JP2013136487A - ガラス基板のエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガラス基板にエッチングを施すに当たって、基板の品質の低下を抑制すると共に、生産効率の向上を図ること。
【解決手段】ガラス基板Gの横方向における少なくとも中央部Gcを縦方向に延びる搬送ローラーR1上に載置し、搬送ローラーR1から横方向の両側に食み出し、且つそれら食み出し部が下方に撓んだ状態での一対の端面Ga及び縁部Gbを、エッチング液Lに浸すように構成した。
【選択図】図2
【解決手段】ガラス基板Gの横方向における少なくとも中央部Gcを縦方向に延びる搬送ローラーR1上に載置し、搬送ローラーR1から横方向の両側に食み出し、且つそれら食み出し部が下方に撓んだ状態での一対の端面Ga及び縁部Gbを、エッチング液Lに浸すように構成した。
【選択図】図2
Description
本発明は、ガラス基板のエッチング方法に係り、詳しくは、ガラス基板の端面周辺を効率良くエッチングするための技術に関する。
周知のように、FPD用ガラス基板は、近年急速に普及しているモバイル用端末等の軽量化への要求の高まりに伴って、薄肉化が推進されている。この種の厚みの薄いガラス基板は、その主たる特性として可撓性を有しており、この特性を近い将来において曲面ディスプレイ等に利用することが検討されている。
ところで、上記のような薄肉のガラス基板を湾曲させる場合に、当該基板の端面や端面に連なる縁部に微小クラックが存在していると、基板に致命的な悪影響を及ぼす。詳述すると、基板の湾曲が大きくなる(曲率が大きくなる)につれて、湾曲した基板の凸面となる側の部位に作用する引張応力も次第に大きくなる。このとき、基板の端面や縁部に微小クラックが存在していると、微小クラックの先端で応力集中が発生しやすく、そのため微小クラックを基点として亀裂が進展し、基板の損傷や破損を引き起こす要因となっていた。
このような微小クラックは、主として、ガラス基板の製造工程において、大面積の基板から小面積の基板を切り出す際に生じることが判明している。しかしながら、従来ガラス基板の切断に用いられてきたレーザー割断法等を実施する際に、微小クラックの発生を効果的に防止することは困難であった。そのため、基板の切断後に下記の特許文献1,2に開示されているような技術を用いて、基板の端面及び縁部にエッチングを施すことにより、上述のような問題に対策を採ることが通例となっている。
特許文献1には、複数の搬送ローラーに支持されたガラス基板の端面及び端面に連なる縁部に、横向きに対向して開口した一対の溝内において、表面張力によって形成されたエッチング液の膜を通過させることで、エッチングを施す技術が開示されている。
特許文献2には、ガラス基板のエッチングの対象となる端面及び端面に連なる縁部を、容器内に収容されたエッチング液に浸漬することで、エッチングを施す技術が開示されている。
上記特許文献1,2に開示された技術によれば、ガラス基板の端面及び端面に連なる縁部に存在する微小クラックを除去、或いは微小クラックの屈曲した輪郭形状を、丸みを帯びた輪郭形状に変形させることができる。このため、微小クラックの切欠きの先端において、応力集中の発生を抑制することが可能となる。
しかしながら、特許文献1に開示された技術は、ガラス基板が、搬送ローラー上に水平面に沿う姿勢で載置されると共に、このようなガラス基板の姿勢に由来してエッチング液の膜を形成する溝が横向きに開口しているため、以下に示すような問題を有していた。
すなわち、エッチング液の膜を形成する溝が横向きに開口していると、溝内からのエッチング液の漏出を防止することが困難であるため、基板の切断の際に端面周辺に付着したガラス粉等が、溝内から漏出したエッチング液の流れによって誘導されて、エッチングの対象ではない部位まで流出してしまう恐れがあった。このような事態を生じると、後工程において、基板を乾燥する際にガラス粉等がパーティクルとして基板の表面に残存し、基板を汚染することがあり、基板の品質を低下させる要因の一つとなっていた。
一方、特許文献2に開示された技術は、ガラス基板が鉛直面に沿う姿勢で保持されて下方の端部及びその縁部のみがエッチング液に浸される構成であるため、特にガラス基板の生産効率という観点から大きな問題を招来する。
すなわち、同文献に開示されたエッチング方法によると、ガラス基板にはエッチングを施すべき端面及び縁部が複数箇所に存在しているにも拘らず、一箇所ずつにしかエッチングを施すことができない。このため、ガラス基板の複数箇所にエッチングを施すには、その作業が極めて面倒且つ煩雑になると共に、作業に要する時間が不当に長期化され、基板の生産効率が著しく悪化するという問題があった。
上記事情に鑑みなされた本発明は、ガラス基板にエッチングを施すに当たって、基板の品質の低下を抑制すると共に、生産効率の向上を図ることを技術的課題とする。
上記課題を解決するために創案された本発明は、ガラス基板の縦方向に平行な一対の端面及びこれらの端面に連なる表裏面の縁部を、エッチング液に浸してエッチングを施すガラス基板のエッチング方法であって、前記ガラス基板の横方向における少なくとも中央部を前記縦方向に延びる支持部材上に載置し、該支持部材から前記横方向の両側に食み出し、且つそれら食み出し部が下方に撓んだ状態での前記一対の端面及び縁部を、前記エッチング液に浸すことに特徴づけられる。ここで、上記の「エッチング液に浸す」とは、エッチング液に浸漬させる場合のみならず、浸漬されずに濡れた状態にする場合をも含む。
このような方法によれば、ガラス基板は、支持部材から横方向の両側に食み出し且つ下方に撓んだ状態にある平行な一対の端面及びこれらの端面に連なる表裏面の縁部(以下、この端面と縁部とを総称して端面部という)が、エッチング液に浸される。このような状態の下では、エッチング液が、ガラス基板の端面部から中央部(エッチングの対象ではない部位)に向かって流出する恐れがなくなる。これにより、基板を乾燥する際に、基板の切断時に生じたガラス粉等がパーティクルとして基板の中央部に残存し、基板が汚染されるという事態を適切に回避することができる。従って、基板の品質低下の抑制を図ることが可能となる。加えて、支持部材から横方向に食み出した上記の一対の端面部に対して、同時にエッチングを施すことができるため、基板の生産効率を向上させることも可能となる。
上記の方法において、支持部材は、ガラス基板の横方向における中央部のみを下方より支持するものであることが好ましい。この場合、支持部材は、ガラス基板の横方向における中央部のみを支持し、縦方向に延びた唯一つの支持部材であってもよく、或いは、縦方向に相互に離間して一列に並んだ複数の支持部材の組であってもよい。
このようにすれば、ガラス基板における支持部材との当接面が、横方向の一箇所のみとなるため、基板に傷が生じ難くなる。
上記の方法において、支持部材は、ガラス基板を縦方向に搬送する搬送手段であることが好ましい。
このようにすれば、複数のガラス基板の端面部に対して、連続的にエッチングを施すことが可能となり、より基板の生産効率を高めることができる。
上記の方法において、ガラス基板の端面を支持する支持面を有する端面支持体を設け、支持面にガラス基板の端面を支持させた状態で、ガラス基板の端面部をエッチング液に浸すことが好ましい。
このようにすれば、ガラス基板の縦方向に平行な一対の端面が端面支持体によって支持されることにより、基板の端面部の横方向移動を規制することが可能となり、基板を搬送経路から脱落させることなく、安定的に搬送することが可能となる。
上記の方法において、端面支持体の支持面に、エッチング液を滴下することにより、ガラス基板の端面部をエッチング液に浸すようにしてもよい。
このようにすれば、端面支持体の支持面にエッチング液の膜を形成することができ、基板の端面部に当該膜を通過させ、エッチング液に浸すことで、端面部にエッチングを施すことが可能となる。
上記の方法において、端面支持体を多孔質材料で形成し且つその一部をエッチング液に浸漬させることにより、ガラス基板の端面及び縁部をエッチング液に浸すようにしてもよい。
このようにすれば、端面支持体が多孔質材料で形成され且つその一部がエッチング液に浸漬されていることにより、端面支持体内に含浸されたエッチング液は、毛細管現象によって端面支持体の支持面から沁みだす。これにより、ガラス基板の端面部が浸され、エッチングを施すことができる。
上記の方法において、端面支持体は、その一部がエッチング液に浸漬した端面支持ローラーであってもよい。
このようにすれば、端面支持ローラーにおける基板の端面を支持する支持面は、ローラーの一部がエッチング液に浸漬していることにより、ローラーの回転に伴って、ローラーの周面(支持面)には、常にエッチング液が付着していることになる。これにより、ローラーは、基板を搬送経路に沿って搬送しつつ、支持面に付着したエッチング液によって基板の端面部にエッチングを施すことができる。また、ローラーの支持面の周速度と、基板の端面を縦方向に搬送する速度とを同一にすることができるため、両者間の摺動を可及的に防止することが可能となり、基板の端面に擦り傷等が発生するという不具合も起こり難くなる。
上記の方法において、搬送手段とガラス基板の端面との間に、ガラス基板を支持する複数の補助支持ローラーを設けると共に、複数の補助支持ローラーは、端面の側にその配設位置が移行するに連れて、その径が小さくされているようにしてもよい。
このようにすれば、特に薄肉のガラス基板を搬送する場合に、基板が過度に撓むことを抑制し得ると共に、搬送手段上に載置された基板の中央部において、基板の曲率の増大に起因する大きな引張応力の発生を防止することができる。また、補助支持ローラーを設けたことによって生じる危惧も下記のように的確に排除される。すなわち、基板による荷重の大部分は、基板の中央部を支持する搬送手段に負荷され、補助支持ローラーに負荷される荷重は、搬送手段と比べて小さいため、基板における補助支持ローラーとの当接面において、擦り傷等が生じる恐れも可及的に低減することができる。
上記の方法において、搬送手段とガラス基板の端面との間に、ガラス基板を下方に押圧する押圧部材を設けてもよい。
このようにすれば、板厚が大きく、撓みにくいガラス基板にエッチングを施すような場合であっても、押圧部材を設けたことにより、上述の効果を奏することができる。特に、基板の厚みと基板の横方向の長さとが(基板の横方向長さ/基板の厚み)<2000の関係にあるとき、基板の可撓性が発揮されにくいため、押圧部材を設けることが好ましい。
上記の方法において、エッチング液は、縦方向に延びる一対の樋状容器に収容されていることが好ましい。
このようにすれば、不要に多量のエッチング液を使用する必要がなくなるため、生産コストの低廉化を図ることが可能となる。
上記の方法において、エッチング液は、樋状容器の一端から供給し、樋状容器の他端から排出することが好ましい。
このようにすれば、常に新鮮なエッチング液によって、基板の端面部にエッチングを施すことが可能となり、エッチングに要する時間を短縮し得るため、さらなる基板の生産効率の向上を図ることができる。
上記の方法において、エッチング液は、フッ酸又はフッ化水素酸アンモニウムを主成分とするものであることが好ましい。
このようにすれば、エッチングに要する時間を好適に低減することができる。このため、より基板の生産効率の向上を図ることが可能となる。
以上のように、本発明によれば、ガラス基板にエッチングを施すに際して、基板の品質の低下を抑制すると共に、生産効率の向上を図ることが可能となる。
以下、本発明の実施形態について添付の図面に基づいて説明する。図1は、本発明の第一実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置を示す平面図であり、図2は、図1のA−A断面図である。
これらの各図に示すように、エッチング装置1は、ガラス基板G(以下、単に基板Gという)を縦方向に搬送する搬送手段である複数の搬送ローラーR1と、基板Gにエッチングを施すエッチング液Lを収容する一対の樋状容器Tと、基板Gの端面Gaを支持する端面支持体である複数の端面支持ローラーR2とで構成される。
複数の搬送ローラーR1は、基板Gの中央部Gcに沿って一直線に備えられており、基板Gの横方向(幅方向)における中央部Gcを支持すると共に、図示しない駆動機構の動作により回転することによって、複数の基板GをV方向(縦方向)に連続的に搬送することが可能である。また、これら搬送ローラーR1の基板Gとの当接面は、曲面に形成されている。
一対の樋状容器Tは、複数の搬送ローラーR1から横方向に平行に離間して備えられると共に、上方に向かって開口している。また、その高さ位置は、搬送ローラーR1と比べて下方に位置している。さらに、樋状容器T内では、V方向に向かってフッ化水素酸アンモニウムを主成分とするエッチング液Lが流れている。
端面支持ローラーR2は、樋状容器Tの側壁に取り付けられた軸を介して、樋状容器T内で回転すると共に、その一部が樋状容器T内に収容されるエッチング液Lに浸漬している。また、基板Gの端面Gaを支持する円錐状の支持面R2aが形成されている。この支持面R2aは、端面支持ローラーR2の内側から外側に向かって漸次拡径している。
次に、上記エッチング装置1を用いたガラス基板のエッチング方法を、図1に示すB方向からエッチング装置1を視た図である図3に基づいて説明する。このガラス基板のエッチング方法は、図1〜図3においてクロスハッチングで示す部位、つまり基板Gの端面Gaと端面Gaに連なる表裏面の縁部Gbとに連続的にエッチングを施すものである。なお、図3において、搬送ローラーR1の図示は省略している。また、基板Gは、複数枚が連続してV方向に搬送される。
搬送ローラーR1によって基板GがV方向に搬送されると、図3に示すように、基板Gの端面Gaを支持する端面支持ローラーR2が、端面Gaと支持面R2aとの摩擦によって同図に示すW方向に回転(空転)する。このため、支持面R2aは、端面支持ローラーR2の一部がエッチング液Lに浸漬していることによって、端面支持ローラーR2の回転に伴い、エッチング液Lへの侵入とエッチング液Lからの脱出とを繰り返す。これにより、端面支持ローラーR2は基板GをV方向に搬送しつつ、支持面R2aに付着したエッチング液Lによって基板Gの端面Gaと端面Gaに連なる縁部Gbとにエッチングを施す。
このような方法によれば、基板Gの横方向における中央部Gcと端面Gaのみが搬送ローラーR1と端面支持ローラーR2とによって支持される状態となる。このため、基板Gの内、搬送ローラーR1から横方向に食み出した部位に、擦り傷等が生じる可能性を可及的に低減することができ、基板Gの品質低下を効果的に抑制し得る状態でエッチングを施すことが可能となる。
また、搬送ローラーR1から横方向に食み出した部位は、重力によって下方に撓んだ状態にあるため、基板Gの端面Gaや端面Gaに連なる縁部Gbから基板Gのエッチングの対象ではない部位に向かって、エッチング液Lが流出する恐れがなくなる。これにより、基板Gを乾燥する際に、基板Gの切断時に生じたガラス粉等がパーティクルとして基板Gに残存し、基板Gが汚染されるという事態も適切に回避することができる。さらに、端面支持ローラーR2の支持面R2aの周速度と基板Gの端面Gaの搬送速度との相対速度が略ゼロとなるため、両者間の摺動を可及的に防止することが可能となり、基板Gの端面Gaに擦り傷等が発生するという不具合も起こりにくくなる。従って、さらなる基板Gの品質低下の抑制を図ることが可能となる。
加えて、基板Gにおける一対の端面Gaと縁部Gbに対して、同時にエッチングを施すことができるため、基板Gの生産効率を向上させることも可能となる。また、基板Gの端面Gaが端面支持ローラーR2によって支持されることにより、基板Gの横方向移動が規制され得ることになるため、基板Gを安定的に搬送することができる。さらに、エッチング液Lが樋状容器T内に収容されていることにより、不要に多量のエッチング液Lを使用する必要がなくなるため、生産コストの低廉化を図ることも可能となる。
図4は、本発明の第二実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1を示す断面図である。なお、図4において、上記第一実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1と共通の構成要素については、同一の符号を付すことにより重複する説明を省略する。また、後述する第三実施形態〜第六実施形態についても同様である。
この第二実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1が、上述の第一実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1と相違している点は、端面支持体として端面支持ローラーR2ではなく、エッチング治具Sを使用している点と、エッチング治具Sの支持面Saに対して、エッチング液Lを滴下する図示しないエッチング液供給源が備えられている点である。
このエッチング装置1を使用したガラス基板のエッチング方法によれば、エッチング治具Sの支持面Saにエッチング液Lの膜を形成することができ、基板Gの端面Gaと縁部Gbとに当該膜を通過させ、エッチング液Lに浸すことで、端面Gaと縁部Gbとにエッチングを施すことが可能となる。
図5は、本発明の第三実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1を示す断面図である。
この第三実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1が、上述の第一実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1と相違している点は、端面支持体として端面支持ローラーR2ではなく、板状体Hを使用している点である。この板状体Hは、多孔質材料で形成されている。
このエッチング装置1を使用したガラス基板のエッチング方法によれば、板状体Hが多孔質材料で形成されていることにより、板状体H内に含浸されたエッチング液Lは、毛細管現象によって板状体H内を上昇する。この上昇したエッチング液Lが板状体Hの支持面Haから沁みだすことによって、基板Gの端面Gaと縁部Gbとが浸され、エッチングを施すことができる。
ここで、上記の第一実施形態〜第三実施形態に係るガラス基板のエッチング方法において、エッチングが施される基板Gの厚みは0.7mm以下であることが好ましく、より好ましくは0.5mm以下であり、最も好ましくは0.3mm以下である。また、基板Gの横方向の長さは、1500mm以上であることが好ましい。
図6は、本発明の第四実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1を示す断面図である。
この第四実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1が、上述の第一実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1と相違している点は、端面支持ローラーR2が備えられていない点と、搬送ローラーR1と基板Gの端面Gaとの間に、基板Gを支持する複数の補助支持ローラーR3を備えている点である。この補助支持ローラーR3は、端面Gaの側に備えられたもの程、その径が小さくなっており、搬送ローラーR1と平行に離間して備えられている。
このエッチング装置1を使用したガラス基板のエッチング方法は、特に薄い基板Gにエッチングを施すものであり、厚みが0.1mm以下の基板Gに用いることが好ましい。このような方法によれば、薄い基板Gを搬送する場合であっても、基板Gが過度に撓むことを抑制し得ると共に、搬送ローラーR1上に載置された基板Gの中央部Gcにおいて、基板Gの曲率の増大に起因する大きな引張応力の発生を防止することができる。
図7は、本発明の第五実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1を示す断面図である。
この第五実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1が、上述の第一実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1と相違している点は、端面支持ローラーR2が備えられていない点と、搬送ローラーR1と基板Gの端面Gaとの間に、基板Gを下方に押圧する押圧部材である押圧ローラーR4を備えている点である。この押圧ローラーR4は、同図に示すZ方向に沿って上下動することが可能となっている。
このエッチング装置1を使用したガラス基板のエッチング方法は、厚みの大きい基板Gにエッチングを施すものであり、特に基板Gの厚みと基板Gの横方向の長さとが(基板Gの横方向長さ/基板Gの厚み)<2000の関係にあるときに用いることが好ましい。このような方法によれば、厚みの大きい基板Gにエッチングを施す場合であっても、良好に基板Gの端面Gaと縁部Gbとを下方に撓ませることができる。
図8は、本発明の第六実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置2を示す斜視図である。
エッチング装置2は、基板Gの搬送手段である台車10と、図示しない上記第一〜第五実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に使用するエッチング装置1と同一の樋状容器Tとを備えている。
台車10には、基板Gの中央部Gcを支持する支持部Dが形成されている。また、支持部Dにおける基板Gとの当接面は、曲面に形成されると共に、複数の通気孔Pが備えられており、図示しない負圧源によって負圧を作用させることにより、基板Gを吸着保持することが可能となっている。
このエッチング装置2を使用したガラス基板のエッチング方法によれば、支持部Dにおける基板Gとの当接面が曲面に形成されていることに起因して、図示しない負圧源によって基板Gに作用する負圧の大小を調節することにより、基板Gの撓み具合を調節することが可能となる。これにより、様々な厚みの基板Gに対して、このエッチング装置2を用いてエッチングを施すことができる。
ここで、上記の第一実施形態〜第六実施形態において、エッチングが施される基板Gの縁部Gbの幅は、1.0mm以下であることが好ましい。
また、本発明に係るガラス基板のエッチング方法は、上記の各実施形態に係るガラス基板のエッチング方法に限定されるものではない。上記の第一実施形態〜第五実施形態においては、基板Gを搬送する搬送手段として、搬送ローラーR1を使用しているが、第六実施形態に示すような台車10を使用してもよいし、台車10における支持部Dに形成された複数の通気孔Pと、通気孔Pに負圧を作用させる負圧源とを備えた搬送コンベヤ等を使用してもよい。また、樋状容器Tは、上記実施形態に示したように基板Gの縦方向長さよりも長い必要はなく、基板Gの縦方向長さの半分程度の長さを有していれば十分である。さらに、樋状容器Tは必ずしも設ける必要はなく、エッチングの対象となる一対の端面Gaと縁部Gbの双方を、基板Gの横方向長さよりも長い横幅を有する一つの容器を用いて、当該容器に収容されたエッチング液Lに浸すようにしてもよい。さらに、樋状容器T内を流れるエッチング液Lの流れの向きは、第一実施形態で説明したV方向と逆向きであってもよい。また、エッチング液Lとしては、上記実施形態に使用しているフッ化水素酸アンモニウムを主成分としたもの以外にも、フッ酸や塩酸、水酸化ナトリウム等を使用することができる。さらに、端面支持ローラーR2、エッチング治具S、板状体Hの形状も基板Gの撓み具合等を勘案して適宜変更してよい。加えて、上記の各実施形態では、エッチングが施される基板Gの縦方向長さが横方向長さと比較して長くなっているが、この限りではなく、横方向長さが縦方向長さより長くなっていてもよい。
1 エッチング装置
2 エッチング装置
R1 搬送ローラー
R2 端面支持ローラー
R2a 支持面
G ガラス基板
Ga 基板の端面
Gb 基板の縁部
Gc 基板の中央部
T 樋状容器
L エッチング液
V 基板の搬送方向
W 端面支持ローラーの回転方向
S エッチング治具
Sa 支持面
Y エッチング液の滴下方向
H 板状体
Ha 支持面
R3 補助支持ローラー
R4 押圧ローラー
Z 押圧ローラーの移動方向
10 台車
D 支持部
P 通気孔
2 エッチング装置
R1 搬送ローラー
R2 端面支持ローラー
R2a 支持面
G ガラス基板
Ga 基板の端面
Gb 基板の縁部
Gc 基板の中央部
T 樋状容器
L エッチング液
V 基板の搬送方向
W 端面支持ローラーの回転方向
S エッチング治具
Sa 支持面
Y エッチング液の滴下方向
H 板状体
Ha 支持面
R3 補助支持ローラー
R4 押圧ローラー
Z 押圧ローラーの移動方向
10 台車
D 支持部
P 通気孔
Claims (12)
- ガラス基板の縦方向に平行な一対の端面及びこれらの端面に連なる表裏面の縁部を、エッチング液に浸してエッチングを施すガラス基板のエッチング方法であって、
前記ガラス基板の横方向における少なくとも中央部を前記縦方向に延びる支持部材上に載置し、該支持部材から前記横方向の両側に食み出し、且つそれら食み出し部が下方に撓んだ状態での前記一対の端面及び縁部を、前記エッチング液に浸すことを特徴とするガラス基板のエッチング方法。 - 前記支持部材は、ガラス基板の横方向における中央部のみを下方より支持するものであることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記支持部材は、前記ガラス基板を前記縦方向に搬送する搬送手段であることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記ガラス基板の端面を支持する支持面を有する端面支持体を設け、前記支持面に前記ガラス基板の端面を支持させた状態で、前記ガラス基板の端面及び縁部をエッチング液に浸すことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記端面支持体の支持面に、エッチング液を滴下することにより、前記ガラス基板の端面及び縁部をエッチング液に浸すことを特徴とする請求項4に記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記端面支持体を多孔質材料で形成し且つその一部を前記エッチング液に浸漬させることにより、前記ガラス基板の端面及び縁部をエッチング液に浸すことを特徴とする請求項4に記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記端面支持体は、その一部が前記エッチング液に浸漬した端面支持ローラーであることを特徴とする請求項4に記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記搬送手段と前記ガラス基板の端面との間に、前記ガラス基板を支持する複数の補助支持ローラーを設けると共に、該複数の補助支持ローラーは、前記端面の側にその配設位置が移行するに連れて、その径が小さくされていることを特徴とする請求項3〜7のいずれかに記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記搬送手段と前記ガラス基板の端面との間に、前記ガラス基板を下方に押圧する押圧部材を設けたことを特徴とする請求項3〜8のいずれかに記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記エッチング液は、前記縦方向に延びる一対の樋状容器に収容されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記エッチング液は、前記樋状容器の一端から供給し、前記樋状容器の他端から排出することを特徴とする請求項10に記載のガラス基板のエッチング方法。
- 前記エッチング液は、フッ酸又はフッ化水素酸アンモニウムを主成分とするものであることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載のガラス基板のエッチング方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011289003A JP5790494B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | ガラス基板のエッチング方法 |
PCT/JP2012/083556 WO2013099893A1 (ja) | 2011-12-28 | 2012-12-26 | ガラス基板のエッチング方法 |
TW101150337A TW201331140A (zh) | 2011-12-28 | 2012-12-27 | 玻璃基板的蝕刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011289003A JP5790494B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | ガラス基板のエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013136487A true JP2013136487A (ja) | 2013-07-11 |
JP5790494B2 JP5790494B2 (ja) | 2015-10-07 |
Family
ID=48697377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011289003A Expired - Fee Related JP5790494B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | ガラス基板のエッチング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5790494B2 (ja) |
TW (1) | TW201331140A (ja) |
WO (1) | WO2013099893A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101373306B1 (ko) | 2013-12-20 | 2014-03-11 | 김문환 | 유리기판의 식각 장치 및 이를 이용하는 유리기판의 식각 방법 |
JP2018527277A (ja) * | 2015-07-08 | 2018-09-20 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス基板支持装置及び可撓性ガラス基板支持を提供する方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI649285B (zh) * | 2016-06-07 | 2019-02-01 | 全鴻精研股份有限公司 | 水平式玻璃蝕刻的方法 |
TWI597799B (zh) * | 2016-10-14 | 2017-09-01 | 盟立自動化股份有限公司 | 溼式製程設備 |
KR20230036568A (ko) * | 2021-09-06 | 2023-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치용 커버 윈도우의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 |
CN118139828A (zh) * | 2021-11-25 | 2024-06-04 | 日本电气硝子株式会社 | 透明构件的制造方法、透明构件和光学元件用窗部件 |
CN117735846B (zh) * | 2023-12-29 | 2024-09-17 | 赛德半导体有限公司 | 一种玻璃蚀刻设备 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10212134A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-11 | Toshiba Glass Co Ltd | 電子光学部品用ガラスおよびその製造方法 |
JP5080214B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-11-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5074978B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2012-11-14 | Hoya株式会社 | 携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法 |
JP2010026133A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置 |
JP5516940B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2014-06-11 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-12-28 JP JP2011289003A patent/JP5790494B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-26 WO PCT/JP2012/083556 patent/WO2013099893A1/ja active Application Filing
- 2012-12-27 TW TW101150337A patent/TW201331140A/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101373306B1 (ko) | 2013-12-20 | 2014-03-11 | 김문환 | 유리기판의 식각 장치 및 이를 이용하는 유리기판의 식각 방법 |
JP2018527277A (ja) * | 2015-07-08 | 2018-09-20 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス基板支持装置及び可撓性ガラス基板支持を提供する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5790494B2 (ja) | 2015-10-07 |
TW201331140A (zh) | 2013-08-01 |
WO2013099893A1 (ja) | 2013-07-04 |
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---|---|---|---|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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