JP2013140383A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置は、モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、駆動装置とを有し、モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、電圧無印加時において液晶層の液晶分子に89.6°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、液晶分子がモノドメイン配向されており、画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、駆動装置は、デューティ比1/4デューティ以上で1/31デューティ以下であり、プレティルト角θpに応じた[120×(θp−89.6)+60]Hz以上のフレーム周波数fを有するA波形を液晶セルに印加して、暗領域の発生を防止する。
【選択図】図5
Description
2、12 視角補償板
3、13 ガラス基板
4、14 透明電極
5、15 絶縁膜
6、16 垂直配向膜
7 液晶層
8、18 ラビング方向
θp プレティルト角
21 液晶セル
31 駆動装置
Claims (17)
- モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に89.6°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有するA波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/4デューティ以上で1/31デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[120×(θp−89.6)+60]Hz以上であり、
前記A波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に89.6°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有するA波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/32デューティ以上で1/119デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[60×(θp−89.6)+60]Hz以上であり、
前記A波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に88.5°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比に応じたフレーム周波数fを有するA波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/120デューティ以上であり、
前記フレーム周波数fは、60Hz以上であり、
前記A波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に88.8°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有するB波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/4デューティ以上で1/31デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[312×(θp−88.8)+60]Hz以上であり、
前記B波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に88.8°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有するB波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/32デューティ以上であり、
前記フレーム周波数fは、[160×(θp−88.8)+60]Hz以上であり、
前記B波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に89.0°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有するB波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/4デューティ以上で1/31デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[312×(θp−89.0)+100]Hz以上であり、
前記B波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に89.0°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有するB波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/32デューティ以上で1/119デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[160×(θp−89.0)+100]Hz以上であり、
前記B波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に88.5°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比に応じたフレーム周波数fを有するB波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/120デューティ以上であり、
前記フレーム周波数fは、100Hz以上であり、
前記B波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に89.2°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有し、極性反転ライン数Mが1以上でデューティ数の1/2以下であるC波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/4デューティ以上で1/31デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[216×(θp−89.2)+60]Hz以上であり、
前記C波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に89.2°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有し、極性反転ライン数Mが1以上でデューティ数の1/2以下であるC波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/32デューティ以上で1/119デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[110×(θp−89.2)+60]Hz以上であり、
前記C波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に88.5°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比に応じたフレーム周波数fを有し、極性反転ライン数Mが1以上でデューティ数の1/2以下であるC波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/120デューティ以上であり、
前記フレーム周波数fは、60Hz以上であり、
前記C波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に88.8°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有し、極性反転ライン数Mが1以上でデューティ数以下であるC波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/4デューティ以上で1/31デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[312×(θp−88.8)+60]Hz以上であり、
前記C波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に88.8°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有し、極性反転ライン数Mが1以上でデューティ数以下であるC波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/32デューティ以上であり、
前記フレーム周波数fは、[160×(θp−88.8)+60]Hz以上であり、
前記C波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に89.3°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有し、同時ライン選択数Nが2以上4以下であるMLS波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/4デューティ以上で1/31デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[150×(θp−89.3)+60]Hz以上であり、
前記MLS波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に89.3°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比及び前記プレティルト角θpに応じたフレーム周波数fを有し、同時ライン選択数Nが2以上4以下であるMLS波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/32デューティ以上で1/63デューティ以下であり、
前記フレーム周波数fは、[75×(θp−89.3)+60]Hz以上であり、
前記MLS波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - モノドメイン垂直配向型の液晶セルと、
前記液晶セルに駆動波形を印加する駆動装置と
を有し、
前記モノドメイン垂直配向型の液晶セルは、
相互に対向配置された第1及び第2の基板と、
前記第1及び第2の基板に挟まれた液晶層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方にそれぞれ形成された第1及び第2の電極層と、
前記第1の基板の前記液晶層側上方、及び、前記第2の基板の前記液晶層側上方に形成され、電圧無印加時において該液晶層の液晶分子に88.5°以上89.9°以下の範囲内のプレティルト角θpが付与され、かつ該液晶層の液晶分子がモノドメイン配向するように、前記第1の基板側と前記第2の基板側の少なくとも一方に配向処理がなされた第1及び第2の垂直配向膜と
を有し、
前記第1及び第2の電極層が画素を構成し、
前記画素内部において、フレーム周波数30Hz以下のオン駆動波形印加で、オン表示と異なる状態である暗領域を生じ、
前記駆動装置は、
デューティ比に応じたフレーム周波数fを有し、同時ライン選択数Nが4であるMLS波形を前記液晶セルに印加し、
前記デューティ比は、1/64デューティ以上であり、
前記フレーム周波数fは、60Hz以上であり、
前記MLS波形を前記液晶セルに印加することにより前記暗領域の発生を防止する液晶表示装置。 - 前記配向処理は、前記第1及び第2の垂直配向膜へのアンチパラレルのラビング処理である請求項1〜16のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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