JP2013098765A - 撮像装置および撮像表示システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、アンプを含んで構成されると共に、光電変換素子により得られた電荷をアンプを用いて画素から信号として読み出す読み出し動作と、画素内の電荷をリセットするための画素リセット動作と、アンプの動作をリセットするためのアンプリセット動作とがそれぞれ行われるように各画素を駆動する駆動部とを備えている。この駆動部は、画素リセット動作の終了タイミングおよびアンプリセット動作の終了タイミングのうちの少なくとも一方が所定の電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う。
【選択図】図9
Description
1.実施の形態(パッシブ型の画素回路の例1)
2.変形例
変形例1(パッシブ型の画素回路の例2)
変形例2,3(アクティブ型の画素回路の例)
変形例4(線順次撮像駆動の他の例)
変形例5,6(列選択部の他の構成例)
変形例7,8(放射線に基づいて撮像を行う撮像部の例)
3.適用例(撮像表示システムへの適用例)
4.その他の変形例
[撮像装置1の全体構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る撮像装置(撮像装置1)の全体のブロック構成を表すものである。撮像装置1は、撮像光に基づいて被写体の情報を読み取る(被写体を撮像する)ものである。この撮像装置1は、撮像部11、行走査部13、A/D変換部14、列走査部15およびシステム制御部16を備えている。これらのうち、行走査部13、A/D変換部14、列走査部15およびシステム制御部16が、本開示における「駆動部」の一具体例に対応する。
撮像部11は、入射した撮像光に応じて電気信号を発生させるもの(撮像領域)である。この撮像部11では、入射した撮像光の光量に応じた電荷量の光電荷を発生して内部に蓄積する光電変換部(後述する光電変換素子21)を有する画素(撮像画素,単位画素)20が、行列状(マトリクス状)に2次元配置されている。なお、図1中に示したように、以下、撮像部11内における水平方向(行方向)を「H」方向とし、垂直方向(列方向)を「V」方向として説明する。
図1に示した行走査部13は、例えば図示しないシフトレジスタ回路やアドレスデコーダ、論理回路等を含んで構成されており、撮像部11内の複数の画素20に対して行単位(水平ライン単位)での駆動(線順次走査)を行う画素駆動部(行走査回路)である。具体的には、後述する線順次読み出し駆動や線順次リセット駆動等の線順次撮像駆動の際に、そのような線順次走査を行う。なお、この線順次走査は、読み出し制御線Lreadを介して前述した行走査信号を各画素20へ供給することによって行われるようになっている。
A/D変換部14は、図1に示したように、複数(ここでは4つ)の信号線Lsigごとに1つ設けられた複数の列選択部17を有しており、信号線Lsigを介して入力した信号電圧(信号電荷)に基づいてA/D変換(アナログ/デジタル変換)を行うものである。これにより、デジタル信号からなる出力データDout(撮像信号)が生成され、外部へ出力されるようになっている。
列走査部15は、例えば図示しないシフトレジスタやアドレスデコーダ等を含んで構成されており、上記した列選択部17内の各スイッチSW2を走査しつつ順番に駆動するものである。このような列走査部15による選択走査によって、信号線Lsigの各々を介して読み出された各画素20の信号(上記した出力データDout)が、順番に外部へ出力されるようになっている。
(1.基本動作)
この撮像装置1では、図2に示したように、後述する露光期間Texにおいて撮像光Linが撮像部11へ入射すると、光電変換層111(図3に示した各画素20内の光電変換素子21)では、この撮像光Linが信号電荷に変換(光電変換)される。この光電変換によって発生した信号電荷により、蓄積ノードNでは蓄積ノード容量に応じた電圧変化が生じる。具体的には、蓄積ノード容量をCs、発生した信号電荷をqとすると、蓄積ノードNでは(q/Cs)の分だけ電圧が低下する。このような電圧変化に応じて、トランジスタ22のドレインには入力電圧Vin(信号電荷に対応した電圧)が印加される。このトランジスタ22へ供給される入力電圧Vinは、読み出し制御線Lreadから供給される行走査信号に応じてトランジスタ22がオン状態になると、その電荷が画素20から信号線Lsigへ読み出される(読み出し期間)。
ここで、図5(A),(B)を参照して、上記した露光期間Texおよび読み出し期間における画素20および列選択部17内のチャージアンプ回路の動作について、詳細に説明する。なお、以下では説明の便宜上、トランジスタ22のオン・オフ状態を、スイッチを用いて図示している。
ところで、上記のような1回目の画素リセット動作を行ったにも関わらず、この1回目の画素リセット動作前に蓄積された信号電荷の一部が、画素20内に残存してしまう場合がある。このように信号電荷の一部が画素20内に残ってしまうと、次の読み出し動作時(次のフレーム期間での撮像時)においてその残留電荷に起因した残像が発生し、撮像画質が低下してしまうという問題がある。
また、本実施の形態では、例えば以下の図9〜図16に示したようにして、線順次撮像駆動(線順次読み出し駆動および線順次リセット駆動)の際の、各リセット動作(画素リセット動作およびアンプリセット動作)のタイミングや期間が設定されている。
続いて、上記実施の形態の変形例(変形例1〜8)について説明する。なお、実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図17は、変形例1に係る画素(画素20A)の回路構成を、上記実施の形態で説明した列選択部17の回路構成例とともに表したものである。本変形例の画素20Aは、実施の形態の画素20と同様にいわゆるパッシブ型の回路構成となっており、1つの光電変換素子21と1つのトランジスタ22とを有している。また、この画素20Aには画素20と同様に、H方向に沿って延在する読み出し制御線Lreadと、V方向に沿って延在する信号線Lsigとが接続されている。
(回路構成)
図18は、変形例2に係る画素(画素20B)の回路構成を、以下説明する列選択部17Bの回路構成例とともに表したものである。また、図19は、変形例3に係る画素(画素20C)の回路構成を、列選択部17Bの回路構成例とともに表したものである。これらの変形例2,3に係る画素20B,20Cはそれぞれ、これまで説明した画素20,20Aとは異なり、いわゆるアクティブ型の回路構成となっている。
このようなアクティブ型の回路構成からなる画素20B,20Cを有する変形例2,3の撮像装置では、以下のようにして撮像動作(線順次撮像駆動)がなされる。
図21(A)〜(C)および図22(A)〜(C)はそれぞれ、変形例4に係る撮像駆動例をタイミング図で表わしたものである。
図23は、変形例5に係る列選択部(列選択部17C)の概略構成を回路図で表わしたものである。本変形例の列選択部17Cは、上記実施の形態の列選択部17において、チャージアンプ回路の構成が以下の点で異なっている。
図24は、変形例6に係る列選択部(列選択部17D)のブロック構成を表したものであり、図25は、この列選択部17Dにおける詳細な回路構成例を表したものである。
図26(A),(B)はそれぞれ、変形例7,8に係る撮像部(撮像部11A,11B)の概略構成を模式的に表したものである。
続いて、上記実施の形態および各変形例(変形例1〜8)に係る撮像装置の撮像表示システムへの適用例について説明する。
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
(1)
各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、
アンプを含んで構成されると共に、前記光電変換素子により得られた電荷を前記アンプを用いて前記画素から信号として読み出す読み出し動作と、前記画素内の電荷をリセットするための画素リセット動作と、前記アンプの動作をリセットするためのアンプリセット動作とがそれぞれ行われるように、各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記画素リセット動作の終了タイミングおよび前記アンプリセット動作の終了タイミングのうちの少なくとも一方が、所定の電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
撮像装置。
(2)
前記駆動部は、前記画素リセット動作の終了タイミングが前記電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
上記(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記駆動部は、前記画素リセット動作の終了タイミングおよび前記アンプリセット動作の終了タイミングの双方が前記電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
上記(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記駆動部は、前記アンプリセット動作の終了タイミングが前記電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
上記(1)に記載の撮像装置。
(5)
前記画素リセット動作の期間と前記アンプリセット動作の期間との少なくとも一部が、互いにオーバーラップしている
上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の撮像装置。
(6)
前記アンプリセット動作の期間内に、前記画素リセット動作の期間全体が含まれている
上記(5)に記載の撮像装置。
(7)
前記画素リセット動作の期間と前記アンプリセット動作の期間とが、互いに一致している
上記(5)に記載の撮像装置。
(8)
前記駆動部は、前記画素リセット動作の全期間または前記アンプリセット動作の全期間が前記電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の撮像装置。
(9)
前記駆動部は、
前記アンプを用いて読み出された信号の一部を選択するマルチプレクサ回路と、
前記マルチプレクサ回路により選択された信号に対してA/D変換を行うA/Dコンバータとを有し、
前記電源電位不安定化期間は、前記マルチプレクサ回路の動作期間および前記A/Dコンバータの動作期間のうちの少なくとも一方を含む
上記(1)ないし(8)のいずれかに記載の撮像装置。
(10)
前記駆動部は、前記画素リセット動作が所定の単位期間内で間欠的に複数回行われるように、各画素を駆動する
上記(1)ないし(9)のいずれかに記載の撮像装置。
(11)
前記画素リセット動作が、1水平期間を超える期間に亘って間欠的に複数回行われる
上記(10)に記載の撮像装置。
(12)
前記撮像部が、入射した放射線に応じて電気信号を発生させるものであり、放射線撮像装置として構成されている
上記(1)ないし(11)のいずれかに記載の撮像装置。
(13)
前記撮像部は、
前記光電変換素子を構成する光電変換層と、
前記放射線を前記光電変換層の感度域に波長変換する波長変換層と
を有する上記(12)に記載の撮像装置。
(14)
前記撮像部は、前記光電変換素子を構成すると共に前記放射線に応じて前記電気信号を直接発生させる光電変換層を有する
上記(12)に記載の撮像装置。
(15)
前記放射線がX線である
上記(12)ないし(14)のいずれかに記載の撮像装置。
(16)
撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、
アンプを含んで構成されると共に、前記光電変換素子により得られた電荷を前記アンプを用いて前記画素から信号として読み出す読み出し動作と、前記画素内の電荷をリセットするための画素リセット動作と、前記アンプの動作をリセットするためのアンプリセット動作とがそれぞれ行われるように、各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記画素リセット動作の終了タイミングおよび前記アンプリセット動作の終了タイミングのうちの少なくとも一方が、所定の電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
撮像表示システム。
Claims (16)
- 各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、
アンプを含んで構成されると共に、前記光電変換素子により得られた電荷を前記アンプを用いて前記画素から信号として読み出す読み出し動作と、前記画素内の電荷をリセットするための画素リセット動作と、前記アンプの動作をリセットするためのアンプリセット動作とがそれぞれ行われるように、各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記画素リセット動作の終了タイミングおよび前記アンプリセット動作の終了タイミングのうちの少なくとも一方が、所定の電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
撮像装置。 - 前記駆動部は、前記画素リセット動作の終了タイミングが前記電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記駆動部は、前記画素リセット動作の終了タイミングおよび前記アンプリセット動作の終了タイミングの双方が前記電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記駆動部は、前記アンプリセット動作の終了タイミングが前記電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記画素リセット動作の期間と前記アンプリセット動作の期間との少なくとも一部が、互いにオーバーラップしている
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記アンプリセット動作の期間内に、前記画素リセット動作の期間全体が含まれている
請求項5に記載の撮像装置。 - 前記画素リセット動作の期間と前記アンプリセット動作の期間とが、互いに一致している
請求項5に記載の撮像装置。 - 前記駆動部は、前記画素リセット動作の全期間または前記アンプリセット動作の全期間が前記電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記駆動部は、
前記アンプを用いて読み出された信号の一部を選択するマルチプレクサ回路と、
前記マルチプレクサ回路により選択された信号に対してA/D変換を行うA/Dコンバータとを有し、
前記電源電位不安定化期間は、前記マルチプレクサ回路の動作期間および前記A/Dコンバータの動作期間のうちの少なくとも一方を含む
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記駆動部は、前記画素リセット動作が所定の単位期間内で間欠的に複数回行われるように、各画素を駆動する
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記画素リセット動作が、1水平期間を超える期間に亘って間欠的に複数回行われる
請求項10に記載の撮像装置。 - 前記撮像部が、入射した放射線に応じて電気信号を発生させるものであり、放射線撮像装置として構成されている
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記撮像部は、
前記光電変換素子を構成する光電変換層と、
前記放射線を前記光電変換層の感度域に波長変換する波長変換層と
を有する請求項12に記載の撮像装置。 - 前記撮像部は、前記光電変換素子を構成すると共に前記放射線に応じて前記電気信号を直接発生させる光電変換層を有する
請求項12に記載の撮像装置。 - 前記放射線がX線である
請求項12に記載の撮像装置。 - 撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、
アンプを含んで構成されると共に、前記光電変換素子により得られた電荷を前記アンプを用いて前記画素から信号として読み出す読み出し動作と、前記画素内の電荷をリセットするための画素リセット動作と、前記アンプの動作をリセットするためのアンプリセット動作とがそれぞれ行われるように、各画素を駆動する駆動部と
を備え、
前記駆動部は、前記画素リセット動作の終了タイミングおよび前記アンプリセット動作の終了タイミングのうちの少なくとも一方が、所定の電源電位不安定化期間内に含まれないように、各画素の駆動を行う
撮像表示システム。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2016118504A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | キヤノン株式会社 | 放射線画像撮影装置及びその制御方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5935293B2 (ja) | 2011-11-02 | 2016-06-15 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像表示システム |
US9488521B2 (en) * | 2011-12-07 | 2016-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for operating optical sensor circuit, and method for operating display apparatus provided with optical sensor circuit |
JP5895504B2 (ja) | 2011-12-15 | 2016-03-30 | ソニー株式会社 | 撮像パネルおよび撮像処理システム |
JP6238573B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2017-11-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム |
JP6351252B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2018-07-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の駆動方法 |
JP6708474B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2020-06-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004112077A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Sharp Corp | Ad変換装置、多チャンネルad変換装置、x線センサーモジュールおよびそれらの制御方法 |
WO2010010620A1 (ja) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | 株式会社島津製作所 | 光または放射線撮像装置 |
JP2010253089A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像生成装置及び放射線画像生成システム |
JP2011135561A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-07-07 | Sony Corp | センサ装置、センサ素子の駆動方法、入力機能付き表示装置および電子機器、ならびに放射線撮像装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227900A (en) * | 1990-03-20 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving ferroelectric liquid crystal element |
JP3911788B2 (ja) | 1997-03-10 | 2007-05-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
EP0898419B1 (en) | 1997-08-15 | 2010-10-27 | Sony Corporation | Solid-state image sensor and method of driving same |
JP5171431B2 (ja) | 2008-06-26 | 2013-03-27 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 光電変換装置、放射線撮像装置及び放射線検出装置 |
US8189402B2 (en) * | 2010-06-16 | 2012-05-29 | Ememory Technology Inc. | Sensing circuit for memory cell supplied with low power |
JP5935293B2 (ja) | 2011-11-02 | 2016-06-15 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像表示システム |
-
2011
- 2011-11-01 JP JP2011240135A patent/JP5935291B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-10-25 US US13/659,941 patent/US8982255B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-25 CN CN201210414005.XA patent/CN103124323B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004112077A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Sharp Corp | Ad変換装置、多チャンネルad変換装置、x線センサーモジュールおよびそれらの制御方法 |
WO2010010620A1 (ja) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | 株式会社島津製作所 | 光または放射線撮像装置 |
JP2010253089A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像生成装置及び放射線画像生成システム |
JP2011135561A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-07-07 | Sony Corp | センサ装置、センサ素子の駆動方法、入力機能付き表示装置および電子機器、ならびに放射線撮像装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016118504A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | キヤノン株式会社 | 放射線画像撮影装置及びその制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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