JP2013138022A - 自発光パネル - Google Patents

Abstract

【課題】封止基板と接着層からなる封止部材により、自発光素子を封止する場合、封止部材と自発光素子を高精度に位置合わせして封止すること、封止基板が不透明であっても高精度に位置合わせを行うこと等。
【解決手段】封止基板３２と接着層３１からなる封止部材３０により、基板２に形成された有機ＥＬ素子６を封止する。この際基板２は、有機ＥＬ素子６との位置関係が規定位置にアライメントマーク７を有し、封止部材３０は、封止基板３２と、アライメントマーク７と対応する位置にアライメントマーク３１Ａが形成された接着層３１とを有する。そしてアライメントマーク７とアライメントマーク３１Ａに基づいて封止部材３０と基板２との位置合わせを行い、位置合わせした状態で接着層３１により有機ＥＬ素子６を覆うように、封止部材３０にて自発光素子６を封止する。
【選択図】図２

Description

本発明は、自発光パネルに関する。

図１は一般的な自発光パネルを説明するための図である。図１（ａ）に示すように、一般的な自発光パネルとしての有機ＥＬパネル１０１は、ガラス等の光透過性材料からなる基板１０２上に直接又は他の層を介して形成された第１の電極１０３と、例えば第１の電極１０３上に形成された正孔注入層１４１、正孔輸送層１４２、発光層１４３、電子輸送層１４４、電子注入層１４５等を含む成膜層１０４と、成膜層１０４上に形成された第２の電極１０５とを有する有機ＥＬ素子１０６を一つ又は複数個備える。この有機ＥＬ素子１０６は、大気雰囲気下で放置されると大気中の水分や酸素等により劣化して発光不良等の不具合を生じる場合がある。

この不具合を防止するために、例えば特許文献１には、有機ＥＬ素子が形成された基板と封止フィルムとを貼り合せて、有機ＥＬ素子を封止する有機ＥＬ装置の製造方法が開示されている。図１（ｂ）を参照しながら有機ＥＬ素子を封止する一般的な方法を説明する。例えば図１（ｂ）に示すように、基板１０２上の各エリア１０７内にマトリクス状に複数個の有機ＥＬ素子１０６が形成されている場合に、この有機ＥＬ素子１０６を覆うように、封止部材１０８を貼り合わせて有機ＥＬ素子１０６を封止する。この封止部材１０８は、例えば有機ＥＬ素子１０６上を覆う接着層（封止用樹脂性フィルム）１８１と、光透過性を有し且つ外気を遮断するバリア性（防湿性）を備える封止基板１８２とを有し、この接着層１８１と封止基板１８２とが貼り合わされた構造を有する。上記封止後、例えば各エリア１０７毎にカッティングされ、それぞれが表示装置に用いられる。
一般的に封止部材１０８では、封止基板１８２がガラスなどの透明材料からなり、接着層１８１が透明性を備える樹脂性フィルムからなるので、基板１０２上に形成された有機ＥＬ素子１０６と、封止部材１０８との位置合わせが容易である。

特開２００４−１７８９８４号公報

ところで近年、表示装置の高精細化により、基板１０２上に形成された引出配線などに、封止用樹脂フィルムの一部が重なってしまう等の不具合があり、高精度に位置合わせを行うことが望まれている。
また表示装置を薄型化するために、封止基板１８２として、硬度が高く薄厚に形成可能なステンレスなどの金属材料を採用することが好ましい。しかし一般的にこれら金属材料からなる封止基板１８２は光透過性が低いために、封止基板１８２と基板１０２とを高精度に合わせることが技術的に困難である。
また接着層１８１が不透明な封止用樹脂フィルムからなる場合には、アライメントマークが樹脂フィルムにより遮蔽されるので、位置合わせを行うことができない場合がある。

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、封止基板と接着層からなる封止部材により、自発光素子を封止する場合、封止部材と自発光素子を高精度に位置合わせして封止すること、封止基板が不透明であっても高精度に位置合わせを行うことができること、等が本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
請求項１に記載の発明は、基板と、発光層を有する自発光素子と、封止部材を備え、前記基板又は前記封止部材には、アライメントマークが形成されていることを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、基板と、発光層を有する自発光素子と、封止部材を備え、前記基板には第１のアライメントマークが形成され、前記封止部材には第２のアライメントマークが形成されていることを特徴とする。

一般的な自発光パネルを説明するための図である。（ａ）は一般的な有機ＥＬパネルを説明するための図であり、（ｂ）は一般的な封止方法を説明するための図である。 本発明の第１実施形態に係る自発光パネルを説明するための図である。（ａ）は封止前の封止部材と、自発光素子が形成された基板とを説明するための断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した自発光素子を拡大した図であり、（ｃ）は封止後の自発光パネルを説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は図２に示した自発光パネルの自発光素子の形成工程を説明するための図である。 （ａ）〜（ｄ）は図２に示した自発光パネルの封止部材の形成工程を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る自発光パネルを製造する製造装置を説明するための図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る自発光パネルの封止部材を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明するための図である。（ａ）は封止前の封止部材と、自発光素子が形成された基板とを説明するための断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した自発光素子を拡大した図であり、（ｃ）は封止後の自発光パネル１ｂを説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る自発光パネル１ｃを説明するための断面図である。 （ａ）は本発明に係る自発光パネルを採用したパッシブ駆動型作製用基板を示す断面図であり、（ｂ）は本発明に係る自発光パネルを採用したアクティブ駆動型作製用基板の断面図である。 複数の自発光パネルが形成された基板上にアライメントマークを配置する一実施形態を説明するための図であり、（ａ）は額縁部にアライメントマークを形成した場合、（ｂ）は額縁部以外の領域に３つのアライメントマークを形成した場合、（ｃ）は額縁部以外の領域に４つのアライメントマークを形成した場合を説明するための図である。 封止部材と基板を貼り合わせる他の実施形態を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る封止部材３０ｂを説明するための図である。フィルム状の接着層のみで構成される封止部材３０ａを説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る封止部材３０ｂを説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る封止部材３０ｃを説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る封止部材３０ｄを説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るアライメントマークを説明するための図である。 本発明の一実施形態に係る自発光パネルを説明するための図であり、（ａ）はパッシブ駆動型自発光パネル、（ｂ）はアクティブ駆動型自発光パネルを説明するための図である。

本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法は、基板上に直接又は他の層を介して形成された第１の電極と、第１の電極上に形成された発光層を含む成膜層と、前記成膜層上に形成された第２の電極とを有する自発光素子を一つ又は複数備える自発光パネルの製造方法である。またこの製造方法において、自発光素子を封止するための封止部材は、封止基板と、接着層とを有する。またこの製造方法では、基板上の第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークに基づいて封止部材と基板との位置合わせを行い、封止部材にて自発光素子を封止する封止工程とを有する。
上記工程により、アライメントマークに基づいて封止部材と基板との位置合わせを行い、封止部材にて自発光素子を封止するので、封止部材を不要部分に貼り合せることなく、高精度に封止部材により自発光素子を封止することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態を説明する。

［第１実施形態］
図２は本発明の第１実施形態に係る自発光パネルを説明するための図である。図２（ａ）は封止前の封止部材と、自発光素子が形成された基板とを説明するための断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示した自発光素子を拡大した図であり、図２（ｃ）は封止後の自発光パネルを説明するための図である。
図２に示すように、本実施形態に係る自発光パネル１は、自発光素子が形成された基板２、および封止部材３０を有する。本実施形態では有機ＥＬパネルを採用した自発光パネルを説明する。また本実施形態では自発光素子として有機ＥＬ素子を採用するが、この形態に限られるものではない。例えば自発光素子として、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子、ＦＥＤ素子、発光ダイオード等を採用することができる。

自発光パネル１は、例えば図２（ｂ）に示すように、基板２上に直接又は他の層を介して形成された第１の電極（下部電極）３と、例えば第１の電極３上に形成された正孔注入層４１、正孔輸送層４２、発光層４３、電子輸送層４４、電子注入層４５等を含む成膜層４と、成膜層４上に形成された第２の電極（上部電極）５とを有する有機ＥＬ素子６を一つ又は複数個備える。また有機ＥＬ素子６を覆うように、酸化ケイ素、窒化珪素、窒化酸化ケイ素などの無機材料で保護層を形成してもよく、特に接着層から自発光素子へ水分等の浸透を防ぐために、無機材料として低透湿性で絶縁性の材料を用いることが好ましい。
また基板２には、位置合わせ用にアライメントマーク（第１のアライメントマーク）７が形成されている。このアライメントマーク７は、基板２に形成された有機ＥＬ素子６を封止部材３０にて封止する際に、基板２と封止部材３０とを位置合わせする際に用いられる。またアライメントマーク７は、有機ＥＬ素子６との位置関係が予め規定された位置に形成されている。
アライメントマーク７は、例えばフォトリソ法、蒸着法、レーザ光、熱などを用いた転写法等、公知の方法にて基板２上に形成される。このアライメントマーク７は、例えば有機ＥＬ素子６の形成工程に対応して、第１の電極３、成膜層４または第２の電極５と同じ材料を同じ工程にて形成してもよいし、別工程にて形成してもよい。アライメントマーク７はアルミニウム、クロム、銀、金、プラチナ等の金属材料、ポジ型レジスト、ネガ型レジスト等の感光性樹脂材料、カーボン等の炭素材料、染料等の蛍光性材料など公知の材料から形成され、特に限定はしないが、視認性を確保する観点から、反射率の高いクロム、アルミニウム等の反射性金属材料や、黒色の感光性樹脂材料や炭素材料が好ましく、さらに有機ＥＬ素子６への劣化等の悪影響を与えない点から、反射性の高い金属材料がさらに好ましい。

封止部材３０は、基板２に形成された有機ＥＬ素子６を封止する部材である。封止部材３０は、図２（ａ）に示すような、接着層３１、および封止基板３２を有する。接着層３１は、基板２と封止基板３２との間に配置され、基板２との接着性が高い。また接着層３１の材料として、例えば樹脂材料、具体的にはポリエステルアクリレート，ポリエーテルアクリレート，エポキシアクリレート，ポリウレタンアクリレートなどの各種アクリレートを主成分とする光ラジカル重合性樹脂や、エポキシ，ビニルエーテルなどの樹脂を主成分とする光カチオン重合性樹脂や、チオール・エン付加型樹脂などの光硬化性樹脂や、ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリメチルメタクリレート，ポリスチレン，ポリエーテルスルホン，ポリアリレート，ポリカーボネート，ポリウレタン，アクリル樹脂，ポリアクリルニトリル，ポリビニルアセタール，ポリアミド，ポリイミド，ジアクリルフタレート樹脂，セルロース系プラスチック，ポリ酢酸ビニル，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデンなどや、これらの２つまたは３つ以上の共重合体などの熱可塑性樹脂や、熱硬化型樹脂などが挙げられる。
特に接着層３１は有機ＥＬ素子６と密着するために封止機能を有し、自発光パネル１の作製途中で劣化原因となるガスを発生しない（または発生量が少ない）ことや、周囲の温度や経時的に変形・収縮・膨張などの変化がほとんどないものであれば、特に限定されるものではない。本実施形態に係る接着層３１では樹脂フィルムを採用する。

接着層３１には、位置合わせ用にアライメントマーク（第２のアライメントマーク）３１Ａが、予め規定された位置に形成されている。本実施形態に係るアライメントマーク３１Ａは、基板２との位置合わせ時に用いられる。アライメントマーク３１Ａは、例えば円形状、矩形状、十字形状など、各種形状に形成されている。またアライメントマーク３１Ａを比較的小さく形成することで、位置合わせ精度を高くすることができる。
このアライメントマーク３１Ａは、公知の方法により形成してもよい。例えば具体的には、アライメントマーク３１Ａとして、樹脂フィルムからなる接着層３１にレーザ光を照射することにより、樹脂が劣化して透光性が低い変質領域を形成してもよい。またレーザ光を接着層３１に照射することにより形成した焼き焦げ痕であってもよく、視認できる程度であれば良い。焼き焦げ痕は例えば熱コテにより形成してもよい。またアライメントマーク３１Ａは、この形態に限られるものではない。例えばアライメントマーク３１Ａを蒸着法やフォトリソ法により形成してもよい。またアライメントマーク３１Ａをホットプレス加工などの押圧加工により凸形状又は凹形状に形成してもよい。またアライメントマーク３１Ａを印刷技術などにより色素転写するなどの転写法にて形成してもよい。またレーザ照射により着色するフィルムに、レーザ照射することによりアライメントマーク３１Ａを形成してもよい。

封止基板３２は、外気を遮断する。封止基板３２は、例えば大気中の水分や酸素などの劣化因子を透過させない材料にて形成されている。つまり封止基板３２は外気を遮断するバリア層として機能する。
封止基板３２の材料としては、例えばガラスなどのセラミック、ステンレス、アルミニウム等の金属材料、プラスチック等を採用することができる。特にステンレス、アルミニウムなどで薄い封止基板を形成しても高い強度が得られ、この薄い封止基板を用いることで自発光パネルの薄型化を実現できる点から、封止基板３２の材料としてステンレス、アルミニウムなどを採用することが好ましい。

図３（ａ）〜（ｃ）は、図２に示した自発光パネルの自発光素子の形成工程を説明するための図である。図３（ａ）〜（ｃ）を参照しながら有機ＥＬ素子６の形成工程を説明する。
先ず図３（ａ）に示すように、例えばガラスなどの光透過性を有する透明材料からなる基板２を用意する。次に図３（ｂ）に示すように、基板２上に直接又は他の層を介して導電材料により第１の電極３を形成する。次に第１の電極３上に、例えば正孔注入層４１、正孔輸送層４２、発光層４３、電子輸送層４４、電子注入層４５を順次積層して成膜層４を形成する。次に成膜層４上に導電材料により第２の電極５を形成する。上記形成工程により基板２上に有機ＥＬ素子６が形成される。次に図３（ｃ）に示すように、基板２上にアライメントマーク７を形成する。このアライメントマーク７は、上述したように例えばフォトリソ法、蒸着法等、公知の方法により基板２上に形成される。また上述したようにアライメントマーク７は、例えば有機ＥＬ素子６の形成工程に対応して別工程にて形成してもよいし、同じ工程にて形成してもよい。例えば第１の電極３を形成する工程と同じ、またはその前の工程にて形成してもよい。

図４（ａ）〜（ｄ）は、図２に示した自発光パネルの封止部材の形成工程を説明するための図である。図４（ａ）〜（ｄ）を参照しながら封止部材３０の形成工程を説明する。先ず図４（ａ），（ｂ）に示すように封止基板３２、および接着層３１を用意する。本実施形態では封止基板３２は、不透明性を有する金属材料により形成されている。接着層３１はエポキシ樹脂等の樹脂フィルムにより形成されている。次に図４（ｃ）に示すように、封止基板３２および接着層３１それぞれの対向する面を貼り合わせる。次に図４（ｄ）に示すように、接着層３１の予め規定された位置、詳細には基板２上に形成されるアライメントマーク７の位置と対応する位置に、アライメントマーク３１Ａをレーザ照射等の各種形成工程により形成する。本実施形態では図４（ｄ）に示すように、接着層３１に焼き焦げ痕や凹部を形成して、それをアライメントマーク３１Ａとする。なお、図４ではアライメントマーク３１Ａは基板２との貼り合わせ面側に形成されているが、貼り合わせ面と反対の面側に形成してあってもよく、限定はされない。

図５は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルを製造する製造装置を説明するための図である。次に図５，図２（ａ）に示すように、光透過性を有するステージ（作業台）４０１上に基板２を配置する。そして基板２の上側に封止部材３０を配置し、基板２と封止部材３０の位置合わせを行う。この際、接着層３１に形成されたアライメントマーク３１Ａと基板２上に形成されたアライメントマーク７の相対位置に基づいて、基板２と封止部材３０との位置合わせを行う。
詳細には本実施形態では基板２の下部側に、撮像装置（カメラ）２００が配置されている。カメラ２００は、透明材料からなる基板２を介して、アライメントマーク７およびアライメントマーク３１Ａを撮像する。そしてカメラ２００による撮像結果に基づいて、制御部４０２が相対位置駆動部４０３を駆動制御して、基板２と封止部材３０との位置合わせ、例えばｘ軸方向，ｙ軸方向に沿った位置合わせを行い、図２（ｃ）に示すように、位置合わせした状態で、接着層３１により有機ＥＬ素子６を覆うように、封止部材３０にて自発光素子を封止する。例えば制御部４０２は圧着部４０４をｚ軸方向に駆動制御して上記封止を行う。

以上説明したように、本実施形態に係る自発光パネル１の製造方法では、封止基板３２と接着層３１からなる封止部材３０により、基板２に形成された有機ＥＬ素子６を封止する。この際、基板２は、有機ＥＬ素子６との位置関係が予め規定された位置にアライメントマーク７を有し、封止部材３０は、アライメントマーク３１Ａが形成された接着層３１とを有する。そしてアライメントマーク７とアライメントマーク３１Ａに基づいて封止部材３０と基板２との位置合わせを行い、位置合わせした状態で接着層３１により有機ＥＬ素子６を覆うように、封止部材３０にて有機ＥＬ素子６を封止するので、封止部材と自発光素子を高精度に位置合わせして封止することができる。また、封止基板３２が不透明であっても、光透過性を有する基板２を介してアライメントマーク７とアライメントマーク３１Ａとに基づいて高精度に位置合わせを行うことができる。

［第２実施形態］
図６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る自発光パネルの封止部材を説明するための図である。第１実施形態との相違点は、接着層３１に形成した貫通孔をアライメントマーク３１Ｂとしている点である。図６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら、本実施形態に係る自発光パネルの封止部材３０ｂを説明する。
先ず図６（ａ），（ｂ）に示すように封止基板３２ｂ、および接着層３１を用意する。本実施形態では封止基板３２ｂは、光透過性を有する材料、例えばガラス等により形成されている。接着層３１はエポキシ樹脂等の樹脂フィルムにより形成されている。次に図６（ｃ）に示すように、封止基板３２ｂおよび接着層３１それぞれの対向する面を貼り合わせる。次に図６（ｄ）に示すように、接着層３１の予め規定された位置、詳細には基板２上に形成されるアライメントマーク７の位置と対応する位置に、アライメントマーク３１Ｂをレーザ照射等の各種形成工程により形成する。本実施形態では図６（ｄ）に示すように、接着層３１に孔部を形成して、その孔部をアライメントマーク３１Ｂとする。

図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明するための図である。図７（ａ）は封止前の封止部材と、自発光素子が形成された基板とを説明するための断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示した自発光素子を拡大した図であり、図７（ｃ）は封止後の自発光パネル１ｂを説明するための図である。本実施形態に係る基板２ｂは、例えば不透明材料により形成されている。
次に図７（ａ）に示すように、基板２ｂの上側上に封止部材３０ｂを配置し、基板２と封止部材３０ｂの位置合わせを行う。この際、接着層３１に形成されたアライメントマーク３１Ｂと基板２ｂ上に形成されたアライメントマーク７の相対位置に基づいて、基板２ｂと封止部材３０ｂとの位置合わせを行う。
詳細には本実施形態では基板２ｂの上部側に、撮像装置（カメラ）２００Ｂが配置されている。カメラ２００Ｂは、透明材料からなる封止基板３２ｂを介して、アライメントマーク７およびアライメントマーク３１Ｂを撮像する。そしてカメラ２００Ｂによる撮像結果に基づいて、不図示の相対位置駆動部により、基板２ｂと封止部材３０ｂとの位置合わせを行い、図７（ｃ）に示すように、位置合わせした状態で、接着層３１により有機ＥＬ素子６を覆うように、封止部材３０ｂにて有機ＥＬ素子６を封止する。

以上説明したように、本実施形態では、基板２ｂが不透明性の材料からなる場合であっても、カメラ２００Ｂにより、光透過性を有する封止基板３２を介したアライメントマーク７とアライメントマーク３１Ｂの撮像結果に基づいて、高精度に位置合わせを行うことができる。

［第３実施形態］
図８は、本発明の第３実施形態に係る自発光パネル１ｃを説明するための断面図である。
本実施形態に係る自発光パネル１ｃは、図８に示すように、ガラス等の透明材料により形成された基板２上に、有機ＥＬ素子６およびアライメントマーク７が形成されている。封止部材３０ｃとして、ガラス等の透明材料により形成された封止基板３２ｃと、アライメントマーク３１Ａが形成された接着層３１とを有する。本実施形態に係る自発光パネル１ｃでは、アライメントマーク７とアライメントマーク３１Ａとが位置合わせされて、接着層３１と有機ＥＬ素子６とが接触しない状態で保持されている。図示しないが接着層３１および封止基板３２ｃの端部は、接着層３１と基板２とが接触するように形成され、基板２と封止部材３０ｃ間に保護膜３００が形成されている。この保護膜３００は酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素などの無機材料で構成され、接着層３１からのガスや水分等による自発光素子の劣化を防止する理由から、低透湿性の材料を用いることが好ましい。
上述したように、アライメントマーク７とアライメントマーク３１Ａにより位置合わせを行った後に、保護膜３００を形成後、封止部材３０ｃにて有機ＥＬ素子６を封止してもよい。

なお、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。例えば上述した実施形態を組み合わせてもよい。
また基板２はガラス等の透光性の材料で構成される以外に、ステンレスなどの金属材料、樹脂材料から構成されていても良い。
また、上述した実施形態では基板２上に２個のアライメントマーク７を形成し、それに対応して接着層３１に２個のアライメントマーク３１Ａを形成したが、この形態に限られるものではない。例えば３、４個、それ以上の個数のアライメントマークを基板２や封止部材３０に形成してもよい。上記構成により高精度に基板と封止部材を貼り合わせることができる。また貼り合わせ精度の検証等を行うこともできる。

また基板２として、自発光素子の駆動方法に応じて例えば図９（ａ）に示すようにパッシブ駆動用の基板や、図９（ｂ）に示すように基板内にトランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を形成したアクティブ駆動用の基板を用いることもできる。
詳細にはパッシブ駆動用の基板２には、図９（ａ）に示すように、複数の矩形状の下部電極（第１の電極３）が形成され、下部電極上に絶縁膜８により開口部６０が区画形成され、必要に応じて絶縁膜上に隔壁９が形成され、一画素に対応する開口部６０に成膜層４が形成され、成膜層４上に、下部電極に対して直交方向に沿って複数の矩形状の上部電極（第２の電極５）が形成されている。また基板２上には下部電極（第１の電極３）や上部電極に電気的に接続する引出配線５３や、位置合わせ用のアライメントマーク７が形成されている。
アクティブ駆動用の基板２ａには、詳細には図９（ｂ）に示すように、画素毎に自発光素子を駆動制御するトランジスタ（ＴＦＴ２１）、およびコモンライン，ゲートライン，ドレインライン等の配線２２が形成され、絶縁層２３および保護層２４上に下部電極（第１の電極３）が形成され、絶縁膜８により一画素に対応する開口部６０が区画形成され、開口部６０に成膜層４が形成され、成膜層４および絶縁層８上に各画素共通に上部電極（第２の電極５）が形成されている。また基板２上には、配線２２等に電気的に接続する引出配線５３ａや、位置合わせ用のアライメントマーク７が形成されている。

また図１０（ａ）に示すように、例えば基板２上の規定領域を複数の小領域５１に区画し、その小領域５１内に複数個の有機ＥＬ素子６をマトリクス状に配置してなる表示パネル部５２および引出配線５３を形成した場合に、その小領域５１毎に、本発明に係るアライメントマーク７を形成してもよい。例えば基板２を用いて４つの自発光パネルを作製する場合には、この小領域５１が１自発光素子部となり、額縁部５４や絶縁膜上などを自発光素子部の周辺に形成し、少なくとも１自発光素子部あたり１つのアライメントマーク７を形成する。また高い位置合わせ精度が必要である場合や貼り合せ精度を確認するために２つ以上のアライメント７を形成しても構わない。
また図１０（ｂ），（ｃ）に示すように、例えばアライメントマーク７を額縁部５４以外の領域に形成してもよい。この際、図１０（ｃ）に示すように、アライメントマーク７を角部それぞれに形成してもよいし、図１０（ｂ）に示すように３つのアライメントマークを形成してもよいし、４つ以上のアライメントマーク７を形成してもよい。
また接着層３１に、そのアライメントマーク７に対応した位置に、アライメントマーク３１Ａを形成してもよい。こうすることで、基板上の表示パネル部毎に高精度に位置合わせを行うことができる。

また基板２上に複数の表示パネル部５２を形成した場合に、その複数の表示パネル部５２全てを覆う大きな封止部材３０により封止を行ってもよいし、図１１に示すように、基板２上に形成された２個以上の表示パネル部５２を封止する封止部材３０を複数個用意して、その複数個の封止部材３０により封止を行っても良い。また図１１に示すように列毎または行毎に封止部材３０により封止を行っても良い。

また封止部材の他の形態として、図１２に示すように、フィルム状の接着層３１だけで構成される封止部材３０ａであってもよい。この封止部材３０ａにアライメントマーク３１Ａが形成されていればよい。

また図１３に示すように、封止部材３０ｂは、アライメントマーク３１Ａが封止基板側の表層面に形成された接着層３１ｂと、封止基板３２とが積層した構造を有していてもよい。

また図１４に示すように、封止部材３０ｃが封止基板３２ｃと接着層３１ｃを有し、この封止基板３２ｃにアライメントマーク３２１（第３のアライメントマークの一実施形態に相当する）が形成されていてもよい。
このアライメントマーク３２１とアライメントマーク３１Ａに基づいて、封止基板３２ｃと接着層３１を位置合わせする封止基板３２ｃと接着層３１ｃの位置合わせ工程と、封止基板３２ｃと接着層３１ｃを貼り合せて封止部材３０ｃを作製する封止部材作製工程を行っても良い。こうすることで封止基板３２ｃと接着層３１ｃとを高精度に貼り合わせた封止部材３０を作製することができる。

また図１５に示すように、封止部材３０ｄは、接着層３１１（３１）と接着層３１２（３１）間に、アライメントマーク３１Ａが形成されたフィルム（基板）３３を配置した多層構造を有しても良い。

また基板２に形成されるアライメントマーク７と、封止部材を構成する接着層または封止基板に形成されるアライメントマーク３１Ａにて位置合わせする際、アライメントマークのどちらか一方が位置合わせの許容範囲Ｒ３７を規定している必要があることから、例えば図１６に示すような形態が挙げられる。具体的には図１６（ａ）に示すように円形状のアライメントマーク３１Ａと、それより大きな枠形状のアライメントマーク７との組み合わせ、また図１６（ｂ）に示すように十字形状のアライメントマーク３１Ａと、十字の開口パターンが形成されたアライメントマーク７との組み合わせ、また図１６（ｃ）に示すように十字形状のアライメントマーク３１Ａと、矩形状の４つのパターンが配列されたアライメントマーク７との組み合わせ、等が位置合わせの形態として挙げられる。またそれぞれの形態において、位置合わせの許容範囲Ｒ３７が規定されている。またアライメントマーク７，３１Ａの形状は、上述した形態に限られるものではない。また、これらの組み合わせに限定されることなく、製造方法の容易さなどを考慮して適宜選択することができる。
基板２に形成されるアライメントマーク７、接着層または封止基板に形成されるアライメントマーク３１Ａ等の位置合わせ用に使用するマークは、封止性能に寄与しない理由から、接着層と基板２との貼り合わせの際、接着領域以外の領域、例えば、図９（ｂ）に示すような場所に形成することが好ましい。

また有機ＥＬ素子６は、上述した実施形態に限られるものではない。
例えば有機ＥＬ素子６の有機機能層の構造は、第１の電極３を陽極、第２の電極５を陰極とした場合には、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の構成が一般的であるが、発光層，正孔輸送層，電子輸送層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けてもよく、正孔輸送層，電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略して発光層のみにしても構わない。また、有機機能層としては、正孔注入層，電子注入層，正孔障壁層，電子障壁層等の有機層を用途に応じて挿入することができる。また、有機発光機能層を電子輸送層／発光層／正孔輸送層として、第１の電極３を陰極、第２の電極５を陽極にすることもできる。

次に本発明の実施形態として採用できる成膜層の材料の例を以下に示すが、特にこれらに限定されるものではない。
例えば、正孔輸送層４２としては、正孔移動度が高い機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポルフィリン化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベンゼン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた、高分子分散系の材料も使用できる。

例えば発光層４３は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料（特表２００１−５２０４５０）を使用できる。上述したような発光材料のみから構成したものでもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光性ドーパント等が含有されてもよい。また、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されてもよい。

例えば、電子輸送層４４は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。

また、パッシブ駆動用、アクティブ駆動用のパネルを作製する上で必要とされる、自発光素子の形成する領域を区画する絶縁膜にはポジ型レジストなどの感光性樹脂材料や、酸化珪素などの無機材料を、上部電極を分断する隔壁にはネガ型レジストなどの感光性樹脂材料を用いることができ、特にこれらに限定されることはない。
図１７（ａ）にはパッシブ駆動用パネル、図１７（ｂ）にはアクティブ駆動用パネルについて、アライメントマーク７，３１Ａを有する場合を示す。

以上説明したように、本発明の一実施形態に係る自発光パネル１の製造方法では、封止基板３２と接着層３１からなる封止部材３０により、基板２に形成された有機ＥＬ素子６を封止する。この際、基板２は、有機ＥＬ素子６との位置関係が予め規定された位置にアライメントマーク７を有し、封止部材３０は、封止基板３２と、アライメントマーク７と対応する位置にアライメントマーク３１Ａが形成された樹脂材料からなる接着層３１とを有する。そしてアライメントマーク７とアライメントマーク３１Ａに基づいて封止部材３０と基板２との位置合わせを行い、位置合わせした状態で接着層３１により有機ＥＬ素子６を覆うように、封止部材３０にて有機ＥＬ素子６を封止するので、封止部材と自発光素子を高精度に位置合わせして封止することができる。また、封止基板３２が不透明であっても、光透過性を有する基板２を介してアライメントマーク７とアライメントマーク３１Ａとに基づいて高精度に位置合わせを行うことができる。

また基板が不透明性を有し、封止基板３２が透明性を有する場合であっても、接着層３１に形成されたアライメントマーク３１Ｂに基づいて高精度に位置合わせを行うことができる。
また、アライメントマークを、基板２と接着層３１との貼り合わせをする際、接着領域以外、例えば，図１０（ｂ）に示すような場所に形成することで、封止性能を損なわずに高い精度にて位置合わせを行うことができる。

またアライメントマークを、例えばレーザ照射や、蒸着法、等、公知の方法により簡単に形成することができるので、本発明に係る製造方法を簡単に実現することができる。

１ 自発光パネル
２ 基板
３ 第１の電極（下部電極）
４ 成膜層
５ 第２の電極（上部電極）
６ 有機ＥＬ素子（自発光素子）
７ 基板側アライメントマーク（第１のアライメントマーク）
８ 絶縁膜
９ 隔壁
３０ 封止部材
３１ 接着層
３１Ａ，３１Ｂ 封止部材側アライメントマーク（第２のアライメントマーク）
３２ 封止基板
４１ 正孔注入層
４２ 正孔輸送層
４３ 発光層
４４ 電子輸送層
４５ 電子注入層
２００ カメラ
４０１ ステージ（作業台）
４０２ 制御部
４０３ 圧着部

Claims (7)

1. 基板と、発光層を有する自発光素子と、封止部材を備え、
   前記基板又は前記封止部材には、アライメントマークが形成されていることを特徴とする自発光パネル。
2. 基板と、発光層を有する自発光素子と、封止部材を備え、
   前記基板には第１のアライメントマークが形成され、
   前記封止部材には第２のアライメントマークが形成されていることを特徴とする自発光パネル。
3. 前記封止部材は、封止基板と樹脂フィルムを備え、
   前記樹脂フィルムには前記第２のアライメントマークが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の自発光パネル。
4. 前記基板は、光透過性を有し、
   前記封止基板は、不透明性を有することを特徴とする請求項３に記載の自発光パネル。
5. 前記基板は、不透明性を有し、
   前記封止基板は、光透過性を有することを特徴とする請求項３に記載の自発光パネル。
6. 前記封止基板は第３のアライメントマークを有することを特徴とする請求項３に記載の自発光パネル。
7. 前記第２のアライメントマークは、押圧加工により凸形状又は凹形状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の自発光パネル。
   

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