JP2013084967A - 欠陥レビュー装置 - Google Patents
欠陥レビュー装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013084967A JP2013084967A JP2012259787A JP2012259787A JP2013084967A JP 2013084967 A JP2013084967 A JP 2013084967A JP 2012259787 A JP2012259787 A JP 2012259787A JP 2012259787 A JP2012259787 A JP 2012259787A JP 2013084967 A JP2013084967 A JP 2013084967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- column
- review
- electron beam
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ24と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器15,23と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するX線を検出する検出器34,35と、傾斜角度が可変のカラム16とを備え、試料ステージ24により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム16の撮像視野を移動し、カラム16を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。
【選択図】図2
Description
まず図1により、ウェハの製造ラインでの各装置とその接続構成の一具体例について説明する。なお、同図において、1はデータ管理サーバ、2は半導体の製造装置、3は検査装置、4はレビュー装置、5は解析装置、6はレビュー・解析装置、7はネットワークである。製造ラインは、同図のように、半導体ウェハの製造装置2や検査装置3、レビュー装置4、解析装置5、レビュー・解析装置6がデータ管理サーバ1とネットワーク7によって相互に接続された構成をなしている。
2…半導体の製造装置
3…検査装置
4…レビュー装置
5…解析装置
6…レビュー・解析装置
7…ネットワーク
8…走査型電子顕微鏡の第一カラム
9…第一カラムの電子源
10…第一カラムのコンデンサレンズ
11…第一カラムのコンデンサレンズ
12…第一カラムの偏向走査用コイル
13…第一カラムの対物レンズ
14…第一カラムの対物レンズ
15…第一カラムの検出器
16…走査型電子顕微鏡の第二カラム
17…第二カラムの電子源
18…第二カラムのコンデンサレンズ
19…第二カラムのコンデンサレンズ
20…第二カラムの偏向走査用コイル
21…第二カラムの対物レンズ
22…第二カラムの対物レンズ
23…第二カラムの検出器
24…XYθステージ
25…記憶装置
26…モニタ
27…入力装置
28…全体制御部
29…画像演算部
30…A/D変換部
31…電子光学系制御部
32…ステージ制御部
33…欠陥データ解析演算部
34…元素分析検出器
35…元素分析検出器
36…元素分析制御部
37…固有識別子表示領域
38…分類識別子表示領域
39…撮像位置マップ表示領域
40…画像表示形態表示領域
41…機能表示領域
42…画像表示領域
43…元素分析表示領域
44…自動検出処理条件設定領域
45…ウェハマップ表示領域
Claims (17)
- 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により前記半導体ウェハから発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度が可変のカラムとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動し、
前記カラムを傾斜させた状態で、前記半導体ウェハのエッジに前記電子線を照射することを特徴とするレビュー装置。 - 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により前記半導体ウェハから発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度が可変のカラムとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動し、
前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記電子線を照射し、前記X線による元素分析を行うことを特徴とするレビュー装置。 - 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により前記半導体ウェハから発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度が可変のカラムとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動し、
前記欠陥位置からX線を発生させる電子線を前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に照射することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
ユーザが観察条件を入力する入力部をさらに備え、
前記試料ステージにより、前記入力部を通して指示された前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
前記エッジは、前記半導体ウェハの外周部の傾斜領域であることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項2または3に記載のレビュー装置において、
前記カラムを傾斜させた状態で前記電子線を照射することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項6に記載のレビュー装置において、
前記カラムを傾斜させた状態で前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置の前記走査電子顕微鏡画像を取得することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
前記試料ステージは回転可能なステージであることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
前記レビュー装置は、前記半導体ウェハに対して傾斜した方向から電子線を照射した場合と、当該半導体ウェハに対して垂直上方から電子線を照射した場合の両方で、前記走査電子顕微鏡画像を撮像可能であることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
前記半導体ウェハのエッジにおける観察位置を指定するための画面を表示するモニタをさらに備えることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
元素分析結果の波形を表示する画面を表示するモニタをさらに備えることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項11に記載のレビュー装置において、
前記X線のエネルギと、前記X線検出器でのカウント数を軸にしたグラフが前記画面に表示されることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
光学顕微鏡画像を取得する光学顕微鏡を備え、
前記光学顕微鏡は前記半導体ウェハのエッジを撮像し、
前記試料ステージにより、前記光学顕微鏡で撮像された位置のうち欠陥があると判断された欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項13に記載のレビュー装置において、
前記光学顕微鏡で観察された位置の走査電子顕微鏡画像を取得することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項13または14に記載のレビュー装置において、
前記光学顕微鏡は、前記半導体ウェハのエッジの検査に用いられ、
前記光学顕微鏡は、前記光学顕微鏡画像における欠陥の有無に基づいて前記走査電子顕微鏡画像の撮像位置または前記X線分析を行う前記欠陥位置を指定することが可能であることを特徴とするレビュー装置。 - 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを回転移動可能な試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により前記半導体ウェハから発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度が可変のカラムと、
X線分析の結果を表示するモニタとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動し、
前記カラムを傾斜させた状態で前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置の前記走査電子顕微鏡画像を取得し、
前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記電子線を照射することによって元素分析を行い、
当該元素分析の結果を前記モニタに表示することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項16に記載のレビュー装置において、
前記元素分析の結果の波形は、前記X線のエネルギと、前記X線検出器でのカウント数を軸にしたグラフで表されることを特徴とするレビュー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012259787A JP5608209B2 (ja) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 欠陥レビュー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012259787A JP5608209B2 (ja) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 欠陥レビュー装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010114228A Division JP5190087B2 (ja) | 2010-05-18 | 2010-05-18 | 欠陥レビュー装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084967A true JP2013084967A (ja) | 2013-05-09 |
JP5608209B2 JP5608209B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=48529770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012259787A Active JP5608209B2 (ja) | 2012-11-28 | 2012-11-28 | 欠陥レビュー装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5608209B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022502796A (ja) * | 2018-10-19 | 2022-01-11 | ナノトロニクス イメージング インコーポレイテッドNanotronics Imaging, Inc. | 基板上の流動的対象を自動的にマッピングするための方法およびシステム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261952A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Sharp Corp | 電子線走査型顕微鏡 |
JPH09204897A (ja) * | 1996-10-07 | 1997-08-05 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法 |
JPH11213935A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Jeol Ltd | Fib−sem装置における試料断面観察方法およびfib−sem装置 |
JP2000136916A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-05-16 | Wacker Siltronic Corp | 半導体ウエ―ハ上のエッジ欠陥を検出、モニタ及び特徴付ける方法及び装置 |
JP2003107022A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置及び検査方法 |
JP2003152042A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 面取り部の分析方法並びに面取り部分析用保持治具及びホルダー |
JP2006252995A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
-
2012
- 2012-11-28 JP JP2012259787A patent/JP5608209B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261952A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Sharp Corp | 電子線走査型顕微鏡 |
JPH09204897A (ja) * | 1996-10-07 | 1997-08-05 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法 |
JPH11213935A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Jeol Ltd | Fib−sem装置における試料断面観察方法およびfib−sem装置 |
JP2000136916A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-05-16 | Wacker Siltronic Corp | 半導体ウエ―ハ上のエッジ欠陥を検出、モニタ及び特徴付ける方法及び装置 |
JP2003107022A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置及び検査方法 |
JP2003152042A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 面取り部の分析方法並びに面取り部分析用保持治具及びホルダー |
JP2006252995A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022502796A (ja) * | 2018-10-19 | 2022-01-11 | ナノトロニクス イメージング インコーポレイテッドNanotronics Imaging, Inc. | 基板上の流動的対象を自動的にマッピングするための方法およびシステム |
JP7226852B2 (ja) | 2018-10-19 | 2023-02-21 | ナノトロニクス イメージング インコーポレイテッド | 基板上の流動的対象を自動的にマッピングするための方法およびシステム |
US11815673B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-11-14 | Nanotronics Imaging, Inc. | Method and system for mapping objects on unknown specimens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5608209B2 (ja) | 2014-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4533306B2 (ja) | 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置 | |
US9311697B2 (en) | Inspection method and device therefor | |
JP3993817B2 (ja) | 欠陥組成分析方法及び装置 | |
JP5164598B2 (ja) | レビュー方法、およびレビュー装置 | |
US7884948B2 (en) | Surface inspection tool and surface inspection method | |
JP6158226B2 (ja) | 荷電粒子線装置及びその欠陥分析方法 | |
US7105815B2 (en) | Method and apparatus for collecting defect images | |
JP2007234798A (ja) | 回路パターンの検査装置及び検査方法 | |
JP2001159616A (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 | |
JP2005285746A (ja) | 走査型電子顕微鏡を用いた試料の観察方法及びその装置 | |
JP5390215B2 (ja) | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 | |
JP2004177139A (ja) | 検査条件データ作成支援プログラム及び検査装置及び検査条件データ作成方法 | |
JP2006145269A (ja) | 欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法 | |
JP5608208B2 (ja) | 欠陥レビュー装置 | |
WO2011132766A1 (ja) | レビュー方法、およびレビュー装置 | |
JP5608209B2 (ja) | 欠陥レビュー装置 | |
JP5190087B2 (ja) | 欠陥レビュー装置 | |
JP6033325B2 (ja) | 半導体検査装置、及び荷電粒子線を用いた検査方法 | |
JP5163731B2 (ja) | 欠陥候補の画像表示方法 | |
JP2011185715A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
WO2013008531A1 (ja) | 走査電子顕微鏡、欠陥検査システム、および欠陥検査装置 | |
JP2004260193A (ja) | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140829 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5608209 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |