JP2013077641A - 光照射装置、基板処理装置および光照射装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制可能な光照射装置、基板処理装置および光照射装置の制御方法を提供する。
【解決手段】エッジ露光部においては、エッジ露光処理として基板の周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光部は、基板の周縁部を露光する露光用光の露光用光源を備える。露光用光源には、ランプ駆動部から電力が供給される。ランプ駆動部は制御部により制御される。制御部は、基板にエッジ露光処理を行うエッジ露光処理期間に通常モードを設定する。通常モードにおいては、露光用光源に第１の電力ＰＷ１が供給される。制御部は、エッジ露光処理期間を除く非処理期間に省電力モードを設定する。省電力モードにおいては、露光用光源に第１の電力ＰＷ１よりも小さい第２の電力ＰＷ２が供給される。
【選択図】図１２

Description

本発明は、基板に所定の処理を行う光照射装置、基板処理装置および光照射装置の制御方法に関する。

半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板または光ディスク用ガラス基板等の各種基板の製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、最初に、基板の主面全体にレジストが塗布される。続いて、基板上に形成されたレジスト膜が所定のパターンで露光される。その後、露光処理が施された基板に現像処理が行われることにより、基板上にレジストパターンが形成される。

上記のように、レジスト塗布処理後の基板には、基板の主面全体にレジスト膜が形成される。基板上のレジスト膜の周縁部が基板搬送時に基板搬送ロボットの保持部に接触すると、レジスト膜の一部が基板から剥離され、パーティクルとなって浮遊する。パーティクルの発生を防止するため、基板上のレジスト膜の周縁部を予め除去する処理が行われる。

例えば、レジスト塗布処理後の基板が回転する状態で、基板上のレジスト膜の周縁部が露光される（エッジ露光処理）。その後、エッジ露光処理後の基板に現像処理が行われる。これにより、基板上のレジスト膜の周縁部が除去される（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−２５３５５２号公報

特許文献１に記載の基板処理システムはスピンナを備える。スピンナには、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットとともにエッジ露光ユニットが設けられる。スピンナにおいては、塗布処理ユニットにより基板の主面に均一にレジストが塗布される。レジスト膜が形成された基板がエッジ露光ユニットに搬送される。

エッジ露光ユニットは、基板にエッジ露光処理を施すための基板回転機構およびエッジ露光装置を備える。また、エッジ露光装置はエッジ露光用光源および露光ヘッド部を備える。

エッジ露光ユニットにおいて、エッジ露光処理時には、基板が基板回転機構により略水平姿勢で保持される。この状態で基板が回転する。エッジ露光用光源により発生された露光用光が、露光ヘッド部を通して回転する基板の周縁部（エッジ領域）に照射される。これにより、基板上に形成されたレジスト膜の周縁部が露光される。続いて、パターン露光装置において、基板上のレジスト膜が所定のパターンで露光される。その後、スピンナの現像処理ユニットにおいて、基板に現像処理が施される。

上記のエッジ露光ユニットにおいては、エッジ露光用光源が、実際に基板の露光が行われる時間帯のみ発光し、基板の露光が行われない時間帯（基板の搬出入の時間帯等）に消灯する。この場合、エッジ露光用光源に供給する電力を低減することができる。

上記のエッジ露光用光源としては水銀ランプが用いられる。水銀ランプにおいては、アーク放電により得られる光が露光用光として用いられる。そのため、安定した露光用光を得るためには、アーク放電を安定化させるための始動時間が必要となる。水銀ランプが発光および消灯を繰り返す場合、始動時間により基板の処理効率が低下する。

本発明の目的は、低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制可能な光照射装置、基板処理装置および光照射装置の制御方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る光照射装置は、基板に光を照射する照射処理を行う光照射装置であって、基板に照射処理を行うための光を発生する光源と、光源に電力を供給する電力供給部と、基板に照射処理を行う照射処理期間に第１の電力が光源に供給されるように電力供給部を制御し、照射処理期間を除く非処理期間に第１の電力よりも小さい第２の電力が光源に供給されるように電力供給部を制御する制御部とを備えるものである。

その光照射装置においては、照射処理期間に、電力供給部から光源に第１の電力が供給されることにより、光源から発生された光により基板に照射処理が行われる。照射処理が行われない非処理期間においては、電力供給部から光源に第１の電力よりも小さい第２の電力が供給される。それにより、非処理期間において、光源の消費電力が低減される。また、非処理期間に光源が消灯しない。したがって、光源の温度が常温よりも高い温度で維持される。それにより、非処理期間から照射処理期間への移行時に、光源の出力を安定化するために長い始動時間を設ける必要がなくなる。

これらの結果、低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制することが可能となる。

（２）光照射装置は、光源を冷却するための冷却装置をさらに備え、制御部は、照射処理期間に冷却装置を第１の冷却能力で動作させ、非処理期間に冷却装置を第１の冷却能力よりも低い第２の冷却能力で動作させてもよい。

この場合、照射処理期間に冷却装置が第１の冷却能力で動作することにより、第１の電力により発光する光源の温度が過剰に高くなることが防止される。それにより、光源の出力が安定化されるので、精度よく照射処理を行うことが可能となる。

一方、非処理期間では、照射処理期間に比べて光源の発熱量が低下する。そのため、非処理期間に冷却装置が第１の冷却能力よりも小さい第２の冷却能力で動作する。それにより、非処理期間における光源の温度を照射処理期間における光源の温度よりも低くかつ常温よりも高く維持することが可能となる。したがって、非処理期間から照射処理期間への移行時に、光源の出力を安定化するために長い始動時間を設ける必要がなくなる。

（３）制御部は、非処理期間から照射処理期間へ移行するための移行期間に第２の電力よりも大きい第３の電力が光源に供給されるように電力供給部を制御するとともに、冷却装置を第２の冷却能力よりも低い第３の冷却能力で動作させてもよい。

非処理期間における光源の発熱量は、照射処理期間における光源の発熱量に比べて小さい。そのため、非処理期間における光源の温度も照射処理期間における光源の温度に比べて低い。

移行期間では、光源に第２の電力よりも大きい第３の電力が供給されることにより、非処理期間に比べて光源の発熱量が高くなる。このとき、冷却装置が第２の冷却能力よりも低い第３の冷却能力で動作する。これにより、移行期間においては、光源の温度が短時間で上昇する。その結果、移行期間を短く設定することができるので、基板の処理効率の低下を確実に防止することが可能となる。

（４）照射処理期間は、少なくとも一つのロットの複数の基板に照射処理が行なわれる期間を含み、照射処理期間に光源の温度または光源の周囲の温度が実質的に一定に維持されるように、移行期間の開始時点が設定されてもよい。

この場合、照射処理期間において、光源の出力が一定に維持される。したがって、ロット単位で全ての基板に精度よく照射処理を行うことができる。

（５）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、感光性膜形成ユニットによる感光性膜形成後の基板に照射処理として露光処理を行う第１の発明に係る光照射装置とを備えるものである。

その基板処理装置においては、感光性膜形成ユニットにより、基板上に感光性膜が形成される。また、光照射装置により、感光性膜形成後の基板に照射処理として露光処理が行われる。これにより、基板処理装置における低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制することが可能となる。

（６）光照射装置は、基板上に形成された感光性膜の周縁部を露光するように構成されてもよい。

この場合、感光性膜の周縁部が露光された基板に現像処理を行うことにより、基板上に形成された感光性膜の周縁部が除去される。それにより、現像処理後において、基板の周縁部が他の部分と接触した場合に、基板の周縁部上の感光性膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

（７）第３の発明に係る光照射装置の制御方法は、基板に照射処理を行うための光を発生する光源を含む光照射装置の制御方法であって、基板に照射処理を行う照射処理期間に第１の電力が光源に供給されるように電力供給部を制御するステップと、照射処理期間を除く非処理期間に第１の電力よりも小さい第２の電力が光源に供給されるように電力供給部を制御するステップとを備えたものである。

その光照射装置の制御方法においては、照射処理期間に、電力供給部から光源に第１の電力が供給されることにより、光源から発生された光により基板に照射処理が行われる。照射処理が行われない非処理期間においては、電力供給部から光源に第１の電力よりも小さい第２の電力が供給される。それにより、非処理期間において、光源の消費電力が低減される。また、非処理期間に光源が消灯しない。したがって、光源の温度が常温よりも高い温度で維持される。それにより、非処理期間から照射処理期間への移行時に、光源の出力を安定化するために長い始動時間を設ける必要がなくなる。

これらの結果、低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制することが可能となる。

（８）光照射装置の制御方法は、照射処理期間に光源を冷却する冷却装置を第１の冷却能力で動作させるステップと、非処理期間に冷却装置を第１の冷却能力よりも低い第２の冷却能力で動作させるステップとをさらに備えてもよい。

この場合、照射処理期間に冷却装置が第１の冷却能力で動作することにより、第１の電力により発光する光源の温度が過剰に高くなることが防止される。それにより、光源の出力が安定化されるので、精度よく照射処理を行うことが可能となる。

一方、非処理期間では、照射処理期間に比べて光源の発熱量が低下する。そのため、非処理期間に冷却装置が第１の冷却能力よりも小さい第２の冷却能力で動作する。それにより、非処理期間における光源の温度を照射処理期間における光源の温度よりも低くかつ常温よりも高く維持することが可能となる。したがって、非処理期間から照射処理期間への移行時に、光源の出力を安定化するために長い始動時間を設ける必要がなくなる。

（９）光照射装置の制御方法は、非処理期間から照射処理期間へ移行するための移行期間に第２の電力よりも大きい第３の電力が光源に供給されるように電力供給部を制御するステップと、移行期間に冷却装置を第２の冷却能力よりも低い第３の冷却能力で動作させるステップとをさらに備えてもよい。

非処理期間における光源の発熱量は、照射処理期間における光源の発熱量に比べて小さい。そのため、非処理期間における光源の温度も照射処理期間における光源の温度に比べて低い。

移行期間では、光源に第２の電力よりも大きい第３の電力が供給されることにより、非処理期間に比べて光源の発熱量が高くなる。このとき、冷却装置が第２の冷却能力よりも低い第３の冷却能力で動作する。これにより、移行期間においては、光源の温度が短時間で上昇する。その結果、移行期間を短く設定することができるので、基板の処理効率の低下を確実に防止することが可能となる。

本発明によれば、低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制することが可能となる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。 主として図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理システムの一方側面図である。 主として図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理システムの他方側面図である。 主として図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を示す側面図である。 主として図１の搬送部を示す側面図である。 搬送機構を示す斜視図である。 洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。 エッジ露光部の露光ユニットの一側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の露光ユニットの他の側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の光源ユニットの構成を示す模式的縦断面図である。 主としてエッジ露光部の各構成要素と図１の制御部との関係を示すブロック図である。 図１の制御部によるエッジ露光部の一制御例を説明するためのタイミングチャートである。

以下、本発明の実施の形態に係る光照射装置、基板処理装置および光照射装置の制御方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。本実施の形態では、光照射装置の一例として、基板の周縁部の露光処理を行うエッジ露光部を説明する。

（１）基板処理システムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００およびホストコンピュータ８００を備える。

基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。また、制御部１１４は、有線通信または無線通信によりホストコンピュータ８００に接続されている。制御部１１４とホストコンピュータ８００との間で種々のデータの送受信が行われる。

搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。

搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、制御部１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。

メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部９０（後述の図１１参照）が設けられている。ユーザは、操作部９０（図１１）を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図５参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。第２の処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。なお、露光装置１５の基板搬入部１５ａおよび基板搬出部１５ｂは、水平方向に隣接するように配置されてもよく、または上下に配置されてもよい。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理システム１０００の一方側面図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、レジストカバー膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２つのスピンチャック２５および２つのカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３つのスピンチャック３５および３つのカップ３７を有するが、スピンチャック２５，３５およびカップ２７，３７の数はこれに限らず、任意に変更してもよい。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および基板Ｗの端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。ここで、基板Ｗの裏面とは、回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面の反対側の面をいう。

図２に示すように、塗布処理室２１〜２４，３２，３４において塗布処理ユニット１２９の上方には、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の上方には、現像処理室３１，３３内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４７が設けられる。

塗布処理室２１〜２４，３２，３４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の下部には、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４８が設けられる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。

（３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理システム１０００の他方側面図である。

図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの表面において基板Ｗの外周端部に沿った一定幅の領域をいう。

基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

以下、基板Ｗ上のレジスト膜を露光するために基板Ｗに照射される光を露光用光と呼ぶ。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗの周縁部を露光する露光用光の露光用光源６１２（後述する図１０参照）として、例えば高圧水銀キセノンランプを備える。高圧水銀キセノンランプから発生される露光用光は、紫外線領域（例えば１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下）の波長の光を含む。

基板処理装置１００が基板Ｗを処理可能な稼働状態（例えば、基板処理装置１００の電源がオンされた状態）にある間、エッジ露光部ＥＥＷの露光用光源６１２には電力が供給される。したがって、本実施の形態では、基板処理装置１００が稼働状態にある間、露光用光源６１２から常に露光用光が発生される。

基板処理装置１００による基板Ｗの処理は、所定数の基板Ｗからなるロット単位で行われる。例えば、図１の制御部１１４に一のロットの基板Ｗの一連の処理の開始が指令されることにより、一のロットの基板Ｗに主としてレジスト膜形成処理、レジストカバー膜形成処理、エッジ露光処理、洗浄乾燥処理、現像処理および熱処理を含む一連の処理が施される。その後、新たなロットの基板Ｗに前のロットの基板Ｗと同じまたは異なる条件で連続的に一連の処理が施される。

本実施の形態では、一のロットの一番目の基板Ｗのエッジ露光処理が開始される時点から一のロットの最後の基板Ｗのエッジ露光処理が終了する時点までの期間をエッジ露光処理期間と呼ぶ。

また、エッジ露光処理期間以外の期間のうち、エッジ露光処理期間に続く一部の期間を非処理期間と呼ぶ。さらに、エッジ露光処理期間以外の期間のうち、非処理期間から次のエッジ露光処理期間（新たなロットの基板Ｗがエッジ露光処理される期間）に移行するための期間を移行期間と呼ぶ。非処理期間および移行期間においては、エッジ露光処理は行われない。

露光用光を発生する露光用光源６１２としては、上記の高圧水銀キセノンランプのように高出力の光源が用いられる。高出力の露光用光源６１２は、発光することにより発熱する。露光用光源６１２の温度およびその周辺の温度環境は、露光用光源６１２の出力に影響を及ぼす。そのため、露光用光源６１２から発生される露光用光の強さを安定化させるためには、露光用光源６１２の温度およびその周辺の温度環境も安定化させる必要がある。そこで、本実施の形態において、図１の制御部１１４は、エッジ露光処理期間に通常モードを設定し、非処理期間に省電力モードを設定し、移行期間に移行モードを設定する。

通常モードにおいては、露光用光源６１２に後述の第１の電力ＰＷ１（図１２）が供給される。また、露光用光源６１２が後述の第１の冷却能力ＰＶ１（図１２）で冷却される。

一方、省電力モードにおいては、露光用光源６１２に第１の電力ＰＷ１よりも小さい後述の第２の電力ＰＷ２（図１２）が供給される。また、露光用光源６１２が第１の冷却能力ＰＶ１よりも小さい後述の第２の冷却能力ＰＶ２（図１２）で冷却される。

他方、移行モードにおいては、露光用光源６１２に後述の第１の電力ＰＷ１が供給される。また、露光用光源６１２が第１の冷却能力ＰＶ１および第２の冷却能力ＰＶ２よりも小さい後述の第３の冷却能力ＰＶ３（図１２）で冷却される。本実施の形態において、第３の冷却能力ＰＶ３は０である。したがって、移行モードでは、露光用光源６１２は冷却されない。

上記のように、露光用光源６１２には、エッジ露光処理期間であるか否かにかかわらず、基板処理装置１００が稼働状態である間継続して電力が供給される。そのため、露光用光源６１２は、基板処理装置１００の稼働状態である間消灯しない。また、非処理期間に省電力モードで露光用光源６１２に第１の電力ＰＷ１よりも小さい第２の電力ＰＷ２が供給される場合に、露光用光源６１２が第１の冷却能力ＰＶ１よりも小さい後述の第２の冷却能力ＰＶ２で冷却される。

これにより、非処理期間に露光用光源６１２に供給される電力が小さくなる場合でも、非処理期間に露光用光源６１２の温度が著しく低くなることが防止される。したがって、一のエッジ露光処理期間の終了時点から所定時間経過後に次のエッジ露光処理期間が開始される場合に、露光用光源６１２の温度およびその周辺の温度環境を、短時間で安定化させることができる。すなわち、非処理期間から次のエッジ露光処理期間に移行するための移行期間を十分に短くすることができる。

これらの結果、基板処理装置１００における低消費電力化を実現しつつ基板処理装置１００による基板Ｗの処理効率の低下を抑制することができる。エッジ露光部ＥＥＷの構成および動作の詳細については後述する。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（４）搬送部の構成
（４−１）概略構成
図４は、主として図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を示す側面図である。図５は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。

図４および図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図４に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。

図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

図５の例では、基板載置部ＰＡＳＳ９が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ９を用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。

また、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方に上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方に下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

同様に、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方に上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方に下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

これにより、上段搬送室１２５，１３５および下段搬送室１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの搬送部１６３内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂ内の上部には、給気ユニット４６が設けられる。給気ユニット４５，４６には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。それにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂ内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（４−２）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図６は、搬送機構１２７を示す斜視図である。

図５および図６に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図５に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図５および図６に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図５）および上段熱処理部３０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、図５に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

（５）洗浄乾燥処理ブロックの構成
図７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを図１の露光装置１５側から見た図である。

図７に示すように、搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３，Ｈ４を有し、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ５，Ｈ６を有する。

搬送機構１４１の＋Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が階層的に設けられ、搬送機構１４２の−Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が階層的に設けられる。搬送機構１４１，１４２の間において、−Ｘ側には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が上下に設けられる。

また、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。

（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図５を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図５）に搬送する。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。

（６−２）第１の処理ブロック１２の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第１の処理ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７，１２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）から密着強化処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている密着強化処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置する。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に搬送する。

搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、塗布処理室２２における反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（６−３）第２の処理ブロック１３の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第２の処理ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７，１３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジストカバー膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているレジストカバー膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ（図３）からエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。上記のように、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。

搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する上段熱処理部３０１（図４）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）に載置する。

搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８，Ｐ−ＢＦ２（図５）、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２の処理ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（６−４）洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作
以下、図５および図７を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図７）は、搬送機構１３７（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。

このように、搬送機構１４１は、搬送機構１４１は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２から交互にエッジ露光後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送する。

ここで、キャリア１１３（図５）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図５）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理速度と、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。

また、搬送機構１２７（図５）の動作速度と搬送機構１２８（図５）の動作速度とは略等しい。また、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３（図３）における基板Ｗの処理速度と、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４（図３）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１３７（図５）の動作速度と搬送機構１３８（図５）の動作速度とは略等しい。

したがって、上記のように、搬送機構１４１（図７）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ１（図５）から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。

搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

次に、搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ＰＥＢ処理が行われる。

このように、搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図５）は、ハンドＨ７により、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、搬送機構１４６は、ハンドＨ８により、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。

ここで、上述したように、搬送機構１４１（図７）によって載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図５）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２（図７）により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１４１（図７）により、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１３７，１３８（図５）により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。

（７）エッジ露光部の詳細
（７−１）エッジ露光部の構成
エッジ露光部ＥＥＷの詳細について説明する。本実施の形態において、エッジ露光部ＥＥＷは露光ユニットおよび光源ユニットを備える。図８はエッジ露光部ＥＥＷの露光ユニットの一側面を模式的に示す図であり、図９はエッジ露光部ＥＥＷの露光ユニットの他の側面を模式的に示す図である。また、図１０はエッジ露光部ＥＥＷの光源ユニットの構成を示す模式的縦断面図である。

図８および図９に示すように、エッジ露光部ＥＥＷの露光ユニット５５０は、投光部５１０、投光部保持機構５２０および基板回転機構５４０を備える。

投光部５１０は、ライトガイド５９０を介して光源ユニット６００と接続されている。本実施の形態では、ライトガイド５９０は、光ファイバケーブルからなる。光源ユニット６００には、上述の露光用光源６１２（図１０）が設けられる。

投光部保持機構５２０は、Ｘ方向駆動モータ５２１、Ｘ方向ボールネジ５２２、投光部保持ガイド５２３、支柱５２４、Ｙ方向駆動モータ５３１、支柱保持ガイド５３２およびＹ方向ボールネジ５３３を備える。

投光部保持ガイド５２３は、投光部５１０をＸ方向に移動可能に保持する。また、Ｘ方向ボールネジ５２２は、投光部５１０に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｘ方向ボールネジ５２２は、Ｘ方向に延びるように設けられており、Ｘ方向駆動モータ５２１の動作に伴って矢印Ｒ１の方向に回転する。Ｘ方向ボールネジ５２２が回転することにより、投光部５１０がＸ方向に移動する。

Ｘ方向駆動モータ５２１および投光部保持ガイド５２３は、支柱５２４により所定の高さに支持されている。支柱５２４の下端部は支柱保持ガイド５３２により保持されている。支柱保持ガイド５３２は、支柱５２４をＹ方向に移動可能に保持する。また、Ｙ方向ボールネジ５３３は、支柱５２４に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｙ方向ボールネジ５３３は、Ｙ方向に延びるように設けられており、Ｙ方向駆動モータ５３１の動作に伴って矢印Ｒ３の方向に回転する。Ｙ方向ボールネジ５３３が回転することにより、支柱５２４がＹ方向に移動する。

このように、投光部保持機構５２０の各部の動作により、投光部５１０がＸ方向およびＹ方向に移動する。

基板回転機構５４０は、基板回転モータ５４１、基板回転軸５４２およびスピンチャック５４３を備える。基板回転軸５４２は、基板回転モータ５４１から上方に突出する。スピンチャック５４３は、基板回転軸５４２の上端に接続されている。エッジ露光処理時には、スピンチャック５４３上に基板Ｗが載置される。スピンチャック５４３は、載置された基板Ｗを吸着保持する。

基板回転モータ５４１は、基板回転軸５４２を矢印Ｒ２の方向に回転させる。それにより、スピンチャック５４３が回転し、スピンチャック５４３により吸着保持された基板Ｗが回転する。この状態で、投光部保持機構５２０により投光部５１０が基板Ｗの周縁部の上方位置に移動される。これにより、露光用光が投光部５１０から基板Ｗの周縁部に照射される。

図１０に示すように光源ユニット６００は、第１のケーシング６１０、リフレクタ６１１、露光用光源６１２、シャッタモータ６１３、シャッタ６１４、絞りモータ６１５、絞り円板６１６、第２のケーシング６２０、第３のケーシング６３０、ランプ駆動部６４１、ファン駆動部６４２、ファンモータ６４３およびファン６４４を備える。

第１のケーシング６１０、第２のケーシング６２０および第３のケーシング６３０はそれぞれ直方体形状を有する。第２のケーシング６２０は第１のケーシング６１０に比べて大きい。第２のケーシング６２０の上面には、気体導入用開口６２１が形成されている。第２のケーシング６２０の下面には、気体排出用開口６２２が形成されている。

第１のケーシング６１０は、第２のケーシング６２０の内部に設けられる。第２のケーシング６２０の内表面と第１のケーシング６１０の外表面との間には、空間６２０Ｓが形成されている。

第３のケーシング６３０の上面には、気体導入用開口６３１が形成されている。第３のケーシング６３０の気体導入用開口６３１が第２のケーシング６２０の気体排出用開口６２２に重なるように、第３のケーシング６３０が第２のケーシング６２０の下部に取り付けられる。

第３のケーシング６３０の一側面には、気体排出用開口６３２が形成されている。気体排出用開口６３２が形成された第３のケーシング６３０の一側面には排気管６９０の一端が接続されている。排気管６９０の他端は、例えば工場内の排気系用力設備に接続されている。

第１のケーシング６１０内に、リフレクタ６１１、露光用光源６１２、シャッタモータ６１３、シャッタ６１４、絞りモータ６１５および絞り円板６１６が設けられる。第２のケーシング６２０および第１のケーシング６１０の側壁を貫通するように、ライトガイド５９０が設けられる。第１のケーシング６１０内に、ライトガイド５９０の先端の光入射部５９１が挿入される。

第１のケーシング６１０の内部では、露光用光源６１２を取り囲むように半球形状のリフレクタ６１１が配置される。露光用光源６１２により露光用光が発生される。リフレクタ６１１は、露光用光源６１２から発生された露光用光の一部を反射してライトガイド５９０の光入射部５９１に集光する。

リフレクタ６１１とライトガイド５９０の光入射部５９１との間には、シャッタ６１４が配置されている。シャッタ６１４は、シャッタモータ６１３の回転軸に取り付けられる。これにより、シャッタ６１４は、シャッタモータ６１３により回転可能に支持される。シャッタモータ６１３が動作することによりシャッタ６１４が開閉される。

さらに、リフレクタ６１１とシャッタ６１４との間に絞り円板６１６が配置されている。絞り円板６１６は開口を有し、絞りモータ６１５と図示しない駆動機構により連結されている。絞りモータ６１５が動作することにより絞り円板６１６の開口面積が調整される。

シャッタモータ６１３によるシャッタ６１４の開放時においては、露光用光源６１２からの直接光およびリフレクタ６１１からの反射光の一部が光入射部５９１に入射される。この場合、光入射部５９１に入射する露光用光の光量は絞り円板６１６により調整される。光入射部５９１に入射された露光用光は、ライトガイド５９０を通して図８および図９の投光部５１０に導かれる。

一方、シャッタモータ６１３によるシャッタ６１４の閉鎖時（図１０の状態）においては、露光用光源６１２からの直接光およびリフレクタ６１１からの反射光の一部がシャッタ６１４により阻止される。その結果、露光用光は光入射部５９１に入射しない。

第３のケーシング６３０内に、ランプ駆動部６４１、ファン駆動部６４２、ファンモータ６４３およびファン６４４が設けられる。ランプ駆動部６４１は、露光用光源６１２の２つの電極６１２ａ，６１２ｂに接続されるとともに、例えば商用電源に接続される。ランプ駆動部６４１は、商用電源から供給される電力を露光用光源６１２に供給する。後述するように、ランプ駆動部６４１は、図１の制御部１１４により制御される。これにより、ランプ駆動部６４１から露光用光源６１２に供給される電力が調整される。

本実施の形態において、ランプ駆動部６４１は、露光用光源６１２に流れる電流の値を調整することにより、露光用光源６１２に供給される電力を調整する。これにより、ランプ駆動部６４１により駆動される露光用光源６１２の発光強度が変化する。

第３のケーシング６３０の内部では、気体排出用開口６３２に近接した位置にファン６４４が配置される。ファン６４４は、ファンモータ６４３の回転軸に取り付けられる。これにより、ファン６４４は、ファンモータ６４３により回転可能に支持される。

ファン駆動部６４２は、ファンモータ６４３に接続されるとともに、例えば商用電源に接続される。ファン駆動部６４２は、商用電源から供給される電力をファンモータ６４３に供給する。これにより、ファン６４４が回転する。後述するように、ファン駆動部６４２は、図１の制御部１１４により制御される。これにより、ファン駆動部６４２からファンモータ６４３に供給される電力が調整される。

本実施の形態において、ファン駆動部６４２は、ファンモータ６４３に流れる電流の値を調整することにより、ファンモータ６４３に供給される電力を調整する。これにより、ファンモータ６４３により回転されるファン６４４の回転速度を容易に変化させることができる。

ファンモータ６４３が動作することによりファン６４４が回転する。この場合、第２のケーシング６２０の外部の雰囲気（気体）が、図１０に太い一点鎖線で示すように、気体導入用開口６２１から第２のケーシング６２０内の空間６２０Ｓに流入する。空間６２０Ｓに流入した気体は、さらに気体排出用開口６２２および第３のケーシング６３０の気体導入用開口６３１を通して第３のケーシング６３０内に流入する。第３のケーシング６３０内に流入した気体は、気体排出用開口６３２および排気管６９０を通して工場内の排気系用力設備に送られる。

上記のように、ファン６４４が回転することにより、第２のケーシング６２０内の第１のケーシング６１０を取り囲む空間６２０Ｓに気体の流れが形成される。この場合、第２のケーシング６２０内の空間６２０Ｓは、第１のケーシング６１０を冷却するための冷却用給気路として機能する。したがって、露光用光源６１２が発熱する場合には、露光用光源６１２が空間６２０Ｓを流れる気体により第１のケーシング６１０を介して冷却される。それにより、露光用光源６１２の過剰な温度上昇が抑制される。

上記のように、ファンモータ６４３により回転されるファン６４４の回転速度が変化される。これにより、排気管６９０から排気される気体の排気出力が調整され、ファン６４４による露光用光源６１２の冷却能力が調整される。

露光用光源６１２は第１のケーシング６１０を介して間接的に冷却される。この場合、第１のケーシング６１０内の温度がほぼ均一に保たれる。したがって、空間６２０Ｓ内に流入する気体が露光用光源６１２に直接接触しないので、露光用光源６１２の温度およびその周辺の温度雰囲気が急峻に変動することが防止される。これにより、露光用光源６１２を安定して駆動することができる。

上記の光源ユニット６００においては、図１０に示すように、第１のケーシング６１０の外周面に放熱用のフィン６１９が設けられる。これにより、第１のケーシング６１０を効率的に冷却することができる。第１のケーシング６１０がファン６４４により十分に冷却される場合には、放熱用のフィン６１９は設けられなくてもよい。

（７−２）エッジ露光部と図１の制御部との関係
図１１は、主としてエッジ露光部ＥＥＷの各構成要素と図１の制御部１１４との関係を示すブロック図である。

図１１に示すように、ランプ駆動部６４１、ファン駆動部６４２、基板回転モータ５４１、Ｘ方向駆動モータ５２１、Ｙ方向駆動モータ５３１およびメインパネルＰＮの各々が、制御部１１４に接続されている。

制御部１１４により、ランプ駆動部６４１、ファン駆動部６４２、基板回転モータ５４１、Ｘ方向駆動モータ５２１、Ｙ方向駆動モータ５３１およびメインパネルＰＮの動作が制御される。また、ユーザによる操作部９０の操作情報が制御部１１４に与えられる。

（７−３）エッジ露光部の一制御例
図１２は、図１の制御部１１４によるエッジ露光部ＥＥＷの一制御例を説明するためのタイミングチャートである。図１２においては、横軸が時間を示す。図１２の上段に、図１０の露光用光源６１２に流れる電流値の経時的な変化が示される。図１２の中段に、図１０のファン６４４による露光用光源６１２の冷却能力として図１０の排気管６９０から排気される気体の排気出力が示される。排気出力の単位は、例えば［ｍ^３／ｍｉｎ］で表すことができる。図１２の下段に、図１０の第１のケーシング６１０内の温度の経時的な変化が示される。

本例では、時点ｔ１において、一のロットの基板Ｗのエッジ露光処理が行われている。すなわち、本例の時点ｔ１は、一のエッジ露光処理期間内の任意の時点を表す。この場合、エッジ露光部ＥＥＷは、図１の制御部１１４により通常モードで制御される。

時点ｔ１から時点ｔ２にかけて、図１０の露光用光源６１２に、図１０のランプ駆動部６４１から第１の電流値ｉ１（例えば８Ａ）の電流が供給される。これにより、露光用光源６１２が、第１の電流値ｉ１に基づく第１の電力ＰＷ１で駆動され、露光用光を発生する。この場合、第１のケーシング６１０内の温度が第１の温度値ｓｔ１で維持されるように、図１０のファン６４４が駆動され、排気管６９０から第１の排気出力値ｊ１で気体が排気される。これにより、露光用光源６１２が第１のケーシング６１０を介して第１の排気出力値ｊ１に基づく第１の冷却能力ＰＶ１で冷却される。本実施の形態において、第１の温度値ｓｔ１は、エッジ露光処理に必要な露光用光を安定して得るために維持すべき第１のケーシング６１０内の環境温度である。

図１２の例では、時点ｔ２は一のエッジ露光処理期間の終了時点を表す。また、時点ｔ２から時点ｔ４の期間が非処理期間に相当する。そのため、時点ｔ２から時点ｔ４では、基板Ｗのエッジ露光処理が行われない。この場合、エッジ露光部ＥＥＷは、図１の制御部１１４により省電力モードで制御される。時点ｔ２では、一のロットの最後の基板Ｗのエッジ露光処理が終了することにより、ランプ駆動部６４１から露光用光源６１２に供給される電流の値が第１の電流値ｉ１から第２の電流値ｉ２（例えば７Ａ）に切り替えられる。

時点ｔ２から時点ｔ４にかけて、露光用光源６１２にはランプ駆動部６４１から継続して第２の電流値ｉ２の電流が供給される。これにより、時点ｔ２から時点ｔ４にかけて、露光用光源６１２が第２の電流値ｉ２に基づく第２の電力ＰＷ２で駆動される。

第２の電流値ｉ２は、第１の電流値ｉ１よりも小さい。したがって、時点ｔ２から時点ｔ４までの露光用光源６１２の消費電力は、時点ｔ１から時点ｔ２までの露光用光源６１２の消費電力に比べて小さくなる。そのため、時点ｔ２から時点ｔ４までの露光用光源６１２の発熱量も、時点ｔ１から時点ｔ２までの露光用光源６１２の発熱量に比べて小さくなる。

時点ｔ２において、図１０のファン６４４の回転速度が調整されることにより、排気管６９０から第１の排気出力値ｊ１よりも小さく値０よりも大きい第２の排気出力値ｊ２で気体が排気される。時点ｔ２から時点ｔ４にかけて、排気管６９０から第２の排気出力値ｊ２で気体が排気される。これにより、露光用光源６１２が第１のケーシング６１０を介して第２の排気出力値ｊ２に基づく第２の冷却能力ＰＶ２で冷却される。第２の排気出力値ｊ２は、第１の排気出力値ｊ１よりも小さい。これにより、第２の冷却能力ＰＶ２は、第１の冷却能力ＰＶ１に比べて小さい。

上記のように、時点ｔ２から時点ｔ４までの非処理期間における露光用光源６１２の発熱量は、時点ｔ１から時点ｔ２までのエッジ露光処理期間における露光用光源６１２の発熱量に比べて小さくなる。そのため、非処理期間のファン６４４による冷却能力がエッジ露光処理期間におけるファン６４４による冷却能力と等しいと、非処理期間の第１のケーシング６１０内の温度が著しく低くなる。

そこで、本例では、第１のケーシング６１０内の温度が常温（例えば２５℃）よりも高く第１の温度値ｓｔ１よりも低い第２の温度値ｓｔ２に維持されるように、ファン６４４による露光用光源６１２の冷却能力が第１の冷却能力ＰＶ２よりも小さい第２の冷却能力ＰＶ２に調整される。

それにより、時点ｔ２から時点ｔ３にかけて第１のケーシング６１０内の温度の値が第１の温度値ｓｔ１から第２の温度値ｓｔ２まで緩やかに低下する。その後、時点ｔ３から時点ｔ４にかけて第１のケーシング６１０内の温度が第２の温度値ｓｔ２で維持される。

図１２の例では、時点ｔ４が移行期間の開始時点を表し、時点ｔ５が移行期間の終了時点でありかつ新たなロットのエッジ露光処理期間の開始時点を表す。時点ｔ４から時点ｔ５の期間が上述の移行期間に相当する。この場合、時点ｔ４から時点ｔ５にかけて、エッジ露光部ＥＥＷは、図１の制御部１１４により移行モードで制御される。また、時点ｔ５から時点ｔ６の期間がエッジ露光処理期間に相当する。この場合、時点ｔ５から時点ｔ６にかけて、エッジ露光部ＥＥＷは、図１の制御部１１４により通常モードで制御される。

時点ｔ４では、ランプ駆動部６４１から露光用光源６１２に供給される電流の値が第２の電流値ｉ２から第１の電流値ｉ１に切り替えられる。時点ｔ４から時点ｔ６にかけて、露光用光源６１２にはランプ駆動部６４１から継続して第１の電流値ｉ１の電流が供給される。これにより、露光用光源６１２が、再び第１の電力ＰＷ１で駆動される。そのため、時点ｔ４から時点ｔ６までの露光用光源６１２の発熱量が、時点ｔ２から時点ｔ４までの非処理期間における露光用光源６１２の発熱量に比べて大きくなる。

本実施の形態では、時点ｔ４から時点ｔ５までの移行期間中ファン６４４が駆動されない。この場合、排気出力値は０である。このときのファン６４４による冷却能力を第３の冷却能力ＰＶ３とすると、第３の冷却能力ＰＶ３は、第１の冷却能力ＰＶ１および第２の冷却能力ＰＶ２に比べて小さい。この場合、ファン６４４による冷却能力が著しく小さくなり、実質的に露光用光源６１２が冷却されない。

上記のように、移行期間における露光用光源６１２の発熱量は、非処理期間における露光用光源６１２の発熱量に比べて大きくなる。そのため、移行期間では、第１のケーシング６１０内の温度が、時点ｔ４から時点ｔ５にかけて第２の温度値ｓｔ２から第１の温度値ｓｔ１まで上昇する。

その後、時点ｔ５から時点ｔ６にかけて、排気管６９０から再び第１の排気出力値ｊ１で気体が排気される。この場合、第１のケーシング６１０内の温度が第１の温度値ｓｔ１を超えないように第１の排気出力値ｊ１に基づく第１の冷却能力ＰＶ１で第１のケーシング６１０内の露光用光源６１２が冷却される。その結果、第１のケーシング６１０内の温度が第１の温度値ｓｔ１で維持される。

移行期間の開始時点は、第１のケーシング６１０内の温度がエッジ露光処理期間中第１の温度値ｓｔ１で実質的に一定に維持されるように設定される。これにより、エッジ露光処理時に基板Ｗに照射される露光用光が安定する。したがって、精度よくエッジ露光処理を行うことができる。

本実施の形態において、例えば１のロットの一番目の未処理の基板Ｗには、図１のキャリア１１３からエッジ露光部ＥＥＷまで搬送される間に種々の処理（例えば、レジスト膜形成処理および熱処理等）が施される。そのため、移行期間の開始時点が、例えば１のロットの一番目の未処理の基板Ｗが図１のキャリア１１３から搬出される時点に設定された場合には、一番目の未処理の基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに到達するまでの間に、第１のケーシング６１０内の温度を第１の温度値ｓｔ１で一定に維持しておくことができる。これにより、一番目の未処理の基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷ内に搬入された時点で、始動時間を設けることなく露光用光源６１２をエッジ露光処理に用いることができる。

本実施の形態において、移行期間に露光用光源６１２に供給される電流の値は、第２の電流値ｉ２よりも大きく設定されるのであれば、第１の電流値ｉ１と等しくてもよいし、第１の電流値ｉ１と異なってもよい。

例えば、図１２の上段に、太い一点鎖線で示すように、移行期間に露光用光源６１２に供給される電流の値を第１の電流値ｉ１よりも大きい値ｉ０に設定することにより、露光用光源６１２に供給される電力が第１の電力ＰＷ１よりも大きくなる。これにより、露光用光源６１２の発熱量がさらに大きくなり、移行期間のさらなる短時間化が可能となる。

また、移行期間に露光用光源６１２に供給される電流の値は、第２の電流値ｉ２よりも大きく第１の電流値ｉ１よりも小さく設定してもよい。この場合においても、移行期間における露光用光源６１２の発熱量が非処理期間における露光用光源６１２の発熱量に比べて大きくなる。それにより、露光用光源６１２を第２の温度値ｓｔ２から第１の温度値ｓｔ１まで上昇させることができる。

（８）本実施の形態の効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、非処理期間（図１２の時点ｔ２〜時点ｔ４）に露光用光源６１２に供給される第２の電力ＰＷ２がエッジ露光処理期間および移行期間中（図１２の時点ｔ１〜時点ｔ２および時点ｔ４〜時点ｔ６）に露光用光源６１２に供給される第２の電力ＰＷ２に比べて小さくなるように、ランプ駆動部６４１が制御される。これにより、非処理期間中に、エッジ露光部ＥＥＷにおける消費電力が低減される。

また、非処理期間（図１２の時点ｔ２〜時点ｔ４）に第１のケーシング６１０内の温度が常温（例えば２５℃）よりも高く第１の温度値ｓｔ１よりも低い第２の温度に維持されるように、ファン６４４による第１のケーシング６１０の冷却能力が調整される。これにより、非処理期間中に露光用光源６１２が過剰に冷却されることが防止される。したがって、新たなエッジ露光処理期間が開始される場合に、短い移行期間で第１のケーシング６１０内の温度を第１の温度値ｓｔ１まで上昇させることができる。その結果、基板処理装置１００の処理効率の低下が十分に抑制される。

図１２の例では、移行期間の開始時点ｔ４から一定期間経過後の時点ｔ５にかけて、排気管６９０から排気される気体の排気出力が０となる。これにより、新たなエッジ露光処理期間が開始される場合に、より短い移行期間で第１のケーシング６１０内の温度を第１の温度値ｓｔ１まで上昇させることができる。その結果、基板処理装置１００の処理効率の低下がさらに十分に抑制される。

上記では、一のロットの基板Ｗに主としてレジスト膜形成処理、レジストカバー膜形成処理、エッジ露光処理、洗浄乾燥処理、現像処理および熱処理を含む一連の処理が施される。これに限らず、一のロットの基板Ｗにエッジ露光処理のみが施される場合がある。このような場合でも、上記のように移行期間中のファン６４４による冷却能力を十分に小さくすることにより、移行期間を十分に短くすることができる。それにより、移行期間の開始時点を新たなロットの一番目の基板Ｗが図１のキャリア１１３からエッジ露光部ＥＥＷまで搬送される期間内に設定することが可能となる。

上記のように、露光用光源６１２は、基板処理装置１００が稼働状態にある間消灯しない。したがって、露光用光源６１２として高圧水銀キセノンランプが用いられる場合には、高圧水銀キセノンランプの点灯および消灯の切り替え回数が低減される。それにより、点灯および消灯の切り替えに起因する高圧水銀キセノンランプの短寿命化が抑制される。その結果、露光用光源６１２の交換頻度が低くなり、ランニングコストの上昇が抑制される。

（９）他の実施の形態
（９−１）エッジ露光処理期間は、一のロットの一番目の基板Ｗのエッジ露光処理が行われる時点から、一のロットの最後の基板Ｗのエッジ露光処理の終了後一定期間（例えば１５分）経過後までの期間であってもよい。

この場合、一のロットの全ての基板Ｗのエッジ露光処理が終了する時点から一定期間内に新たなロットのエッジ露光処理が開始された場合に、露光用光源６１２に供給される電力を調整する必要がなくなる。

（９−２）一のロットの基板Ｗにエッジ露光処理が行われない場合がある。この場合、第２の電力ＰＷ２で露光用光源６１２が駆動される。これにより、露光用光源６１２の消費電力を低減することができる。

（９−３）上記実施の形態では、エッジ露光部ＥＥＷの露光用光源６１２に供給する電流が調整されることにより、露光用光源６１２に供給される電力が調整される。露光装置１５においても、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜を所定のパターンで露光するための光源が用いられる。そのため、上記実施の形態と同様に、露光装置１５の光源に供給する電流を調整することにより、露光装置１５の光源に供給する電力を調整してもよい。この場合、露光装置１５における低消費電力化が実現されるとともに露光装置１５による基板Ｗの処理効率の低下が抑制される。

基板Ｗに紫外線を照射することによりベーキングを行う処理部（以下、ＵＶキュア処理部と呼ぶ。）がある。ＵＶキュア処理部には、上記のエッジ露光部ＥＥＷと同様に、基板Ｗに紫外線を照射するための光源が設けられる。

例えば基板処理装置１００に、ＵＶキュア処理部が設けられてもよい。また、上記実施の形態と同様に、ＵＶキュア処理部の光源に供給する電流を調整することにより、ＵＶキュア処理部の光源に供給する電力を調整してもよい。この場合においても、基板処理装置１００における低消費電力化が実現されるとともに基板処理装置１００による基板Ｗの処理効率の低下が抑制される。

（９−４）図１０の第１のケーシング６１０内に温度センサを設けてもよい。この場合、温度センサにより検出される第１のケーシング６１０内の温度に基づいて露光用光源６１２に供給する電力を調整してもよい。または、温度センサにより検出される第１のケーシング６１０内の温度に基づいてファン６４４による第１のケーシング６１０の冷却能力を調整してもよい。これにより、露光用光源６１２の温度およびその周辺の温度環境をより正確に調整することができる。

（９−５）露光用光源６１２としては、上記の高圧水銀キセノンランプに代えて、高圧水銀ランプ等の他の放電ランプを用いてもよい。または、高出力で紫外線領域（例えば１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下）の波長の光を発生することができる半導体レーザまたはＬＥＤ（発光ダイオード）を用いてもよい。この場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。

（９−６）上記実施の形態では、露光用光源６１２を冷却するためにファン６４４が用いられる。これに限らず、例えば排気系用力設備が気体の吸引機能を有する場合には、排気管６９０の内部に排気量を制御するためのダンパ等を設けてもよい。この場合、ダンパの開度を調整することにより、第１のケーシング６１０の冷却能力を調整してもよい。

（９−７）上記実施の形態では、塗布処理室３２，３４において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されるが、塗布処理室２１，２３において、耐水性を有するレジスト膜が形成される場合には、塗布処理室３２，３４において、レジストカバー膜が形成されなくてもよい。

その場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの表面状態としてレジスト膜の状態が検査される。

なお、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されない場合には、塗布処理室３２，３４が設けられなくてもよく、または、塗布処理室３２，３４において、レジスト膜の形成または現像処理等の他の処理が行われてもよい。

（９−８）上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として用いられるが、これに限らず、液体を用いずに基板Ｗの露光処置を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として用いられてもよい。

（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、露光用光が光の例であり、エッジ露光処理および基板Ｗに紫外線を照射することによりベーキングを行う処理が光照射処理の例であり、エッジ露光部ＥＥＷ、露光装置１５およびＵＶキュア処理部が光照射装置の例である。

また、露光用光源６１２が光源の例であり、ランプ駆動部６４１が電力供給部の例であり、エッジ露光処理期間に露光用光源６１２に供給される第１の電力ＰＷ１が第１の電力の例であり、非処理期間に露光用光源６１２に供給される第２の電力ＰＷ２が第２の電力の例であり、移行期間に露光用光源６１２に供給される第１の電力ＰＷ１が第３の電力の例であり、図１の制御部１１４が制御部の例である。

さらに、エッジ露光処理期間が照射処理期間の例であり、非処理期間が非処理期間の例であり、ファン駆動部６４２、ファンモータ６４３およびファン６４４、ならびに排気管６９０の内部に設けられるダンパ等が冷却装置の例である。

また、第１の冷却能力ＰＶ１が第１の冷却能力の例であり、第２の冷却能力ＰＶ２が第２の冷却能力の例であり、移行期間が移行期間の例であり、第３の冷却能力ＰＶ３が第３の冷却能力の例であり、塗布処理室２１，２３が感光性膜形成ユニットの例であり、エッジ露光部ＥＥＷが光照射装置の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

２１，２３ 塗布処理室
１００ 基板処理装置
１１４ 制御部
６１２ 露光用光源
６４１ ランプ駆動部
６４２ ファン駆動部
６４３ ファンモータ
６４４ ファン
６９０ 排気管
ＥＥＷ エッジ露光部
ＰＶ１ 第１の冷却能力
ＰＶ２ 第２の冷却能力
ＰＶ３ 第３の冷却能力
ＰＷ１ 第１の電力
ＰＷ２ 第２の電力
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板に光を照射する照射処理を行う光照射装置であって、
   基板に照射処理を行うための光を発生する光源と、
   前記光源に電力を供給する電力供給部と、
   基板に照射処理を行う照射処理期間に第１の電力が前記光源に供給されるように前記電力供給部を制御し、前記照射処理期間を除く非処理期間に前記第１の電力よりも小さい第２の電力が前記光源に供給されるように前記電力供給部を制御する制御部とを備えることを特徴とする光照射装置。
2. 前記光源を冷却するための冷却装置をさらに備え、
   前記制御部は、前記照射処理期間に前記冷却装置を第１の冷却能力で動作させ、前記非処理期間に前記冷却装置を前記第１の冷却能力よりも低い第２の冷却能力で動作させることを特徴とする請求項１記載の光照射装置。
3. 前記制御部は、前記非処理期間から前記照射処理期間へ移行するための移行期間に前記第２の電力よりも大きい第３の電力が前記光源に供給されるように前記電力供給部を制御するとともに、前記冷却装置を前記第２の冷却能力よりも低い第３の冷却能力で動作させることを特徴とする請求項２記載の光照射装置。
4. 前記照射処理期間は、少なくとも一つのロットの複数の基板に照射処理が行なわれる期間を含み、
   前記照射処理期間に前記光源の温度または光源の周囲の温度が実質的に一定に維持されるように、前記移行期間の開始時点が設定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光照射装置。
5. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
   前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜形成後の基板に照射処理として露光処理を行う請求項１〜４のいずれかに記載の光照射装置とを備えることを特徴とする基板処理装置。
6. 前記光照射装置は、基板上に形成された感光性膜の周縁部を露光するように構成されたことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
7. 基板に照射処理を行うための光を発生する光源を含む光照射装置の制御方法であって、
   基板に照射処理を行う照射処理期間に第１の電力が前記光源に供給されるように電力供給部を制御するステップと、
   前記照射処理期間を除く非処理期間に前記第１の電力よりも小さい第２の電力が前記光源に供給されるように前記電力供給部を制御するステップとを備えたことを特徴とする光照射装置の制御方法。
8. 前記照射処理期間に前記光源を冷却する冷却装置を第１の冷却能力で動作させるステップと、
   前記非処理期間に前記冷却装置を前記第１の冷却能力よりも低い第２の冷却能力で動作させるステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項７記載の光照射装置の制御方法。
9. 前記非処理期間から前記照射処理期間へ移行するための移行期間に前記第２の電力よりも大きい第３の電力が前記光源に供給されるように前記電力供給部を制御するステップと、
   前記移行期間に前記冷却装置を前記第２の冷却能力よりも低い第３の冷却能力で動作させるステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項８記載の光照射装置の制御方法。

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