JP2013118276A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置に関し、特に、配線の少なくとも一部が封止樹脂で封止されたフリップチップ型半導体素子に関する。 The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a flip chip type semiconductor element in which at least a part of wiring is sealed with a sealing resin.
液晶ドライバＩＣ等の半導体装置のさらなる配線等の高密度化、高出力化に対応可能な半導体素子の実装方式であるＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）パッケージ等で、フリップチップボンディングが利用されている。図１に半導体装置の断面の模式図の一例を示す。図１はフリップチップボンディングの場合であり、一般的に、フリップチップボンディングされた半導体装置５０では、基板５１上の配線５２と、半導体素子５３と、がバンプ５４で接合され、半導体素子５３と基板５１の間隙が、アンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂５５で封止される。 Flip chip bonding is used in a COF (Chip On Film) package or the like, which is a semiconductor element mounting method that can cope with higher density and higher output of semiconductor devices such as liquid crystal driver ICs. FIG. 1 illustrates an example of a schematic cross-sectional view of a semiconductor device. FIG. 1 shows a case of flip chip bonding. In general, in a flip chip bonded semiconductor device 50, a wiring 52 on a substrate 51 and a semiconductor element 53 are bonded by a bump 54, and the semiconductor element 53 and the substrate are bonded. The gap 51 is sealed with a sealing resin 55 called an underfill material.
近年、液晶ドライバＩＣの高密度化、高出力化の要求に応えるため、液晶ドライバＩＣを搭載する配線パターンのファインピッチ化が進んでいる。このファインピッチ化、および高出力化に伴う高電圧化により、配線間のマイグレーションが危惧されている。マイグレーションは、配線パターンの金属が、電気化学反応によって溶出し、抵抗値低下が生じる現象である。図２に、配線がＣｕである場合のマイグレーションを説明する模式図を示す。マイグレーションは、まず陽極２で、反応式：Ｃｕ＋（ＯＨ−）→Ｃｕ（ＯＨ）によりＣｕが溶出し、基板１上を、Ｃｕ（ＯＨ）が実線矢印の向き、すなわち陰極３方向に移動し、陰極３では、基板１上で、反応式：ＣｕＯＨ＋Ｈ３Ｏ＋→Ｃｕ＋２Ｈ２ＯによりＣｕが破線矢印向き、すなわち陽極２方向に析出する。通常、配線は、エポキシ樹脂系の液状の封止樹脂組成物から形成された封止樹脂で封止されているが、エポキシ樹脂に吸水されたＨ２Ｏ由来のＯＨ−やＨ３Ｏ＋により、マイグレーションが発生する。さらに、雰囲気中にＣｌ−イオンがあると、マイグレーションは飛躍的に加速される。このＣｌ−イオンは、通常、エポキシ樹脂の不純物として存在する。マイグレーションが起きると、陽極−陰極間の抵抗値が低くなり、マイグレーションが進行すると、陽極と陰極の短絡に至る。なお、Ｃｕ（ＯＨ）は、正確には、Ｃｕ（ＯＨ）２の場合と、Ｃｕ（ＯＨ）＋の場合があり、Ｃｕ（ＯＨ）２の場合には、その濃度差により陰極側に移動し、Ｃｕ（ＯＨ）＋の場合には、電気的に陰極側に移動する。 In recent years, in order to meet the demand for higher density and higher output of liquid crystal driver ICs, fine pitches of wiring patterns on which liquid crystal driver ICs are mounted have been advanced. Due to this fine pitch and high voltage accompanying high output, migration between wirings is feared. Migration is a phenomenon in which the metal of the wiring pattern is eluted by an electrochemical reaction, resulting in a decrease in resistance value. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining migration when the wiring is Cu. Migration starts with the anode 2, Cu is eluted by the reaction formula: Cu + (OH − ) → Cu (OH), and Cu (OH) moves on the substrate 1 in the direction of the solid arrow, that is, toward the cathode 3, In the cathode 3, Cu is deposited on the substrate 1 in the direction of the broken line arrow, that is, in the direction of the anode 2 by the reaction formula: CuOH + H 3 O + → Cu + 2H 2 O. Usually, the wiring is encapsulated with an encapsulating resin formed from an epoxy resin liquid encapsulating resin composition, but the H 2 O-derived OH − or H 3 O + absorbed by the epoxy resin. Migration occurs. Furthermore, in the atmosphere Cl - when there is an ion migration is accelerated dramatically. This Cl − ion is usually present as an impurity of the epoxy resin. When migration occurs, the resistance value between the anode and the cathode decreases, and when migration proceeds, the anode and cathode are short-circuited. In addition, Cu (OH) may be Cu (OH) 2 or Cu (OH) + precisely, and in the case of Cu (OH) 2 , it moves to the cathode side due to the concentration difference. In the case of Cu (OH) + , it moves electrically to the cathode side.
このマイグレーションを防止するため、イオン結合剤として、ベンゾトリアゾール類、トリアジン類、およびこれらのイソシアヌル類から選ばれる少なくとも１種の可能物を含む樹脂組成物が報告されている（特許文献１）。 In order to prevent this migration, a resin composition containing at least one possible substance selected from benzotriazoles, triazines, and these isocyanurs has been reported as an ion binder (Patent Document 1).
しかしながら、ベンゾトリアゾール類等を、エポキシ樹脂中に分散すると、液状の封止樹脂組成物の保存中に硬化反応による増粘が起こり、封止樹脂を形成するための組成物として使用できなくなるため、半導体装置を製造することができない、という問題がある。 However, when benzotriazoles and the like are dispersed in the epoxy resin, thickening occurs due to a curing reaction during storage of the liquid sealing resin composition, and it cannot be used as a composition for forming the sealing resin. There is a problem that a semiconductor device cannot be manufactured.
本発明は、基板上の配線の耐マイグレーション性の向上と、配線の腐食抑制を目的とする。 An object of the present invention is to improve migration resistance of wiring on a substrate and to suppress corrosion of the wiring.
本発明は、以下の構成を有することによって上記問題を解決した半導体装置およびその製造方法に関する。
〔１〕配線が形成された基板と、
基板に搭載された半導体素子と、
基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、
封止樹脂が、（Ａ）一般式（１）：
The present invention relates to a semiconductor device that has solved the above problems by having the following configuration and a method for manufacturing the same.
[1] a substrate on which wiring is formed;
A semiconductor element mounted on a substrate;
In a semiconductor device including a sealing resin disposed between a substrate and a semiconductor element so that at least a part thereof is in contact with the wiring,
The sealing resin is (A) general formula (1):
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、水素または炭素数１〜３のアルキル基である）で表されるキサンチン類を含有することを特徴とする、半導体装置。
〔２〕（Ａ）成分が、カフェイン、テオフィリン、テオブロミンおよびパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも１種である、上記〔１〕記載の半導体装置。
〔３〕封止樹脂が、さらに、（Ｂ）カップリング剤を含有する、上記〔１〕または〔２〕記載の半導体装置。
〔４〕封止樹脂が、さらに、（Ｃ）フィラーを含有する、上記〔１〕〜〔３〕のいずれか記載の半導体装置。
〔５〕封止樹脂が、さらに、（Ｄ）ゴム成分を含有する、上記〔１〕〜〔４〕のいずれか記載の半導体装置。
〔６〕（Ａ）成分が、封止樹脂：１００質量部に対して、０．０５〜１2質量部である、上記〔１〕〜〔５〕のいずれか記載の半導体装置。
(Wherein R 1 , R 2, and R 3 are each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms).
[2] The semiconductor device according to [1], wherein the component (A) is at least one selected from the group consisting of caffeine, theophylline, theobromine, and paraxanthine.
[3] The semiconductor device according to [1] or [2], wherein the sealing resin further contains (B) a coupling agent.
[4] The semiconductor device according to any one of [1] to [3], wherein the sealing resin further contains (C) a filler.
[5] The semiconductor device according to any one of [1] to [4], wherein the sealing resin further contains (D) a rubber component.
[6] The semiconductor device according to any one of [1] to [5], wherein the component (A) is 0.05 to 12 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the sealing resin.
本発明によれば、基板上の配線の耐マイグレーション性に優れ、配線の腐食が抑制される半導体装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the semiconductor device which is excellent in the migration resistance of the wiring on a board | substrate, and the corrosion of wiring is suppressed can be provided.
本発明の半導体装置は、配線が形成された基板と、
基板の配線に接続された半導体素子と、
基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、
封止樹脂が、（Ａ）一般式（１）：
The semiconductor device of the present invention includes a substrate on which wiring is formed,
A semiconductor element connected to the wiring of the substrate;
In a semiconductor device including a sealing resin disposed between a substrate and a semiconductor element so that at least a part thereof is in contact with the wiring,
The sealing resin is (A) general formula (1):
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、水素または炭素数１〜３のアルキル基である）で表されるキサンチン類を含有することを特徴とする。なお、封止樹脂は、封止樹脂組成物を硬化することにより、形成される。 (Wherein R 1 , R 2 and R 3 each independently represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms). The sealing resin is formed by curing the sealing resin composition.
図１に、半導体装置の断面の模式図の一例を示す。図１は、フリップチップボンディングの場合である。本発明の半導体装置５０は、基板５１上の配線５２と、半導体素子５３と、をバンプ５４で接合し、半導体素子５３と基板５１の間隙を、封止樹脂５５で封止し、封止樹脂５５が、（Ａ）成分である一般式（１）で表されるキサンチン類を含有する。なお、図１は、フリップチップボンディングの場合であるため、配線５２と、半導体素子５３とが、バンプ５４で接合されている。 FIG. 1 illustrates an example of a schematic cross-sectional view of a semiconductor device. FIG. 1 shows the case of flip chip bonding. In the semiconductor device 50 of the present invention, the wiring 52 on the substrate 51 and the semiconductor element 53 are joined by the bumps 54, and the gap between the semiconductor element 53 and the substrate 51 is sealed with the sealing resin 55. 55 contains the xanthines represented by the general formula (1) as the component (A). Since FIG. 1 shows the case of flip chip bonding, the wiring 52 and the semiconductor element 53 are joined by the bumps 54.
（Ａ）成分は、配線の耐マイグレーションと耐リード腐食性を向上させる。（Ａ）成分の２個の酸素と、５員環中で２重結合を持つ窒素が、配線から生成する金属イオンに配位することでマイグレーションを抑制する、と考えられる。（Ａ）成分としては、一般式（１）で、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が、それぞれ独立して、水素または炭素数１のアルキル基であると好ましく、式（２）： The component (A) improves the migration resistance and lead corrosion resistance of the wiring. (A) It is thought that two oxygen of a component and nitrogen which has a double bond in a 5-membered ring coordinate to the metal ion produced | generated from wiring, and suppress a migration. As the component (A), in the general formula (1), R 1 , R 2 and R 3 are preferably each independently hydrogen or an alkyl group having 1 carbon atom, and the formula (2):
のカフェイン、式（３）： Caffeine, formula (3):
のテオフィリン、式（４）： Theophylline of formula (4):
のテオブロミンおよび式（５）： Theobromine and formula (5):
のパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも１種であると、より好ましい。 It is more preferable that it is at least one selected from the group consisting of paraxanthines.
（Ａ）成分は、封止樹脂：１００質量部に対して、０．０５〜１２質量部含むと好ましく、０．０５〜１０質量部含むと、より好ましく、０．１〜７．５質量部含むと、さらに好ましく、０．５〜６質量部含むと特に好ましい。０．０５質量部以上であると、耐リード腐食性が良好であり、１２質量部以下であると、液状樹脂組成物の増粘率の上昇を抑制することができる。（Ａ）成分は、例えば、和光純薬工業から市販されている試薬を使用すればよい。ここで、（Ａ）成分の定量分析は、質量分析法で行う。 Component (A) is preferably 0.05 to 12 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 7.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of sealing resin. When it contains, it is further more preferable, and it is especially preferable when it contains 0.5-6 mass parts. Lead corrosion resistance is favorable when it is 0.05 parts by mass or more, and an increase in the viscosity increase rate of the liquid resin composition can be suppressed when it is 12 parts by mass or less. As the component (A), for example, a reagent commercially available from Wako Pure Chemical Industries may be used. Here, the quantitative analysis of the component (A) is performed by mass spectrometry.
（Ａ）成分を、封止樹脂中に保持するための樹脂は、特に限定されないが、封止樹脂として一般的に求められる特性を満足させるために、エポキシ樹脂と硬化剤を含有すると、好ましい。 The resin for holding the component (A) in the sealing resin is not particularly limited, but it is preferable to contain an epoxy resin and a curing agent in order to satisfy the characteristics generally required as a sealing resin.
エポキシ樹脂としては、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、液状ナフタレン型エポキシ樹脂、液状アミノフェノール型エポキシ樹脂、液状水添ビスフェノール型エポキシ樹脂、液状脂環式エポキシ樹脂、液状アルコールエーテル型エポキシ樹脂、液状環状脂肪族型エポキシ樹脂、液状フルオレン型エポキシ樹脂、液状シロキサン系エポキシ樹脂等が挙げられ、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、液状アミノフェノール型エポキシ樹脂、液状シロキサン系エポキシ樹脂が、封止樹脂組成物の硬化性、耐熱性、接着性、耐久性の観点から好ましい。また、エポキシ当量は、封止樹脂組成物の粘度調整の観点から、８０〜２５０ｇ／ｅｑが好ましい。市販品としては、新日鐵化学製ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（品名：ＹＤＦ８１７０）、新日鐵化学製ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（品名：ＹＤＦ８７０ＧＳ）、三菱化学製アミノフェノール型エポキシ樹脂（グレード：ＪＥＲ６３０、ＪＥＲ６３０ＬＳＤ）、ＤＩＣ製ナフタレン型エポキシ樹脂（品名：ＨＰ４０３２Ｄ）、モメンティブ・パフォーマンス製シロキサン系エポキシ樹脂（品名：ＴＳＬ９９０６）、新日鐵化学株式会社製１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル（品名：ＺＸ１６５８ＧＳ）等が挙げられる。エポキシ樹脂は、単独でも２種以上を併用してもよい。 Epoxy resins include liquid bisphenol A type epoxy resin, liquid bisphenol F type epoxy resin, liquid naphthalene type epoxy resin, liquid aminophenol type epoxy resin, liquid hydrogenated bisphenol type epoxy resin, liquid alicyclic epoxy resin, liquid alcohol ether. Type epoxy resin, liquid cycloaliphatic epoxy resin, liquid fluorene type epoxy resin, liquid siloxane type epoxy resin, etc., liquid bisphenol A type epoxy resin, liquid bisphenol F type epoxy resin, liquid aminophenol type epoxy resin, liquid type Siloxane-based epoxy resins are preferred from the viewpoints of curability, heat resistance, adhesiveness, and durability of the sealing resin composition. The epoxy equivalent is preferably 80 to 250 g / eq from the viewpoint of adjusting the viscosity of the sealing resin composition. Commercially available products include Nippon Steel Chemical's bisphenol F type epoxy resin (product name: YDF8170), Nippon Steel Chemical's bisphenol F type epoxy resin (product name: YDF870GS), Mitsubishi Chemical's aminophenol type epoxy resin (grade: JER630, JER630LSD), DIC naphthalene type epoxy resin (product name: HP4032D), Momentive Performance siloxane epoxy resin (product name: TSL9906), Nippon Steel Chemical Co., Ltd. 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether (product name: ZX1658GS) ) And the like. Epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
硬化剤としては、酸無水物、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤が挙げられ、封止樹脂の良好な反応性（硬化速度）、封止樹脂組成物への適度な粘性付与の観点から、酸無水物が好ましい。酸無水物としては、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルブテニルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、アルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物、アルケニル基で置換されたコハク酸無水物、ドデセニル無水コハク酸、メチルナジック酸無水物、グルタル酸無水物等が挙げられ、メチルブテニルテトラヒドロフタル酸無水物が好ましい。アミン系硬化剤としては、鎖状脂肪族アミン、環状脂肪族アミン、脂肪芳香族アミン、芳香族アミンが挙げられ、芳香族アミンが好ましい。市販品としては、三菱化学製酸無水物（グレード：ＹＨ３０６、ＹＨ３０７）、日本化薬製アミン硬化剤（カヤハードＡ−Ａ）等が挙げられる。硬化剤は、単独でも２種以上を併用してもよい。 Examples of the curing agent include acid anhydrides, amine-based curing agents, phenol-based curing agents, good reactivity of the sealing resin (curing speed), and from the viewpoint of imparting appropriate viscosity to the sealing resin composition, Acid anhydrides are preferred. Examples of acid anhydrides include methyltetrahydrophthalic anhydride, methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, alkylated tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylheimic anhydride Products, succinic anhydride substituted with an alkenyl group, dodecenyl succinic anhydride, methyl nadic anhydride, glutaric anhydride, and the like, and methylbutenyl tetrahydrophthalic anhydride is preferred. Examples of the amine curing agent include a chain aliphatic amine, a cyclic aliphatic amine, a fatty aromatic amine, and an aromatic amine, and an aromatic amine is preferable. Examples of commercially available products include acid anhydrides (grade: YH306, YH307) manufactured by Mitsubishi Chemical, and amine curing agents (Kayahard AA) manufactured by Nippon Kayaku. A hardening | curing agent may be individual or may use 2 or more types together.
封止樹脂は、封止樹脂組成物の良好な反応性、封止樹脂の信頼性の観点から、樹脂にエポキシ樹脂、硬化剤に酸無水物を用いる場合には、エポキシ樹脂のエポキシ当量：１に対して、硬化剤の酸無水当量が、好ましくは０．６〜１．２であり、より好ましくは０．６５〜１．１である。０．６以上であると、封止樹脂組成物の反応性、封止樹脂のＰＣＴ試験での耐湿信頼性、耐マイグレーション性が良好であり、一方、１．２以下であると、封止樹脂組成物注入時のボイドの発生が抑制される。 From the viewpoint of the good reactivity of the sealing resin composition and the reliability of the sealing resin, when the sealing resin uses an epoxy resin as the resin and an acid anhydride as the curing agent, the epoxy equivalent of the epoxy resin is 1 On the other hand, the acid anhydride equivalent of the curing agent is preferably 0.6 to 1.2, more preferably 0.65 to 1.1. When it is 0.6 or more, the reactivity of the sealing resin composition, the moisture resistance reliability in the PCT test of the sealing resin, and the migration resistance are good, while when it is 1.2 or less, the sealing resin Generation of voids during composition injection is suppressed.
封止樹脂は、さらに、（Ｂ）成分であるカップリング剤を含有すると、密着性の観点から好ましく、（Ｂ）成分としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランが、密着性の観点から好ましい。市販品としては、信越化学工業製ＫＢＭ４０３、ＫＢＥ９０３、ＫＢＥ９１０３等が挙げられる。（Ｂ）成分は、単独でも２種以上を併用してもよい。 When the sealing resin further contains a coupling agent as component (B), it is preferable from the viewpoint of adhesion, and as component (B), 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxy are preferable. Silane, vinyltrimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, bis (Triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane and the like can be mentioned, and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane and 3-aminopropyltrimethoxysilane are preferable from the viewpoint of adhesion. Examples of commercially available products include KBM403, KBE903, and KBE9103 manufactured by Shin-Etsu Chemical. (B) A component may be individual or may use 2 or more types together.
封止樹脂は、さらに、（Ｃ）成分であるフィラーを含有すると好ましい。（Ｃ）成分としては、コロイダルシリカ、疎水性シリカ、微細シリカ、ナノシリカ等のシリカ、アクリルビーズ、ガラスビーズ、ウレタンビーズ、ベントナイト、アセチレンブラック、ケッチェンブラック等が挙げられる。また、（Ｃ）成分としてのフィラーの平均粒径（粒状でない場合は、その平均最大径）は、特に限定されないが、０．０５〜５０μｍであることが、半導体樹脂封止剤中にフィラーを均一に分散させるうえで好ましく、また、半導体封止剤をアンダーフィルとして使用した際の注入性に優れる等の理由から好ましい。０．０５μｍ未満だと、半導体樹脂封止剤の粘度が上昇して、アンダーフィルとして使用した際に注入性が悪化するおそれがある。５０μｍ超だと、半導体樹脂封止剤中にフィラーを均一に分散させることが困難になるおそれがある。（Ｃ）成分としてのフィラーの平均粒径は、０．１〜３０μｍであることがより好ましい。市販品としては、日本アエロジル製疎水性フュームドシリカ（製品名：Ｒ８０５、平均粒径：２０ｎｍ）、扶桑化学工業製（製品名：ＳＰ０３Ｂ、平均粒径：３００ｎｍ）等が挙げられる。ここで、（Ｃ）成分の平均粒径は、動的光散乱式ナノトラック粒度分析計により測定する。（Ｃ）成分は、単独でも２種以上を併用してもよい。 It is preferable that the sealing resin further contains a filler which is the component (C). Examples of the component (C) include silica such as colloidal silica, hydrophobic silica, fine silica, and nano silica, acrylic beads, glass beads, urethane beads, bentonite, acetylene black, and ketjen black. In addition, the average particle diameter of the filler as the component (C) (or the average maximum diameter if not granular) is not particularly limited, but it is 0.05 to 50 μm, and the filler is contained in the semiconductor resin sealant. It is preferable for uniform dispersion, and is preferable for reasons such as excellent injectability when a semiconductor sealing agent is used as an underfill. If it is less than 0.05 μm, the viscosity of the semiconductor resin encapsulant increases, and the injectability may deteriorate when used as an underfill. If it exceeds 50 μm, it may be difficult to uniformly disperse the filler in the semiconductor resin sealant. The average particle diameter of the filler as the component (C) is more preferably 0.1 to 30 μm. Examples of commercially available products include hydrophobic fumed silica (product name: R805, average particle size: 20 nm) manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd. (product name: SP03B, average particle size: 300 nm). Here, the average particle diameter of the component (C) is measured by a dynamic light scattering nanotrack particle size analyzer. (C) A component may be individual or may use 2 or more types together.
封止樹脂は、さらに、（Ｄ）ゴム成分を含有すると、液状樹脂組成物の硬化物の応力緩和の観点から好ましく、（Ｄ）成分としては、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴムが挙げられる。（Ｄ）成分は、固体のものを使用することができる。形態は特に限定されず、例えば粒子状、粉末状、ペレット状のものを使用することができ、粒子状の場合は、例えば平均粒径が１０〜７５０ｎｍ、好ましくは３０〜５００ｎｍ、より好ましくは、５０〜３００ｎｍである。（Ｄ）成分は、常温で液状のものも使用することもでき、例えば、平均分子量が比較的低いポリブタジエン、ブタジエン・アクリロニトリルコポリマー、ポリイソプレン、ポリプロピレンオキシド、ポリジオルガノシロキサンが挙げられる。また、（Ｄ）成分は、末端にエポキシ基と反応する基を有するものを使用することができ、これらは固体、液状いずれの形態であってもよい。市販品としては、宇部興産製ＡＴＢＮ１３００−１６、ＣＴＢＮ１００８−ＳＰ等が挙げられる。（Ｄ）成分は、単独でも２種以上を併用してもよい。 When the sealing resin further contains a rubber component (D), it is preferable from the viewpoint of stress relaxation of the cured product of the liquid resin composition. Examples of the component (D) include acrylic rubber, urethane rubber, silicone rubber, and butadiene rubber. Can be mentioned. (D) A solid thing can be used for a component. The form is not particularly limited, and for example, particles, powders, pellets can be used, and in the case of particles, for example, the average particle diameter is 10 to 750 nm, preferably 30 to 500 nm, more preferably, 50-300 nm. The component (D) can also be used at room temperature, and examples thereof include polybutadiene, butadiene-acrylonitrile copolymer, polyisoprene, polypropylene oxide, and polydiorganosiloxane having a relatively low average molecular weight. Moreover, what has the group which reacts with an epoxy group at the terminal can be used for (D) component, These may be a solid or liquid form. Examples of commercially available products include ATBN 1300-16, CTBN1008-SP, etc., manufactured by Ube Industries. (D) A component may be individual or may use 2 or more types together.
（Ｂ）成分は、封止樹脂にエポキシ樹脂を使用する場合には、封止樹脂：１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜５質量部、より好ましくは０．１〜３質量部含有される。０．０１質量部以上であると、封止樹脂の密着性が向上し、ＰＣＴ試験での耐湿信頼性がより良好になり、５質量部以下であると、封止樹脂組成物の発泡が抑制される。 (B) When using an epoxy resin for sealing resin, Preferably it is 0.01-5 mass parts with respect to 100 mass parts of sealing resin: More preferably, it is 0.1-3 mass parts Contained. When it is 0.01 part by mass or more, the adhesiveness of the sealing resin is improved, and the moisture resistance reliability in the PCT test is improved, and when it is 5 parts by mass or less, foaming of the sealing resin composition is suppressed. Is done.
（Ｃ）成分は、封止樹脂：１００質量部に対して、好ましくは０．１〜９０質量部、より好ましくは０．５〜４０質量部、さらに好ましくは１〜３０質量部含有される。１〜３０質量部であると、線膨張係数を下げられ、かつ注入性の悪化をさけることができる。 The component (C) is preferably 0.1 to 90 parts by mass, more preferably 0.5 to 40 parts by mass, and still more preferably 1 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the sealing resin. A linear expansion coefficient can be lowered | hung as it is 1-30 mass parts, and deterioration of injectability can be avoided.
（Ｄ）成分は、封止樹脂にエポキシ樹脂を使用する場合には、封止樹脂：１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３０質量部、より好ましくは０．５〜２５質量部、さらに好ましくは１〜２０質量部含有される。０．１質量部以上であると、封止樹脂の応力を緩和し、３０質量部以下であると耐湿信頼性が低下しない。 (D) When using an epoxy resin for sealing resin, Preferably it is 0.1-30 mass parts with respect to 100 mass parts of sealing resin: More preferably, it is 0.5-25 mass parts More preferably, it is contained in an amount of 1 to 20 parts by mass. When it is 0.1 part by mass or more, the stress of the sealing resin is relieved, and when it is 30 parts by mass or less, moisture resistance reliability is not lowered.
封止樹脂には、本発明の目的を損なわない範囲で、更に必要に応じ、硬化促進剤、カーボンブラックなどの顔料、染料、消泡剤、酸化防止剤、応力緩和剤、イオントラップ剤、界面活性剤、表面改質剤、その他の添加剤等を配合することができる。 In the sealing resin, as long as the object of the present invention is not impaired, a curing accelerator, a pigment such as carbon black, a dye, an antifoaming agent, an antioxidant, a stress relaxation agent, an ion trapping agent, an interface, if necessary An activator, a surface modifier, other additives, and the like can be blended.
封止樹脂組成物を形成するための封止樹脂組成物は、例えば、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分およびその他添加剤等を同時にまたは別々に、必要により加熱処理を加えながら、撹拌、溶融、混合、分散させることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等の装置としては、特に限定されるものではないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロールミル、ボールミル、プラネタリーミキサー、ビーズミル等を使用することができる。また、これら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。 The encapsulating resin composition for forming the encapsulating resin composition is, for example, stirred or melted while simultaneously or separately adding (A) component to (D) component and other additives, if necessary, with heat treatment. It can be obtained by mixing and dispersing. The mixing, stirring, dispersing and the like devices are not particularly limited, and a raikai machine equipped with a stirring and heating device, a three-roll mill, a ball mill, a planetary mixer, a bead mill and the like can be used. . Moreover, you may use combining these apparatuses suitably.
封止樹脂は、封止樹脂組成物を、ディスペンサー、印刷等で基板の所望の位置に形成・塗布した後、硬化することにより形成する。ここで、封止樹脂組成物を、フレキシブル配線基板等の基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が基板の配線上に接するように形成する。ここで、封止樹脂組成物は、温度：２５℃での粘度が５０〜２０００ｍＰａ・ｓであると、注入性の観点から好ましい。ここで、粘度は、東機産業社製Ｅ型粘度計（型番：ＴＶＥ−２２Ｈ）で測定する。 The sealing resin is formed by forming and applying the sealing resin composition at a desired position on the substrate by a dispenser, printing or the like, and then curing. Here, the sealing resin composition is formed between a substrate such as a flexible wiring board and the semiconductor element so that at least a part thereof is in contact with the wiring of the board. Here, the sealing resin composition preferably has a viscosity at a temperature of 25 ° C. of 50 to 2000 mPa · s from the viewpoint of injectability. Here, the viscosity is measured with an E-type viscometer (model number: TVE-22H) manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.
封止樹脂組成物の硬化は、８０〜３００℃で行うことが好ましく、また、２００秒以内で硬化させると、生産性向上の観点から好ましい。 The sealing resin composition is preferably cured at 80 to 300 ° C., and when cured within 200 seconds, it is preferable from the viewpoint of improving productivity.
なお、半導体素子、基板は、所望のものを使用することができるが、フリップチップボンディングの半導体素子とＣＯＦパッケージ用基板の組合せが好ましい。 Although any desired semiconductor element and substrate can be used, a combination of a flip-chip bonding semiconductor element and a COF package substrate is preferable.
このように、本発明の半導体装置は、基板上の配線の耐マイグレーション性、および配線の腐食性に優れ、高信頼性である。 As described above, the semiconductor device of the present invention is excellent in migration resistance of wiring on a substrate and corrosion resistance of wiring, and has high reliability.
本発明について、実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、部、％はことわりのない限り、質量部、質量％を示す。 The present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In the following examples, parts and% indicate parts by mass and mass% unless otherwise specified.
〔実施例１〜２２、比較例１、２〕
表１〜表３に示す配合で、封止樹脂組成物（以下、「樹脂組成物」という）を作製した。作製した樹脂組成物は、すべて液状であった。なお、〔（Ｂ）成分の酸無水またはアミン当量〕／〔（Ａ）成分のエポキシ当量〕は、実施例１〜２２、比較例１、２のすべてで０．９０にした。
[Examples 1 to 22, Comparative Examples 1 and 2]
Sealing resin compositions (hereinafter referred to as “resin compositions”) were prepared with the formulations shown in Tables 1 to 3. The prepared resin compositions were all liquid. [Acid anhydride or amine equivalent of component (B)] / [Epoxy equivalent of component (A)] was set to 0.90 in all of Examples 1 to 22 and Comparative Examples 1 and 2.
〔粘度の評価〕
作製した直後の樹脂組成物の粘度（初期粘度、単位：ｍＰａ・ｓ）を、東機産業社製Ｅ型粘度計（型番：ＴＶＥ−２２Ｈ）で測定した。表４〜表６に、初期粘度の測定結果を示す。また、樹脂組成物を２４時間または４８時間、２５℃、相対湿度５０％で保管した後の粘度を測定し、（２４または４８時間後の粘度）／（初期粘度）を粘度上昇率（単位：％）とした。表４〜表６に、結果を示す。
[Evaluation of viscosity]
The viscosity (initial viscosity, unit: mPa · s) of the resin composition immediately after production was measured with an E-type viscometer (model number: TVE-22H) manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. Tables 4 to 6 show the measurement results of the initial viscosity. Further, the viscosity after storing the resin composition at 25 ° C. and 50% relative humidity for 24 hours or 48 hours is measured, and (viscosity after 24 or 48 hours) / (initial viscosity) is a viscosity increase rate (unit: %). Tables 4 to 6 show the results.
〔吸水率の評価〕
作製した樹脂組成物を１５０℃、６０分で硬化させた封止樹脂の試験片の初期重量をＷ０（ｇ）とし、ＰＣＴ試験槽（１２１℃±２℃／湿度１００％／２ａｔｍの槽）中に２０時間置いた後、室温まで冷却して得た封止樹脂の試験片の重量をＷ１（ｇ）とし、下記式で、封止樹脂の吸水率（単位：％）を求めた。
吸水率＝（Ｗ１−Ｗ０）／Ｗ０ × １００ （％）
表４〜表６に、封止樹脂の吸水率の評価結果を示す。
[Evaluation of water absorption rate]
The initial weight of the test piece of the sealing resin obtained by curing the produced resin composition at 150 ° C. for 60 minutes is defined as W 0 (g), and a PCT test tank (121 ° C. ± 2 ° C./humidity 100% / 2 atm tank) The weight of the sealing resin test piece obtained by cooling to room temperature was set to W 1 (g), and the water absorption rate (unit:%) of the sealing resin was determined by the following formula.
Water absorption rate = (W 1 −W 0 ) / W 0 × 100 (%)
Tables 4 to 6 show the evaluation results of the water absorption rate of the sealing resin.
〔曲げ弾性率の評価〕
離型剤を塗布したガラス板とガラス板との間に、作製した樹脂組成物を挟み、１５０℃、６０分で３５０μｍのシート状に硬化させ、万能試験機（（株）島津製作所製 ＡＧ−Ｉ）を用いて、封止樹脂の室温での曲げ弾性率を求めた。なお、ｎ＝３で測定し、平均値を用いた。また、封止樹脂の試験片の膜厚及び幅は、５点測定し、平均値を計算値に用いた。曲げ弾性率は、好ましくは、２．０〜４．０ＧＰａである。表４〜表６に、封止樹脂の曲げ弾性率の評価結果を示す。
[Evaluation of flexural modulus]
The prepared resin composition is sandwiched between a glass plate and a glass plate coated with a release agent, and cured into a sheet of 350 μm at 150 ° C. for 60 minutes, and a universal testing machine (AG-manufactured by Shimadzu Corporation AG- I) was used to determine the flexural modulus of the sealing resin at room temperature. In addition, it measured by n = 3 and used the average value. Further, the film thickness and width of the test piece of the sealing resin were measured at five points, and the average value was used as the calculated value. The flexural modulus is preferably 2.0 to 4.0 GPa. Tables 4 to 6 show the evaluation results of the bending elastic modulus of the sealing resin.
〔抽出Ｃｌイオン量の評価〕
作製した樹脂組成物を１５０℃、６０分で硬化させて得た試料を、５ｍｍ角程度に粉砕した。封止樹脂：２．５ｇにイオン交換水２５ｃｍ３を加え、ＰＣＴ試験槽（１２１℃±２℃／湿度１００％／２ａｔｍの槽）中に２０時間置いた後、室温まで冷却して得た抽出液を試験液とした。上記の手順で得られた抽出液のＣｌイオン濃度を、イオンクロマトグラフを用いて測定した。表４〜表６に、抽出Ｃｌイオン量の評価結果を示す。
[Evaluation of amount of extracted Cl ions]
A sample obtained by curing the produced resin composition at 150 ° C. for 60 minutes was pulverized to about 5 mm square. Sealing resin: Extraction obtained by adding 25 cm 3 of ion-exchanged water to 2.5 g and placing in a PCT test tank (121 ° C. ± 2 ° C./humidity 100% / 2 atm bath) for 20 hours and then cooling to room temperature The solution was used as a test solution. The Cl ion concentration of the extract obtained by the above procedure was measured using an ion chromatograph. Tables 4 to 6 show the evaluation results of the extracted Cl ion amount.
〔注入性の評価〕
図３に、樹脂組成物の注入性の評価方法を説明する模式図を示す。まず、図３（Ａ）に示すように、基板２０上に２０μｍのギャップ４０を設けて、半導体素子の代わりにガラス板３０を固定した試験片を作製した。但し、基板２０としては、フレキシブル基板の代わりにガラス基板を使用した。次に、この試験片を１１０℃に設定したホットプレート上に置き、図３（Ｂ）に示すように、ガラス板３０の一端側に、作製した樹脂組成物１０を塗布し、図３（Ｃ）に示すように、ギャップ４０が樹脂組成物１１で満たされるまでの時間を測定し、９０秒以下で満たされた場合を「良」とした。表４〜表６に、注入性の評価結果を示す。
[Evaluation of injectability]
In FIG. 3, the schematic diagram explaining the evaluation method of the injectability of a resin composition is shown. First, as shown in FIG. 3A, a test piece in which a 20 μm gap 40 was provided on the substrate 20 and the glass plate 30 was fixed instead of the semiconductor element was produced. However, as the substrate 20, a glass substrate was used instead of the flexible substrate. Next, this test piece is placed on a hot plate set at 110 ° C., and the produced resin composition 10 is applied to one end side of the glass plate 30 as shown in FIG. ), The time until the gap 40 was filled with the resin composition 11 was measured, and the case where the gap 40 was filled in 90 seconds or less was evaluated as “good”. Tables 4 to 6 show the evaluation results of injectability.
〔Ｓｉチップとの密着性の評価〕
図４に、Ｓｉチップの密着強度の評価方法を説明する模式図を示す。基板６１として、１５０℃で２０分乾燥したＦＲ−４基板と、半導体素子６３として、２ｍｍ角のＳｉＮ膜付きＳｉチップを準備した。０．５ｍｇの樹脂組成物を、基板６１上の封止樹脂６５を形成したい位置にディスペンサーで塗布して、樹脂組成物上に、半導体素子６３をマウントした。この後、１５０℃で６０分間、樹脂組成物を硬化させ、封止樹脂６５を形成した。アイコ−エンジニアリング製卓上強度試験器（型番：１６０５ＨＴＰ）を使用して、剪断強度（単位：Ｎ）を測定した。表４〜表６に、Ｓｉチップとの密着性の評価結果を示す。
[Evaluation of adhesion to Si chip]
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a method for evaluating the adhesion strength of the Si chip. An FR-4 substrate dried at 150 ° C. for 20 minutes as a substrate 61 and a 2 mm square SiN film-attached Si chip as a semiconductor element 63 were prepared. 0.5 mg of the resin composition was applied to the position on the substrate 61 where the sealing resin 65 is to be formed with a dispenser, and the semiconductor element 63 was mounted on the resin composition. Thereafter, the resin composition was cured at 150 ° C. for 60 minutes to form a sealing resin 65. Shear strength (unit: N) was measured using a desktop strength tester (model number: 1605HTP) manufactured by Aiko Engineering. Tables 4 to 6 show the evaluation results of adhesion to the Si chip.
〔耐マイグレーション性の評価〕
樹脂組成物の耐マイグレーション性を評価するため、高温高湿バイアス試験（ＴＨＢ試験）を実施した。図５に、耐マイグレーション性の評価に用いた櫛歯電極の模式図を示す。図５に示すような櫛歯電極として、ポリイミドテープ基材上に、スズメッキ（０．２±０．０５μｍ）された銅配線（正極７１および負極７２のパターン幅は１０μｍ、正極７１と負極７２間のパターンの線間幅は１５μｍ、正極７１および負極７２のパターンピッチは２５μｍ）を作製した。
[Evaluation of migration resistance]
In order to evaluate the migration resistance of the resin composition, a high temperature and high humidity bias test (THB test) was conducted. FIG. 5 shows a schematic diagram of a comb electrode used for evaluation of migration resistance. As a comb-teeth electrode as shown in FIG. 5, a tin-plated (0.2 ± 0.05 μm) copper wiring on a polyimide tape substrate (the pattern width of the positive electrode 71 and the negative electrode 72 is 10 μm, and between the positive electrode 71 and the negative electrode 72 The line width of this pattern was 15 μm, and the pattern pitch of the positive electrode 71 and the negative electrode 72 was 25 μm).
銅配線が形成されたポリイミドテープ基材上に、作製した樹脂組成物を２０μｍ厚みで塗布し、１５０℃で３０分間処理し、樹脂組成物を硬化させて、封止樹脂の試験片を作製した。この試験片についてイオンマイグレーション評価システム（エスペック社製）を用いて、１１０℃／湿度８５％の条件下で、正極７１と負極７２間に、ＤＣ６０Ｖの電圧を印加したときの抵抗値の変化を測定し、抵抗値が１．００×１０７Ωを下回った時点を閾値として、銅配線のマイグレーションを評価した（単位：時間）。表４〜表６に、耐マイグレーション性の評価結果を示す。また、図６、７に、耐マイグレーション性評価後の写真を示す。写真にスケールはついていないが、上記のようにパターン幅１０μｍ、線間幅１５μｍの銅配線である。図６は実施例４、図７は比較例２の写真である。 On the polyimide tape base material in which the copper wiring was formed, the produced resin composition was applied in a thickness of 20 μm, treated at 150 ° C. for 30 minutes, and the resin composition was cured to produce a sealing resin test piece. . Using this ion migration evaluation system (manufactured by Espec Corp.), the test piece was measured for changes in resistance when a voltage of DC 60 V was applied between the positive electrode 71 and the negative electrode 72 under conditions of 110 ° C./85% humidity. Then, the migration of the copper wiring was evaluated using the time when the resistance value was below 1.00 × 10 7 Ω as a threshold (unit: time). Tables 4 to 6 show the migration resistance evaluation results. 6 and 7 show photographs after migration resistance evaluation. Although the scale is not attached to the photograph, it is a copper wiring having a pattern width of 10 μm and a line width of 15 μm as described above. 6 is a photograph of Example 4, and FIG. 7 is a photograph of Comparative Example 2.
〔配線の腐食性の評価〕
上記耐マイグレーション性の評価を行った試験片を、光学顕微鏡オリンパス製（型番：ＳＴＭ６）を用いて、５０倍の対物レンズで観察した。配線の腐食が配線幅の１／３に満たないものを「○」、１／３以上のものを「×」とした。表４〜表６に、配線の腐食性の評価結果を示す。
[Evaluation of corrosiveness of wiring]
The test piece for which the migration resistance was evaluated was observed with a 50 × objective lens using an optical microscope Olympus (model number: STM6). The case where the corrosion of the wiring was less than 1/3 of the wiring width was indicated as “◯”, and the case where the corrosion was 1/3 or more was indicated as “x”. Tables 4 to 6 show the evaluation results of the corrosiveness of the wiring.
表４〜表６からわかるように、実施例１〜２２の全てで、樹脂組成物は、粘度上昇率が低く、注入性が良好で、封止樹脂の吸水率が低く、耐マイグレーション性、および耐配線腐食性が優れており、曲げ弾性率が所望値であった。これに対して、（Ａ）成分を含まない比較例１は、耐配線腐食性が悪かった。また、（Ａ）成分の代わりに、ベンゾトリアゾールを含む比較例２は、樹脂組成物の粘度上昇率が高く、耐配線腐食性も良くなかった。実施例４の図６と、比較例２の図を比較すると、図７ではリードの激しい腐食が観察された。 As can be seen from Tables 4 to 6, in all of Examples 1 to 22, the resin composition has a low viscosity increase rate, good injectability, a low water absorption rate of the sealing resin, migration resistance, and The wiring corrosion resistance was excellent, and the flexural modulus was a desired value. On the other hand, the comparative example 1 which does not contain (A) component had bad wiring corrosion resistance. Further, in Comparative Example 2 containing benzotriazole instead of the component (A), the resin composition had a high viscosity increase rate and the wiring corrosion resistance was not good. Comparing FIG. 6 of Example 4 with that of Comparative Example 2, in FIG. 7, severe corrosion of the lead was observed.
上記のように、本発明の半導体装置は、基板上の配線のマイグレーションを防止し、かつ配線の腐食性を抑制し、特に、フリップチップ型半導体素子向けに適している。 As described above, the semiconductor device of the present invention prevents migration of wiring on the substrate and suppresses corrosiveness of the wiring, and is particularly suitable for flip chip type semiconductor elements.
１ 基板
２ 陽極
３ 陰極
１０、１１ 液状樹脂組成物
２０ 基板
３０ ガラス板
４０ ギャップ
５０ 半導体装置
５１、６１ 基板
５２ 配線
５３、６３ 半導体素子
５４ バンプ
５５、６５ 封止樹脂
６６ シェアツール
７１ 正極
７２ 負極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Cathode 10, 11 Liquid resin composition 20 Substrate 30 Glass plate 40 Gap 50 Semiconductor device 51, 61 Substrate 52 Wiring 53, 63 Semiconductor element 54 Bump 55, 65 Sealing resin 66 Share tool 71 Positive electrode 72 Negative electrode
Claims (6)
基板の配線に接続された半導体素子と、
基板と半導体素子との間に、少なくとも一部が配線に接するように配置された封止樹脂と、を含む半導体装置において、
封止樹脂が、（Ａ）一般式（１）：
A semiconductor element connected to the wiring of the substrate;
In a semiconductor device including a sealing resin disposed between a substrate and a semiconductor element so that at least a part thereof is in contact with the wiring,
The sealing resin is (A) general formula (1):
Priority Applications (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015046334A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 株式会社ダイセル | Filler for three-dimensional mounting of semiconductor element |
| WO2019142423A1 (en) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | セメダイン株式会社 | Mounting body |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333085A (en) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Sharp Corp | Semiconductor device |
| JP2006028258A (en) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nitto Denko Corp | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor apparatus using the same |
| JP2008255178A (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Namics Corp | Epoxy resin composition for sealing semiconductor, semiconductor device, and its manufacturing method |
| JP2013142091A (en) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Namics Corp | Resin composition |
-
2011
- 2011-12-02 JP JP2011264896A patent/JP2013118276A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333085A (en) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Sharp Corp | Semiconductor device |
| JP2006028258A (en) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nitto Denko Corp | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor apparatus using the same |
| JP2008255178A (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Namics Corp | Epoxy resin composition for sealing semiconductor, semiconductor device, and its manufacturing method |
| JP2013142091A (en) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Namics Corp | Resin composition |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015046334A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 株式会社ダイセル | Filler for three-dimensional mounting of semiconductor element |
| CN105580133A (en) * | 2013-09-27 | 2016-05-11 | 株式会社大赛璐 | Filler for three-dimensional mounting of semiconductor element |
| JPWO2015046334A1 (en) * | 2013-09-27 | 2017-03-09 | 株式会社ダイセル | Filler for 3D mounting of semiconductor elements |
| US10308758B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-06-04 | Daicel Corporation | Filling material for three-dimensional mounting of semiconductor element |
| WO2019142423A1 (en) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | セメダイン株式会社 | Mounting body |
| JPWO2019142423A1 (en) * | 2018-01-17 | 2021-01-14 | セメダイン株式会社 | Implementation |
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