を配置すると、IGBT20のエミッタ電極22と第1基部32とが接触する。この際、ゲート電極パッド24は第1基部32とは接触しない。即ち、ゲート電極パッド24は、第1基部32によって覆われることなく、その表面が露出した状態となる。図2に示すように、IGBT20の表裏面に第1リードフレーム30及び第2リードフレーム40を配置した時点では、第1外枠部38と第2外枠部48とは接触していない。
Since the
また、図1に示すように、第1端子部34と、第2端子部44〜46とは、IGBT20の表面に対して鉛直方向(図1の上下方向)において互いに重なり合わない位置に配置されている。すなわち、IGBT20を平面視したときに、第1端子部34と第2端子部44〜46は重なり合っていない。
Further, as shown in FIG. 1, the first
次いで、図3に示すように、クランプ機器80を用いて、第1外枠部38と第2外枠部48とを互いに圧接させる。第1外枠部38と第2外枠部48とを互いに圧接させると、第1端子部34、第1外枠部38、第2端子部44〜46、及び、第2外枠部48が変形する。第1基部32と第2基部42は、端子部34,44〜46及び外枠部38,48より板厚が厚くされているために変形し難く、その平面度が保たれる。これにより、第1外枠部38の裏面が、第1基部32の裏面よりも下方に位置する。また、第2外枠部48の表面が、第2基部42の表面よりも上方に位置する。その結果、第1リードフレーム30及び第2リードフレーム40の弾性力によって、第1基部32と第2基部42との間に、IGBT20を圧縮する方向の力が発生する。その圧縮力により、第1基部32とエミッタ電極22、及び、第2基部42とコレクタ電極26が、それぞれ、電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 3, the first
また、上述の通り、第1端子部34と、第2端子部44〜46とは、IGBT20の表面に対して鉛直方向(図1の上下方向)において互いに重なり合わない位置に配置されているため、第1外枠部38と第2外枠部48とを互いに圧接させた場合であっても、第1端子部34と、第2端子部44〜46とは、互いに接合されることはない。
Moreover, since the 1st
次いで、ゲート電極パッド24と、第2端子部46とを、ワイヤ50によって電気的に接続する。具体的に言うと、ワイヤ50の一端を、ボンディングによってゲート電極パッド24に接続するとともに、ワイヤ50の他端を、ボンディングによって第2端子部46に接続する(図5参照)。
Next, the
次いで、図4に示すように、クランプ機器80による圧接状態を維持したまま、IGBT20、第1基部32、第2基部42、及び、ワイヤ50を、樹脂60によって封止する。この際、第1端子部34の一部、及び、第2端子部44〜46の各一部も、樹脂60によって封止される。第1端子部34の先端部分、第1外枠部38、第2端子部44〜46のそれぞれの先端部分、及び、第2外枠部48は、樹脂60の外側に突出する。樹脂60には、電気絶縁性を有する樹脂(例えば、エポキシ、ポリイミド等)を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 4, the
クランプ機器80による圧接状態を維持したまま、樹脂60による封止を行うことにより、第1基部32とエミッタ電極22とが電気的に接続されている状態、及び、第2基部42とコレクタ電極26とが電気的に接続されている状態が保持される。即ち、本実施例では、ハンダ等の接合材を介することなく、第1基部32とエミッタ電極22、及び、第2基部42とコレクタ電極26とを電気的に接続した状態が保持される。
The
次いで、図5に示すように、第1外枠部38と第2外枠部48とを、第1リードフレーム30及び第2リードフレーム40からそれぞれ除去する。この際、連結部39、49もあわせて除去する。第1外枠部38及び第2外枠部48を除去することにより、本実施例の半導体装置10が完成する。
Next, as shown in FIG. 5, the first
以上、本実施例の半導体装置10及びその製造方法を説明した。本実施例では、図2に示すように、第1端子部34と、第2端子部44〜46とは、IGBT20の表面に対して鉛直方向(図1の上下方向)において互いに重なり合わない位置に配置される。そのため、図3に示すように、第1外枠部38と第2外枠部48とを互いに圧接させた場合であっても、第1端子部34と、第2端子部44〜46とが、互いに接合することはない。即ち、第1端子部34と、第2端子部44〜46とが電気的に接続しない。従って、IGBT20の各電極22、24、26が短絡することを防止することができる。本実施例によると、縦型のIGBT20の各電極22、24、26を短絡させることなく、IGBT20の表面と裏面に配置されたリードフレーム30、40によってIGBT20を挟持することができる。
The
また、本実施例では、図3に示すように、第1外枠部38と第2外枠部48とを互いに圧接させることにより、第1基部32と第2基部42との間に、IGBT20を圧縮する圧縮力を発生させて、第1基部32とエミッタ電極22、及び、第2基部42とコレクタ電極26を電気的に接続している。次いで、図4に示すように、第1外枠部38と第2外枠部48とを互いに圧接させた状態で樹脂60による封止を行うことにより、第1基部32とエミッタ電極22とが電気的に接続されている状態、及び、第2基部42とコレクタ電極26とが電気的に接続されている状態が保持される。従って、本実施例では、ハンダ等の接合材を介することなく、第1基部32とエミッタ電極22、及び、第2基部42とコレクタ電極26とを電気的に接続することができる。なお、本実施例の第2端子部46が、特許請求の範囲における「非連結端子部」の一例である。
In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the first
(第2実施例)
次いで、図6〜図9を参照して、第2実施例の半導体装置とその製造方法について、第1実施例と異なる点を中心に説明する。図6に示すように、本実施例の半導体装置は、縦型のIGBT20と、縦型のダイオード90を備える。IGBT20の一方の面(図6の上側の面。以下「表面」と呼ぶ)には、第1リードフレーム110が備えられている。IGBT20の他方の面(図6の下側の面。以下「裏面」と呼ぶ)とダイオード90の一方の面(図6の上側の面。以下「裏面」と呼ぶ)との間には、第2リードフレーム120が備えられている。ダイオード90の他方の面(図6の下側の面。以下「表面」と呼ぶ)には、第3リードフレーム130が備えられている。また、図8に示すように、本実施例の半導体装置は、第3リードフレーム130の裏面(図8の下側の面)に、樹脂シート140を介して放熱板150を備えている。IGBT20、ダイオード90、第1リードフレーム110、第2リードフレーム120、第3リードフレーム130は、樹脂60によって封止されている。ただし、図9に示すように、第1リードフレーム110の第1端子部114、115の各先端部分、第2リードフレーム120の第2端子部124、125の各先端部分、第3リードフレーム130の第3端子部134、135の各先端部分は、樹脂60の外側に突出している。また、図8に示すように、放熱板150も、樹脂60の外側に露出している。
(Second embodiment)
Next, with reference to FIGS. 6 to 9, the semiconductor device of the second embodiment and the manufacturing method thereof will be described focusing on differences from the first embodiment. As shown in FIG. 6, the semiconductor device of this embodiment includes a
図9に示すように、本実施例の半導体装置100では、第1リードフレーム110の第1端子部114が、第3リードフレーム130の第3端子部134と接合され、電気的に接続している。その他の第1端子部115、第2端子部124、125、第3端子部135は、いずれも、互いに接合されていない。第1端子部114、115、第2端子部124、125、第3端子部134、135には、図示しない外部配線を接続することができる。図6に、本実施例の半導体装置100の等価回路を示す。図6に示すように、本実施例の半導体装置100は、IGBT20とダイオード90とを逆並列に接続した回路を構成する。放熱板150は、IGBT20とダイオード90が発した熱を外部に放熱する。
As shown in FIG. 9, in the
図6に示すように、IGBT20は、第1実施例と同様のIGBTである。ダイオード90は、縦型のダイオード素子である。ダイオード90は、半導体基板91の裏面(図6の上側の面)全体に形成されたカソード電極92を備え、半導体基板91の表面(図6の下側の面)全体に形成されたアノード電極94を備える。半導体基板91には、図示しないダイオード素子構造が形成されている。カソード電極92は、半導体基板91の裏面側(図6の上側の面)に形成されたカソード領域(図示省略)に接触している。アノード電極94は、半導体基板91の表面側(図6の下側の面)に形成されたアノード領域(図示省略)に接触している。
As shown in FIG. 6, the
第1リードフレーム110は、第1基部112と、2個の第1端子部114、115と、第1外枠部118とを有している。第1基部112は、IGBT20の表面と対向する。第1基部112は、第1リードフレーム110をIGBT20の上に配置した際に、IGBT20のエミッタ電極22の全体に当接し、ゲート電極パッド24には当接しない形状に形成されている。第1端子部114、115は、第1基部112の外側の2箇所に設けられている。第1端子部114、115は、第1基部112と連結され、第1基部112と一体に形成されている。第1外枠部118は、第1基部112と第1端子部114、115の外側に設けられている枠体であって、第1端子部114、115の各先端部分と連結している。また、第1外枠部118と第1基部112とは、複数本の連結部119を介して連結されている。
The
第2リードフレーム120も、第2基部122と、2個の第2端子部124、125と、第2外枠部128とを有している。第2基部122は、その表面(図6の上側の面)がIGBT20の裏面(即ち、コレクタ電極26)と対向し、その裏面(図6の下側の面)がダイオード90の裏面(即ち、カソード電極92)と対向する。第2基部122は、IGBT20の裏面全面、及び、ダイオード90の裏面全面に当接可能な大きさに形成されている。第2端子部124、125は、第2基部122の外側の2箇所に設けられている。第2端子部124、125は、第2基部122と連結され、第2基部122と一体に形成されている。第2外枠部128は、第2基部122と第2端子部124、125の外側に設けられており、第2端子部124、125と連結している。また、第2外枠部128と第2基部122とは、複数本の連結部129を介して連結されている。
The
第3リードフレーム130も、第3基部132と、2個の第3端子部134、135と、第3外枠部138とを有している。第3基部132は、ダイオード90の表面(即ち、アノード電極94)と対向する。第3基部132は、ダイオード90の表面全面を当接可能な大きさに形成されている。第3端子部134、135は、第3基部132の外側の2箇所に設けられている。第3端子部134は、第3基部132に連結され、第3基部132と一体に形成されている。一方、第3端子部135は、第3基部132に直接的には連結されておらず、第3基部132とは離れた位置に形成されている。第3端子部135は、ワイヤ50によってゲート電極パッド24と電気的に接続される端子部である。第3外枠部138は、第3基部132と第3端子部134、135の外側に設けられており、第3端子部134、135と連結されている。また、第3外枠部138と第3基部132とは、複数本の連結部139を介して連結されている。
The
次いで、本実施例の半導体装置100(図9参照)の製造方法を説明する。まず、上述したIGBT20と、ダイオード90と、第1リードフレーム110と、第2リードフレーム120と、第3リードフレーム130を準備する。次いで、図6に示すように、第3リードフレーム130の上に、縦型のダイオード90を、その裏面を上側に向けて配置する。そのダイオード90の裏面上に、第2リードフレーム120を配置する。さらに、第2リードフレーム120の上に、縦型のIGBT20を、その表面を上側に向けて配置する。IGBT20の表面上に、第1リードフレーム110を配置する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 100 (see FIG. 9) of this example will be described. First, the
従って、第3リードフレーム130の上にダイオード90を配置すると、ダイオード90のアノード電極94と第3基部132とが接触する。また、そのダイオード90の上に第2リードフレーム120を配置すると、ダイオード90のカソード電極92と第2基部122の裏面とが接触する。また、第2リードフレーム120の上にIGBT20を配置すると、IGBT20のコレクタ電極26と第2基部122とが接触する。また、IGBT20の上に第1リードフレーム110を配置すると、IGBT20のエミッタ電極22と第1基部112とが接触する。この際、ゲート電極パッド24は第1基部112とは接触しない。即ち、ゲート電極パッド24は、第1基部112によって覆われることはなく、その表面が露出した状態となる。上記のように各リードフレーム110、120、130を配置した時点では、第1外枠部118と第2外枠部128と第3外枠部138とは互いに接触しない。
Accordingly, when the
図6に示すように、第1端子部114と、第3端子部134とは、IGBT20の表面に対して鉛直方向(図6の上下方向)において互いに重なり合う位置に配置されている。また、その他の第1端子部115、第2端子部124、125、第3端子部135は、いずれも、図6の上下方向において互いに重なり合わない位置に配置されている。
As shown in FIG. 6, the first
次いで、図7に示すように、クランプ機器80を用いて、第1外枠部118、第2外枠部128、及び、第3外枠部138を互いに圧接させる。第1外枠部118、第2外枠部128、及び、第3外枠部138を互いに圧接させることに伴って、第1端子部114、115、第1外枠部118、第3端子部134、135、及び、第3外枠部138が変形する。なお、第2リードフレーム120が第1リードフレーム110と第3リードフレーム130の間に位置しているため、第2端子部124、125及び第2外枠部128は、圧接によって変形し難く、平面度が維持される。この結果、第1基部112と第3基部132との間に、IGBT20と、第2基部122と、ダイオード90とを圧縮する方向の力が発生する。その圧縮力により、第1基部112とエミッタ電極22、第2基部122とコレクタ電極26、第2基部122とカソード電極92、及び、第3基部132とアノード電極94、のそれぞれが電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 7, the first
また、上述の通り、第1端子部114と、第3端子部134とが、IGBT20の表面に対して鉛直方向(図6の上下方向)において互いに重なり合う位置に配置されているため、第1端子部114と第3端子部134とが互いに接合し、電気的に接続する。ただし、その他の第1端子部115、第2端子部124、125、第3端子部135は、いずれも、図6の上下方向において互いに重なり合わない位置に配置されているため、互いに接合されることはない。
In addition, as described above, the first
次いで、ゲート電極パッド24と、第3端子部135とを、ワイヤ50によって電気的に接続する(図7参照)。接続の方法は、第1実施例と同様である。
Next, the
次いで、第3基部132の裏面に、樹脂シート140を介して放熱板150を配置する(図8参照)。樹脂シート140は、エポキシ、ポリイミド等、電気絶縁性を有する樹脂製のシートである。放熱板150は、Al、Cu等の金属板である。
Next, the
次いで、図8に示すように、クランプ機器80による圧接状態を維持したまま、IGBT20、ダイオード90、第1基部112、第2基部122、第3基部132、及び、ワイヤ50を、樹脂60によって封止する。この際、第1端子部114、115の各一部、第2端子部124、125の各一部、第3端子部134、135の各一部も、樹脂60によって封止される。ただし、第1端子部114、115の各先端部分、第2端子部124、125の各先端部分、及び、第3端子部134、135の各先端部分は、樹脂60の外側に突出する。また、図8に示すように、放熱板150も、樹脂60の外側に露出している。第1実施例と同様に、樹脂60には、電気絶縁性を有する樹脂(例えば、エポキシ、ポリイミド等)を用いる。
Next, as shown in FIG. 8, the
クランプ機器80による圧接状態を維持したまま、樹脂60による封止を行うことにより、第1基部112とエミッタ電極22とが電気的に接続されている状態、第2基部122とコレクタ電極26とが電気的に接続されている状態、第2基部122とカソード電極92とが電気的に接続されている状態、及び、第3基部132とアノード電極94とが電気的に接続されている状態が保持される。併せて、第1端子部114と第3端子部134とが電気的に接続されている状態も保持される。本実施例では、ハンダ等の接合材を介することなく、第1基部112とエミッタ電極22、第2基部122とコレクタ電極26、第2基部122とカソード電極92、第3基部132とアノード電極94、及び、第1端子部114と第3端子部134、のそれぞれを電気的に接続することができる。
The
この結果、図6に示す等価回路が完成する。即ち、IGBT20のコレクタ電極26は、第2基部122を介して、ダイオード90のカソード電極92と電気的に接続する。また、第1端子部114と第3端子部134とが電気的に接続することにより、IGBT20のエミッタ電極22とダイオード90のアノード電極94とが電気的に接続する。
As a result, the equivalent circuit shown in FIG. 6 is completed. That is, the
次いで、図9に示すように、第1外枠部118、第2外枠部128、及び、第3外枠部138を、各リードフレーム110〜130から除去する。この際、連結部119、129、139も併せて除去する。第1外枠部118、第2外枠部128、及び、第3外枠部138を除去することにより、本実施例の半導体装置100が完成する。
Next, as shown in FIG. 9, the first
以上、本実施例の半導体装置100及びその製造方法を説明した。本実施例でも、上記の第1実施例と同様に、IGBT20の表裏面の電極同士が短絡すること、及び、ダイオード90の表裏面の電極同士が短絡することを防止することができる。また、ハンダ等の接合材を用いることなく、各電極とリードフレームを電気的に接続するという効果も発揮できる。さらに、本実施例では、上記の通り、第1端子部114と、第3端子部134とが、IGBT20の表面に対して鉛直方向(図6の上下方向)において互いに重なり合う位置に配置される。そのため、クランプ機器80による上記の圧接によって、第1端子部114と第3端子部134とが互いに圧接して電気的に接続する。そのため、第1端子部114と第3端子部134を介して、IGBT20のエミッタ電極22とダイオード90のアノード電極94とを電気的に接続させることができる。従って、本実施例の製造方法によると、IGBT20の電極とダイオード90の電極とを、必要に応じて電気的に接続することができる。なお、本実施例の第3端子部135が、特許請求の範囲における「非連結端子部」の一例である。
The
(第3実施例)
次いで、図10、図11を参照して、第3実施例の半導体装置とその製造方法について、上記の各実施例と異なる点を中心に説明する。図10に示すように、本実施例の半導体装置も、縦型のIGBT20と、縦型のダイオード90を備える。本実施例では、IGBT20とダイオード90は同一平面上に並べて配置されている。IGBT20及びダイオード90の表面には、第1リードフレーム30が備えられている。IGBT20及びダイオード90の裏面には、第2リードフレーム40が備えられている。また、図11に示すように、本実施例の半導体装置は、第2リードフレーム40の裏面に、樹脂シート240を介して放熱板250を備えている。IGBT20、ダイオード90、第1リードフレーム30、及び、第2リードフレーム40は、樹脂60によって封止されている。ただし、第1リードフレーム30の第1端子部34の先端部分と、第2リードフレーム40の3個の第2端子部44、45、46のそれぞれの先端部分は、樹脂60の外側に突出している。また、図11に示すように、放熱板250も、樹脂60の外側に露出している。
(Third embodiment)
Next, with reference to FIGS. 10 and 11, the semiconductor device of the third embodiment and the manufacturing method thereof will be described focusing on differences from the above embodiments. As shown in FIG. 10, the semiconductor device of this example also includes a
本実施例の半導体装置では、1個の第1端子部34は、3個の第2端子部44、45、46のいずれとも接合されていない。図10に、本実施例の半導体装置の等価回路を示す。図10に示すように、本実施例でも、半導体装置は、第2実施例と同様に、IGBT20とダイオード90とを逆並列に接続した回路を構成する。放熱板250は、IGBT20及びダイオード90が発した熱を外部に放熱する。
In the semiconductor device of this embodiment, one
IGBT20、ダイオード90は、上記の第2実施例と同様である。また、本実施例の第1リードフレーム30は、第1実施例の第1リードフレーム30(図1参照)と同様の形状を有する。ただし、本実施例では、第1リードフレーム30の第1基部32は、IGBT20のエミッタ電極22の全体とダイオード90のアノード電極94の全体と当接可能な大きさに形成されている。第2リードフレーム40は、第1実施例の第2リードフレーム40(図2参照)と同様の形状を有する。ただし、本実施例では、第2リードフレーム40の第2基部42は、IGBT20のコレクタ電極26の全体とダイオード90のカソード電極92の全体と当接可能な大きさに形成されている。
The
次いで、本実施例の半導体装置の製造方法を説明する。まず、IGBT20と、ダイオード90と、第1リードフレーム30と、第2リードフレーム40を準備する。次いで、図10に示すように、第2リードフレーム40の上に、縦型のIGBT20を、その表面(エミッタ電極22側)を上側に向けて配置するとともに、縦型のダイオード90を、その表面(アノード電極94側)を上側に向けて配置する。さらに、IGBT20とダイオード90の上に、第1リードフレーム30を配置する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device of this example will be described. First, the
従って、第2リードフレーム40の上にIGBT20とダイオード90を配置すると、IGBT20のコレクタ電極26と第2基部42とが接触すると共に、ダイオード90のカソード電極92と第2基部42とが接触する。さらに、IGBT20とダイオード90の上に第1リードフレーム30を配置すると、IGBT20のエミッタ電極22と第1基部32とが接触するとともに、ダイオード90のアノード電極94と第1基部32とが接触する。この際、IGBT20のゲート電極パッド24は第1基部32とは接触せず、その表面が露出した状態となる。
Therefore, when the
本実施例でも、図10から明らかなように、第1端子部34と、第2端子部44〜46とは、IGBT20の表面に対して鉛直方向(図10の上下方向)において互いに重なり合わない位置に配置されている。
Also in this embodiment, as is apparent from FIG. 10, the first
次いで、クランプ機器80を用いて、第1外枠部38と第2外枠部48とを互いに圧接させる(図11参照)。これにより、第1基部32と第2基部42との間に、IGBT20とダイオード90を圧縮する方向の力が発生する。その圧縮力により、第1基部32とエミッタ電極22、第2基部42とコレクタ電極26、第1基部32とアノード電極94、及び、第2基部42とカソード電極92、のそれぞれが電気的に接続する。なお、第1外枠部38と第2外枠部48とを互いに圧接させた場合であっても、第1端子部34と、第2端子部44〜46とが、互いに接合されることはない。次いで、ゲート電極パッド24と、第2端子部46とを、ワイヤ50によって電気的に接続する(図11参照)。
Next, the first
次いで、第2基部42の裏面に、樹脂シート240を介して放熱板250を配置する(図11参照)。樹脂シート240は、第2実施例と同様に、エポキシ、ポリイミド等、電気絶縁性を有する樹脂製のシートである。放熱板250も、第2実施例と同様に、Al、Cu等の金属板である。
Next, the
次いで、図11に示すように、クランプ機器80による圧接状態を維持したまま、IGBT20、ダイオード90、第1基部32、第2基部42、及び、ワイヤ50を、樹脂60によって封止する。この際、第1端子部34の一部、及び、第2端子部44〜46の各一部も、樹脂60によって封止される。第1端子部34の先端部分、第1外枠部38、第2端子部44〜46のそれぞれの先端部分、及び、第2外枠部48は、樹脂60の外側に突出する。樹脂60には、上記の各実施例と同様のものを用いる。
Next, as shown in FIG. 11, the
クランプ機器80による圧接状態を維持したまま、樹脂60による封止を行うことにより、第1基部32とエミッタ電極22とが電気的に接続されている状態、第2基部42とコレクタ電極26とが電気的に接続されている状態、第1基部32とアノード電極94とが電気的に接続されている状態、及び、第2基部42とカソード電極92とが電気的に接続されている状態、のそれぞれが保持される。本実施例でも、ハンダ等の接合材を介することなく、第1基部32とエミッタ電極22、第2基部42とコレクタ電極26、第1基部32とカソード電極92、及び、第2基部42とアノード電極94とを電気的に接続することができる。
The
この結果、図10に示す等価回路が完成する。即ち、IGBT20のコレクタ電極26は、第2基部42を介して、ダイオード90のカソード電極92と電気的に接続する。また、IGBT20のエミッタ電極22は、第1基部32を介して、ダイオード90のアノード電極94と電気的に接続する。
As a result, the equivalent circuit shown in FIG. 10 is completed. That is, the
次いで、第1外枠部38と第2外枠部48とを、第1リードフレーム30及び第2リードフレーム40からそれぞれ除去する。この際、連結部39、49もあわせて除去する。第1外枠部38及び第2外枠部48を除去することにより、本実施例の半導体装置が完成する。
Next, the first
以上、本実施例の半導体装置10及びその製造方法を説明した。本実施例でも、上記の各実施例と同様に、IGBT20の表裏面の各電極同士が短絡すること、及び、ダイオード90の表裏面の各電極同士が短絡することを防止することができる。また、ハンダ等の接合材を用いる必要がないという効果も発揮できる。なお、本実施例の第2端子部46が、特許請求の範囲における「非連結端子部」の一例である。
The
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例を採用してもよい。 Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above. For example, the following modifications may be adopted.
(変形例1)上記の各実施例では、半導体素子として縦型のIGBTや縦型のダイオードを使用している。半導体素子は、これらには限られず、縦型のMOSFET等、他の縦型半導体素子を用いてもよい。 (Modification 1) In each of the above embodiments, a vertical IGBT or a vertical diode is used as a semiconductor element. The semiconductor elements are not limited to these, and other vertical semiconductor elements such as vertical MOSFETs may be used.
(変形例2)第2実施例において、放熱板を、第3リードフレーム130の第3基部132の裏面に加えて、第1リードフレーム110の第1基部112の表面に備えてもよい。
第3実施例でも、放熱板を、第2リードフレーム40の第2基部42の裏面に加えて、第1リードフレーム30の第1基部32の表面に備えてもよい。
(Modification 2) In the second embodiment, a heat radiating plate may be provided on the surface of the
Also in the third embodiment, a heat sink may be provided on the surface of the
(変形例3)上記の第1実施例では、第1リードフレーム30の第1外枠部38と連結されるのは、第1基部32と第1端子部34のいずれか一方のみであってもよい。第2リードフレーム40についても同様である。本変形例は、上記第2、第3実施例についても適用することができる。
(Modification 3) In the first embodiment described above, only one of the
(変形例4)上記の第1実施例では、図3に示すように、クランプ機器80は、第1外枠部38と第2外枠部48のうち、対向する一組の辺同士(図3の左右両端部同士)のみを圧接している。これには限られず、クランプ機器80は、第1外枠部38と第2外枠部48のすべての辺同士を圧接することができる。本変形例は、上記第2、第3実施例についても適用することができる。
(Modification 4) In the first embodiment, as shown in FIG. 3, the
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。 The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology illustrated in the present specification or the drawings achieves a plurality of objects at the same time, and has technical utility by achieving one of the objects.
10、100:半導体装置
20:IGBT
21:半導体基板
22:エミッタ電極
24:ゲート電極パッド
26:コレクタ電極
30:リードフレーム
32:第1基部
34:第1端子部
38:第1外枠部
39:連結部
40:第2リードフレーム
42:第2基部
44、45、46:第2端子部
48:第2外枠部
49:連結部
50:ワイヤ
60:樹脂
80:クランプ機器
90:ダイオード
91:半導体基板
92:カソード電極
94:アノード電極
110:第1リードフレーム
112:第1基部
114、115:第1端子部
118:第1外枠部
119:連結部
120:第2リードフレーム
122:第2基部
124:第2端子部
128:第2外枠部
129:連結部
130:第3リードフレーム
132:第3基部
134、135:第3端子部
138:第3外枠部
139:連結部
140、240:樹脂シート
150、250:放熱板
10, 100: Semiconductor device 20: IGBT
21: Semiconductor substrate 22: Emitter electrode 24: Gate electrode pad 26: Collector electrode 30: Lead frame 32: First base portion 34: First terminal portion 38: First outer frame portion 39: Connection portion 40: Second lead frame 42 :
Claims (2)
前記半導体素子の表面に形成された1個の電極と対向する第1基部と、前記第1基部の外側に配置され、前記第1基部に連結される少なくとも1個の第1連結端子部と、前記第1基部と前記第1連結端子部の外側に設けられ、前記第1基部と前記第1連結端子部のうち少なくとも一方と連結されている第1外枠部とを有する第1リードフレームを準備する第1リードフレーム準備工程と、
前記半導体素子の裏面に形成された1個の電極と対向する第2基部と、前記第2基部の外側に配置され、前記第2基部に連結される少なくとも1個の第2連結端子部と、前記第2基部と前記第2連結端子部の外側に設けられ、前記第2基部と前記第2連結端子部のうち少なくとも一方と連結されている第2外枠部とを有する第2リードフレームを準備する第2リードフレーム準備工程と、
前記半導体素子の表面に形成された前記1個の電極と前記第1基部とが接触するように前記第1リードフレームを配置し、前記半導体素子の裏面に形成された前記1個の電極と前記第2基部とが接触するように前記第2リードフレームを配置する配置工程と、
前記第1リードフレームの前記第1基部が前記半導体素子の表面に形成された前記1個の電極に押圧されると共に前記第2リードフレームの前記第2基部が前記半導体素子の裏面に形成された前記1個の電極に押圧されるように、前記第1リードフレームの前記第1外枠部と前記第2リードフレームの前記第2外枠部を互いに圧接させる圧接工程と、
前記第1外枠部と前記第2外枠部とを互いに圧接させた状態で、前記半導体素子と、前記第1基部と、前記第2基部とを樹脂で封止する封止工程と、
前記第1外枠部と前記第2外枠部とを除去する除去工程と、
を備え、
前記配置工程では、前記第1連結端子部と前記第2連結端子部とが前記半導体素子の表面に対して鉛直方向において互いに重なり合わない位置に配置される、
半導体装置の製造方法。 A semiconductor element preparation step of preparing vertical semiconductor elements each having one or more electrodes on the front surface and the back surface;
A first base portion facing one electrode formed on the surface of the semiconductor element; at least one first connection terminal portion disposed outside the first base portion and connected to the first base portion; A first lead frame provided on the outside of the first base and the first connecting terminal, and having a first outer frame connected to at least one of the first base and the first connecting terminal; A first lead frame preparation step to prepare;
A second base facing one electrode formed on the back surface of the semiconductor element; at least one second connection terminal portion disposed outside the second base and connected to the second base; A second lead frame provided on the outside of the second base and the second connection terminal, and having a second outer frame connected to at least one of the second base and the second connection terminal; A second lead frame preparation step to prepare;
The first lead frame is disposed so that the one electrode formed on the surface of the semiconductor element and the first base are in contact with each other, and the one electrode formed on the back surface of the semiconductor element and the An arranging step of arranging the second lead frame so as to contact the second base;
The first base of the first lead frame is pressed by the one electrode formed on the surface of the semiconductor element, and the second base of the second lead frame is formed on the back surface of the semiconductor element. A pressure-contacting step in which the first outer frame portion of the first lead frame and the second outer frame portion of the second lead frame are pressed against each other so as to be pressed by the one electrode;
A sealing step of sealing the semiconductor element, the first base, and the second base with a resin in a state where the first outer frame and the second outer frame are in pressure contact with each other;
A removing step of removing the first outer frame portion and the second outer frame portion;
With
In the arrangement step, the first connection terminal portion and the second connection terminal portion are arranged at positions that do not overlap each other in the vertical direction with respect to the surface of the semiconductor element.
A method for manufacturing a semiconductor device.
前記第1リードフレームと前記第2リードフレームの一方は、前記半導体基板の表面及び裏面に形成された電極のうち、前記第1基部又は前記第2基部に押圧されない電極毎に、その電極と接続され、かつ、前記第1基部と前記第2基部のいずれとも連結されない非連結端子部をさらに有しており、
前記封止工程の前に、前記半導体素子の表面又は裏面に形成された複数の電極のうち、前記第1基部又は前記第2基部に押圧されない電極に対して、その電極とその電極に対応する前記非連結端子部とを配線部材で接続する接続工程をさらに有しており、
前記配置工程では、前記第1連結端子部と前記第2連結端子部と前記非連結端子部とが前記半導体素子の表面に対して鉛直方向において互いに重なり合わない位置に配置される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 A plurality of electrodes are formed on the front or back surface of the semiconductor element,
One of the first lead frame and the second lead frame is connected to the electrode for each electrode that is not pressed by the first base or the second base, among the electrodes formed on the front and back surfaces of the semiconductor substrate. And a non-connecting terminal portion that is not connected to any of the first base portion and the second base portion,
Before the sealing step, among the plurality of electrodes formed on the front surface or the back surface of the semiconductor element, the electrode and the electrode correspond to the electrode that is not pressed by the first base or the second base. It further has a connection step of connecting the unconnected terminal portion with a wiring member,
2. The arrangement step, wherein the first connection terminal portion, the second connection terminal portion, and the non-connection terminal portion are arranged at positions that do not overlap each other in a vertical direction with respect to a surface of the semiconductor element. The manufacturing method of the semiconductor device as described in 2.
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