JP2013149441A - p型ZnOの作製方法、ZnOエレクトロルミネッセンス半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型ZnO基板で構成したn層11と、n型ZnO基板に窒素をp型ドーパントとしてインプラントした擬似p層12とを形成し、順方向バイアス電圧を印加することによりn層11及び擬似p層12に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の擬似p層12にインプラントした窒素のドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、順方向バイアス電圧により活性層における伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、変化後の窒素のドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、反転分布を形成している伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させ、擬似p層12中の窒素のドーパント分布を固定させて当該擬似p層12をp型ZnOとする。
【選択図】図5
Description
10 p型ZnOの作製装置
11 n層
12 擬似p層
14 ドーパント
41 電源
Claims (3)
- n型ZnO基板で構成したn層と、上記n型ZnO基板に窒素をp型ドーパントとしてインプラントした擬似p層とを形成し、
順方向バイアス電圧を印加することにより上記n層及び上記擬似p層に拡散電流を発生させ、
上記発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の上記擬似p層にインプラントした窒素のドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、上記順方向バイアス電圧により上記活性層における伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、
上記変化後の窒素のドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、上記拡散電流を減少させて上記ジュール熱を低下させ、上記擬似p層中の窒素のドーパント分布を固定させて当該擬似p層をp型ZnOとして構成すること
を特徴とするp型ZnOの作製方法。 - 上記順方向バイアス電圧の印加時において、少なくとも上記擬似p層に対して外部から紫外帯域〜青色帯域における何れかの波長の誘導光を照射すること
を特徴とする請求項1記載のp型ZnOの作製方法。 - 請求項1又は2記載のp型ZnOの作製方法により作製されたp型ZnOをp層としたことを特徴とするZnOエレクトロルミネッセンス半導体素子。
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JP2016038399A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構 | 光変調方法、光変調器の作製方法、光変調器 |
CN112233973A (zh) * | 2020-09-22 | 2021-01-15 | 南方科技大学 | 一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法 |
WO2022061484A1 (zh) * | 2020-09-22 | 2022-03-31 | 南方科技大学 | 一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法及应用 |
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