JP2013144038A - X線ct装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】回転速度が速い場合であっても、十分な解像度を得ることにより、高画質の断層像を維持することが可能なX線CT装置を提供する。
【解決手段】実施形態は、X線管と管電圧発生手段とX線検出器とデータ収集手段と画像処理手段とを有する。管電圧発生手段は、X線管に前記管電圧を印加する。管電圧制御手段は、管電圧を周期的に変化させるように管電圧発生手段を制御する。X線検出器は、被検体を挟んでX線管に対応して配され、被検体を透過したX線を検出する。データ収集手段は、X線検出器により検出されたデータから管電圧の変化に同期して1周期内でX線管に高電圧が印加されたときの第1サンプリングデータを収集し、収集から所定期間経過後にX線管に低電圧が印加されたときの第2サンプリングデータを収集する。画像処理手段は、収集された第1サンプリングデータ及び第2サンプリングデータに基づいて画像を作成する。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、X線CT装置に関する。
X線CT装置は、天板上の被検体を間にして対向配置されたX線管とX線検出器とが被検体回りに回転しながら、X線撮影を行うものである。
X線撮影により、被検体のデータ(CT値)が収集され、CT値に基づき被検体の性状が診断される。
CT値は「質量減弱係数」*「密度」で表される。「質量減弱係数」は物質特有の値である。そのため、物質の密度状態によっては物質が異なってもCT値に差異がなく、解像度が不十分で、画質が低下してしまうときがある。
このような現象を解決する手段として、異なる管電圧により被検体のデータ収集を行うデュアルエナジースキャン法がある。収集されるデータを、投影データ、収集データ、また、生データという場合がある。
この方法には、2管球方式、フォトンカウンティング(Photon Counting)方式、高速kVスイッチング(Switching)方式がある。
高速kVスイッチング方式の一例として、管電圧を高電圧(140kV)と低電圧(80kV)とに1ビュー(view)ごと切り替えながらデータをそれぞれ収集するものがある。管電圧の切り替え周期をスイッチング周期という場合がある。
1回転当たりのビュー数と画像の解像度は比例するので、高画質の断層像を取得するためには、回転速度が速い場合には、それに応じてスイッチング周期を短くする必要がある。
特開2008−279153号公報
しかしながら、高速kVスイッチング方式では、スイッチング周期に制限があるため、回転速度が速い場合、それに応じてスイッチング周期を短くできず、結果的に、1回転当たりのビュー数が不足して、十分な解像度が得られず、高画質の断層像を取得することができないという問題点があった。
この実施形態は、上記の問題を解決するものであり、回転速度が速い場合であっても、十分な解像度を得ることにより、高画質の断層像を取得することが可能なX線CT装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、実施形態は、X線管と管電圧発生手段とX線検出器とデータ収集手段と画像処理手段とを有する。管電圧発生手段は、X線管に管電圧を印加する。管電圧制御手段は、管電圧を周期的に変化させるように管電圧発生手段を制御する。X線検出器は、被検体を挟んでX線管に対応して配され、被検体を透過したX線を検出する。データ収集手段は、X線検出器により検出されたデータから管電圧の変化に同期して1周期内でX線管に高電圧が印加されたときの第1サンプリングデータを収集し、収集から所定期間経過後にX線管に低電圧が印加されたときの第2サンプリングデータを収集する。画像処理手段は、収集された第1サンプリングデータ及び第2サンプリングデータに基づいて画像を作成する。
X線CT装置の構成ブロック図。 比較例において、管電圧の変化が矩形波となる例、データ収集の例をそれぞれ示す図。 第1の実施形態において、管電圧の変化が矩形波となる例、データ収集の例A、画像再構成の例B〜D、デコンポジション処理の例Eをそれぞれ示す図。 比較例において、管電圧の変化が三角波となる例、データ収集の例をそれぞれ示す図。 第2の実施形態において、管電圧の変化が三角波となる例、データ収集の例A、画像再構成の例B〜D、デコンポジション処理の例Eをそれぞれ示す図。 高電圧と低電圧の両データが連続的に収集されるときの図。 高電圧と低電圧の両データが時間をおいて収集されるときの図。 比較例において、管電圧の変化が三角波となる他の例、データ収集の例をそれぞれ示す図。 第3の実施形態において、管電圧の変化が三角波となる他の例、データ収集の例A、画像再構成の例B〜D、デコンポジション処理の例Eをそれぞれ示す図。 オーバーサンプリングして束ねる例を示す図。 オーバーサンプリングして束ねる他の例を示す図。 第4の実施形態において、管電圧の変化が三角波となる例、オーバーサンプリングされたデータの全てを保存する例A、束ねの比較例B、束ねの例Cをそれぞれ示す図。
[第1の実施形態]
このX線CT装置の第1の実施形態の基本的な構成について図1を参照して説明する。
図1に示すように、X線CT装置はガントリ(gantry)100を含む。ガントリ100は、X線管101と、複数列型又は2次元配列型のX線検出器103と、データ収集システム(data acquisition system DAS)104とを有する。
X線管101とX線検出器103は、回転軸RAのまわりに回転可能に設けられた環状フレーム102にマウントされる。X線検出器103は、X線管101に対向して配置される。
システム・コントローラ110は回転ユニット107を制御することで、フレーム102を0.4秒/回転等の高速で回転させる。システム・コントローラ110は移動ユニット(図示省略)を制御することで天板(図示省略)を移動させる。天板の移動により天板に載置された被検体Sが回転軸RAに沿って移動される。
高電圧発生器109は、X線管101からX線を発生させるために、スリップ・リング(slip ring)108を介してX線管101に管電圧を印加し、フィラメント電流(filament current)を供給する。システム・コントローラ110は、X線管101の管電圧を高電圧(例えば140kV)と低電圧(例えば80kV)との間を周期的に変化させるように、高電圧発生器109を制御する。なお、高電圧及び低電圧を高エネルギー・レベル及び低エネルギー・レベルという場合がある。
DAS104は、各チャネルのX線検出器103から出力された信号を電圧信号に変換し、その電圧信号を増幅し、更にそれをデジタル信号に変換する。
システム・コントローラ110には、データ/制御バスによってX線データ収集条件設定装置117、前処理装置106、記憶装置112、再構成装置114、入力装置115、表示装置116、及びスキャン計画支援装置200が接続されている。
X線データ収集条件設定装置117は、X線管101の管電圧が異なる場合に異なる管電圧のデータのノイズが等しくなる又は一定の比になるように、管電圧及び管電流を設定するとともに、それぞれの管電圧に対応し、DAS104のX線収集の積分時間又はビュー数などの条件(収集条件)を設定する。
システム・コントローラ110は、入力装置115による入力を受けて、X線データ収集条件設定装置117に対し収集条件を設定させる。この収集条件に基づいて、システム・コントローラ110は、1ビュー毎に管電圧を周期的に変化させるように高電圧発生器109を制御するとともに、その変化に同期してデータを収集させるようにDAS104を制御する。なお、データの収集の詳細については後述する。
DAS104から出力されたデータは、非接触データ・トランスミッタ105を介して、コンソールに収容された前処理装置106に送られる。前処理装置106は、生データに対してチャネル間の感度均一を補正し、またX線強吸収体(主に金属部)による極端な信号強度の低下又は信号脱落を補正する。補正を受け前処理装置106から出力されたデータは記憶装置112に送られる。なお、DAS104から出力されるデータを生データという場合がある。また、前処理装置106から出力されたデータを投影データという場合がある。さらに、データ(生データ、投影データ)の出力をデータの収集という場合がある。
記憶装置112は、前処理装置106により各種の補正を受けたデータ(投影データ)をビューの識別番号を含む付帯情報と共に記憶する。
再構成装置114は、前処理された投影データを受けて、その投影データに基づいて画像を再構成する。投影データは、周波数領域に変換する高速フーリエ変換(First fourier transform FFT)がなされて、それに再構成関数を重畳処理した投影データに対して、三次元逆投影処理を行い、被検体Sの体軸方向ごとに断層像を求める。
再構成装置114は、高電圧及び低電圧の両投影データから、原子の分布に関連したX線管電圧依存情報の二次元分布断層像、いわゆるデュアルエネルギー撮影の断層像を画像再構成するデュアルエネルギー画像再構成部を含む。なお、画像処理手段は、再構成装置114を有している。
表示装置116は、求められた断層像を表示データに変換し、ディスプレイに表示させる。
スキャン計画支援装置200は、撮影技師がスキャン計画を立てるのを支援する機能を有する。
以上に、X線CT装置の基本的な構成について説明した。
(データの収集)
次に、データの収集について図2及び図3を参照して説明する。
図2は比較例において、管電圧の変化が矩形波となる例、データ収集の例Aをそれぞれ示す図である。図2に示す管電圧では、横軸に時間[t]、縦軸に電圧[kV]を示し、例Aでは高電圧及び低電圧のデータの収集を”H”及び”L”で表す。なお、管電圧はスイッチング周期に基づいて、1ビュー毎に高電圧と低電圧との間を周期的に変化するものとする。以下の比較例及び実施形態も同様とする。
図2に示すように、1周期内で高電圧及び低電圧のデータの収集”H”、”L”が連続的に行われる。
これに対し、第1の実施形態では次のようにデータの収集を行う。図3は管電圧の変化が矩形波となる例、データ収集の例Aをそれぞれ示す図である。図3の例Aでは高電圧、低電圧及び中電圧のデータの収集を”H”、”L”及び”M”で表す。
図3の例Aに示すように、システム・コントローラ110は、作成した矩形波を高電圧発生器109に送ることで、1ビュー毎に管電圧を周期的に変化させるように、高電圧発生器109を制御するとともに、データ収集の指示を行うための制御信号をDAS104に送ることで、管電圧の変化に同期して1周期内で、高電圧のデータの収集”H”を行い、その収集”H”から所定期間経過後に低電圧のデータの収集”L”を行うように、DAS104を制御する。なお、所定期間を空き期間という場合がある。
さらに、システム・コントローラ110は、所定期間(空き期間)内に、X線管101に中電圧が印加されたときのデータの収集”M”を行うようにDAS104を制御する。ここで、”H”、”L”及び”M”でそれぞれ収集されるデータを第1サンプリングデータ、第2サンプリングデータ及び第3サンプリングデータという場合がある。後述する実施形態の説明においても同様である。
なお、データの収集を1周期内で3回行うものを示したが、4回以上行うようにしてもよい。さらに、各回に、”H”、”L”及び”M”で示す収集をそれぞれ割り当てるようにしてもよい。
(画像処理)
次に、DAS104により収集されたデータを用いた画像処理について図3を参照して説明する。図3は、画像再構成の例B〜D、デコンポジション処理の例Eをそれぞれ示す図である。
図3の例Bで示すように、再構成装置114は、第1サンプリングデータから第3サンプリングデータの全てを用いて断層像を画像再構成する。
なお、全てのサンプリングデータを用いることで、平均的なエネルギー(中エネルギー)時のデータとなる。それにより、高解像度を有する、中エネルギーのシングルエナジー画像を得ることが可能となる。
図3の例Cで示すように、再構成装置114は、第2サンプリングデータを用いて断層像を画像再構成する。それにより、低エネルギーのシングルエナジー画像を得ることが可能となる。
図3の例Dで示すように、再構成装置114は、第1サンプリングデータを用いて断層像を画像再構成する。それにより、高エネルギーのシングルエナジー画像を得ることが可能となる。
図3の例Eで示すように、再構成装置114は、第1サンプリングデータ及び第2サンプリングデータを用いてデュアルエナジー処理を行う。ここで、デュアルエナジー処理には、物質分離及び単色画像作成を含む。ここで、物質分離とは、複数の物質が混合された物体を撮影することにより、混合している物質密度を算出する。複数の物質の混合比から特定の物体を抽出した画像を求めることをいう。また、単色画像作成とは、算出される各物質密度に各X線実効エネルギーに対する質量減弱係数を乗算し、画像上で各物質を再混合することにより各X線実効エネルギーで撮影された仮想単色X線等価CT画像を求めることをいう。
以上の第1の実施形態によれば、複数のエネルギーで撮影する際に、回転速度が速い場合であっても、デュアルエナジー処理と、高解像度とを両立することが可能となる。
また、管電圧の変化が矩形波となる例では、管電圧が高電圧から低電圧に切り換わるときに過渡的な電圧値を取るが、この部分のデータの補正等が行えない可能性があり、アーチファクトが発生すると、高画質の断層像を取得することができないという問題点がある。しかし、第1の実施形態では、データ収集において所定期間(空き期間)を設けたので、その部分のデータが除かれるので、アーチファクトが発生する要因をなくし、高画質の断層像を取得することができる。なお、この効果は、以下の実施形態においても同様である。
なお、第1の実施形態においては、管電圧の変化に同期して1周期内で第1サンプリングデータ、第2サンプリングデータ、及び、第3サンプリングデータの3種類のエネルギーで撮影されたデータを収集するものを示したが、中エネルギーで撮影されたデータ(第3サンプリングデータ)を収集せず、第1サンプリングデータおよび第2サンプリングデータのみを収集するようにしてもよい。このとき、第3サンプリングデータを収集する期間が所定期間(空き期間)となるので、前述したように、データ収集において所定期間(空き期間)を設けたので、その部分のデータが除かれ、アーチファクトが発生する要因をなくすることができる。なお、この構成及びその効果は、以下の実施形態においても同様である。
[第2の実施形態]
次に、第2の実施形態について図4及び図5を参照して説明する。なお、第2の実施形態においては、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、同じ構成の説明を省略する。
図4は比較例において、管電圧の変化が三角波となる例、データ収集の例Aをそれぞれ示す図である。
(データの収集)
図4に示すように、1周期内のデータの収集において、第1サンプリングデータの収集”H”と第2サンプリングデータの収集”L”とが連続している。
これに対し、第2の実施形態では次のようにデータの収集を行う。図5は管電圧の変化が三角波となる例、データ収集の例Aをそれぞれ示す図である。図5の例Aでは高電圧、低電圧及び中電圧のデータの収集を”H”、”L”及び”M”で表す。
図5の例Aに示すように、システム・コントローラ110は、作成した三角波を高電圧発生器109に送ることで、1ビュー毎に管電圧を周期的に変化させるように、高電圧発生器109を制御するとともに、データ収集の指示を行うための制御信号をDAS104に送ることで、管電圧の変化に同期して1周期内で、第1サンプリングデータを収集し、その収集から所定期間(空き期間)経過後に第2サンプリングデータを収集するように、DAS104を制御する。
さらに、システム・コントローラ110は、空き期間内に、第3サンプリングデータを収集するようにDAS104を制御する。
なお、データの収集を1周期内で3回行うものを示したが、4回以上行うようにしてもよい。さらに、各回に、”H”、”L”及び”M”で示す収集をそれぞれ割り当てるようにしてもよい。
(画像処理)
次に、DAS104により収集されたデータを用いた画像処理について図5を参照して説明する。図5は、画像再構成の例B〜D、デコンポジション処理の例Eをそれぞれ示す図である。
図5に示す画像再構成の例B〜D及びデコンポジション処理の例Eは、第1の実施形態で説明した画像再構成の例と同様である。
すなわち、図5の例B〜Eで示すように、再構成装置114は、第1サンプリングデータから第3サンプリングデータの全てを用いて断層像を画像再構成する。さらに、再構成装置114は、第2サンプリングデータを用いて断層像を画像再構成する。さらに、再構成装置114は、第1サンプリングデータを用いて断層像を画像再構成する。さらに、再構成装置114は、第1サンプリングデータ及び第2サンプリングデータを用いてデュアルエナジー処理を行う。なお、上記した画像再構成の例B〜D及びデコンポジション処理の例Eの効果は、第1の実施形態で説明した画像再構成の例等と同様であるので、その説明を省略する。
以上の第2の実施形態によれば、管電圧の変化が三角波となる例において、複数のエネルギーで撮影する際に、回転速度が速い場合であっても、デュアルエナジー処理と、高解像度とを両立することが可能となる。
さらに、第2の実施形態によれば、デュアルエナジー処理において次の利点がある。
画像再構成においては、X線管に高電圧が印加されたときに収集されたデータ及び低電圧が印加されたときに収集されたデータに基づいて物質を分析(分離)する。それにより、十分な解像度が得られ、高画質の断層像を取得することができる。なお、高画質を取得するためには、各ビューで、高電圧と低電圧の間のエネルギー分離が安定した分解を保証できるほど大きなものであることが好ましい。
図6は、管電圧の変化に同期して1周期内で高電圧と低電圧の両データが連続的に収集されるときの図、図7は、管電圧の変化に同期して1周期内で高電圧と低電圧の両データが時間を空けて収集されるときの図である。図6及び図7では、横軸に時間、縦軸に電圧[kV]を示し、(A)の例では高電圧及び低電圧の各データの収集の例を”H”及び”L”で示す。なお、管電流Iを一定とする。また、エネルギーは、サンプリング期間中の平均電圧(V)*時間により表されるものとする。
図6に示すように、両データが連続的に収集されるとき、低電圧時及び高電圧時の両エネルギーE1、E2は、E1=V*t/8で表され、E2=3V*t/8で表される。このとき、エネルギー比(E2/E1)は3/1となる。
図7に示すように、両データが連続的に収集されるとき、低電圧時及び高電圧時の両エネルギーE3、E4は、E3=V*t/18で表され、E4=5V*t/18で表される。このとき、エネルギー比(E4/E3)は5/1となる。
すなわち、両データが連続的に収集されるときは、時間を空けて収集されるときに比較して、各ビューでエネルギー分離が十分な大きさにならならず、デュアルエナジー処理において、物質分離の精度が低下する要因となる。
これに対して、両データが時間を空けて収集されるときは、連続的に収集されるときに比較して、各ビューでエネルギー分離が十分な大きさになって、デュアルエナジー処理において、物質分離の精度が低下する要因をなくすことができる。
したがって、回転速度が速い場合であっても、両データが時間を空けて収集されるときは、連続的に収集されるときに比較して、物質分離の精度を上げる可能性が高まる。
以上のように、第2の実施形態によれば、1周期内に所定期間(空き期間)を設けたので、各ビューでエネルギー分離が大きくなり、物質分離の精度を上げることができる。
なお、第2の実施形態においては、3種類のエネルギーで撮影されたデータを収集するものを示したが、中エネルギーで撮影されたデータ(第3サンプリングデータ)を収集せず、第1サンプリングデータおよび第2サンプリングデータのみを収集するようにしてもよい。このとき、第3サンプリングデータを収集する期間が所定期間(空き期間)となるので、前述したように、データ収集において所定期間(空き期間)を設けたので、物質分離の精度を上げることができる。なお、この構成及びその効果は、以下の実施形態においても同様である。
[第3の実施形態]
次に、第3の実施形態について図8及び図9を参照して説明する。なお、第3の実施形態においては、第1又は第2の実施形態と異なる構成について主に説明し、同じ構成の説明を省略する。
図8は比較例において、管電圧の変化が三角波となる他の例、データ収集の例Aをそれぞれ示す図である。
(データの収集)
図8に示すように、1周期内のデータの収集において、第1サンプリングデータの収集”H”と第2サンプリングデータの収集”L”とが連続している。
これに対し、第3の実施形態では次のようにデータの収集を行う。図9は管電圧の変化が三角波となる例、データ収集の例Aをそれぞれ示す図である。図9の例Aでは高電圧、低電圧及び中電圧のデータの収集を”H”、”L”及び”M”で表す。
図9の例Aに示すように、システム・コントローラ110は、作成した三角波を高電圧発生器109に送ることで、1ビュー毎に管電圧を周期的に変化させるように、高電圧発生器109を制御するとともに、データ収集の指示を行うための制御信号をDAS104に送ることで、管電圧の変化に同期して1周期内で、第1サンプリングデータを収集し、その収集から所定期間(空き期間)経過後に第2サンプリングデータを収集し、かつ、所定期間が1周期内で2回設けられるように、DAS104を制御する。
さらに、システム・コントローラ110は、空き期間内に、第3サンプリングデータを収集するようにDAS104を制御する。
なお、データの収集を1周期内で3回行うものを示したが、4回以上行うようにしてもよい。さらに、各回に、”H”、”L”及び”M”で示す収集をそれぞれ割り当てるようにしてもよい。
(画像処理)
次に、DAS104により収集されたデータを用いた画像処理について図9を参照して説明する。図9は、画像再構成の例B〜D、デコンポジション処理の例Eをそれぞれ示す図である。
図9に示す画像再構成の例B〜D及デコンポジション処理の例Eは、第1、第2の実施形態で説明した画像再構成の例と同様である。
すなわち、図9の例B〜Eで示すように、再構成装置114は、第1サンプリングデータから第3サンプリングデータの全てを用いて断層像を画像再構成する。さらに、再構成装置114は、第2サンプリングデータを用いて断層像を画像再構成する。さらに、再構成装置114は、第1サンプリングデータを用いて断層像を画像再構成する。さらに、再構成装置114は、第1サンプリングデータ及び第2サンプリングデータを用いてデュアルエナジー処理を行う。なお、上記した画像再構成の例B〜D及びデコンポジション処理の例Eの効果は、第1、第2の実施形態で説明した画像再構成の例等と同様であるので、その説明を省略する。
以上の第3の実施形態によれば、管電圧の変化が三角波となる例において、複数のエネルギーで撮影する際に、回転速度が速い場合であっても、デュアルエナジー処理と、高解像度とを両立することが可能となる。
さらに、第3の実施形態によれば、1周期内に2回の所定期間(空き期間)を設けたので、各ビューでエネルギー分離がさらに大きくなり、物質分離の精度を上げることができる。
[オーバーサンプリング及び束ね]
上記の第1〜第3の実施形態では、1周期内で3回以上のデータを収集(出力)するものを示した。
しかし、第1〜第3の実施形態に係るデータ収集においては、オーバーサンプリングが行われ、さらに束ねが行われ、束ねが行われた後にデータの出力が行われるようにしてもよい。ここで、束ねを行った後のデータの出力がデータの収集となる。
次に、オーバーサンプリング及び束ねについて図10及び図11を参照して説明する。オーバーサンプリングは、データの周期より2倍以上短い周期でデータをサンプリングするものである。生データのオーバーサンプリング及び束ねは、DAS104により行われ、投影データのオーバーサンプリング及び束ねは、前処理装置106により行われる。
図10はオーバーサンプリングの例A、及び、束ねの例Bをそれぞれ示す図である。図10に示す例Aでは、1周期内で行われる3回のオーバーサンプリングを示し、図10に示す例Bでは、オーバーサンプリングの2回目と3回目との束ねが行われ、束ねが行われた後にデータの収集”L”が行われる。
図11はオーバーサンプリングの例A、及び、束ねの例Bをそれぞれ示す図である。図11に示す例Aでは、1周期内で行われる7回のオーバーサンプリングを示し、図11に示す例Bでは、オーバーサンプリングの1回目と2回目との束ねが行われ、束ねが行われた後にデータの収集”H”が行われる。また、オーバーサンプリングの3回目から7回目までの束ねが行われ、束ねが行われた後にデータの収集”L”が行われる。
[第4の実施形態]
次に、第4の実施形態について図12を参照して説明する。なお、第4の実施形態においては、第1〜第3の各実施形態と異なる構成について主に説明し、同じ構成の説明を省略する。
この実施形態において再構成装置114は、オーバーサンプリングにより収集されたデータから高電圧及び低電圧が印加されたときにそれぞれ収集されたデータの部分の抽出を行う。
図12は管電圧の変化が三角波となる例、オーバーサンプリングされたデータの全てを保存する例A、及び、束ねの比較例B、束ねの例Cをそれぞれ示す図である。図12に示す管電圧変化の例では、横軸に時間[t]、縦軸に電圧[kV]を表す。
図12に示す例Aでは、1周期内で行われる8回のオーバーサンプリングを示す。
図12に示す比較例Bでは、オーバーサンプリングの1回目から4回目までの束ねが行われ、束ねが行われた後にデータの収集”H”が行われる。また、オーバーサンプリングの5回目から8回目までの束ねが行われ、束ねが行われた後にデータの収集”L”が行われる。
これに対して、図12に示す例Cでは、オーバーサンプリングの2回目と3回目との束ねが行われ、束ねが行われた後にデータの収集”H”が行われる。また、オーバーサンプリングの6回目と7回目との束ねが行われ、束ねが行われた後にデータの収集”L”が行われる。
図12に示す比較例Bでは、データの収集”H”とデータの収集”L”とが、連続して行われる。
これに対して、図12に示す例Cでは、データの収集”H”と、データの収集”L”とが、所定時間(オーバーサンプリグの4回目及び5回目に相当する時間)をおいて収集される。
以上の第4の実施形態によれば、複数のエネルギーで撮影する際に、回転速度が速い場合であっても、デュアルエナジー処理と、高解像度とを両立することが可能となる。
さらに、第4の実施形態によれば、オーバーサンプリングされたデータの全てを保存し、データを適宜束ねることによりデータ収集の1周期内に所定時間(空き時間)を設けたので、デュアルエナジー処理において物質分離の精度を上げることが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、書き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるととともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
100 ガントリ
101 X線管
102 環状フレーム
103 X線検出器
104 DAS(データ収集システム)
106 前処理装置
107 回転ユニット
109 高電圧発生器(管電圧発生手段)
110 システム・コントローラ
112 記憶装置
114 再構成装置
115 入力装置
116 表示装置
117 X線データ収集条件設定装置

Claims (6)

  1. X線管と、
    前記X線管に管電圧を印加する管電圧発生手段と、
    前記管電圧を周期的に変化させるように管電圧発生手段を制御する管電圧制御手段と、
    被検体を挟んで前記X線管に対応して配され、被検体を透過したX線を検出するX線検出器と、
    前記X線検出器により検出されたデータから、前記管電圧の変化に同期して1周期内で前記X線管に高電圧が印加されたときの第1サンプリングデータを収集し、当該収集から所定期間経過後に前記X線管に低電圧が印加されたときの第2サンプリングデータを収集するデータ収集手段と、
    前記収集された第1サンプリングデータ及び第2サンプリングデータに基づいて画像を作成する画像処理手段と、
    を有する
    ことを特徴とするX線CT装置。
  2. 前記データ収集手段は、前記所定期間内に、前記X線管に中電圧が印加されたときの第3サンプリングデータを少なくとも1回収集することを特徴とする請求項1に記載のX線CT装置。
  3. 前記画像処理手段は、前記収集された前記第1サンプリングデータ、前記第2サンプリングデータ、及び前記第3サンプリングデータを用いて画像再構成を行うことを特徴とする請求項2に記載のX線CT装置。
  4. 前記画像処理手段は、前記収集された前記第1サンプリングデータ及び前記第2サンプリングデータを用いて物質分離及び単色画像作成を含むデュアルエナジー処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のX線CT装置。
  5. 前記画像処理手段は、前記収集された前記第1サンプリングデータ又は前記第2サンプリングデータのいずれか一方を用いて画像再構成を行うことを特徴とする請求項1に記載のX線CT装置。
  6. 前記データ収集手段は、前記データに対して前記1周期中にオーバーサンプリングを行い、
    前記画像処理手段は、前記オーバーサンプリングにより収集されたサンプリングデータから前記高電圧及び前記低電圧が印加されたときにそれぞれ収集されたサンプリングデータの部分の抽出を行うことを特徴とする請求項1に記載のX線CT装置。
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