JP2013102118A5 - Ｓｏｉ基板の作製方法 - Google Patents

Claims (4)

1. ベース基板を、上部支持台に設置し、
   表面に絶縁層が形成され、且つ内部に微小気泡領域が形成されたボンド基板を、少なくともその一端がはみ出す状態に、下部支持台に設置し、
   前記一端の一部が最初に前記ベース基板と接触するように、前記ボンド基板を前記ベース基板の設置面に対して傾斜角を持たせた状態で前記ボンド基板と前記ベース基板を近接させ、
   前記一端の一部が前記ベース基板に接触し、接触箇所および前記接触箇所の近傍に押圧を加えることにより、前記下部支持台の端部を支点として前記ボンド基板の一部を前記下部支持台から浮かせて、前記ボンド基板と前記ベース基板を自発的に貼り合わせ、
   前記ボンド基板に対して加熱処理を行い、
   前記ボンド基板を前記ベース基板から分離して、前記ボンド基板の一部および前記ボンド基板表面に形成された前記絶縁層を前記ベース基板に転載することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記ベース基板は前記ボンド基板より大きく、
   前記ベース基板に対して前記ボンド基板を複数枚貼り合わせ、
   前記複数枚のボンド基板に対して加熱処理を行い、
   前記複数枚のボンド基板を前記ベース基板から分離して、前記複数枚のボンド基板の一部および前記複数枚のボンド基板表面に形成された前記絶縁層を前記ベース基板に転載することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記下部支持台からの前記ボンド基板のはみ出し量が、前記ボンド基板面積の５％以上５０％以下となる状態に設置することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記ベース基板に対する前記ボンド基板の傾きを０度より大きく３度より小さくして、前記ベース基板と前記ボンド基板の一端の一部を接触させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。