JP2013077627A - エピタキシャルウエーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 チャンバー内にウエーハを載置するサセプタを具備し、チャンバー内を気相エッチングによりクリーニングするコールドウォールタイプの気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、
前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記チャンバー及び前記サセプタを気相エッチングによりクリーニングし、
該クリーニングされたチャンバー内で、前記ウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。
【選択図】 なし
Description
前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記チャンバー及び前記サセプタを気相エッチングによりクリーニングし、
該クリーニングされたチャンバー内で、前記サセプタ上に載置されたウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
図1に示す枚様式の気相成長装置を準備した。加熱装置でサセプタを700℃から1200℃まで加熱し、加熱されたサセプタを1200℃で保持して、ウエーハ載置面をチャンバー内壁に近づけ、チャンバー内壁の温度を上昇させた。図2にチャンバー内壁の温度変化をパイロメータで測温した結果を示す。図2の横軸は後述する比較例のチャンバー内壁が580℃となるまでの時間を1として、経過時間を示したものである。
図1の枚様式の気相成長装置を準備した。サセプタを移動させずに通常用いられるヒーターでチャンバー内の温度を上昇させた。図2にチャンバー内壁の温度変化をパイロメータで測温した結果を示す。
Claims (4)
- チャンバー内にウエーハを載置するサセプタを具備し、チャンバー内を気相エッチングによりクリーニングするコールドウォールタイプの気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、
前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記チャンバー及び前記サセプタを気相エッチングによりクリーニングし、
該クリーニングされたチャンバー内で、前記サセプタ上に載置されたウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを1100℃以上に加熱することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、前記チャンバー内壁の温度を580℃以上に上昇させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記クリーニング時に、前記チャンバーにHClガスを流して前記サセプタ及び前記チャンバーを気相エッチングによりクリーニングすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
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