JP2013143534A - 実装状態判別装置および実装状態判別方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数のコンデンサが並列接続される回路において各コンデンサが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を種類の異なる数多くの回路に対して行う際の処理効率を向上させる。
【解決手段】複数のコンデンサが並列接続される回路に対する交流信号の供給に伴って検出される検出信号に基づいて測定された位相差（電気的パラメータ）の周波数特性に基づいて各コンデンサが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を実行する処理部を備え、処理部は、判別処理において、交流信号の周波数の上昇に伴って位相差が上昇に転じる転換点（Ｐｔ１〜Ｐｔ３）の有無を特定し、特定した転換点の数と回路に実装されるべきコンデンサの数とが同数のときに各コンデンサが実装状態であると判別する。
【選択図】図５

Description

本発明は、複数のコンデンサが並列接続される回路におけるコンデンサの実装状態および非実装状態を判別する実装状態判別装置および実装状態判別方法に関するものである。

この種の実装状態判別方法として、特開２００４−２２１５７４号公報において出願人が開示したバイパスコンデンサの実装・非実装検査方法（以下、「実装検査方法」ともいう）が知られている。この実装検査方法では、２つのハンダパッド間にバイパスコンデンサ（以下、単に「コンデンサ」ともいう）が実装されているか否かを検査する際に、電圧発生部に接続されているプローブ（以下、「第１プローブ」ともいう）をＧＮＤパターン側のハンダパッドに接触させ、電圧計に接続されている２つのプローブの一方（以下、「第２プローブ」ともいう）を電源パターン側のハンダパッドに接触させる。次いで、電圧計に接続されている２つのプローブの他方（以下、「第３プローブ」ともいう）を、電源パターン側のハンダパッドに接続されているスルーホールや導体パターン上における第２プローブの接触位置から離間した位置に接触させる。続いて、電圧発生部に電圧を発生させて、第１プローブを介してＧＮＤパターン側のハンダパッドに電圧を供給させる。この場合、コンデンサが各ハンダパッド間に実装されているときには、コンデンサを介して第２プローブおよび第３プローブの間に電流が流れるため、その間の電圧が電圧計によって測定される。すなわち、電圧計の読み値ＶがＶ≠０となる。一方、コンデンサが各ハンダパッド間に実装されていないときには、第２プローブおよび第３プローブの間に電流が流れないため、電圧計の読み値ＶはＶ＝０となる。つまり、この実装検査方法では、電圧計の読み値からコンデンサの実装および非実装を把握することが可能となっている。また、この実装検査方法では、複数のコンデンサが並列接続されている場合において、各コンデンサについて上記の手順で検査することで、各コンデンサの実装および非実装を個別に把握することが可能となっている。

一方、この方法では、各コンデンサを実装させるためのハンダパッド、およびハンダパッドに接続されているスルーホールや導体パターンに各プローブを接触させる必要があるため、並列接続されている複数のコンデンサの全ての実装および非実装を個別に把握するためには、これらのハンダパッド、スルーホールおよび導体パターンが基板の表面に露出している必要がある。このため、これらが露出していない基板（例えば、コンデンサや導体パターンが内装されている内装基板）に対してこの実装検査方法による検査を行うのは困難なことがある。

このような、課題を解決可能な技術として、出願人は、次のような新たな実装状態判別方法を開発している。この実装状態判別方法では、複数のコンデンサが並列接続された判別対象の回路に対して周波数を変化させつつ交流信号を供給し、その際に検出される検出信号および交流信号に基づいて、両信号の位相差を各周波数毎に測定する。次いで、各コンデンサが正しく実装された良品の回路について同じ手順で測定した各周波数毎の測定値に予め決められた値を加算した上限値、および各測定値から予め決められた値を減算した下限値で画定される基準範囲を規定して、判別対象の回路について測定した各測定値がこの基準範囲内であるか否かを判別する。ここで、複数のコンデンサが並列接続された回路では、各コンデンサと各コンデンサに等価的に接続されたインダクタンス成分（コンデンサに接続された導体パターン等がこれに相当する）とによってコンデンサの数と同数の共振回路が構成される。また、コンデンサの容量やインダクタンスの値が異なるときには各共振回路の共振周波数が異なる。

一方、このような複数の共振回路を有する回路に対して、上記したように周波数を変化させつつ交流信号を供給したときには、各共振回路の各共振周波数に近い周波数において位相差が急激に上昇に転じる（反転する）点（以下、この点を「転換点」ともいう）が現れることが知られている。このため、例えば、回路に実装されるべき各コンデンサの１つが非実装の状態では、そのコンデンサによって構成される共振回路の共振周波数に近い周波数において転換点が現れずに、測定値が基準範囲外となる。このため、この新たな実装状態判別方法では、共振周波数に近い周波数における測定値が基準範囲内であるか否かを判別することで、各コンデンサを実装させるためのハンダパッドなどが基板の表面に露出していない場合においても実装および非実装を判別することが可能となっている。

特開２００４−２２１５７４号公報（第６−７頁、第４−５図）

ところが、出願人が開発している新たな実装状態判別方法には、改善すべき以下の課題がある。すなわち、この実装状態判別方法では、測定した測定値が基準範囲内であるか否かを判別することで、各コンデンサの実装および非実装を判別している。一方、複数のコンデンサが並列接続されて互いに種類の異なる回路を数多く有している基板の各回路に対してこの実装状態判別方法による判別を行う際には、各回路毎に上記の基準範囲を規定する必要がある。このため、この実装状態判別方法には、種類の異なる数多くの回路に対して判別の処理を行う際には、判別の処理に先立ち、各回路毎に基準範囲を規定する処理を行う必要があるため、処理効率の向上が困難であるという課題がありこの点の改善が望まれている。

本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、複数のコンデンサが並列接続される回路において各コンデンサが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を種類の異なる数多くの回路に対して行う際の処理効率を向上し得る実装状態判別装置および実装状態判別方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の実装状態判別装置は、複数のコンデンサが並列接続される回路に対する交流信号の供給に伴って検出される検出信号に基づいて当該回路についての電気的パラメータを当該交流信号の周波数毎に測定する測定部と、当該測定された電気的パラメータの周波数特性に基づいて前記各コンデンサが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を実行する処理部とを備えた実装状態判別装置であって、前記処理部は、前記判別処理において、前記周波数の上昇に伴って前記電気的パラメータが上昇に転じる転換点の有無を特定し、当該特定した転換点の数と前記回路に実装されるべき前記コンデンサの数とが同数のときに前記各コンデンサが実装状態であると判別する。

また、請求項２記載の実装状態判別装置は、請求項１記載の実装状態判別装置において、前記処理部は、前記周波数の上昇に伴う前記電気的パラメータの上昇率が予め決められた下限率以上でかつ予め決められた上限率以下の点を前記転換点として特定する。

また、請求項３記載の実装状態判別装置は、請求項１または２記載の実装状態判別装置において、前記処理部は、前記コンデンサを含んで構成される共振回路における共振周波数が含まれる予め決められた周波数範囲を対象として前記転換点の有無を特定する。

また、請求項４記載の実装状態判別方法は、複数のコンデンサが並列接続される回路に対する交流信号の供給に伴って検出される検出信号に基づいて当該回路についての電気的パラメータを当該交流信号の周波数毎に測定し、当該測定した電気的パラメータの周波数特性に基づいて前記各コンデンサが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を実行する実装状態判別方法であって、前記判別処理において、前記周波数の上昇に伴って前記電気的パラメータが上昇に転じる転換点の有無を特定し、当該特定した転換点の数と前記回路に実装されるべき前記コンデンサの数とが同数のときに前記各コンデンサが実装状態であると判別する。

また、請求項５記載の実装状態判別方法は、請求項４記載の実装状態判別方法において、前記周波数の上昇に伴う前記電気的パラメータの上昇率が予め決められた下限率以上でかつ予め決められた上限率以下の点を前記転換点として特定する。

また、請求項６記載の実装状態判別方法は、請求項４または５記載の実装状態判別方法において、前記コンデンサを含んで構成される共振回路における共振周波数が含まれる予め決められた周波数範囲を対象として前記転換点の有無を特定する。

請求項１記載の実装状態判別装置および請求項４記載の実装状態判別方法では、複数のコンデンサが並列接続される回路における各コンデンサの実装状態および非実装状態を判別する判別処理において、周波数の上昇に伴って電気的パラメータが上昇に転じる転換点の有無を特定し、特定した転換点の数と回路に実装されるべきコンデンサの数とが同数のときに各コンデンサが実装状態であると判別する。このため、この実装状態判別装置および実装状態判別方法によれば、電気的パラメータの測定値が基準範囲内であるか否かを判別することで各コンデンサの実装状態および非実装状態を判別する構成および方法とは異なり、基準値を用いることなくこの判別を行うことができる。したがって、この実装状態判別装置および実装状態判別方法によれば、種類の異なる数多くの回路に対して判別処理を行う場合において、各回路毎の基準範囲を規定する煩雑な処理を不要とすることができるため、処理効率を十分に向上させることができる

請求項２記載の実装状態判別装置および請求項５記載の実装状態判別方法では、周波数の上昇に伴う電気的パラメータの上昇率が予め決められた下限率以上でかつ予め決められた上限率以下の点を転換点として特定する。したがって、この実装状態判別装置および実装状態判別方法によれば、例えば、回路の電気的特性に起因して電気的パラメータが緩やかに上昇するその上昇率よりも下限率を高い値に規定し、ノイズ等の影響によって電気的パラメータが急峻に上昇するその上昇率よりも上限率を低く規定することで、これらの緩やかな上昇や急峻な上昇が転換点として誤って特定される事態を防止することができる結果、判別処理の精度を十分に向上させることができる。

また、請求項３記載の実装状態判別装置および請求項６記載の実装状態判別方法によれば、コンデンサを含んで構成される共振回路における共振周波数が含まれる予め決められた周波数範囲を対象として転換点の有無を特定することにより、電気的パラメータを測定した全ての周波数を対象として転換点の有無を特定する構成および方法と比較して、転換点を特定する処理の処理時間を十分に短縮することができる。

実装状態判別装置１の構成を示す構成図である。 回路基板１３の斜視図である。 図２におけるＷ−Ｗ線断面図である。 回路基板１３の導体パターン１１，１２およびコンデンサ２１ａ〜２１ｃによって構成される回路Ｃを等価的に表す等価回路図である。 コンデンサ２１ａ〜２１ｃが実装されている状態の回路Ｃにおける位相差の周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａ，２１ｂが実装され、コンデンサ２１ｃが実装されていない状態の回路Ｃにおける位相差の周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａが実装され、コンデンサ２１ｂ，２１ｃが実装されていない状態の回路Ｃにおける位相差の周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａ，２１ｃが実装され、コンデンサ２１ｂが実装されていない状態の回路Ｃにおける位相差の周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ｂ，２１ｃが実装され、コンデンサ２１ａが実装されていない状態の回路Ｃにおける位相差の周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ｃが実装され、コンデンサ２１ａ，２１ｂが実装されていない状態の回路Ｃにおける位相差の周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ｂが実装され、コンデンサ２１ａ，２１ｃが実装されていない状態の回路Ｃにおける位相差の周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａ，２１ｂ，２１ｃの全てが実装されていない状態の回路Ｃにおける位相差の周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａ〜２１ｃが実装されている状態の回路Ｃにおけるインピーダンスの周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａ，２１ｂが実装され、コンデンサ２１ｃが実装されていない状態の回路Ｃにおけるインピーダンスの周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａが実装され、コンデンサ２１ｂ，２１ｃが実装されていない状態の回路Ｃにおけるインピーダンスの周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａ，２１ｃが実装され、コンデンサ２１ｂが実装されていない状態の回路Ｃにおけるインピーダンスの周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ｂ，２１ｃが実装され、コンデンサ２１ａが実装されていない状態の回路Ｃにおけるインピーダンスの周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ｃが実装され、コンデンサ２１ａ，２１ｂが実装されていない状態の回路Ｃにおけるインピーダンスの周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ｂが実装され、コンデンサ２１ａ，２１ｃが実装されていない状態の回路Ｃにおけるインピーダンスの周波数特性を示す周波数特性図である。 コンデンサ２１ａ，２１ｂ，２１ｃの全てが実装されていない状態の回路Ｃにおけるインピーダンスの周波数特性を示す周波数特性図である。

以下、添付図面を参照して、実装状態判別装置および実装状態判別方法の実施の形態について説明する。

最初に、実装状態判別装置１の構成について図１を参照して説明する。

実装状態判別装置１は、図１に示すように、測定部２、記憶部３、処理部４および表示部５を備え、図２に示す回路基板１３における一対の導体パターン１１，１２によって互いに並列接続されるべき複数（本例では一例として３個）のコンデンサ２１ａ〜２１ｃ（以下、区別しないときには「コンデンサ２１」ともいう）の実装状態（各コンデンサ２１ａ〜２１ｃが実装状態であるか非実装状態であるか）を判別する。この場合、各導体パターン１１，１２は、同図に示すように、予め規定されたパターン形状で回路基板１３に形成されている。本例では一例として、導体パターン１１は、回路基板１３の内層グランドパターンとして平面状のパターン形状に形成されている。一方、導体パターン１２は、電源ラインとして直線状のパターン形状に形成されている。また、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃは、図２，３に示すように、各導体パターン１１，１２における予め規定された位置に接続されている。この場合、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃは、一例として、導体パターン１１にはビア１４ａおよびランド１５を介して接続され、導体パターン１２にはビア１４ｂおよびランド１５を介して接続されている。以下、ビア１４ａ，１４ｂを特に区別しないときには、「ビア１４」ともいう。

測定部２は、図１，２に示すように一対のプローブ６，７を介して、各導体パターン１１，１２上に１つずつ規定された一対の測定点Ｐ１，Ｐ２（本例では、図２に示すように、ビア１４ａ，１４ｂを介して導体パターン１１，１２に接続されたランド１５上に規定された測定点Ｐ１，Ｐ２）に接続される。また、測定部２は、各プローブ６，７から各導体パターン１１，１２間に、つまり導体パターン１１，１２とコンデンサ２１ａ〜２１ｃとによって構成される回路Ｃ（図２，３参照）に対して、周波数をスイープ（変化）させつつ測定用の交流信号（一例として、交流定電流であって、以下「測定用信号Ｓ１」ともいう）を供給すると共に、これに伴って各導体パターン１１，１２間に発生する検出信号Ｓ２（この例では、交流電圧）をプローブ６，７を介して検出する。また、測定部２は、測定用信号Ｓ１の位相と検出信号Ｓ２の位相との位相差を周波数毎に測定する。つまり、測定部２は、測定用信号Ｓ１の周波数の変化に伴う位相差の変化（位相差の周波数特性）を測定する。また、測定部２は、周波数毎に測定した位相差（位相差の周波数特性）を示す特性データＤ１を処理部４に出力する。

記憶部３は、一例として半導体メモリやハードディスク装置を用いて構成されて、処理部４のための動作プログラムおよび後述する判別用データＤ２を記憶する。

処理部４は、一例としてＣＰＵを用いて構成され、上記した周波数特性の測定を測定部２に対して実行させる測定処理を実行する。また、処理部４は、測定部２から出力される特性データＤ１、および記憶部３に記憶されている判別用データＤ２に基づき、コンデンサ２１が実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を実行する。また、処理部４は、判別処理の結果を表示部５に表示させる表示処理を実行する。

次に、回路Ｃについての位相差の周波数特性（測定用信号Ｓ１の周波数の変化に伴う位相差の変化）について、具体的に説明する。

図２，３に示すように、複数（本例では３個）のコンデンサ２１ａ〜２１ｃが各導体パターン１１，１２間に実装されている回路Ｃは、図４に示す等価回路として表される。なお、この等価回路において、Ｌ１〜Ｌ３は、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃと各導体パターン１１，１２とを接続する各ビア１４のインダクタンス（コンデンサに等価的に接続されたインダクタンス成分）を表し、またＬ４，Ｌ５は、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃ間を接続する各導体パターン１１，１２のインダクタンスを表している。

ここで、この回路Ｃのように、複数のコンデンサ２１ａ〜２１ｃが並列接続されているときには、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃと各コンデンサ２１ａ〜２１ｃに接続されたインダクタンス成分（上記の等価回路におけるインダクタンスＬ１〜Ｌ５）とによってコンデンサ２１ａ〜２１ｃと同数（この例では、３つ）の共振回路が構成される。また、コンデンサの容量やインダクタンスの値が異なるときには各共振回路の共振周波数ｆｓが異なる。なお、回路Ｃに実装されるべき各コンデンサ２１ａ〜２１ｃの全てが実装状態である場合におけるコンデンサ２１ａに対応する共振周波数ｆｓを「共振周波数ｆｓ１」ともいい、コンデンサ２１ｂに対応する共振周波数ｆｓを「共振周波数ｆｓ２」ともいい、コンデンサ２１ｃに対応する共振周波数ｆｓを「共振周波数ｆｓ３」ともいう（図５参照）。

また、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃの静電容量が同一の場合にも、各測定点Ｐ１，Ｐ２から各コンデンサ２１ａ〜２１ｃまでの導体パターン１１，１２の長さが相違して、インダクタンスＬ４，Ｌ５が相違するため、これに起因して、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃと各インダクタンス成分とによって構成される各共振回路の共振周波数ｆｓが異なることとなる。

共振周波数ｆｓが互いに異なる複数の共振回路を有する上記の回路Ｃに対して周波数を変化させつつ測定用信号Ｓ１としての交流信号を供給し、測定用信号Ｓ１の供給に伴って発生する検出信号Ｓ２の位相と測定用信号Ｓ１の位相との位相差（回路Ｃについての電気的パラメータ）を測定した場合、その位相差の周波数特性（測定用信号Ｓ１の周波数の変化に伴う位相差の変化）には、各共振回路の各共振周波数ｆｓに近い周波数において位相差が急激に上昇に転じる転換点Ｐｔ１〜Ｐｔ３（図５参照：以下、区別しないときには「転換点Ｐｔ」ともいう）が現れる。つまり、位相差の周波数特性には、コンデンサの数（共振回路の数）と同数の転換点Ｐｔが現れる。

図５に示す周波数特性図は、上記の等価回路においてコンデンサ２１ａの静電容量が１μＦ、コンデンサ２１ｂの静電容量が０．５μＦ、コンデンサ２１ｃの静電容量が０．１μＦで、各導体パターン１１，１２のインダクタンスＬ４，Ｌ５が２０ｎＨ、各ビア１４のインダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３が１０ｎＨのときに、測定部２によって測定される測定用信号Ｓ１の位相と検出信号Ｓ２の位相との位相差の周波数特性を表している。

具体的には、ＸＹ平面におけるＸ軸（図５における左右方向の軸）を周波数の座標軸に規定し、Ｙ軸（同図における上下方向の軸）を位相差（電気的パラメータ）の座標軸に規定したときの周波数の変化に伴う位相差の変化を示す波形曲線ＣＬ１を図示している。なお、後述する図６〜図１２においても、図５と同様にして、ＸＹ平面におけるＸ軸を周波数の座標軸に規定しＹ軸を位相差の座標軸に規定したときの周波数の変化に伴う位相差の変化を示す波形曲線ＣＬ１を図示している。また、図５〜図１２において、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃを「２１ａ」「２１ｂ」「２１ｃ」の符号で示すと共に、実装状態を「○」、非実装状態を「×」で示す。

図５の周波数特性図から明らかなように、コンデンサ２１ａ〜２１ｃが正しく実装されている回路Ｃ（図４の等価回路）についての位相差の周波数特性には、コンデンサ２１ａ〜２１ｃの数と同数（この例では、３つ）の転換点Ｐｔ１〜Ｐｔ３が各共振周波数ｆｓ１〜ｆｓ３に近い周波数（具体的には、各共振周波数ｆｓ１〜ｆｓ３よりもそれぞれやや低い周波数）において現れている。なお、本例のように各コンデンサ２１ａ〜２１ｃの静電容量が互いに相違する場合には、原則として、静電容量の小さなコンデンサ２１ほど対応する共振周波数ｆｓが高くなる。

また、図５の周波数特性図から明らかなように、周波数の低い順に見て最初に現れた転換点Ｐｔ（以下、「最初の転換点Ｐｔ」ともいう）、つまり実装状態の各コンデンサ２１の中で静電容量が最も大きいコンデンサ２１に対応する転換点Ｐｔ（この例では、コンデンサ２１ａに対応する転換点Ｐｔ１）において、位相差が−９０°〜−８０°の値から急激に上昇に転じる。また、この周波数特性図から明らかなように、周波数の低い順に見て２番目以降に現れた転換点Ｐｔ（以下、「２番目以降の転換点Ｐｔ」ともいう：この例では、コンデンサ２１ｂ，２１ｃに対応する転換点Ｐｔ２，Ｐｔ３）の周波数よりもやや低い周波数において位相差が７０°〜８０°の値から２０°〜３０°急激に下降し、その転換点Ｐｔにおいて急激に上昇に転じる。

一方、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃのいずれかが非実装状態のときの位相差の周波数特性には、実装状態のコンデンサ２１に対応する転換点Ｐｔのみが現れ、非実装状態のコンデンサ２１に対応する転換点Ｐｔは現れない。例えば、コンデンサ２１ａ，２１ｂが実装状態で、コンデンサ２１ｃが非実装状態のときの位相差の周波数特性についてのシミュレーション結果を図６に示す。同図の周波数特性図から明らかなように、この例では、実装状態のコンデンサ２１ａ，２１ｂに対応する転換点Ｐｔ１，Ｐｔ２のみが現れ、非実装状態のコンデンサ２１ｃに対応する転換点Ｐｔ３は現れない。

また、図７に示すように、コンデンサ２１ａが実装状態で、コンデンサ２１ｂ，２１ｃが非実装状態のときには、コンデンサ２１ａに対応する転換点Ｐｔ１のみが現れ、コンデンサ２１ｃに対応する転換点Ｐｔ２，Ｐｔ３は現れない。また、図８に示すように、コンデンサ２１ａ，２１ｃが実装状態で、コンデンサ２１ｂが非実装状態のときには、コンデンサ２１ａ，２１ｃに対応する転換点Ｐｔ１，Ｐｔ３のみが現れ、コンデンサ２１ｂに対応する転換点Ｐｔ２は現れない。

また、図９に示すように、コンデンサ２１ｂ，２１ｃが実装状態で、コンデンサ２１ａが非実装状態のときには、コンデンサ２１ｂ，２１ｃに対応する転換点Ｐｔ２，Ｐｔ３のみが現れ、コンデンサ２１ａに対応する転換点Ｐｔ１は現れない。また、図１０に示すように、コンデンサ２１ｃが実装状態で、コンデンサ２１ａ，２１ｂが非実装状態のときには、コンデンサ２１ｃに対応する転換点Ｐｔ３のみが現れ、コンデンサ２１ａ，２１ｂに対応する転換点Ｐｔ１，Ｐｔ２は現れない。また、図１１に示すように、コンデンサ２１ｂが実装状態で、コンデンサ２１ａ，２１ｃが非実装状態のときには、コンデンサ２１ｂに対応する転換点Ｐｔ２のみが現れ、コンデンサ２１ａ，２１ｃに対応する転換点Ｐｔ１，Ｐｔ３は現れない。さらに、図１２に示すように、全てのコンデンサ２１ａ〜２１ｃが非実装状態のときには、各転換点Ｐｔ１〜Ｐｔ３のいずれも現れない。

このため、位相差の周波数特性（図５〜図１２に示す波形曲線ＣＬ１）における転換点Ｐｔを特定し、特定した転換点Ｐｔの数（以下「特定数」ともいう）と回路Ｃに実装されるべきコンデンサ２１の数（この例では、３つ：以下「規定数」ともいう）とを比較することで、各コンデンサ２１が実装状態であるか非実装状態であるかを判別することができる。具体的には、特定数と規定数とが同数のときには、各コンデンサ２１が実装状態であると判別し、特定数が規定数よりも少ないときには、規定数から特定数を差し引いた数（以下、「差分値」ともいう）と同じ数のコンデンサ２１が非実装状態であると判別する。

ここで、上記した位相差の上昇率をＲ１、測定用信号Ｓ１の周波数をｆｍ（Ｈｚ）、位相差をθ（°）とすると、上昇率Ｒ１は、一例として、次の式（１）で規定することができる。
Ｒ１＝α×Δθ／Δ（ｌｏｇ_１０ｆｍ）・・・・式（１）
（αは係数であって、図５〜図１２の例では０．０１１：Δは上昇分を示す符号）
この場合、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法では、この上昇率Ｒ１が予め決められた下限率ＲＬ１以上でかつ予め決められた上限率ＲＵ１以下の点を転換点Ｐｔとして特定する処理（以下、「特定処理」ともいう）を実行する。

具体的には、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法では、一例として、下限率ＲＬ１が１．７３（ｔａｎ６０°）に規定され、上限率ＲＵ１が１１．４３（ｔａｎ８５°）に規定されている。つまり、図５に示すように、周波数を「ｌｏｇ_１０」（常用対数）で示す座標軸（Ｘ軸）と位相差を「°」で示す座標軸（Ｙ軸）とによって規定されるＸＹ平面に周波数の変化に伴う位相差の変化を示す波形曲線ＣＬ１を描いたときに、波形曲線ＣＬ１における接線の傾きが６０°以上で８５°以下となる波形曲線ＣＬ１上の点を転換点Ｐｔとして特定している。このように特定処理を実行することで、回路Ｃの電気的特性に起因する位相差の緩やかな上昇や、ノイズ等の影響による位相差の急峻な上昇が転換点Ｐｔとして誤って特定される事態を防止することが可能となっている。

一方、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃにそれぞれ対応する各共振周波数ｆｓは、非実装状態のコンデンサ２１の有無、コンデンサ２１ａ〜２１ｃの静電容量のばらつき、および各ビア１４および導体パターン１１，１２のインダクタンスのばらつきなどによって変動し、この共振周波数ｆｓの変動によって転換点Ｐｔが現れるべき周波数も変動するが、その変動はある程度の範囲内に限られる。このため、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法では、実装されるべき全てのコンデンサ２１が実装状態である回路Ｃ（良品の回路Ｃ）における各共振周波数ｆｓ１〜ｆｓ３をそれぞれ含む予め決められた幅の周波数範囲ｆｒ（以下、コンデンサ２１ａに対応する周波数範囲ｆｒを「周波数範囲ｆｒ１」ともいい、コンデンサ２１ｂに対応する周波数範囲ｆｒを「周波数範囲ｆｒ２」ともいい、コンデンサ２１ｃに対応する周波数範囲ｆｒを「周波数範囲ｆｒ３」ともいう：図５参照）を設定し、その周波数範囲ｆｒだけを対象として特定処理を実行する。このような構成および方法を採用することで、全ての周波数を対象として特定処理を実行する構成および方法と比較して、特定処理を短時間で実行することが可能となっている。なお、上記した周波数範囲ｆｒ、下限率ＲＬ１および上限率ＲＵ１を示すデータは、判別用データＤ２として記憶部３に記憶されている。

次に、一例として、３つのコンデンサ２１ａ〜２１ｃが実装されるべき回路Ｃ（図２参照）における各コンデンサ２１が実装状態であるか非実装状態であるかを、実装状態判別装置１を用いて判別する実装状態判別方法について、図面を参照して説明する。

なお、回路Ｃを構成するこの導体パターン１１，１２、ビア１４および各コンデンサ２１ａ〜２１ｃは、上記したように図４に示す等価回路で表され、また、同図に示される各コンデンサ２１ａ〜２１ｃの静電容量はそれぞれ１μＦ、０．５μＦ、０．１μＦであり、各ビア１４のインダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３は１０ｎＨであり、各導体パターン１１，１２のインダクタンスＬ４，Ｌ５は２０ｎＨであるものとする。

この実装状態判別装置１では、処理部４が、測定処理を実行する。この測定処理では、処理部４は、測定部２に対して周波数特性を測定させる。この場合、測定部２は、プローブ６，７を介して入出力される測定用信号Ｓ１の位相と検出信号Ｓ２の位相との位相差を測定用信号Ｓ１の周波数毎に測定し、測定したこの周波数特性を示す特性データＤ１を処理部４に出力する。

次いで、処理部４は、判別処理を実行する。この判別処理では、処理部４は、測定部２から出力された特性データＤ１によって特定される位相差の周波数特性と記憶部３から読み出した判別用データＤ２とに基づき、回路Ｃにおいて、コンデンサ２１ａ〜２１ｃが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する。具体的には、処理部４は、判別用データＤ２に基づいてコンデンサ２１ａに対応する周波数範囲ｆｒ１〜ｆｒ３を特定すると共に、下限率ＲＬ１および上限率ＲＵ１を特定する。

続いて、処理部４は、特性データＤ１に基づき、測定用信号Ｓ１の周波数の上昇に伴って位相差が急激に上昇に転じる転換点Ｐｔの有無を特定する特定処理を実行する。この特定処理では、処理部４は、周波数範囲ｆｒ１〜ｆｒ３を対象として、上記式（１）で規定される上昇率Ｒ１が下限率ＲＬ１として規定されている１．７３以上で、かつ上限率ＲＵ１として規定されている１１．４３以下となる点、つまり、波形曲線ＣＬ１における接線の傾きが６０°以上でかつ８５°以下となる波形曲線ＣＬ１上の点を検索する。この場合、処理部４は、一例として、周波数範囲ｆｒ１〜ｆｒ３における波形曲線ＣＬ１を低い周波数から高い周波数に向けて順に微分し、その微分値が下限率ＲＬ１と上限率ＲＵ１との間の値となったときの周波数を上記の点とする。また、処理部４は、このような点を検出したときには、その点を転換点Ｐｔとして特定し、特定した転換点Ｐｔの数をカウントする。

次いで、処理部４は、特定した転換点Ｐｔの数（特定数）と実装されるべきコンデンサ２１ａ〜２１ｃの数（規定数：この例では３）とを比較する。この場合、図５に示すように、３つの転換点Ｐｔを特定したとき、つまり、特定数と規定数とが同数との条件を満たすときには、処理部４は、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃが実装状態であると判別する。一方、図６〜図１２に示すように、特定数と規定数とが同数との条件を満たさないときには、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃのいずれかが非実装状態である（具体的には、差分値と同じ数のコンデンサ２１が非実装状態である）と判別する。次いで、処理部４は、表示処理を実行して、上記の判別結果を表示部５に表示させる。この場合、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃのいずれかが非実装状態であると判別したときには、非実装状態のコンデンサ２１の数（差分値と同じ数）を判別結果と共に表示させてもよい。

このように、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法では、複数のコンデンサ２１が並列接続される回路Ｃにおける各コンデンサ２１の実装状態および非実装状態を判別する判別処理において、周波数の上昇に伴って位相差（電気的パラメータ）が上昇に転じる転換点Ｐｔの有無を特定し、特定した転換点Ｐｔの数と回路Ｃに実装されるべきコンデンサ２１の数とが同数のときに各コンデンサ２１が実装状態であると判別する。このため、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法によれば、位相差の測定値が基準範囲内であるか否かを判別することで各コンデンサ２１の実装状態および非実装状態を判別する構成および方法とは異なり、基準値を用いることなくこの判別を行うことができる。したがって、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法によれば、種類の異なる数多くの回路に対して判別処理を行う場合において、各回路毎の基準範囲を規定する煩雑な処理を不要とすることができるため、処理効率を十分に向上させることができる

また、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法では、周波数の上昇に伴う位相差（電気的パラメータ）の上昇率Ｒ１が予め決められた下限率ＲＬ１以上でかつ予め決められた上限率ＲＵ１以下の点を転換点Ｐｔとして特定する。したがって、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法によれば、例えば、回路Ｃの電気的特性に起因して位相差が緩やかに上昇するその上昇率よりも下限率ＲＬ１を高い値に規定し、ノイズ等の影響によって位相差が急峻に上昇するその上昇率よりも上限率ＲＵ１を低く規定することで、これらの緩やかな上昇や急峻な上昇が転換点Ｐｔとして誤って特定される事態を防止することができる結果、判別処理の精度を十分に向上させることができる。

また、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法によれば、コンデンサ２１を含んで構成される共振回路における共振周波数ｆｓが含まれる予め決められた周波数範囲ｆｒを対象として転換点Ｐｔの有無を特定することにより、位相差を測定した全ての周波数を対象として転換点Ｐｔの有無を特定する構成および方法と比較して、転換点Ｐｔを特定する処理の処理時間を十分に短縮することができる。

なお、実装状態判別装置１および実装状態判別方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、下限率ＲＬ１および上限率ＲＵ１として規定した上記の値は一例であって、任意に変更することができる。また、ノイズの影響が少ないときには、下限率ＲＬ１のみを規定して、上昇率Ｒ１が下限率ＲＬ１以上の点を転換点Ｐｔとして特定する構成および方法を採用することもできる。

また、波形曲線ＣＬ１を微分した微分値が下限率ＲＬ１と上限率ＲＵ１との間の値となったときの点、つまり上昇率Ｒ１の瞬時値が下限率ＲＬ１と上限率ＲＵ１との間の値となったときの点を転換点Ｐｔとして特定する構成および方法について上記したが、例えば、周波数が予め決められた微少範囲分だけ上昇したときの位相差の上昇分をその微少範囲で除した値（つまり、微少範囲における上昇率Ｒ１の平均値）が下限率ＲＬ１と上限率ＲＵ１との間の値となったときに、その微少範囲におけるいずれかの点（微少範囲における最小周波数の点、微少範囲における中間の周波数の点、および微少範囲における最大周波数の点などの任意の点）を転換点Ｐｔとして特定する構成および方法を採用することもできる。

また、測定用信号Ｓ１の位相と検出信号Ｓ２の位相との位相差（電気的パラメータの一例）を測定用信号Ｓ１の周波数毎に測定し、判別処理において、位相差の周波数特性（波形曲線ＣＬ１）における転換点Ｐｔを特定し、特定した転換点Ｐｔの数と回路Ｃに実装されるべきコンデンサ２１の数とを比較することで、各コンデンサ２１が実装状態であるか非実装状態であるかを判別する構成および方法について上記したが、測定点Ｐ１，Ｐ２間のインピーダンス（電気的パラメータの他の一例）を測定用信号Ｓ１の周波数を変化させつつ各周波数毎に（インピーダンスの周波数特性を）測定して、判別処理において、インピーダンスの周波数特性（例えば、図１３に示す波形曲線ＣＬ２）における転換点Ｐｔを特定し、特定した転換点Ｐｔの数と回路Ｃに実装されるべきコンデンサ２１の数とを比較することで、各コンデンサ２１が実装状態であるか非実装状態であるかを判別する構成および方法を採用することもできる。以下、この構成および方法について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、上記した実装状態判別装置１および実装状態判別方法と同じ構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。なお、図１３〜図２０において、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃを「２１ａ」「２１ｂ」「２１ｃ」の符号で示すと共に、実装状態を「○」、非実装状態を「×」で示す。

まず、回路Ｃについてのインピーダンスの周波数特性（測定用信号Ｓ１の周波数の変化に伴うインピーダンスの変化）について説明する。図１３に示す周波数特性図は、上記の等価回路（図４参照）の測定点Ｐ１，Ｐ２において測定部２によって測定されるインピーダンスの周波数特性を表している。具体的には、ＸＹ平面におけるＸ軸を周波数の座標軸に規定すると共にＹ軸をインピーダンスの座標軸に規定したときの周波数の変化に伴うインピーダンスの変化を示す波形曲線ＣＬ２を図示している。この周波数特性図から明らかなように、コンデンサ２１ａ〜２１ｃが正しく実装されている回路Ｃについてのインピーダンスの周波数特性には、コンデンサ２１ａ〜２１ｃの数と同数（この例では、３つ）の転換点Ｐｔ４〜Ｐｔ６（以下、区別しないときには「転換点Ｐｔ」ともいう）が各共振周波数ｆｓ１〜ｆｓ３において現れている。

また、図１３の周波数特性図から明らかなように、この例では、各転換点Ｐｔ４〜Ｐｔ６の周波数よりもやや低い周波数においてインピーダンスの値が急激に下降し、各転換点Ｐｔ４〜Ｐｔ６において急激に上昇に転じる。

一方、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃのいずれかが非実装状態のときのインピーダンスの周波数特性には、実装状態のコンデンサ２１に対応する転換点Ｐｔのみが現れ、非実装状態のコンデンサ２１に対応する転換点Ｐｔは現れない。例えば、コンデンサ２１ａ，２１ｂが実装状態で、コンデンサ２１ｃが非実装状態のときのインピーダンスの周波数特性についてのシミュレーション結果を図１４に示す。同図の周波数特性図から明らかなように、この例では、実装状態のコンデンサ２１ａ，２１ｂに対応する転換点Ｐｔ４，Ｐｔ５のみが現れ、非実装状態のコンデンサ２１ｃに対応する転換点Ｐｔ６は現れない。

また、図１５に示すように、コンデンサ２１ａが実装状態で、コンデンサ２１ｂ，２１ｃが非実装状態のときには、コンデンサ２１ａに対応する転換点Ｐｔ４のみが現れ、コンデンサ２１ｃに対応する転換点Ｐｔ５，Ｐｔ６は現れない。また、図１６に示すように、コンデンサ２１ａ，２１ｃが実装状態で、コンデンサ２１ｂが非実装状態のときには、コンデンサ２１ａ，２１ｃに対応する転換点Ｐｔ４，Ｐｔ６のみが現れ、コンデンサ２１ｂに対応する転換点Ｐｔ５は現れない。また、図１７に示すように、コンデンサ２１ｂ，２１ｃが実装状態で、コンデンサ２１ａが非実装状態のときには、コンデンサ２１ｂ，２１ｃに対応する転換点Ｐｔ５，Ｐｔ６のみが現れ、コンデンサ２１ａに対応する転換点Ｐｔ４は現れない。

また、図１８に示すように、コンデンサ２１ｃが実装状態で、コンデンサ２１ａ，２１ｂが非実装状態のときには、コンデンサ２１ｃに対応する転換点Ｐｔ６のみが現れ、コンデンサ２１ａ，２１ｂに対応する転換点Ｐｔ４，Ｐｔ５は現れない。また、図１９に示すように、コンデンサ２１ｂが実装状態で、コンデンサ２１ａ，２１ｃが非実装状態のときには、コンデンサ２１ｂに対応する転換点Ｐｔ５のみが現れ、コンデンサ２１ａ，２１ｃに対応する転換点Ｐｔ４，Ｐｔ６は現れない。さらに、図２０に示すように、全てのコンデンサ２１ａ〜２１ｃが非実装状態のときには、各転換点Ｐｔ４〜Ｐｔ６のいずれも現れない。

このため、インピーダンスの周波数特性（図１３に示す波形曲線ＣＬ２）における転換点Ｐｔを特定し、特定した転換点Ｐｔの数（以下「特定数」ともいう）と回路Ｃに実装されるべきコンデンサ２１の数（この例では、３つ：以下「規定数」ともいう）とを比較することで、各コンデンサ２１が実装状態であるか非実装状態であるかを判別することができる。具体的には、特定数と規定数とが同数のときには、各コンデンサ２１が実装状態であると判別し、特定数が規定数よりも少ないときには、その差分値の数と同じ数のコンデンサ２１が非実装状態であると判別する。

ここで、上記した上昇率をＲ２、測定用信号Ｓ１の周波数をｆｍ（Ｈｚ）、インピーダンスをＺ（Ω）とすると、上昇率Ｒ２は、一例として、次の式（２）で規定することができる。
Ｒ２＝β×Δ（ｌｏｇ_１０Ｚ）／Δ（ｌｏｇ_１０ｆｍ）・・・・式（２）
（βは係数であって、図１３〜図２０の例では０．６４：Δは上昇分を示す符号）
この場合、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法では、この上昇率Ｒ２が予め決められた下限率ＲＬ２以上でかつ予め決められた上限率ＲＵ２以下の点を転換点Ｐｔとして特定する特定処理を実行する。

具体的には、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法では、一例として、下限率ＲＬ２が１．７３（ｔａｎ６０°）に規定され、上限率ＲＵ２が１１．４３（ｔａｎ８５°）に規定している。つまり、図１３に示すように、周波数を「ｌｏｇ_１０」（常用対数）で示す座標軸（Ｘ軸）とインピーダンスを「ｌｏｇ_１０」で示す座標軸（Ｙ軸）とによって規定されるＸＹ平面に周波数の変化に伴うインピーダンスの変化を示す波形曲線ＣＬ２を描いたときに、波形曲線ＣＬ２における接線の傾きが６０°以上で８５°以下となる波形曲線ＣＬ２上の点を転換点Ｐｔとして特定している。このように特定処理を実行することで、回路Ｃの電気的特性に起因するインピーダンスの緩やかな上昇や、ノイズ等の影響によるインピーダンスの急峻な上昇が転換点Ｐｔとして誤って特定される事態を防止することが可能となっている。

また、上記したように、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃにそれぞれ対応する各共振周波数ｆｓが変動し、この共振周波数ｆｓの変動によって転換点Ｐｔが現れるべき周波数も変動するが、その変動はある程度の範囲内に限られるため、この実装状態判別装置１および実装状態判別方法では、実装されるべき全てのコンデンサ２１が実装状態である回路Ｃ（良品の回路Ｃ）における各共振周波数ｆｓ１〜ｆｓ３をそれぞれ含む予め決められた幅の周波数範囲ｆｒ（以下、コンデンサ２１ａに対応する周波数範囲ｆｒを「周波数範囲ｆｒ４」ともいい、コンデンサ２１ｂに対応する周波数範囲ｆｒを「周波数範囲ｆｒ５」ともいい、コンデンサ２１ｃに対応する周波数範囲ｆｒを「周波数範囲ｆｒ６」ともいう：図１３参照）を設定し、その周波数範囲ｆｒだけを対象として特定処理を実行する。このような構成および方法を採用することで、全ての周波数を対象として特定処理を実行する構成および方法と比較して、特定処理を短時間で実行することが可能となっている。なお、上記した周波数範囲ｆｒ、下限率ＲＬ２および上限率ＲＵ２を示すデータは、判別用データＤ２として記憶部３に記憶されている。

この実装状態判別装置１および実装状態判別方法においても、インピーダンスの周波数特性を示す特性データＤ１と判別用データＤ２とに基づき、回路Ｃにおいて、コンデンサ２１ａ〜２１ｃが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を実行する。具体的には、処理部４が、判別用データＤ２に基づいてコンデンサ２１ａに対応する周波数範囲ｆｒ４〜ｆｒ６を特定すると共に、下限率ＲＬ２および上限率ＲＵ２を特定する。

続いて、処理部４は、特性データＤ１に基づき、測定用信号Ｓ１の周波数の上昇に伴ってインピーダンスが急激に上昇に転じる転換点Ｐｔの有無を特定する特定処理を実行する。この特定処理では、処理部４は、周波数範囲ｆｒ４〜ｆｒ６を対象として、上記式（２）で規定される上昇率Ｒ２が下限率ＲＬ２（１．７３）以上で、かつ上限率ＲＵ２（１１．４３）以下となる点、つまり、波形曲線ＣＬ２における接線の傾きが６０°以上でかつ８５°以下となる波形曲線ＣＬ２上の点を検索する。この場合、処理部４は、一例として、周波数範囲ｆｒ４〜ｆｒ６における波形曲線ＣＬ２を低い周波数から高い周波数に向けて順に微分し、その微分値が下限率ＲＬ２と上限率ＲＵ２との間の値となったときの周波数を上記の点とする。また、処理部４は、このような点を検出したときには、その点を転換点Ｐｔとして特定し、特定した転換点Ｐｔの数をカウントする。

次いで、処理部４は、特定した転換点Ｐｔの数（特定数）と実装されるべきコンデンサ２１ａ〜２１ｃの数（規定数：この例では３）とを比較する。この場合、図１３に示すように、３つの転換点Ｐｔを特定したとき、つまり、特定数と規定数とが同数との条件を満たすときには、処理部４は、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃが実装状態であると判別する。一方、図１４〜図２０に示すように、特定数と規定数とが同数との条件を満たさないときには、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃのいずれかが非実装状態である（具体的には、差分値と同じ数のコンデンサ２１が非実装状態である）と判別する。次いで、処理部４は、表示処理を実行して、上記の判別結果を表示部５に表示させる。この場合、各コンデンサ２１ａ〜２１ｃのいずれかが非実装状態であると判別したときには、非実装状態のコンデンサ２１の数（差分値と同じ数）を判別結果と共に表示させてもよい。

この構成および方法においても、基準値を用いることなく各コンデンサ２１の実装状態および非実装状態を判別することができるため、種類の異なる数多くの回路に対して判別処理を行う場合において、各回路毎の基準範囲を規定する煩雑な処理を不要とすることができるため、処理効率を十分に向上させることができる

また、この構成および方法においても、周波数の上昇に伴うインピーダンス（電気的パラメータ）の上昇率Ｒ２が下限率ＲＬ２以上でかつ上限率ＲＵ２以下の点を転換点Ｐｔとして特定するため、例えば、回路Ｃの電気的特性に起因してインピーダンスが緩やかに上昇するその上昇率よりも下限率ＲＬ２を高い値に規定し、ノイズ等の影響によってインピーダンスが急峻に上昇するその上昇率よりも上限率ＲＵ２を低く規定することで、これらの緩やかな上昇や急峻な上昇が転換点Ｐｔとして誤って特定される事態を防止することができる結果、判別処理の精度を十分に向上させることができる。

また、この構成および方法においても、共振周波数ｆｓが含まれる周波数範囲ｆｒを対象として転換点Ｐｔの有無を特定するため、インピーダンスを測定した全ての周波数を対象として転換点Ｐｔの有無を特定する構成および方法と比較して、転換点Ｐｔを特定する処理の処理時間を十分に短縮することができる。

なお、下限率ＲＬ２および上限率ＲＵ２として規定した上記の値は一例であって、任意に変更することができる。また、ノイズの影響が少ないときには、下限率ＲＬ２のみを規定して、上昇率Ｒ２が下限率ＲＬ２以上の点を転換点Ｐｔとして特定する構成および方法を採用することもできる。

また、例えば、周波数が予め決められた微少範囲分だけ上昇したときのインピーダンスの上昇分をその微少範囲で除した値（つまり、微少範囲における上昇率Ｒ１の平均値）が下限率ＲＬ２と上限率ＲＵ２との間の値となったときに、その微少範囲におけるいずれかの点（微少範囲における最小周波数の点、微少範囲における中間の周波数の点、および微少範囲における最大周波数の点などの任意の点）を転換点Ｐｔとして特定する構成および方法を採用することもできる。

１ 実装状態判別装置
２ 測定部
４ 処理部
２１ａ〜２１ｃ コンデンサ
Ｃ 回路
ｆｒ１〜ｆｒ６ 周波数範囲
ｆｓ１〜ｆｓ３ 共振周波数
Ｐｔ１〜Ｐｔ６ 転換点
Ｒ１，Ｒ２ 上昇率
ＲＬ１，ＲＬ２ 下限値
ＲＵ１，ＲＵ２ 上限値
Ｓ１ 測定用信号
Ｓ２ 検出信号

Claims (6)

1. 複数のコンデンサが並列接続される回路に対する交流信号の供給に伴って検出される検出信号に基づいて当該回路についての電気的パラメータを当該交流信号の周波数毎に測定する測定部と、当該測定された電気的パラメータの周波数特性に基づいて前記各コンデンサが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を実行する処理部とを備えた実装状態判別装置であって、
   前記処理部は、前記判別処理において、前記周波数の上昇に伴って前記電気的パラメータが上昇に転じる転換点の有無を特定し、当該特定した転換点の数と前記回路に実装されるべき前記コンデンサの数とが同数のときに前記各コンデンサが実装状態であると判別する実装状態判別装置。
2. 前記処理部は、前記周波数の上昇に伴う前記電気的パラメータの上昇率が予め決められた下限率以上でかつ予め決められた上限率以下の点を前記転換点として特定する請求項１記載の実装状態判別装置。
3. 前記処理部は、前記コンデンサを含んで構成される共振回路における共振周波数が含まれる予め決められた周波数範囲を対象として前記転換点の有無を特定する請求項１または２記載の実装状態判別装置。
4. 複数のコンデンサが並列接続される回路に対する交流信号の供給に伴って検出される検出信号に基づいて当該回路についての電気的パラメータを当該交流信号の周波数毎に測定し、当該測定した電気的パラメータの周波数特性に基づいて前記各コンデンサが実装状態であるか非実装状態であるかを判別する判別処理を実行する実装状態判別方法であって、
   前記判別処理において、前記周波数の上昇に伴って前記電気的パラメータが上昇に転じる転換点の有無を特定し、当該特定した転換点の数と前記回路に実装されるべき前記コンデンサの数とが同数のときに前記各コンデンサが実装状態であると判別する実装状態判別方法。
5. 前記周波数の上昇に伴う前記電気的パラメータの上昇率が予め決められた下限率以上でかつ予め決められた上限率以下の点を前記転換点として特定する請求項４記載の実装状態判別方法。
6. 前記コンデンサを含んで構成される共振回路における共振周波数が含まれる予め決められた周波数範囲を対象として前記転換点の有無を特定する請求項４または５記載の実装状態判別方法。

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