JP2013102206A - Duv光源の能動スペクトル制御 - Google Patents
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- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 25
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 23
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 33
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 34
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 7
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 6
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000153282 Theope Species 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003442 weekly effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
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Abstract
【解決手段】光源により生成されたレーザ出力光パルスビームパルスの帯域幅を測定して帯域幅測定値を供給する帯域幅測定モジュールと、帯域幅測定値及び帯域幅設定値を受信して帯域幅誤差信号を供給する帯域幅誤差信号発生器と、帯域幅誤差に応答して細かい帯域幅補正アクチュエータ信号及び粗い帯域幅補正アクチュエータ信号を供給する能動帯域幅コントローラとを含むことができる、線狭帯域化高平均パワー高パルス繰返し数レーザマイクロフォトリソグラフィ光源帯域幅制御方法及び装置を開示する。
【選択図】図7
Description
関連出願への相互参照
本出願は、2006年8月25日出願の「DUV光源能動スペクトル制御」という名称の米国特許出願出願番号第11/510、037号に対する優先権を請求するものであり、かつ2006年2月17日出願の「OPE最小化のためのDUV光源能動スペクトル制御」という名称の米国特許仮出願出願番号第60/774、770号に対する優先権を請求するものであり、かつ2006年6月6日公開の公開番号US20060114958である、2005年10月20日出願の「ガス放電レーザ帯域幅及び中心波長制御の方法及び装置」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/254、282号に関連するものであり、かつ代理人整理番号第2005−0042−01号である、2005年12月29日出願の「放電タイミングによる多重チャンバガス放電レーザ帯域幅制御」という名称の米国特許出願出願番号第11/323、604号に関連するものであり、かつ代理人整理番号第2005−0001−01号である、2005年6月30日出願の「調整レーザのための能動帯域幅制御」という名称の米国特許出願出願番号第11/173、988号に関連するものであり、かつ代理人整理番号第2004−0115−01号である、2005年6月27日出願の「高繰返し数ガス放電レーザのためのスペクトル測定」という名称の米国特許出願出願番号第11/169、202号、及び代理人整理番号第2003−0053−02号である、2005年1月13日出願の「ガス放電MOPAレーザシステムの出力を制御する方法及び装置」という名称の米国特許出願出願番号第11/035、938号に関連するものであり、かつ代理人整理番号第2004−0081−01号である、2004年11月30日出願の「高パワー高パルス繰返し数ガス放電レーザシステム帯域幅管理」という名称の米国特許出願出願番号第11/000、571号に関連するものであり、かつ代理人整理番号第2004−0083−01号である、2004年9月29日出願の「多重チャンバエキシマ又は分子フッ素ガス放電レーザフッ素射出制御」という名称の2005年5月5日出願の米国特許出願出願番号第10/953、100号に関連するものであり、各々の開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
「Lambda Physik AG」特許である米国特許第6、490、308号は、ガス長寿命化のための様々な手段を説明している。
ここで、d[n]は、レーザパラメータ誤差信号の現在値であり、w[n]は、他のレーザ作動パラメータに対する誤差信号の感度の推定値であり、u[n]及びP[n]は、併せて他のレーザ作動パラメータの逆分散の推定値を形成し、λは、0.0から1.0までの忘却因子であり、nは、サンプル指数である。開示内容の実施形態の態様により、線狭帯域化高平均パワー高パルス繰返し数レーザマイクロフォトリソグラフィ光源フッ素注入制御方法及び装置は、光源のレーザ作動パラメータを測定するレーザ作動パラメータ測定機構と、経時的にレーザ作動パラメータの値の表示を供給するレーザ作動パラメータ追跡機構と、第1の比較的一定の定常状態傾向値と限界値の間のレーザ作動パラメータの値の傾向に基づいてガス充填のための時間を予測するレーザシステムガス補充予測機構とを含むことができる。レーザ作動パラメータは、電圧(V)及び差動発射時間(dtMOPA)を含む群から選択することができる。
の変化とエネルギターゲットδEtgtの変化との経験的に判断された関係、例えば、
に基づいて、例えば、現在のエネルギターゲットに基づく値、例えば、10mJをフィルタ処理パラメータから差し引くことにより、エネルギターゲットEtgtに従って修正することができる。次に、それぞれのDC補正ボックス116、116’、116’’、及び116’’’において、レーザ作動パラメータ、例えば、E95誤差は、負荷サイクル、又は他の同様の値、例えば、dV/dE、DE95/dE、dFWHM/dEなどに対する例えばE95の感度により負荷サイクルの変化をスケーリングするために、例えば、負荷サイクルから値
が差し引かれ、例えば、負荷サイクルに対して正規化することができる。
例えば、有力可変レーザ性能パラメータ、例えば、負荷サイクル及びシャッターエネルギに対する例えばE95、V、dtMOPA、又はEMO感度の推定値は、エネルギ又は負荷サイクルを変えて、例えば、E95、V、dtMOPA、又はEMOの変化を測定する例えば較正試験を実行することにより推定することができる。
を計算することができ、ここで、(E95REF−E95N)は、例えば、2つのそれぞれのパラメータ補正ボックス114、116の組合せの出力であり、(dF2/dE95)は、
、すなわち、dE95のような特定のレーザシステム作動パラメータ変化に関する推定フッ素消費量の経験的に判断された感度である。図13に一例として例示するように、作動パラメータ、例えば、E95、V、dtMOPA、及びEMOの集合的な変化を補正するそれぞれの推定注入量には、n個のレーザシステム作動パラメータ誤差の各々に対してそれぞれの
を取得するために、それぞれの信用係数、例えば、それぞれのボックス120、120’、120’’、及び120’’’内のC1、C1、...Cn-1、Cnを掛けることができ、n個のレーザシステム作動パラメータ誤差は、フッ素消費量の最終推定値を取得するために加算器122において合計することができ、フッ素消費量の最終推定値は、次に、例えば、制御アルゴリズムにより注入量と判断されるように、又は時には又は注入量を判断するために、F2注入制御アルゴリズムにより使用することができる。例えば、F2注入制御アルゴリズムは、
の現在値を注入量minと比較して、例えば、最終注入
からの総フッ素消費量の現在推定値が注入量minよりも小さい場合には、例えば注入を停止することができる。
ここで、d[n]は、例えば、図14MOエネルギ誤差で示すように、誤差測定の現在値であり、w[n]は、ベクトル内の入力データに対する測定値の感度の推定値であり、u[n]及びP[n]は、併せて入力データベクトル内のパラメータ推定値の逆共分散の推定値を形成する。値λは、例えば、λを1に設定すると全てのデータに等しい重みが付けられ、1より小さい値に設定すると、重みが小さいほど古いデータに適用されるような忘却因子である。nという用語は、サンプル指数である。入力データ(例えば、電圧データ)のベクトルは、例えば、アルゴリズム130の性能を改善するためにそれぞれの誤差測定値(例えば、負荷サイクルデータ)及び(恐らく)他のデータ(例えば、エネルギデータ)を感応しないようにしたいデータを含むことができる。K、e、w[n]、及びP[n]の値を利用すると、例えば、DC又はエネルギターゲットに基づいて、例えば、信号を修正するために、このような値を使用して誤差信号、例えば、EMOを修正することができる。その出力は、例えば、それぞれのボックス118、118’、118’’、及び118’’’において、注入推定値サイズ計算を適用する前に、例えば、アナログ加算器132及び134で負に合計することができる。実際には、データベクトルは、負荷サイクル変化116’’’、シャッターエネルギ変化114’’’及びオフセットを例えば以下のように含む
ここで、d[n]は、レーザパラメータ誤差信号の現在値であり、w[n]は、他のレーザ作動パラメータに対する誤差信号の感度の推定値であり、u[n]及びP[n]は、併せて他のレーザ作動パラメータの逆分散の推定値を形成し、λは、0.0から1.0までの忘却因子であり、nは、サンプル指数である。開示内容の実施形態の態様により、線狭帯域化高平均パワー高パルス繰返し数レーザマイクロフォトリソグラフィ光源フッ素注入制御方法及び装置は、光源のレーザ作動パラメータを測定するレーザ作動パラメータ測定機構と、経時的にレーザ作動パラメータの値の表示を供給するレーザ作動パラメータ追跡機構と、第1の比較的一定の定常状態傾向値と限界値の間のレーザ作動パラメータの値の傾向に基づいてガス充填のための時間を予測するレーザシステムガス補充予測機構とを含むことができる。レーザ作動パラメータは、電圧(V)及び差動発射時間(dtMOPA)、エネルギ百分率積分、すなわち、E95%、Exx%などでの帯域幅、主発振器からのエネルギEMO、増幅利得媒体、例えば、PA又はPO、又は他の形式の増幅利得ステージからのエネルギ(例えば、2重チャンバレーザ出力エネルギ)EpA、Epo、又はあらゆる他の増幅利得ステージ、例えば、リングパワー増幅ステージからのE、又は例えばシャッターでのレーザシステムからのエネルギEshtなどを含む群から選択することができる。
44 測定モジュール
50 外乱
52 レーザ光源パワーレーザ光パルスビーム
Claims (9)
- 線狭帯域化高平均パワー高パルス繰返し数レーザマイクロフォトリソグラフィ光源帯域幅制御システムであって、
光源によって生成されたレーザ出力光パルスビームパルスのレーザ作動パラメータを測定して、レーザ作動パラメータ測定値を供給するレーザ作動パラメータ測定モジュールと、
前記レーザ作動パラメータ測定値及びレーザ作動パラメータ設定値を受信して、レーザ作動パラメータ誤差信号を供給するレーザ作動パラメータ誤差信号発生器と、
リアルタイム推定フィルタを含み、別のレーザ作動パラメータに対する前記レーザ作動パラメータの感度に従って前記レーザ作動パラメータ誤差信号を修正するレーザ作動パラメータ誤差信号修正器と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記レーザ作動パラメータ誤差信号修正器は、複数の他のレーザ作動パラメータの各々に対する前記レーザ作動システムパラメータの感度に従って前記レーザ作動パラメータ誤差信号を修正する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記レーザ作動パラメータは、帯域幅(Exx)、帯域幅(FWXM)、シードレーザからのエネルギ(EMO)、該シードレーザと増幅器利得媒体の間の差動発射時間(dtMOPA)、及び電圧(V)を含む群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記他のレーザ作動パラメータは、負荷サイクル(DC)、レーザシステム出力エネルギ(Esht)、及び電圧(V)を含む群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記誤差信号修正器は、再帰型フィルタを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の装置。 - 前記誤差信号修正器は、RLSフィルタを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 線狭帯域化高平均パワー高パルス繰返し数レーザマイクロフォトリソグラフィ光源フッ素注入制御システムであって、
光源のレーザ作動パラメータを測定するレーザ作動パラメータ測定機構と、
経時的に前記レーザ作動パラメータの値の表示を供給するレーザ作動パラメータ追跡機構と、
第1の比較的一定の定常状態傾向値と限界値の間での前記レーザ作動パラメータの前記値の傾向に基づいてガス充填のための時間を予測するレーザシステムガス補充予測機構と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記レーザ作動パラメータは、電圧(V)、差動発射時間(dtMOPA)、エネルギ百分率積分、すなわち、EXX%での帯域幅、主発振器からのエネルギ(EMO)、増幅利得媒体からのエネルギ、又はシャッターでのレーザシステムのエネルギ出力Eshtを含む群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項8に記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77477006P | 2006-02-17 | 2006-02-17 | |
US60/774,770 | 2006-02-17 | ||
US11/510,037 | 2006-08-25 | ||
US11/510,037 US7852889B2 (en) | 2006-02-17 | 2006-08-25 | Active spectral control of DUV light source |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008555241A Division JP5420909B2 (ja) | 2006-02-17 | 2007-01-22 | Duv光源の能動スペクトル制御 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013102206A true JP2013102206A (ja) | 2013-05-23 |
JP5647700B2 JP5647700B2 (ja) | 2015-01-07 |
Family
ID=38428147
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008555241A Active JP5420909B2 (ja) | 2006-02-17 | 2007-01-22 | Duv光源の能動スペクトル制御 |
JP2013011451A Active JP5647700B2 (ja) | 2006-02-17 | 2013-01-24 | Duv光源の能動スペクトル制御 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008555241A Active JP5420909B2 (ja) | 2006-02-17 | 2007-01-22 | Duv光源の能動スペクトル制御 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7852889B2 (ja) |
EP (2) | EP2388800B1 (ja) |
JP (2) | JP5420909B2 (ja) |
KR (1) | KR101390217B1 (ja) |
TW (2) | TWI347716B (ja) |
WO (1) | WO2007097855A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7830934B2 (en) * | 2001-08-29 | 2010-11-09 | Cymer, Inc. | Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing |
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-
2006
- 2006-08-25 US US11/510,037 patent/US7852889B2/en active Active
- 2006-12-27 TW TW095149174A patent/TWI347716B/zh active
- 2006-12-27 TW TW99116707A patent/TWI470888B/zh active
-
2007
- 2007-01-22 WO PCT/US2007/001667 patent/WO2007097855A2/en active Application Filing
- 2007-01-22 EP EP11178106.8A patent/EP2388800B1/en active Active
- 2007-01-22 EP EP07716893.8A patent/EP1994549B1/en active Active
- 2007-01-22 KR KR1020087021234A patent/KR101390217B1/ko active IP Right Grant
- 2007-01-22 JP JP2008555241A patent/JP5420909B2/ja active Active
-
2010
- 2010-11-01 US US12/925,860 patent/US8098698B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-24 JP JP2013011451A patent/JP5647700B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5420909B2 (ja) | 2014-02-19 |
EP1994549B1 (en) | 2016-12-07 |
TW200735493A (en) | 2007-09-16 |
JP2009527124A (ja) | 2009-07-23 |
TW201036294A (en) | 2010-10-01 |
KR101390217B1 (ko) | 2014-05-27 |
EP2388800A1 (en) | 2011-11-23 |
EP1994549A2 (en) | 2008-11-26 |
WO2007097855A2 (en) | 2007-08-30 |
EP2388800B1 (en) | 2017-12-20 |
TWI470888B (zh) | 2015-01-21 |
US20070195836A1 (en) | 2007-08-23 |
US8098698B2 (en) | 2012-01-17 |
KR20080106215A (ko) | 2008-12-04 |
EP1994549A4 (en) | 2009-08-05 |
WO2007097855A3 (en) | 2008-07-24 |
US20110051760A1 (en) | 2011-03-03 |
US7852889B2 (en) | 2010-12-14 |
TWI347716B (en) | 2011-08-21 |
JP5647700B2 (ja) | 2015-01-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140428 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140502 |
|
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141027 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |