JP2013122704A - 回路シミュレーション方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板にPウェルとディープNウェルとが形成される半導体集積回路のウェル領域をそれぞれ複数の抵抗セグメントから構成される複数のメッシュに分割し、それに基づいて基板ノイズ解析を行う。このとき、上記ディープNウェルの上記Pウェル領域への拡散状況に応じて、上記Pウェルと上記基板とを繋ぐ抵抗の並列成分を削減することにより、抵抗値の上昇を表現する処理(304)を演算処理装置に実行させる。上記Pウェルと上記基板とを繋ぐ抵抗の並列成分が削減されることにより、ディープNウェルがPウェル領域に拡散することによって生じる抵抗値の上昇を基板寄生抵抗抽出に反映させることができるので、基板寄生抵抗抽出精度の向上を図ることができる。
【選択図】図3
Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
実施の形態について更に詳述する。
図1には、本発明にかかる回路シミュレーション方法を実施するためのコンピュータシステムが示される。
図8には、上記コンピュータシステム10で実行される回路シミュレーションの別の流れが示される。
図12には、上記演算処理装置12で実行される回路シミュレーションの別の流れが示される。
11 表示装置
12 演算処理装置
13 記憶装置
14 入力装置
40 単位メッシュ
Claims (7)
- 基板にPウェルとディープNウェルとが形成される半導体集積回路のウェル領域をそれぞれ複数の抵抗セグメントから構成される複数のメッシュに分割し、それに基づいて基板ノイズ解析を行う回路シミュレーション方法であって、
上記ディープNウェルの上記Pウェル領域への拡散状況に応じて、上記Pウェルと上記基板とを繋ぐ抵抗の並列成分を削減することにより、抵抗値の上昇を表現する処理を演算処理装置に実行させる回路シミュレーション方法。 - 上記抵抗値の上昇を表現する処理は、上記メッシュ分割後に、上記ディープNウェルの拡散によって浸食される上記Pウェル領域に対応するメッシュにおける上記半導体基板の深さ方向の抵抗セグメントを削除する抵抗セグメント削除処理とされる請求項1記載の回路シミュレーション方法。
- 上記抵抗セグメント削除処理は、上記Pウェル領域に拡散する上記ディープNウェル領域をPウェル底面及びPウェル側面に接する図形でモデル化し、上記メッシュ分割処理で得られたメッシュにおける深さ方向の中心線上で上記ディープNウェルの浸食状況応じて、当該メッシュにおける深さ方向の抵抗セグメントを削除する請求項2記載の回路シミュレーション方法。
- 上記図形は、Pウェル底面及びPウェル側面に接する円弧とされ、上記メッシュ分割処理で得られたメッシュにおける深さ方向の中心線上で上記ディープNウェル領域が1/2以上拡散する場合に当該メッシュにおける深さ方向の抵抗セグメントを削除する請求項3記載の回路シミュレーション方法。
- 上記図形は、Pウェル底面及びPウェル側面に接する円弧とされ、上記メッシュ分割処理で得られたメッシュにおける深さ方向の中心線上で上記ディープNウェル領域が3/4以上拡散する場合に当該メッシュにおける深さ方向の全ての抵抗セグメントを削除する請求項3記載の回路シミュレーション方法。
- 上記図形は、Pウェル底面及びPウェル側面に接する矩形とされ、上記メッシュ分割で得られたメッシュにおける深さ方向と直交する方向の中心線上で上記ディープNウェル領域が1/2以上拡散する場合に、メッシュにおける深さ方向の抵抗セグメントを削除する請求項3記載の回路シミュレーション方法。
- 上記抵抗値の上昇を表現する処理は、上記半導体集積回路のウェル領域をそれぞれ複数の抵抗セグメントから構成される複数のメッシュに分割する前に、上記Pウェル領域のアンダーリサイズを行う処理とされる請求項1記載の回路シミュレーション方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011271228A JP5875355B2 (ja) | 2011-12-12 | 2011-12-12 | 回路シミュレーション方法 |
US13/691,900 US9405873B2 (en) | 2011-12-12 | 2012-12-03 | Method for improved accuracy of a substrate parasitic-resistance extraction in a circuit simulation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011271228A JP5875355B2 (ja) | 2011-12-12 | 2011-12-12 | 回路シミュレーション方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013122704A true JP2013122704A (ja) | 2013-06-20 |
JP5875355B2 JP5875355B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=48572822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011271228A Expired - Fee Related JP5875355B2 (ja) | 2011-12-12 | 2011-12-12 | 回路シミュレーション方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9405873B2 (ja) |
JP (1) | JP5875355B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2653800T3 (es) | 2015-06-26 | 2018-02-08 | Université Pierre et Marie Curie | Método para la generación de un circuito electrónico para modelización de los efectos de acoplamiento del sustrato en un circuito integrado |
CN112580292B (zh) * | 2020-12-14 | 2022-06-21 | 南京华大九天科技有限公司 | 加速提取电阻的方法、电子设备及计算机可读存储介质 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH10261004A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Toshiba Corp | 半導体集積回路解析装置 |
JP2008112233A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Fujitsu Ltd | 電源ノイズ解析プログラム、記録媒体、電源ノイズ解析装置および電源ノイズ解析方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6941258B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-09-06 | Interuniversitair Microelektronica Centrum | Method, apparatus and computer program product for determination of noise in mixed signal systems |
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JP2002158284A (ja) | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Nec Corp | 半導体集積回路の基板雑音解析方法及び半導体集積回路解析装置 |
JP4088063B2 (ja) | 2001-11-14 | 2008-05-21 | 株式会社東芝 | パワーmosfet装置 |
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-
2011
- 2011-12-12 JP JP2011271228A patent/JP5875355B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2012
- 2012-12-03 US US13/691,900 patent/US9405873B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9405873B2 (en) | 2016-08-02 |
JP5875355B2 (ja) | 2016-03-02 |
US20130151226A1 (en) | 2013-06-13 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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