JP2013095638A - Glass production apparatus and glass production method using the apparatus - Google Patents

Glass production apparatus and glass production method using the apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass production apparatus which can prevent the occurrence of bubbles in molten glass.SOLUTION: The glass production apparatus 1 includes a glass producing container 10, and a water content adjusting mechanism 50. The glass producing container 10 has a container body 11 and an electron donor 12. The container body 11 is composed of a noble metal or an alloy containing the noble metal. The container body 11 has an inner surface 11b in contact with glass melt 14 and an outer surface 11c not in contact with the glass melt 14. The electron donor 12 is connected electrically to the outer surface 11c of the container body 11. The electron donor 12 contains an electron donating substance which donates electrons to the container body 11 at a use temperature. The water content adjusting mechanism 50 adjusts the water content in an atmosphere with the electron donor 12 arranged to be 1.0-5.0 mass%.

Description

本発明は、ガラス製造装置及びそれを用いたガラスの製造方法に関する。   The present invention relates to a glass manufacturing apparatus and a glass manufacturing method using the same.

従来、ガラスの工業的な製造方法として、ガラス原料を溶融する工程と、溶融ガラスを清澄する工程と、清澄後のガラスを成形する工程とを備える方法が一般的に用いられている。ガラスの製造を行うための容器としては、耐火物により形成された容器や、PtまたはPtを含む合金により形成された容器などが挙げられる。   Conventionally, as an industrial manufacturing method of glass, a method including a step of melting a glass raw material, a step of refining molten glass, and a step of forming a glass after refining is generally used. Examples of the container for producing glass include a container formed of a refractory and a container formed of Pt or an alloy containing Pt.

例えば、窓ガラスなどのように、異物や泡に関してそれほど高い品位が求められないガラスを製造する場合には、ガラス製造用の容器として耐火物製の容器が用いられることもあるが、例えば、液晶ディスプレイなどのディスプレイ用の基板ガラスなどのように、異物や泡に関して高い品位が求められるガラスを製造する際には、PtやIrやRhなどの貴金属や、PtやIrやRhなどの貴金属を含む合金からなる容器が一般的に用いられる。この理由は、PtやIrやRhなどの貴金属や、貴金属を含む合金からなる容器(以下、「貴金属容器」とする。)をガラスの製造に用いた場合、溶融ガラス中に容器から異物などが混入しにくいためである。   For example, when manufacturing glass such as window glass that does not require high quality with respect to foreign matters and bubbles, a refractory container may be used as a glass manufacturing container. When manufacturing glass that requires high quality with respect to foreign matters and bubbles, such as display substrate glass for displays, etc., it contains noble metals such as Pt, Ir, and Rh, and noble metals such as Pt, Ir, and Rh. An alloy container is generally used. The reason for this is that when a container made of a noble metal such as Pt, Ir or Rh or an alloy containing a noble metal (hereinafter referred to as a “noble metal container”) is used for the production of glass, foreign matter from the container is contained in the molten glass. It is because it is hard to mix.

しかしながら、貴金属容器をガラスの製造に用いた場合、ガラス中の水分に起因する泡が貴金属容器の溶融ガラス側の表面に発生する場合がある。この泡が発生する原因は、ガラス中に含まれる水が分解することで生じた水素が貴金属容器を透過して外部に放出されることによって、貴金属容器の表面付近に位置する溶融ガラスの酸素濃度が増大するためであると考えられる。すなわち、下記の式(1)に示す反応により生じた水素ガスが貴金属容器を透過して外部に放出される一方、貴金属容器を透過しない酸素が貴金属容器の表面近傍に位置する溶融ガラス中に残存することにより、貴金属容器の表面付近に位置する溶融ガラスの酸素濃度が増大し、泡が発生するものと考えられる。   However, when a noble metal container is used for glass production, bubbles due to moisture in the glass may be generated on the surface of the noble metal container on the molten glass side. The reason why this bubble is generated is that oxygen generated by the decomposition of water contained in the glass passes through the noble metal container and is released to the outside, so that the oxygen concentration of the molten glass located near the surface of the noble metal container It is thought that this is because of an increase. That is, while hydrogen gas generated by the reaction shown in the following formula (1) permeates the noble metal container and is released to the outside, oxygen that does not permeate the noble metal container remains in the molten glass located near the surface of the noble metal container. By doing so, it is considered that the oxygen concentration of the molten glass located near the surface of the noble metal container increases and bubbles are generated.

OH → 1/2O + 1/2H + e ・・・ (1) OH → 1 / 2O 2 + 1 / 2H 2 + e (1)

このような問題に鑑み、例えば、特許文献1では、貴金属または貴金属を含む合金からなる容器本体の外表面に、使用温度において容器本体に電子を供与する電子供与性物質からなる電子供与体を電気的に接続することにより、泡の発生を抑制することが提案されている。   In view of such a problem, for example, in Patent Document 1, an electron donor made of an electron-donating substance that donates electrons to the container body at the operating temperature is electrically applied to the outer surface of the container body made of a noble metal or an alloy containing a noble metal. It has been proposed to suppress the generation of bubbles by connecting them electrically.

特開2011−068550号公報JP 2011-068550 A

しかしながら、特許文献1に記載の製造容器を用いた場合であっても、ガラス融液中に泡が発生することがある。   However, even when the production container described in Patent Document 1 is used, bubbles may be generated in the glass melt.

本発明は、溶融ガラス中に泡が発生しにくいガラス製造装置を提供することを主な目的とする。   The main object of the present invention is to provide a glass manufacturing apparatus in which bubbles are not easily generated in molten glass.

本発明に係るガラス製造装置は、ガラス製造用容器と、水分含有量調整機構とを備える。ガラス製造用容器は、容器本体と、電子供与体とを備える。容器本体は、貴金属または貴金属を含む合金からなる。容器本体は、ガラス融液と接触する内表面と、ガラス融液と接触しない外表面とを有する。電子供与体は、容器本体の外表面に電気的に接続されている。電子供与体は、使用温度において、容器本体に電子を供与する電子供与性物質を含む。水分含有量調整機構は、電子供与体が配された雰囲気における水分の含有量を、1.0質量%〜5.0質量%とする。   The glass manufacturing apparatus according to the present invention includes a glass manufacturing container and a moisture content adjusting mechanism. The container for glass production includes a container body and an electron donor. The container body is made of a noble metal or an alloy containing a noble metal. The container body has an inner surface that contacts the glass melt and an outer surface that does not contact the glass melt. The electron donor is electrically connected to the outer surface of the container body. The electron donor includes an electron donating substance that donates electrons to the container body at the use temperature. The moisture content adjusting mechanism sets the moisture content in the atmosphere in which the electron donor is arranged to 1.0% by mass to 5.0% by mass.

なお、本発明において、「ガラス製造用容器」とは、ガラス融液と接触する内表面と、ガラス融液と接触しない外表面とを有する部材のことを意味する。このため、「ガラス製造用容器」には、ガラス融液を溜めておくことができる部材(狭義の容器)、ガラス融液を輸送するためのパイプ、成形用部材等が含まれる。ここで、「成形用部材」とは、ガラス融液を所定の形状を有する部材に成形するために用いられる部材をいう。従って、「成形用部材」には、成型用スリーブ、ダウンドロー法に用いられる樋状の成形体、ノズル等が含まれる。   In the present invention, the “glass manufacturing container” means a member having an inner surface in contact with the glass melt and an outer surface not in contact with the glass melt. For this reason, the “glass manufacturing container” includes a member capable of storing glass melt (a container in a narrow sense), a pipe for transporting the glass melt, a molding member, and the like. Here, the “forming member” refers to a member used for forming a glass melt into a member having a predetermined shape. Accordingly, the “molding member” includes a molding sleeve, a bowl-shaped molded body used in the downdraw method, a nozzle, and the like.

水分の含有量は、以下の式により算出することができる。   The water content can be calculated by the following equation.

水分の含有量(%)=62.1×平均蒸気圧/(平均気圧−平均蒸気圧)   Water content (%) = 62.1 × average vapor pressure / (average atmospheric pressure−average vapor pressure)

水分含有量調整機構は、ガラス製造容器の少なくとも電子供与体が配された部分を包囲する包囲部材を有することが好ましい。水分含有量調整機構は、包囲部材により構成されていてもよい。   The moisture content adjusting mechanism preferably has an enclosing member that encloses at least a portion of the glass manufacturing container in which the electron donor is arranged. The moisture content adjusting mechanism may be constituted by an enclosing member.

電子供与性物質は、500℃〜1800℃の温度範囲のうちの少なくとも一部の温度範囲において、容器本体に電子を供与するものであることが好ましい。   It is preferable that the electron donating substance donates electrons to the container body in at least a part of the temperature range of 500 ° C to 1800 ° C.

電子供与性物質のフェルミ準位は、容器本体のフェルミ準位よりも高いエネルギー準位に位置していることが好ましい。   The Fermi level of the electron donating substance is preferably located at an energy level higher than the Fermi level of the container body.

電子供与性物質は、Zn、Mg、Ti、Sn及びAlからなる群から選ばれた1種以上の金属を含む酸化物からなることが好ましい。   The electron donating substance is preferably made of an oxide containing one or more metals selected from the group consisting of Zn, Mg, Ti, Sn and Al.

容器本体は、Pt、Ir、Rh若しくはPt、Ir、Rhのうちの少なくとも一種を含む合金からなっていてもよい。   The container body may be made of Pt, Ir, Rh or an alloy containing at least one of Pt, Ir, Rh.

電子供与体は、容器本体の外表面の一部分に接触しており、容器本体の外表面には、電子供与体に接触していない部分があってもよい。   The electron donor is in contact with a portion of the outer surface of the container body, and the outer surface of the container body may have a portion that is not in contact with the electron donor.

本発明に係るガラス製造装置は、電子供与体に電気的に接続されている電子受容体をさらに備えることが好ましい。   The glass manufacturing apparatus according to the present invention preferably further includes an electron acceptor that is electrically connected to the electron donor.

電子受容体のフェルミ準位は、電子供与性物質のフェルミ準位よりも低いエネルギー準位に位置していることが好ましい。   The Fermi level of the electron acceptor is preferably located at an energy level lower than the Fermi level of the electron donating substance.

電子受容体は、Cu、Ni、Co、Mn及びLiからなる群から選ばれた1種以上の金属を含む酸化物であることが好ましい。   The electron acceptor is preferably an oxide containing one or more metals selected from the group consisting of Cu, Ni, Co, Mn, and Li.

電子受容体は、LiがドープされたNiOであることが好ましい。   The electron acceptor is preferably NiO doped with Li.

本発明に係るガラスの製造方法では、本発明に係るガラス製造装置を用いてガラスを製造する。   In the glass manufacturing method according to the present invention, glass is manufactured using the glass manufacturing apparatus according to the present invention.

ガラスのβ−OH値が0.3/mm以上であってもよい。   The β-OH value of the glass may be 0.3 / mm or more.

なお、本発明において「β−OH値」とは、ガラス中に含まれる水分量を示す指標であり、以下の式により表される。   In the present invention, the “β-OH value” is an index indicating the amount of water contained in the glass, and is represented by the following formula.

(β−OH値)=(1/X)log10(T/T
但し、
X:ガラスの厚さ(mm)、
:参照波長3846cm−1(=2600nm)における透過率(%)、
:水酸基吸収波長3600cm−1(=2800nm)付近(3400cm−1〜3700cm−1)における極小透過率(%)、
である。
(Β-OH value) = (1 / X) log 10 (T 1 / T 2 )
However,
X: Glass thickness (mm),
T 1 : transmittance (%) at a reference wavelength of 3846 cm −1 (= 2600 nm),
T 2 : Minimal transmittance (%) in the vicinity of hydroxyl group absorption wavelength 3600 cm −1 (= 2800 nm) (3400 cm −1 to 3700 cm −1 ),
It is.

ガラスは、ディスプレイ用ガラス基板であってもよい。   The glass may be a display glass substrate.

本発明の一実施形態に係るガラス製造装置の模式的構成図である。It is a typical lineblock diagram of the glass manufacture device concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態におけるガラス製造用容器の略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the container for glass manufacture in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態におけるガラス融液搬送用パイプの略図的横断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a glass melt conveying pipe in an embodiment of the present invention. 第1の変形例におけるガラス製造用容器の略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the container for glass manufacture in a 1st modification. 第1の変形例におけるガラス融液搬送用パイプの略図的横断面図である。It is a schematic cross-sectional view of a glass melt conveying pipe in a first modification. 第2の変形例におけるガラス製造用容器の略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the container for glass manufacture in a 2nd modification. 第3の変形例におけるガラス製造用容器の略図的断面図である。It is schematic-drawing sectional drawing of the container for glass manufacture in a 3rd modification. 第1の実験例において、雰囲気中の水分の含有量が0.5質量%である場合のガラスの平面写真である。In a 1st experiment example, it is a plane photograph of glass in case water content in atmosphere is 0.5 mass%. 第1の実験例において、雰囲気中の水分の含有量が1.5質量%である場合のガラスの平面写真である。In a 1st experiment example, it is a plane photograph of glass in case water content in atmosphere is 1.5 mass%. 第2の実験例を説明するための略図的断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the 2nd experiment example. 第2の実験例において、雰囲気中の水分の含有量が0.5質量%である場合のガラスの平面写真である。In the 2nd experiment example, it is a plane photograph of glass in case moisture content in atmosphere is 0.5 mass%. 第2の実験例において、雰囲気中の水分の含有量が1.5質量%である場合のガラスの平面写真である。In the 2nd experiment example, it is a plane photograph of glass in case moisture content in atmosphere is 1.5 mass%.

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明するが、本発明は、下記の実施形態に何ら限定されるものではない。   Hereinafter, although an example of the preferable form which implemented this invention is demonstrated, this invention is not limited to the following embodiment at all.

図1は、本実施形態に係るガラス製造装置1の模式的構成図である。ガラス製造装置1は、オーバーフローダウンドロー法によりディスプレイ用のガラス基板を成形するための装置である。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a glass manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. The glass manufacturing apparatus 1 is an apparatus for forming a glass substrate for display by the overflow downdraw method.

ガラス製造装置1は、溶融用容器31と、清澄用容器32と、攪拌用容器33と、ポット34と、成形用部材35(forming member)と、図示しない発熱体とを備えている。溶融用容器31は、投入されたガラス原料(バッチ)の溶解を行うための容器である。溶融用容器31は、第1の接続部材36の内部に形成されている第1の接続通路36aによって、清澄用容器32に接続されている。清澄用容器32は、溶融用容器31から共有されたガラス融液を清澄するための容器である。清澄用容器32は、第2の接続部材37の内部に形成されている第2の接続通路37aによって、攪拌用容器33に接続されている。攪拌用容器33は、清澄されたガラス融液を攪拌し、均一化させるための容器である。攪拌用容器33は、第3の接続部材38の内部に形成されている第3の接続通路38aと、ポット34と、パイプ39とによって成形用部材35に接続されている。   The glass manufacturing apparatus 1 includes a melting container 31, a fining container 32, a stirring container 33, a pot 34, a forming member 35 (forming member), and a heating element (not shown). The melting container 31 is a container for melting the charged glass raw material (batch). The melting container 31 is connected to the fining container 32 by a first connection passage 36 a formed inside the first connection member 36. The clarification container 32 is a container for clarifying the glass melt shared from the melting container 31. The clarification container 32 is connected to the agitation container 33 by a second connection passage 37 a formed inside the second connection member 37. The stirring container 33 is a container for stirring and homogenizing the clarified glass melt. The stirring container 33 is connected to the molding member 35 by a third connection passage 38 a formed in the third connection member 38, a pot 34, and a pipe 39.

本実施形態では、容器31〜33、ポット34、接続部材36〜38、パイプ39及び成形用部材35のうちの少なくともひとつが図2に示すガラス製造用容器10または図3に示すガラス融液搬送用パイプ20により構成されている。容器31〜33、ポット34、接続部材36〜38、パイプ39及び成形用部材35のなかでも、清澄が行われる部分以降に配される容器32,33、ポット34、接続部材38、パイプ39及び成形用部材35のうち、貴金属または貴金属合金を用いて構成された部材がガラス製造用容器10またはガラス融液搬送用パイプ20により構成されていることが好ましい。   In this embodiment, at least one of the containers 31 to 33, the pot 34, the connection members 36 to 38, the pipe 39, and the molding member 35 is the glass manufacturing container 10 shown in FIG. 2 or the glass melt transfer shown in FIG. The pipe 20 is used. Among the containers 31 to 33, the pot 34, the connecting members 36 to 38, the pipe 39, and the molding member 35, the containers 32 and 33, the pot 34, the connecting member 38, the pipe 39, and the parts disposed after the portion to be clarified are used. Of the forming member 35, a member formed using a noble metal or a noble metal alloy is preferably constituted by the glass manufacturing container 10 or the glass melt conveying pipe 20.

図2に示すように、ガラス製造用容器10は、容器本体11と、電子供与体12、電子受容体13とを備えている。ガラス製造用容器10は、耐火物15に形成された凹部15a内に配置されている。具体的には、凹部15a内に容器本体11が配置されている。容器本体11と、耐火物15との間には、電子供与体12と電子受容体13とが、容器本体11側からこの順番で配置されている。   As shown in FIG. 2, the glass manufacturing container 10 includes a container body 11, an electron donor 12, and an electron acceptor 13. The glass manufacturing container 10 is disposed in a recess 15 a formed in the refractory 15. Specifically, the container body 11 is disposed in the recess 15a. Between the container main body 11 and the refractory 15, an electron donor 12 and an electron acceptor 13 are arranged in this order from the container main body 11 side.

なお、本実施形態のガラス製造用容器10には、交流電源もしくは別途の加熱体が配置されており、ガラス製造用容器10は、交流電源による直接加熱もしくは別途の加熱体によって加熱されるものである。   The glass manufacturing container 10 of the present embodiment is provided with an AC power source or a separate heating body, and the glass manufacturing container 10 is heated directly by the AC power source or by a separate heating body. is there.

容器本体11は、貴金属または貴金属を含む合金からなる。貴金属の具体例としては、例えば、Pt、Au、Ir、Rhなどが挙げられる。貴金属を含む合金の例としては、Pt−Rh合金、Pt−Au合金、Ir−Rh合金、Pt−Ir合金などが挙げられる。中でも、容器本体11は、PtまたはPtを含む合金により形成されていることが好ましい。PtまたはPtを含む合金は高温下における強度が比較的高く、溶融ガラスへの溶出も少ないためである。   The container body 11 is made of a noble metal or an alloy containing a noble metal. Specific examples of the noble metal include Pt, Au, Ir, Rh and the like. Examples of the alloy including a noble metal include a Pt—Rh alloy, a Pt—Au alloy, an Ir—Rh alloy, and a Pt—Ir alloy. Especially, it is preferable that the container main body 11 is formed with the alloy containing Pt or Pt. This is because Pt or an alloy containing Pt has a relatively high strength at high temperatures and little elution into molten glass.

また、容器本体11には、剛性や強度を向上することなどを目的として、ZrやZr酸化物などの他の金属や金属酸化物などの他の元素をドープしてもよい。例えば、容器本体11は、ZrがドープされたPtからなるものであってもよい。   Further, the container main body 11 may be doped with other elements such as Zr and Zr oxides and other elements such as metal oxides for the purpose of improving rigidity and strength. For example, the container body 11 may be made of Pt doped with Zr.

本実施形態では、容器本体11は、碗状に形成されており、容器本体11には、ガラス融液14が溜められる凹部11aが形成されている。すなわち、容器本体11は、ガラス融液14と接触する内表面11bと、ガラス融液14とは接触しない外表面11cとを有している。   In this embodiment, the container main body 11 is formed in a bowl shape, and the container main body 11 is formed with a recess 11a in which the glass melt 14 is stored. That is, the container main body 11 has an inner surface 11 b that contacts the glass melt 14 and an outer surface 11 c that does not contact the glass melt 14.

容器本体11の外表面11cには、電子供与体12が電気的に接続されている。具体的には、本実施形態では、容器本体11の外表面11cと直接接触するように、電子供与体12が設けられている。より具体的には、電子供与体12は、容器本体11の外表面11cのうち、凹部11aの外側に位置する部分の全面に接触するように配置されている。   An electron donor 12 is electrically connected to the outer surface 11 c of the container body 11. Specifically, in this embodiment, the electron donor 12 is provided so that it may contact directly with the outer surface 11c of the container main body 11. FIG. More specifically, the electron donor 12 is arrange | positioned so that the whole surface of the part located in the outer side of the recessed part 11a among the outer surfaces 11c of the container main body 11 may be contacted.

ここで、電子供与体12とは、500℃〜1800℃の温度範囲、好ましくは、1000℃〜1800℃の温度範囲のうちの少なくとも一部の温度範囲において、容器本体11に電子を供与する電子供与性物質からなるものである。すなわち、電子供与体12とは、ガラスを溶融するときの温度にまで加熱されたときに、容器本体11に電子を供与する電子供与性物質からなるものである。このため、本実施形態のガラス製造用容器10を用いてガラスを溶融した場合、ガラスの溶融中に、電子供与体12から容器本体11に電子(e)が供給されるため、酸素の泡を発生させる下記式(1)の進行を抑制することができる。従って、酸素の泡の発生を抑制することができる。 Here, the electron donor 12 is an electron that donates electrons to the container body 11 in a temperature range of 500 ° C. to 1800 ° C., preferably in at least a part of the temperature range of 1000 ° C. to 1800 ° C. It consists of a donating substance. That is, the electron donor 12 is made of an electron donating substance that donates electrons to the container body 11 when heated to a temperature at which glass is melted. For this reason, when glass is melted using the glass production container 10 of the present embodiment, electrons (e ) are supplied from the electron donor 12 to the container body 11 during the melting of the glass. The progression of the following formula (1) that generates Therefore, generation of oxygen bubbles can be suppressed.

OH → 1/2O + 1/2H + e ・・・ (1) OH → 1 / 2O 2 + 1 / 2H 2 + e (1)

本実施形態では、容器本体11が貴金属または貴金属を含む合金からなるため、容器本体11は導電性を有している。このため、電子供与体12から容器本体11に供給された電子は、容器本体11内を自由に移動できる。よって、容器本体11の一部に電子を供給することができれば、容器本体11の全体における電子濃度を高めることができる。従って、上記式(1)の進行を電子の供給により抑制する場合は、容器本体11の外表面11cの少なくとも一部に電子供与体12が電気的に接続されていればよい。例えば、容器本体11の外表面11cに、電子供与体12が電気的に接続されていない部分があってもよい。従って、本実施形態のガラス製造用容器10は、作製が容易である。   In this embodiment, since the container main body 11 is made of a noble metal or an alloy containing a noble metal, the container main body 11 has conductivity. For this reason, the electrons supplied from the electron donor 12 to the container body 11 can freely move within the container body 11. Therefore, if electrons can be supplied to a part of the container body 11, the electron concentration in the entire container body 11 can be increased. Therefore, when the progress of the above formula (1) is suppressed by supplying electrons, the electron donor 12 may be electrically connected to at least a part of the outer surface 11c of the container body 11. For example, the outer surface 11c of the container body 11 may have a portion where the electron donor 12 is not electrically connected. Therefore, the glass manufacturing container 10 of the present embodiment is easy to produce.

また、容器本体の外表面にバリアコーティング層を形成する場合は、バリアコーティング層に亀裂が入ったり、バリアコーティング層が容器本体から剥離したりすると、泡の発生を十分に抑制できなくなるが、本実施形態のガラス製造用容器10では、容器本体11の外表面11cに電子供与体12に接触していない部分が生じた場合でも、泡の発生を効果的に抑制することができる。   Also, when forming a barrier coating layer on the outer surface of the container body, if the barrier coating layer is cracked or the barrier coating layer is peeled off from the container body, the generation of bubbles cannot be sufficiently suppressed. In the glass manufacturing container 10 according to the embodiment, even when a portion not in contact with the electron donor 12 is generated on the outer surface 11c of the container main body 11, the generation of bubbles can be effectively suppressed.

本実施形態において、電子供与性物質は、ガラスの溶融温度において、容器本体11に電子を供給可能な物質である限りにおいて特に限定されない。電子供与性物質は、例えば、金属であってもよいし、酸化物であってもよい。また、電子供与体12は、酸化物セラミックなどのセラミックであってもよい。   In the present embodiment, the electron donating substance is not particularly limited as long as it is a substance that can supply electrons to the container body 11 at the melting temperature of the glass. The electron donating substance may be, for example, a metal or an oxide. The electron donor 12 may be a ceramic such as an oxide ceramic.

また、電子供与体12は、粒子であってもよいし、例えば、セラミックである場合においては、焼結体の膜であってもよい。本実施形態においては、容器本体11の外表面11cが電子供与体12により完全に被覆されている必要はないため、電子供与体12が粒子であっても、泡の発生を抑制できる効果が十分に奏される。   Further, the electron donor 12 may be a particle, or may be a sintered film in the case of a ceramic, for example. In the present embodiment, since the outer surface 11c of the container body 11 does not need to be completely covered with the electron donor 12, the effect of suppressing the generation of bubbles is sufficient even if the electron donor 12 is a particle. To be played.

本実施形態では、具体的には、電子供与性物質からなる粒子により形成された層により構成されている電子供与体12が容器本体11の外表面11cのうち、凹部11aの外側に位置する部分の全面に接触するように充填されている。この構成の場合、容器本体11の形状寸法に関わらず、容易に電子供与体12を配置することができる。   In the present embodiment, specifically, a portion of the outer surface 11c of the container main body 11 that is constituted by a layer formed of particles made of an electron donating substance is located outside the recess 11a. It is filled so that it may contact the whole surface. In the case of this configuration, the electron donor 12 can be easily arranged regardless of the shape and size of the container body 11.

電子供与性物質は、例えば、フェルミ準位が、容器本体11のフェルミ準位よりも高いエネルギー準位に位置している、n型酸化物セラミックなどのn型セラミックであってもよい。   The electron-donating substance may be, for example, an n-type ceramic such as an n-type oxide ceramic in which the Fermi level is located at an energy level higher than the Fermi level of the container body 11.

電子供与性物質の好ましい具体例としては、例えば、Zn、Mg、Ti、Sn及びAlからなる群から選ばれた1種以上の金属を含む酸化物が挙げられる。より具体的には、電子供与性物質としては、例えば、ZnO、SnO、TiO、SrTiOなどが挙げられる。中でも、より好ましい電子供与性物質としては、熱励起するn型内因性半導体セラミックの一種であるZnOセラミックや、Alなどの金属をドープしたZnOセラミックが挙げられる。 Preferable specific examples of the electron donating substance include an oxide containing one or more metals selected from the group consisting of Zn, Mg, Ti, Sn, and Al. More specifically, examples of the electron donating substance include ZnO, SnO 2 , TiO 2 , SrTiO 3 and the like. Among these, more preferable electron donating substances include ZnO ceramics, which are a kind of thermally excited n-type intrinsic semiconductor ceramics, and ZnO ceramics doped with metals such as Al.

また、本実施形態では、電子供与体12に電気的に接続するように設けられた電子受容体13をさらに備えている。具体的には、電子受容性物質からなる粒子により構成された層からなる電子受容体13が、電子供与体12に接触するように配置されている。電子受容体13は、電子供与体12の外側において、容器本体11の凹部11aの外側に位置する部分には接触しないように設けられている。   In the present embodiment, the electron acceptor 13 is further provided so as to be electrically connected to the electron donor 12. Specifically, the electron acceptor 13 composed of a layer composed of particles composed of an electron accepting substance is disposed so as to contact the electron donor 12. The electron acceptor 13 is provided outside the electron donor 12 so as not to come into contact with a portion located outside the recess 11 a of the container body 11.

このように、電子供与体12に電気的に接続するように電子受容体13を配置することにより、下記の実施例によっても裏付けられるように、ガラス融液中の水やOHイオンに起因する泡の発生を効果的に抑制することができる。 Thus, by arranging the electron acceptor 13 so as to be electrically connected to the electron donor 12, it is caused by water and OH ions in the glass melt as supported by the following examples. Generation | occurrence | production of a bubble can be suppressed effectively.

電子受容体13は、フェルミ準位が電子供与性物質のフェルミ準位よりも低いエネルギー準位に位置しているものであることが好ましい。電子受容体13は、例えば、室温、すなわち25℃においてp型特性を示すp型酸化物セラミックなどのp型セラミックであってもよい。具体的には、電子受容体13は、例えば、Cu、Ni、Co、Mn及びLiからなる群から選ばれた1種以上の金属を含む酸化物からなるp型酸化物セラミックであってもよい。中でも、電子受容体13は、LiがドープされたNiOであることが好ましい。   The electron acceptor 13 is preferably such that the Fermi level is located at an energy level lower than the Fermi level of the electron donating substance. The electron acceptor 13 may be a p-type ceramic such as a p-type oxide ceramic that exhibits p-type characteristics at room temperature, that is, 25 ° C., for example. Specifically, the electron acceptor 13 may be a p-type oxide ceramic made of an oxide containing one or more metals selected from the group consisting of Cu, Ni, Co, Mn and Li, for example. . Among these, the electron acceptor 13 is preferably NiO doped with Li.

電子受容体13は、例えば、p型酸化物セラミックなどのp型セラミックであってもよい。具体的には、電子受容体13は、例えば、Cu、Ni、Co、Mn及びLiからなる群から選ばれた1種以上の金属を含む酸化物からなるp型酸化物セラミックであってもよい。より具体的には、電子受容体13の例としては、例えば、LiがドープされたNiO、LiがドープされたCoO、LiがドープされたFeO、LiがドープされたMnO、BaがドープされたBi、MgがドープされたCr、SrがドープされたLaCrO、SrがドープされたLaMnOCuO、CuAlO、NaCo、CaMnO、などが挙げられる。中でも、電子受容体13は、LiがドープされたNiOであることが好ましい。その場合、例えば施工時に電子受容体13がPt等の貴金属容器に誤って接触しても、泡の発生を促進し難い。 The electron acceptor 13 may be a p-type ceramic such as a p-type oxide ceramic, for example. Specifically, the electron acceptor 13 may be a p-type oxide ceramic made of an oxide containing one or more metals selected from the group consisting of Cu, Ni, Co, Mn and Li, for example. . More specifically, examples of the electron acceptor 13 include, for example, NiO doped with Li, CoO doped with Li, FeO doped with Li, MnO doped with Li, and Ba doped. Examples include Bi 2 O 3 , Cr 2 O 3 doped with Mg, LaCrO 3 doped with Sr, LaMnO 3 Cu 2 O doped with Sr, CuAlO 2 , NaCo 2 O 4 , CaMnO 3 , and the like. Among these, the electron acceptor 13 is preferably NiO doped with Li. In that case, for example, even if the electron acceptor 13 accidentally contacts a noble metal container such as Pt during construction, it is difficult to promote the generation of bubbles.

なお、電子受容体13は、容器本体11に直接接触するように配置されていてもよいが、容器本体11に電子を供与する部材は、電子供与体12であるため、容器本体11と電子供与体12との接触面積をより多くして、電子受容体13は、容器本体11に直接接触しないように配置することが好ましい。   The electron acceptor 13 may be disposed so as to be in direct contact with the container body 11. However, since the member that donates electrons to the container body 11 is the electron donor 12, The contact area with the body 12 is increased, and the electron acceptor 13 is preferably disposed so as not to directly contact the container body 11.

また、ガラス融液搬送用パイプ20も、ガラス製造用容器10と同様に、電子供与体12が筒状の容器本体11を覆うように配置されている。従って、ガラス融液搬送用パイプ20においても、泡の発生を抑制することができる。さらに、電子供与体12の外側には、電子供与体12を覆うように、電子受容体13が配置されている。従って、ガラス融液搬送用パイプ20においても、泡の発生をより効果的に抑制することができる。   Further, the glass melt conveying pipe 20 is also arranged so that the electron donor 12 covers the cylindrical container main body 11 in the same manner as the glass manufacturing container 10. Therefore, generation | occurrence | production of a bubble can be suppressed also in the pipe 20 for glass melt conveyance. Further, an electron acceptor 13 is disposed outside the electron donor 12 so as to cover the electron donor 12. Therefore, generation of bubbles can be more effectively suppressed in the glass melt conveying pipe 20.

さらに、ガラス製造装置1では、ガラス製造用容器10とガラス融液搬送用パイプ20の電子供与体12が配された雰囲気における水分の含有量を、1.0質量%〜5.0質量%とする水分含有量調整機構50が設けられている。このため、ガラス製造用容器10とガラス融液搬送用パイプ20とにおける泡の発生がさらに効果的に抑制されている。従って、泡の残存が抑制されたガラスを製造することができる。   Furthermore, in the glass manufacturing apparatus 1, the moisture content in the atmosphere in which the electron donor 12 of the glass manufacturing container 10 and the glass melt conveying pipe 20 is arranged is 1.0% by mass to 5.0% by mass. A moisture content adjusting mechanism 50 is provided. For this reason, generation | occurrence | production of the bubble in the container 10 for glass manufacture and the pipe 20 for glass melt conveyance is suppressed more effectively. Accordingly, it is possible to produce a glass in which the remaining foam is suppressed.

水分含有量調整機構50を設け、電子供与体12が配された雰囲気における水分の含有量を、1.0質量%〜5.0質量%とすることにより泡の発生が抑制できる理由としては、水分が電子供与体12に作用し、電子供与体12の電子許容能を高めていることが考えられる。   The reason why the generation of bubbles can be suppressed by providing the moisture content adjusting mechanism 50 and setting the moisture content in the atmosphere in which the electron donor 12 is arranged to be 1.0% by mass to 5.0% by mass is as follows. It is conceivable that moisture acts on the electron donor 12 to increase the electron acceptability of the electron donor 12.

水分含有量調整機構50は、電子供与体12が配された雰囲気における水分の含有量を制御できるものである限りにおいて特に限定されない。例えば、水分含有量制御機構50は、ガラス製造用容器10の少なくとも電子供与体12が配された部分を包囲する包囲部材51を有していてもよい。水分含有量制御機構50は、包囲部材51のみにより構成されていてもよいし、包囲部材51と、包囲部材51の内部に水分を供給する水分供給機構52とを有していてもよい。本実施形態では、包囲部材51は、具体的には、ポット34、接続部材38、パイプ39を包囲している。   The moisture content adjusting mechanism 50 is not particularly limited as long as it can control the moisture content in the atmosphere in which the electron donor 12 is disposed. For example, the moisture content control mechanism 50 may include an enclosing member 51 that encloses at least a portion of the glass manufacturing container 10 where the electron donor 12 is disposed. The moisture content control mechanism 50 may be configured by only the surrounding member 51, or may include the surrounding member 51 and a moisture supply mechanism 52 that supplies moisture to the inside of the surrounding member 51. In the present embodiment, the surrounding member 51 specifically surrounds the pot 34, the connecting member 38, and the pipe 39.

上記の泡の発生を抑制できる効果は、どのような種類のガラスを溶融する際にも得られるものである。従って、本実施形態のガラス製造用容器10は、どのような種類のガラスの溶融にも好適に用いられるものである。ガラス製造用容器10は、例えば、珪酸塩ガラス、硼珪酸塩ガラス、硼リン酸ガラス、リン酸塩ガラスなどの溶融に好適に用いられる。中でも、β−OH値が0.3/mm以上であるガラスを製造する際には、泡が発生しやすいため、本実施形態のガラス製造用容器10は、β−OH値が0.3/mm以上であるガラスの製造により好適に用いられる。さらには、β−OH値が0.35/mm以上、より好ましくは0.4/mm以上のガラスの製造に、本実施形態のガラス製造用容器10がより好適に適用される。   The effect which can suppress generation | occurrence | production of said bubble is acquired when melting what kind of glass. Therefore, the glass manufacturing container 10 of the present embodiment is suitably used for melting any kind of glass. The glass manufacturing container 10 is suitably used for melting, for example, silicate glass, borosilicate glass, borophosphate glass, phosphate glass, and the like. Among them, when producing a glass having a β-OH value of 0.3 / mm or more, bubbles are easily generated. Therefore, the glass production container 10 of the present embodiment has a β-OH value of 0.3 / mm. It is suitably used for the production of glass that is at least mm. Furthermore, the glass production container 10 of the present embodiment is more suitably applied to the production of glass having a β-OH value of 0.35 / mm or more, more preferably 0.4 / mm or more.

また、ディスプレイ用ガラス基板を製造する場合、泡がガラス中に残存していないことがより強く望まれるため、本実施形態のガラス製造用容器10は、ディスプレイ用ガラス基板の製造により好適に用いられる。   Moreover, when manufacturing the glass substrate for a display, since it is strongly desired that the bubble does not remain | survive in glass, the container 10 for glass manufacture of this embodiment is used suitably by manufacture of the glass substrate for a display. .

以下、ガラス製造用容器の変形例について説明する。なお、以下の変形例の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。   Hereinafter, modifications of the glass manufacturing container will be described. In the following description of the modified examples, members having substantially the same functions as those of the above-described embodiment are referred to by common reference numerals, and description thereof is omitted.

(第1の変形例)
図4は、第1の変形例におけるガラス製造用容器の略図的断面図である。図5は、第1の変形例におけるガラス融液搬送用パイプの略図的横断面図である。
(First modification)
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a glass manufacturing container in a first modification. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a glass melt conveying pipe in the first modification.

上記実施形態では、電子受容体13が設けられている場合について説明したが、第1の変形例では、上記図4及び図5に示すように、電子供与体12のみが設けられており、電子受容体13が設けられていない。この場合であっても、ガラス融液中の水やOHイオンに起因する泡の発生を効果的に抑制することができる。 In the above embodiment, the case where the electron acceptor 13 is provided has been described. However, in the first modified example, as shown in FIGS. 4 and 5, only the electron donor 12 is provided, and the electron acceptor 13 is provided. The receptor 13 is not provided. Even in this case, generation of bubbles due to water and OH ions in the glass melt can be effectively suppressed.

(第2及び第3の変形例)
図6は、第2の変形例におけるガラス製造用容器の略図的断面図である。図7は、第3の変形例におけるガラス製造用容器の略図的断面図である。
(Second and third modifications)
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a glass manufacturing container in a second modification. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a glass manufacturing container in a third modification.

上記実施形態では、容器本体11の凹部11aの外側部分の全面に電子供与体12を接触させる場合について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、第2の変形例では、図6に示すように、容器本体11のガラス融液14の界面との接触部近傍の外側にのみ電子供与体12を接触させている。また、第3の変形例では、図7に示すように、容器本体11の底部の外側にのみ電子供与体12を接触させている。このような構成においても、ガラス融液中の水やOHイオンに起因する泡の発生を効果的に抑制することができる。 In the above embodiment, the case where the electron donor 12 is brought into contact with the entire outer surface of the concave portion 11a of the container body 11 has been described. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, in the second modification, as shown in FIG. 6, the electron donor 12 is brought into contact only with the outside in the vicinity of the contact portion with the interface of the glass melt 14 of the container body 11. In the third modified example, as shown in FIG. 7, the electron donor 12 is brought into contact only with the outside of the bottom of the container body 11. Also in such a structure, generation | occurrence | production of the bubble resulting from the water in a glass melt and OH < - > ion can be suppressed effectively.

容器本体11のどの部分に電子供与体12を接触させるかは、容器本体11の内表面11bのどの部分で泡が発生しやすいかによって適宜決定することができる。   Which part of the container body 11 is brought into contact with the electron donor 12 can be appropriately determined depending on which part of the inner surface 11b of the container body 11 is likely to generate bubbles.

以下、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail. However, the present invention is not limited to the following examples, and can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the present invention.

(第1の実験例)
まず、厚みが0.05mmのPt板の上に、β−OH値が0.55/mmである無アルカリガラスを配し、雰囲気中の水分の含有量を0.5質量%または1.5質量%とし、1550℃で15分間放置した。その後、室温にまで冷却し、ガラス中の泡を目視確認した。雰囲気中の水分の含有量が0.5質量%である場合のガラスの写真を図8に示す。雰囲気中の水分の含有量が1.5質量%である場合のガラスの写真を図9に示す。
(First Experiment Example)
First, an alkali-free glass having a β-OH value of 0.55 / mm is arranged on a Pt plate having a thickness of 0.05 mm, and the moisture content in the atmosphere is set to 0.5% by mass or 1.5%. It was made into the mass%, and it was left to stand at 1550 degreeC for 15 minutes. Then, it cooled to room temperature and confirmed the bubble in glass visually. FIG. 8 shows a photograph of the glass when the moisture content in the atmosphere is 0.5 mass%. FIG. 9 shows a photograph of the glass when the moisture content in the atmosphere is 1.5% by mass.

図8及び図9から、電子供与体をPt容器に接触させない場合は、雰囲気中の水分の含有量に関わらず泡が多数発生していることが分かる。また、雰囲気中の水分の含有量が0.5質量%である場合と、雰囲気中の水分の含有量が1.5質量%である場合とで、泡の発生状況はほぼ同じであった。このことから、Pt容器に電子供与体が電気的に接続されていない場合は、雰囲気中の水分の含有量を変化させても泡の発生を抑制できないことが分かる。   8 and 9, it can be seen that many bubbles are generated regardless of the moisture content in the atmosphere when the electron donor is not brought into contact with the Pt container. Moreover, the generation | occurrence | production condition of the bubble was substantially the same when the moisture content in atmosphere was 0.5 mass%, and when the moisture content in atmosphere was 1.5 mass%. From this, it can be seen that, when the electron donor is not electrically connected to the Pt container, the generation of bubbles cannot be suppressed even if the moisture content in the atmosphere is changed.

(第2の実験例)
図10に示すように、Liを固溶させたNiO粉末からなる電子受容体13の上に、Alを固溶させたZnO粉末からなる電子供与体12を配し、さらに、電子供与体12の上にPt容器40を配した。そして、そのPt容器40の上に、第1の実験例で使用した無アルカリガラスと実質的に同じ、β−OH値が0.55/mmである無アルカリガラス41を配し、雰囲気中の水分の含有量を0.5%または1.5%とし、1550℃で15分間放置した。その後、室温にまで冷却し、ガラス中の泡を目視確認した。雰囲気中の水分の含有量が0.5質量%である場合のガラスの写真を図11に示す。雰囲気中の水分の含有量が1.5質量%である場合のガラスの写真を図12に示す。
(Second experiment example)
As shown in FIG. 10, an electron donor 12 made of ZnO powder in which Al is dissolved is disposed on an electron acceptor 13 made of NiO powder in which Li is dissolved, and further, The Pt container 40 was arranged on the top. Then, on the Pt container 40, an alkali-free glass 41 having a β-OH value of 0.55 / mm, which is substantially the same as the alkali-free glass used in the first experimental example, is arranged. The water content was set to 0.5% or 1.5%, and the mixture was left at 1550 ° C. for 15 minutes. Then, it cooled to room temperature and confirmed the bubble in glass visually. FIG. 11 shows a photograph of the glass when the moisture content in the atmosphere is 0.5 mass%. FIG. 12 shows a photograph of the glass when the moisture content in the atmosphere is 1.5% by mass.

まず、図8と図11との比較から、電子供与体12と電子受容体13とを配することにより、泡の発生を抑制できることが分かる。   First, it can be seen from the comparison between FIG. 8 and FIG. 11 that the generation of bubbles can be suppressed by arranging the electron donor 12 and the electron acceptor 13.

また、図11と図12との比較から、雰囲気中の水分の含有量を1.5質量%以上とすることにより、泡の発生をさらに効果的に抑制できることが分かる。   Moreover, it turns out that generation | occurrence | production of a bubble can be suppressed more effectively by making content of the water | moisture content in atmosphere into 1.5 mass% or more from the comparison with FIG. 11 and FIG.

1…ガラス製造装置
10…ガラス製造用容器
11…容器本体
11a…凹部
11b…内表面
11c…外表面
12…電子供与体
13…電子受容体
14…ガラス融液
15…耐火物
15a…凹部
20…ガラス融液搬送用パイプ
31…溶融用容器
32…清澄用容器
33…攪拌用容器
34…ポット
35…成形用部材
36…第1の接続部材
36a…第1の接続通路
37…第2の接続部材
37a…第2の接続通路
38…第3の接続部材
38a…第3の接続通路
39…パイプ
40…Pt容器
50…水分含有量調整機構
51…包囲部材
52…水分供給機構
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass manufacturing apparatus 10 ... Glass manufacturing container 11 ... Container main body 11a ... Concave 11b ... Inner surface 11c ... Outer surface 12 ... Electron donor 13 ... Electron acceptor 14 ... Glass melt 15 ... Refractory 15a ... Concave 20 ... Glass melt conveying pipe 31 ... Melting container 32 ... Clarification container 33 ... Stirring container 34 ... Pot 35 ... Forming member 36 ... First connecting member 36a ... First connecting passage 37 ... Second connecting member 37a ... second connection passage 38 ... third connection member 38a ... third connection passage 39 ... pipe 40 ... Pt container 50 ... moisture content adjusting mechanism 51 ... surrounding member 52 ... moisture supply mechanism

Claims (14)

貴金属または貴金属を含む合金からなり、ガラス融液と接触する内表面と、ガラス融液と接触しない外表面とを有する容器本体と、前記容器本体の外表面に電気的に接続されており、使用温度において、前記容器本体に電子を供与する電子供与性物質を含む電子供与体とを備えるガラス製造用容器と、前記電子供与体が配された雰囲気における水分の含有量を、1.0質量%〜5.0質量%とする水分含有量調整機構とを備えるガラス製造装置。   A container body made of a noble metal or an alloy containing a noble metal, having an inner surface in contact with the glass melt and an outer surface not in contact with the glass melt, electrically connected to the outer surface of the container body and used A glass production container comprising an electron donor containing an electron donating substance that donates electrons to the container main body at a temperature, and a water content in an atmosphere in which the electron donor is arranged is 1.0% by mass. A glass manufacturing apparatus provided with the moisture content adjustment mechanism which is -5.0 mass%. 前記水分含有量調整機構は、前記ガラス製造容器の少なくとも前記電子供与体が配された部分を包囲する包囲部材を有する、請求項1に記載のガラス製造装置。   The said moisture content adjustment mechanism is a glass manufacturing apparatus of Claim 1 which has the surrounding member which surrounds the part by which the said electron donor was distribute | arranged at least of the said glass manufacturing container. 前記電子供与性物質は、500℃〜1800℃の温度範囲のうちの少なくとも一部の温度範囲において、前記容器本体に電子を供与する、請求項1または2に記載のガラス製造装置。   3. The glass manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the electron donating substance donates electrons to the container body in at least a part of a temperature range of 500 ° C. to 1800 ° C. 4. 前記電子供与性物質のフェルミ準位は、前記容器本体のフェルミ準位よりも高いエネルギー準位に位置している、請求項1〜3のいずれか一項に記載のガラス製造装置。   The glass manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a Fermi level of the electron donating substance is located at an energy level higher than a Fermi level of the container body. 前記電子供与性物質は、Zn、Mg、Ti、Sn及びAlからなる群から選ばれた1種以上の金属を含む酸化物からなる、請求項1〜4のいずれか一項に記載のガラス製造装置。   The glass production according to any one of claims 1 to 4, wherein the electron donating substance is made of an oxide containing one or more metals selected from the group consisting of Zn, Mg, Ti, Sn, and Al. apparatus. 前記容器本体は、Pt、Ir、Rh若しくはPt、Ir、Rhのうちの少なくとも一種を含む合金からなる、請求項1〜5のいずれか一項に記載のガラス製造装置。   The said container main body is a glass manufacturing apparatus as described in any one of Claims 1-5 which consists of an alloy containing at least 1 type of Pt, Ir, Rh or Pt, Ir, Rh. 前記電子供与体は、前記容器本体の外表面の一部分に接触しており、前記容器本体の外表面には、前記電子供与体に接触していない部分がある、請求項1〜6のいずれか一項に記載のガラス製造装置。   The electron donor is in contact with a part of the outer surface of the container body, and the outer surface of the container body has a part not in contact with the electron donor. The glass manufacturing apparatus according to one item. 前記電子供与体に電気的に接続されている電子受容体をさらに備える、請求項1〜7のいずれか一項に記載のガラス製造装置。   The glass manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising an electron acceptor electrically connected to the electron donor. 前記電子受容体のフェルミ準位は、前記電子供与性物質のフェルミ準位よりも低いエネルギー準位に位置している、請求項8に記載のガラス製造装置。   The glass manufacturing apparatus according to claim 8, wherein a Fermi level of the electron acceptor is located at an energy level lower than a Fermi level of the electron donating substance. 前記電子受容体は、Cu、Ni、Co、Mn及びLiからなる群から選ばれた1種以上の金属を含む酸化物である、請求項8または9に記載のガラス製造装置。   The glass manufacturing apparatus according to claim 8 or 9, wherein the electron acceptor is an oxide containing one or more metals selected from the group consisting of Cu, Ni, Co, Mn, and Li. 前記電子受容体は、LiがドープされたNiOである、請求項8または9に記載のガラス製造装置。   The glass manufacturing apparatus according to claim 8 or 9, wherein the electron acceptor is NiO doped with Li. 請求項1〜11のいずれか一項に記載のガラス製造装置を用いたガラスの製造方法。   The manufacturing method of the glass using the glass manufacturing apparatus as described in any one of Claims 1-11. ガラスのβ−OH値が0.3/mm以上である、請求項12に記載のガラスの製造方法。   The manufacturing method of the glass of Claim 12 whose (beta) -OH value of glass is 0.3 / mm or more. ガラスは、ディスプレイ用ガラス基板である、請求項12または13に記載のガラスの製造方法。   The method for producing glass according to claim 12 or 13, wherein the glass is a glass substrate for display.
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