JP2013062292A - Multilayer wiring board and manufacturing method of the same - Google Patents

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Toshinori Hida
敏徳 肥田
Ichiei Higo
一詠 肥後
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board which makes cracks less likely to be caused in a resin insulation layer and is excellent in reliability.SOLUTION: A multilayer wiring board includes: a board body; an inner layer wiring pattern 28; a lower layer side resin insulation layer 16; and an upper layer side resin insulation layer 30. The inner layer wiring pattern 28 extends along the surface direction of the board body. The lower layer side resin insulation layer 16 contacts with the bottom surface 44 side of the inner layer wiring pattern 28. The upper layer side resin insulation layer 30 is located adjacent to the lower layer side resin insulation layer 16 and contacts with an upper surface 43 side of the inner layer wiring pattern 28. The inner layer wiring pattern 28 is buried in both the lower layer side resin insulation layer 16 and the upper layer side resin insulation layer 30. The largest width part 54 of a cross section surface, when viewed in the lamination direction of the inner layer wiring pattern 28, is disposed at a position between a pattern upper end 51 and a pattern lower end 52.

Description

本発明は、多層配線基板及びその製造方法に係り、特にはめっき層からなる微細な内層配線パターンを隣接する樹脂絶縁層間に配置した構造の多層配線基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same, and more particularly to a multilayer wiring board having a structure in which a fine inner layer wiring pattern made of a plating layer is disposed between adjacent resin insulating layers and a method for manufacturing the same.

近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されている。このような高密度実装化を達成するにあたり、ICチップを搭載するための配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、スルーホール部などを設けたコア基板の片面または両面に、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層形成したビルドアップ層を備える多層配線基板(いわゆるビルドアップ多層配線基板)がよく知られている。   In recent years, with the miniaturization and high performance of electronic devices, high-density mounting of electronic components is required. In achieving such high-density mounting, a multilayer circuit board technology for mounting an IC chip is regarded as important. As a concrete example using the multilayer technology, a multilayer wiring board (so-called build-up) having a build-up layer in which a resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated on one side or both sides of a core board provided with a through-hole portion or the like. Multilayer wiring boards) are well known.

従来、このような微細な内層配線パターンの形成は、主としてセミアディティブ法により行われている。セミアディティブ法では、下層の樹脂絶縁層に対するビア穴形成、樹脂絶縁層表面の全体に対する無電解銅めっき、めっきレジストの形成、電解銅めっき、不要なめっきレジスト及び無電解銅めっき層の除去を順次行うというプロセスを採用している(例えば、特許文献1参照)。この結果、下層の樹脂絶縁層の上に銅めっき層からなる内層配線パターンが形成される。   Conventionally, formation of such a fine inner layer wiring pattern is mainly performed by a semi-additive method. In the semi-additive method, via holes are formed in the lower resin insulation layer, electroless copper plating is applied to the entire surface of the resin insulation layer, plating resist is formed, electrolytic copper plating, unnecessary plating resist, and removal of the electroless copper plating layer are sequentially performed. The process of performing is employ | adopted (for example, refer patent document 1). As a result, an inner layer wiring pattern made of a copper plating layer is formed on the lower resin insulating layer.

これとは別に、最近ではトレンチフィリング法と呼ばれる手法が提案されている(例えば、特許文献2〜4参照)。トレンチフィリング法では、下層の樹脂絶縁層に対する溝(トレンチ)の形成、無電解銅めっきによる溝埋め、溝から突出する余剰の銅めっきの除去を順次行うというプロセスを採用している。この結果、溝内に埋められた銅めっきからなる内層配線パターンが形成される。   Apart from this, recently, a technique called a trench filling method has been proposed (see, for example, Patent Documents 2 to 4). In the trench filling method, a process of sequentially forming a groove (trench) in a lower resin insulating layer, filling a groove by electroless copper plating, and removing excess copper plating protruding from the groove is employed. As a result, an inner layer wiring pattern made of copper plating buried in the groove is formed.

特開2000−188460号公報JP 2000-188460 A 特開平11−87276号公報JP-A-11-87276 特開2007−84891号公報JP 2007-84891 A 特開2009−132982号公報JP 2009-132982 A

ところで、セミアディティブ法により形成される内層配線パターンは、通常、積層方向切断面が長方形状になる。また、めっきレジストの配線描画の手法や条件によっては、テーパを有する逆台形状の切断面になることがある。さらに、めっきレジスト除去後のエッチング条件によっては、半楕円形状や三角形状の切断面になることもある。一方、トレンチフィリング法では、配線描画時の溝の形状に依存するが、通常はレーザで描画を行うため、テーパを有する逆台形状の切断面になる。また、レーザ照射条件によっては、テーパのない長方形状の切断面になる。   By the way, the inner layer wiring pattern formed by the semi-additive method usually has a rectangular cut surface in the stacking direction. In addition, depending on the method and conditions for wiring drawing of the plating resist, there may be a reverse trapezoidal cut surface having a taper. Furthermore, depending on the etching conditions after removing the plating resist, the cut surface may be a semi-elliptical or triangular shape. On the other hand, in the trench filling method, although depending on the shape of the groove at the time of wiring drawing, since drawing is usually performed with a laser, a cut surface having an inverted trapezoidal shape having a taper is obtained. Further, depending on the laser irradiation conditions, a rectangular cut surface without a taper is obtained.

以上のように、上記従来技術の多層配線基板では、いずれにしても内層配線パターンの積層方向切断面においてパターン上端あるいはパターン下端が、最も幅の大きい部位となる。このため、内層配線パターンの積層方向切断面には、直角や鋭角の箇所が存在する。それゆえ、このような直角や鋭角の箇所が楔のような役割を果たし、そこを起点として樹脂絶縁層にクラックが発生しやすい。従って、多層配線基板に十分な信頼性を付与することができない。特にセミアディティブ法の場合、樹脂絶縁層が内層配線パターンの凹凸を埋める役割を果たすことから、積層方向切断面に直角や鋭角を含んでいると、樹脂絶縁層がそこで局所的に大きく曲げられる。このこともクラック発生の原因となっている。   As described above, in the conventional multilayer wiring board, in any case, the upper end of the pattern or the lower end of the pattern is the widest portion on the cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring pattern. For this reason, there are right-angled and acute-angled portions on the cut surface in the stacking direction of the inner wiring pattern. Therefore, such right-angled or acute-angled portions play a role like a wedge, and cracks are likely to occur in the resin insulating layer starting from there. Therefore, sufficient reliability cannot be imparted to the multilayer wiring board. In particular, in the case of the semi-additive method, since the resin insulating layer plays a role of filling the unevenness of the inner wiring pattern, if the cutting surface in the stacking direction includes a right angle or an acute angle, the resin insulating layer is locally bent greatly. This also causes cracks.

従来においては、クラックが発生しやすいパターン切断面形状であっても、例えば柔軟性の高い樹脂絶縁材料を使用する等の対策を打つことにより、多層配線基板に信頼性を付与している。しかしながら、将来的には、低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層に移行する可能性がある。このような場合、低熱膨張性と高信頼性との両立が困難になることが予想される。   Conventionally, even if it is a pattern cut surface shape in which cracks are likely to occur, reliability is imparted to the multilayer wiring board by taking measures such as using a highly flexible resin insulating material. However, in the future, there is a possibility of shifting to a resin insulating layer having a hard and brittle property in order to pursue low thermal expansion. In such a case, it is expected that it is difficult to achieve both low thermal expansion and high reliability.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂絶縁層にクラックが発生しにくくて信頼性に優れた多層配線基板を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board that is less prone to cracks in a resin insulating layer and has excellent reliability.

そして上記課題を解決するための手段(手段1)としては、複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体と、前記基板本体の面方向に沿って延びる内層配線パターンと、前記内層配線パターンの底面側に接する下層側樹脂絶縁層と、前記下層側樹脂絶縁層に隣接しかつ前記内層配線パターンの上面側に接する上層側樹脂絶縁層とを備え、前記内層配線パターンが前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっている多層配線基板において、前記内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位がパターン上端とパターン下端との間の位置に配置されていることを特徴とする多層配線基板がある。   As means for solving the above problems (means 1), a plurality of resin insulation layers are laminated, a substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface, and an inner layer wiring extending along the surface direction of the substrate body A lower layer side resin insulation layer in contact with the bottom surface side of the inner layer wiring pattern, and an upper layer side resin insulation layer adjacent to the lower layer side resin insulation layer and in contact with the upper surface side of the inner layer wiring pattern. In a multilayer wiring board in which a pattern is embedded in both the lower resin insulating layer and the upper resin insulating layer, the maximum width portion on the cut surface in the stacking direction of the inner wiring pattern is between the pattern upper end and the pattern lower end. There is a multilayer wiring board characterized by being arranged at the position of

従って、上記手段に係る発明によると、内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位が、パターン上端やパターン下端の位置ではなく、それらの間の位置に配置されている。そのため、パターン上端やパターン下端に直角や鋭角の箇所が存在しなくなり、その代わりにクラック発生の起点になりにくい鈍角の箇所が存在した状態となる。よって、樹脂絶縁層におけるクラックの発生が抑制され、多層配線基板に十分な信頼性を向上することができる。また、この発明によると、例えば低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層を採用したときであっても、クラックの発生が阻止されることから、低熱膨張性と高信頼性との両立を図ることが可能となる。   Therefore, according to the invention according to the above means, the maximum width portion of the inner-layer wiring pattern on the cut surface in the stacking direction is arranged not at the upper end of the pattern or at the lower end of the pattern but at a position between them. For this reason, there are no right-angle or acute-angle portions at the upper end or lower end of the pattern, and instead, there is an obtuse-angle portion that is unlikely to be a starting point of crack generation. Therefore, the generation of cracks in the resin insulating layer is suppressed, and the reliability sufficient for the multilayer wiring board can be improved. In addition, according to the present invention, for example, even when a resin insulating layer having a hard and brittle property is employed in order to pursue low thermal expansion, the generation of cracks is prevented, so that low thermal expansion and high reliability are achieved. It is possible to achieve compatibility with sex.

多層配線基板において基板本体を構成する複数の樹脂絶縁層は、例えば熱硬化性を有する樹脂などを用いて形成される。熱硬化性樹脂の好適例としては、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイミド−トリアジン樹脂)、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、EP樹脂、PI樹脂、BT樹脂を選択することが好ましい。例えば、エポキシ樹脂としては、いわゆるBP(ビスフェノール)型、PN(フェノールノボラック)型、CN(クレゾールノボラック)型のものを用いることがよい。特には、BP型を主体とするものがよく、BPA(ビスフェノールA)型やBPF(ビスフェノールF)型が最もよい。なお、複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を有する樹脂などを用いて形成されてもよい。   In the multilayer wiring board, the plurality of resin insulating layers constituting the substrate body are formed using, for example, a thermosetting resin. Preferable examples of the thermosetting resin include EP resin (epoxy resin), PI resin (polyimide resin), BT resin (bismaleimide-triazine resin), phenol resin, xylene resin, polyester resin, silicon resin and the like. . Among these, it is preferable to select an EP resin, a PI resin, or a BT resin. For example, as the epoxy resin, a so-called BP (bisphenol) type, PN (phenol novolac) type, or CN (cresol novolac) type may be used. In particular, BP type is mainly used, and BPA (bisphenol A) type and BPF (bisphenol F) type are the best. Note that the plurality of resin insulating layers may be formed using a photocurable resin or the like.

隣接する複数の樹脂絶縁層間には、内層配線パターンが挟まれるようにして配置される。内層配線パターンの上面側にて接する上層側樹脂絶縁層及び底面側にて接する下層側樹脂絶縁層は、同種の樹脂を用いて形成されたものであってもよく、あるいは異種の樹脂を用いて形成されたものであってもよい。下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の好適例としては、例えば、熱膨張係数(CTE)が低い(例えば50ppm/℃以下の)ものであってかつ熱硬化性を有する同種の樹脂を用いて形成されたものが挙げられる。また、内層配線パターンは最大幅が20μm以下の微細パターン、特には最大幅が10μm以下の微細パターンであることがよい。   An inner layer wiring pattern is disposed between a plurality of adjacent resin insulation layers. The upper resin insulating layer in contact with the upper surface side of the inner wiring pattern and the lower resin insulating layer in contact with the bottom surface side may be formed using the same type of resin, or using different types of resins. It may be formed. As a suitable example of the lower layer side resin insulation layer and the upper layer side resin insulation layer, for example, the same kind of resin having a low coefficient of thermal expansion (CTE) (for example, 50 ppm / ° C. or less) and having thermosetting properties is used. Are formed. The inner layer wiring pattern is preferably a fine pattern having a maximum width of 20 μm or less, particularly a fine pattern having a maximum width of 10 μm or less.

内層配線パターンは、基板本体の面方向に沿って延びており、導電材料を用いて形成されている。導電材料の好適例としては例えばめっき材等がある。めっき材は特に限定されないが、銅めっき、ニッケルめっき、金めっき、銀めっき、アルミニウムめっき、すずめっき、コバルトめっき、チタンめっきなどを採用することができる。導電性、コスト性、加工性などを勘案すると、内層配線パターンは銅めっき材からなることが好ましく、特に無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成してなる構造であることがより好ましい。   The inner layer wiring pattern extends along the surface direction of the substrate body, and is formed using a conductive material. Preferable examples of the conductive material include a plating material. The plating material is not particularly limited, and copper plating, nickel plating, gold plating, silver plating, aluminum plating, tin plating, cobalt plating, titanium plating, and the like can be employed. Considering conductivity, cost, workability, etc., the inner wiring pattern is preferably made of a copper plating material, and more preferably a structure in which an electrolytic copper plating layer is formed on an electroless copper plating layer. .

内層配線パターンを積層方向に切断した場合、その切断面における最大幅部位は、パターン上端とパターン下端との間の位置に配置されている。つまり、パターン上端やパターン下端に最大幅部位は配置されていない。なお、パターン上端の幅及びパターン下端の幅の大小関係については特に限定されない。従って、前者が後者より大きくてもよく、後者が前者より大きくてもよく、あるいは両者が等しくてもよい。   When the inner layer wiring pattern is cut in the stacking direction, the maximum width portion on the cut surface is disposed at a position between the pattern upper end and the pattern lower end. That is, the maximum width portion is not arranged at the upper end of the pattern or the lower end of the pattern. The magnitude relationship between the width at the upper end of the pattern and the width at the lower end of the pattern is not particularly limited. Therefore, the former may be larger than the latter, the latter may be larger than the former, or both may be equal.

ここで、最大幅部位は、パターン上端とパターン下端との間であれば任意の位置に配置され、例えば、下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と同一の平面内に配置される。なお、最大幅部位は、上記仮想平面と、パターン上端との間の位置に配置されてもよい。   Here, the maximum width portion is arranged at an arbitrary position between the upper end of the pattern and the lower end of the pattern, for example, the same as the virtual plane formed at the boundary between the lower resin insulating layer and the upper resin insulating layer. Arranged in a plane. The maximum width portion may be arranged at a position between the virtual plane and the upper end of the pattern.

例えば、最大幅部位の大きさ(幅)は、パターン上端及びパターン下端のうち幅が相対的に大きいものの1.1倍以上1.5倍以下とすることが好適である。その理由は、1.1倍未満であると、パターン上端に直角や鋭角の箇所が生じやすくなるからである。逆に、1.5倍超であると、最大幅部位に直角や鋭角の箇所が生じる可能性があるからである。   For example, the size (width) of the maximum width portion is preferably 1.1 times or more and 1.5 times or less that of the pattern upper end and pattern lower end having a relatively large width. The reason is that if it is less than 1.1 times, a right-angled or acute-angled portion tends to occur at the upper end of the pattern. Conversely, if it exceeds 1.5 times, there is a possibility that a right-angle or acute-angle portion may occur in the maximum width portion.

内層配線パターンの積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状を有していることが好ましく、言い換えると切断面における全ての角が鈍角であることが好ましい。この構成であると、切断面における全ての角がクラック発生の起点になりにくいものとなり、樹脂絶縁層におけるクラックの発生を効果的に抑制することができるからである。また、鋭角、直角及び鈍角を問わず、切断面における角の部分は丸みを帯びていることが好ましい。この場合にも、角がクラック発生の起点になりにくいものとなる。なお、最も好ましいのは、切断面における角の部分が、丸みを帯びた鈍角となっていることである。   The cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring pattern preferably has a shape that does not have an acute angle or a right angle. In other words, all the angles in the cut surface are preferably obtuse. This is because all the corners on the cut surface are less likely to be the starting point of crack generation, and the generation of cracks in the resin insulating layer can be effectively suppressed. Moreover, it is preferable that the corner | angular part in a cut surface is round regardless of an acute angle, a right angle, and an obtuse angle. Also in this case, the corners are unlikely to become the starting point of cracks. Most preferably, the corner portion of the cut surface has a rounded obtuse angle.

内層配線パターンの積層方向切断面において、最大幅部位の幅とパターン上端の幅との比は限定されないが、例えば10:1〜10:9の範囲内に設定されることがよい。また、内層配線パターンの積層方向切断面において、最大幅部位の幅とパターン下端の幅との比も同様に限定されないが、例えば10:5〜10:9の範囲内に設定されることがよい。幅の比がこれらの好適範囲内であると、切断面における角がクラック発生の起点になりにくいものとなる。   On the cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring pattern, the ratio between the width of the maximum width portion and the width of the upper end of the pattern is not limited, but may be set within a range of 10: 1 to 10: 9, for example. Further, the ratio of the width of the maximum width portion to the width of the lower end of the pattern is not limited in the cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring pattern, but it may be set within a range of 10: 5 to 10: 9, for example. . When the ratio of the widths is within these preferable ranges, the corners at the cut surface are unlikely to become the starting point of crack generation.

内層配線パターンは、下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっていることがよい。この構成の場合、内層配線パターンが微細なものであっても横倒れや剥がれが起こりにくくなり、樹脂絶縁層との間に十分な密着性を付与することができる。内層配線パターンにおいて、上層側樹脂絶縁層に埋まっている部分を上面側導体部分とし、下層側樹脂絶縁層に埋まっている部分を底面側導体部分とする。この場合、上面側導体部分の高さと底面側導体部分の高さとの比は限定されないが、例えば1:9〜8:2の範囲内に設定される。高さの比がこのような好適範囲内であれば、内層配線パターンとその上下両側の樹脂絶縁層に対する密着状態を確実に維持することができる。なお、底面側導体部分の高さは、具体的には5μm以上であることがよい。   The inner wiring pattern is preferably embedded in both the lower resin insulating layer and the upper resin insulating layer. In the case of this configuration, even if the inner layer wiring pattern is fine, it does not easily fall down or peel off, and sufficient adhesion can be imparted to the resin insulating layer. In the inner layer wiring pattern, a portion embedded in the upper resin insulating layer is defined as a top surface conductor portion, and a portion embedded in the lower resin insulating layer is defined as a bottom surface conductor portion. In this case, the ratio of the height of the upper surface side conductor portion and the height of the bottom surface side conductor portion is not limited, but is set within a range of, for example, 1: 9 to 8: 2. If the ratio of the height is within such a preferable range, it is possible to reliably maintain the close contact state between the inner wiring pattern and the upper and lower resin insulating layers. Specifically, the height of the bottom-side conductor portion is preferably 5 μm or more.

そして上記課題を解決するための別の手段(手段2)としては、手段1に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成する溝形成工程と、前記溝内に充填されるとともに、前記溝よりも上方に隆起してなる導電部を形成する導電部形成工程と、前記導電部の余剰部分を除去して形状を調整し、前記内層配線パターンを形成する形状調整工程と、前記下層側樹脂絶縁層上に前記上層側樹脂絶縁層を形成し、前記下層側樹脂絶縁層と前記上層側樹脂絶縁層との間に前記内層配線パターンを埋め込む埋設工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。   As another means (means 2) for solving the above-mentioned problem, the multilayer wiring board manufacturing method according to means 1, wherein a groove for forming an inner layer wiring pattern is formed in the lower layer side resin insulation layer. A groove forming step, a conductive portion forming step for forming a conductive portion that fills the groove and protrudes above the groove, and adjusts the shape by removing an excess portion of the conductive portion; The shape adjustment step for forming the inner layer wiring pattern, the upper layer side resin insulating layer is formed on the lower layer side resin insulating layer, and the inner layer wiring is provided between the lower layer side resin insulating layer and the upper layer side resin insulating layer. There is a method for manufacturing a multilayer wiring board including a step of embedding a pattern.

従って、上記手段に係る発明によると、溝形成工程にて下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成した後、導電部形成工程にて溝内に導電部が充填形成される。続く形状調整工程にて導電部の余剰部分、即ちパターン上端における直角や鋭角の箇所を除去して形状を調整することにより、好適な切断面形状の内層配線パターンが形成される。このような内層配線パターンを下層側樹脂絶縁層と上層側樹脂絶縁層との間に埋め込んだ多層配線基板では、樹脂絶縁層にクラックが発生しにくくて信頼性に優れたものとなる。   Therefore, according to the invention relating to the above means, after forming the groove for forming the inner layer wiring pattern in the lower resin insulating layer in the groove forming step, the conductive portion is filled and formed in the groove in the conductive portion forming step. In the subsequent shape adjustment step, the inner portion wiring pattern having a suitable cut surface shape is formed by adjusting the shape by removing the surplus portion of the conductive portion, that is, the right-angle or acute-angle portion at the upper end of the pattern. In the multilayer wiring board in which such an inner layer wiring pattern is embedded between the lower resin insulating layer and the upper resin insulating layer, the resin insulating layer is hardly cracked and has excellent reliability.

本発明を具体化した実施形態のビルドアップ多層配線基板を示す概略断面図。1 is a schematic sectional view showing a build-up multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention. 同じく多層配線基板における内層配線パターンを示す拡大断面図。The expanded sectional view which similarly shows the inner layer wiring pattern in a multilayer wiring board. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための概略断面図。The schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。The principal part schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of a multilayer wiring board similarly. 別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。The expanded sectional view which shows the inner layer wiring pattern of another embodiment. 別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。The expanded sectional view which shows the inner layer wiring pattern of another embodiment. 別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。The expanded sectional view which shows the inner layer wiring pattern of another embodiment. 別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。The expanded sectional view which shows the inner layer wiring pattern of another embodiment.

以下、本発明を具体化した一実施形態の多層配線基板K1を図1〜図14に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, a multilayer wiring board K1 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

図1に示されるように、本実施形態の多層配線基板K1は、表裏両面にビルドアップ層BU1,BU2を有する、いわゆるビルドアップ多層配線基板である。この多層配線基板K1は、基板主面32a及び基板裏面33aを有する基板本体20を備えている。基板本体20の一部をなすコア基板1は、表面2及び裏面3を有する平板状を呈している。コア基板1の表面2側には樹脂絶縁層12が形成され、裏面3側には樹脂絶縁層13が形成されている。   As shown in FIG. 1, the multilayer wiring board K1 of the present embodiment is a so-called buildup multilayer wiring board having buildup layers BU1 and BU2 on both front and back surfaces. The multilayer wiring board K1 includes a substrate body 20 having a substrate main surface 32a and a substrate back surface 33a. The core substrate 1 that forms part of the substrate body 20 has a flat plate shape having a front surface 2 and a back surface 3. A resin insulating layer 12 is formed on the front surface 2 side of the core substrate 1, and a resin insulating layer 13 is formed on the back surface 3 side.

コア基板1の表面2側に配置されたビルドアップ層BU1は、樹脂絶縁層16,30と、導体層(内層配線パターン10,28,外層配線パターン34)とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層12にはビアホール形成用孔12aが形成され、その内部には内層配線パターン10とコア基板側導体層4とを導通させるフィルドビア導体14が形成されている。樹脂絶縁層16にはビアホール形成用孔18が形成され、その内部には内層配線パターン10,28間を導通させるフィルドビア導体26が形成されている。   The build-up layer BU1 disposed on the surface 2 side of the core substrate 1 has a structure in which resin insulating layers 16 and 30 and conductor layers (inner layer wiring patterns 10 and 28, outer layer wiring pattern 34) are alternately stacked. ing. A via hole forming hole 12 a is formed in the resin insulating layer 12, and a filled via conductor 14 that connects the inner wiring pattern 10 and the core substrate side conductor layer 4 is formed therein. A via hole forming hole 18 is formed in the resin insulating layer 16, and a filled via conductor 26 is formed in the resin insulating layer 16 to conduct between the inner layer wiring patterns 10 and 28.

コア基板1の裏面3側に配置されたビルドアップ層BU2は、樹脂絶縁層17,31と、導体層(内層配線パターン11,29,外層配線パターン35)とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層13にはビアホール形成用孔13aが形成され、その内部には内層配線パターン11とコア基板側導体層5とを導通させるフィルドビア導体15が形成されている。樹脂絶縁層17にはビアホール形成用孔19が形成され、その内部には内層配線パターン11,29間を導通させるフィルドビア導体27が形成されている。   The build-up layer BU2 disposed on the back surface 3 side of the core substrate 1 has a structure in which resin insulating layers 17 and 31 and conductor layers (inner layer wiring patterns 11 and 29, outer layer wiring pattern 35) are alternately stacked. ing. A via-hole forming hole 13 a is formed in the resin insulating layer 13, and a filled via conductor 15 that connects the inner wiring pattern 11 and the core substrate side conductor layer 5 is formed therein. A via hole forming hole 19 is formed in the resin insulating layer 17, and a filled via conductor 27 is formed in the resin insulating layer 17 to conduct between the inner layer wiring patterns 11 and 29.

ソルダーレジスト32は、樹脂絶縁層30上に形成された外層配線パターン34を全体的に被覆している。ソルダーレジスト32は、所定箇所に開口部36を有しており、これらの開口部36は外層配線パターン34における所定部位(即ち第1主面側ランド34a)を第1主面32a側に露呈させている。ソルダーレジスト33は、樹脂絶縁層31上に形成された外層配線パターン35を全体的に被覆している。ソルダーレジスト33は、所定箇所に開口部37を有しており、これらの開口部37は外層配線パターン35における所定部位(即ち第2主面側ランド35a)を第2主面33a側に露呈させている。   The solder resist 32 entirely covers the outer layer wiring pattern 34 formed on the resin insulating layer 30. The solder resist 32 has openings 36 at predetermined locations, and these openings 36 expose a predetermined portion (that is, the first main surface side land 34a) in the outer layer wiring pattern 34 to the first main surface 32a side. ing. The solder resist 33 entirely covers the outer layer wiring pattern 35 formed on the resin insulating layer 31. The solder resist 33 has openings 37 at predetermined locations, and these openings 37 expose a predetermined portion (that is, the second main surface side land 35a) in the outer layer wiring pattern 35 to the second main surface 33a side. ing.

また、第1主面側ランド34aの上には、第1主面32aよりも高く突出するはんだバンプ38が形成されている。そして、これらのはんだバンプ38上には、はんだを介して図示しないICチップ等の電子部品が接合可能となっている。一方、第2主面側ランド35は、図示しないマザーボード等のプリント配線基板と電気的に接続されるようになっている。   A solder bump 38 protruding higher than the first main surface 32a is formed on the first main surface side land 34a. On these solder bumps 38, electronic components such as an IC chip (not shown) can be joined via solder. On the other hand, the second main surface side land 35 is electrically connected to a printed wiring board such as a mother board (not shown).

図1に示されるように、この配線基板K1の内部にはスルーホールが設けられている。本実施形態のスルーホールは、コア基板1及び樹脂絶縁層12,13を貫通するスルーホール形成用孔6の内壁面に円筒状のスルーホール導体7を析出させるとともに、そのスルーホール導体7の空洞部を充填樹脂9で埋めた構造を有している。そして、このスルーホールのスルーホール導体7によって、コア基板1の表面2側のビルドアップ層BU1における導体部分と、コア基板1の裏面3側のビルドアップ層BU2における導体部分との間の導通が図られている。   As shown in FIG. 1, a through hole is provided inside the wiring board K1. The through hole of this embodiment deposits a cylindrical through hole conductor 7 on the inner wall surface of the through hole forming hole 6 that penetrates the core substrate 1 and the resin insulating layers 12 and 13, and the cavity of the through hole conductor 7. The portion is filled with the filling resin 9. The through-hole conductor 7 of the through-hole provides conduction between the conductor portion in the build-up layer BU1 on the front surface 2 side of the core substrate 1 and the conductor portion in the build-up layer BU2 on the back surface 3 side of the core substrate 1. It is illustrated.

図1,図2に示されるように、本実施形態の配線基板K1における内層配線パターン28,29は、基板本体20の面方向に沿って延びており、銅めっき層42によって形成されている。より具体的にいうと、内層配線パターン28,29は、無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を積層した層構造を有している。内層配線パターン28,29は、特にライン幅及びライン間隔がともに15μm以下の微細な内層配線パターンとなっている。そして、表面2側のビルドアップ層BU1において下層側樹脂絶縁層16上には、上層側樹脂絶縁層30が内層配線パターン層28を覆うようにして積層配置されている。裏面3側のビルドアップ層BU2において下層側樹脂絶縁層17上には、上層側樹脂絶縁層31が配線パターン層29を覆うようにして積層配置されている。本実施形態においてこれら樹脂絶縁層16,17,30,31は、CTEが50ppm/℃以下の熱硬化性エポキシ樹脂を用いて形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the inner layer wiring patterns 28 and 29 in the wiring board K <b> 1 of the present embodiment extend along the surface direction of the substrate body 20 and are formed by a copper plating layer 42. More specifically, the inner layer wiring patterns 28 and 29 have a layer structure in which an electrolytic copper plating layer is laminated on an electroless copper plating layer. The inner layer wiring patterns 28 and 29 are fine inner layer wiring patterns whose line width and line interval are both 15 μm or less. In the build-up layer BU1 on the surface 2 side, the upper resin insulating layer 30 is laminated on the lower resin insulating layer 16 so as to cover the inner wiring pattern layer 28. In the build-up layer BU2 on the back surface 3 side, the upper resin insulating layer 31 is laminated on the lower resin insulating layer 17 so as to cover the wiring pattern layer 29. In this embodiment, these resin insulating layers 16, 17, 30, and 31 are formed using a thermosetting epoxy resin having a CTE of 50 ppm / ° C. or less.

図2に示されるように、内層配線パターン28は、表面2側において隣接する2つの樹脂絶縁層16,30間に挟まれるようにして配置されている。上層側樹脂絶縁層30は内層配線パターン28の上面43側にて接しており、下層側樹脂絶縁層16は内層配線パターン28の底面44側にて接している。そして、内層配線パターン28は樹脂絶縁層16,30の両方に対して埋まっている。   As shown in FIG. 2, the inner layer wiring pattern 28 is arranged so as to be sandwiched between two resin insulating layers 16 and 30 adjacent on the surface 2 side. The upper resin insulating layer 30 is in contact with the upper surface 43 side of the inner wiring pattern 28, and the lower resin insulating layer 16 is in contact with the lower surface 44 side of the inner wiring pattern 28. The inner layer wiring pattern 28 is buried in both the resin insulating layers 16 and 30.

内層配線パターン29は、裏面3側において隣接する2つの樹脂絶縁層17,31間に挟まれるようにして配置されている。上層側樹脂絶縁層31は内層配線パターン29の上面43側にて接しており、下層側樹脂絶縁層17は内層配線パターン29の底面44側にて接している。そして、内層配線パターン29は樹脂絶縁層17,31の両方に対して埋まっている。   The inner layer wiring pattern 29 is arranged so as to be sandwiched between two resin insulating layers 17 and 31 adjacent on the back surface 3 side. The upper resin insulating layer 31 is in contact with the upper surface 43 side of the inner wiring pattern 29, and the lower resin insulating layer 17 is in contact with the lower surface 44 side of the inner wiring pattern 29. The inner layer wiring pattern 29 is buried in both the resin insulating layers 17 and 31.

図2等に示されるように、配線基板K1をその積層方向に切断した場合、切断面に現れる内層配線パターン28,29は、本実施形態では断面略六角形状となっている。説明の便宜上、内層配線パターン28,29において、上層側樹脂絶縁層30,31に埋まっている部分を上面側導体部分45とし、下層側樹脂絶縁層16,17に埋まっている部分を底面側導体部分46とする。上面側導体部分45は、コア基板1から遠ざかるに従って幅狭となるテーパ状の断面形状を有している。底面側導体部分46は、コア基板1に近づくに従って幅狭となる逆テーパ状の断面形状を有している。そして、下層側樹脂絶縁層16及び上層側樹脂絶縁層30の境界で形成される仮想平面53と同一の平面内には、内層配線パターン28の最大幅部位54(本実施形態では約15μm)が配置されている。つまり、本実施形態では、最大幅部位54がパターン上端51やパターン下端52に配置されているのではなく、それらの間の位置に配置されている。また、内層配線パターン28,29の積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状となっており、全ての角が鈍角となっている。特にパターン上端51に位置する2つの角に関しては、丸みを帯びた鈍角となっている。   As shown in FIG. 2 and the like, when the wiring board K1 is cut in the stacking direction, the inner layer wiring patterns 28 and 29 appearing on the cut surface have a substantially hexagonal cross section in this embodiment. For convenience of explanation, in the inner layer wiring patterns 28 and 29, the portion embedded in the upper resin insulating layers 30 and 31 is the upper surface side conductor portion 45, and the portion embedded in the lower resin insulating layers 16 and 17 is the bottom surface side conductor. Let it be a portion 46. The upper surface side conductor portion 45 has a tapered cross-sectional shape that becomes narrower as the distance from the core substrate 1 increases. The bottom-side conductor portion 46 has an inversely tapered cross-sectional shape that becomes narrower as it approaches the core substrate 1. In the same plane as the virtual plane 53 formed at the boundary between the lower layer side resin insulation layer 16 and the upper layer side resin insulation layer 30, the maximum width portion 54 (about 15 μm in this embodiment) of the inner layer wiring pattern 28 is formed. Has been placed. That is, in the present embodiment, the maximum width portion 54 is not disposed at the pattern upper end 51 or the pattern lower end 52 but is disposed at a position between them. Further, the cut surfaces in the stacking direction of the inner layer wiring patterns 28 and 29 have a shape that does not have an acute angle or a right angle, and all the angles are obtuse. In particular, the two corners positioned at the pattern upper end 51 are rounded obtuse angles.

内層配線パターン28,29の切断面においては、パターン上端51の幅W1のほうがパターン下端52の幅W2よりも若干大きくなっている。パターン上端51の幅W1を基準とすると、最大幅部位54の幅W3の大きさはそれの1.2倍〜1.3倍程度となっている。ちなみに、幅W3と幅W1との比(W3:W1)は10:7〜10:8程度に設定され、幅W3と幅W2との比(W3:W2)は10:5〜10:6程度に設定されている。   In the cut surfaces of the inner layer wiring patterns 28 and 29, the width W1 of the pattern upper end 51 is slightly larger than the width W2 of the pattern lower end 52. When the width W1 of the pattern upper end 51 is used as a reference, the size of the width W3 of the maximum width portion 54 is about 1.2 to 1.3 times that. Incidentally, the ratio (W3: W1) between the width W3 and the width W1 is set to about 10: 7 to 10: 8, and the ratio (W3: W2) between the width W3 and the width W2 is about 10: 5 to 10: 6. Is set to

内層配線パターン28,29において、上面側導体部分45の高さを「h11」とし、底面側導体部分46の高さを「h12」とする。本実施形態では、高さh11が約5μmであり、高さh12が約15μmとなっている。ゆえに、両者の高さの比(h11:h12)は5:15であり、その好適範囲内(1:9〜8:2)となるように設定されている。   In the inner layer wiring patterns 28 and 29, the height of the upper surface side conductor portion 45 is “h11”, and the height of the bottom surface side conductor portion 46 is “h12”. In the present embodiment, the height h11 is about 5 μm, and the height h12 is about 15 μm. Therefore, the height ratio between the two (h11: h12) is 5:15, and is set to be within a preferable range (1: 9 to 8: 2).

次に、本実施形態の配線基板K1の製造方法を図3〜図14に基づいて説明する。   Next, the manufacturing method of the wiring board K1 of this embodiment is demonstrated based on FIGS.

まず、ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂を主体とするコア基板1を用意する。コア基板1の表面2及び裏面3には銅箔があらかじめ貼着されている。このようなコア基板1の銅箔を従来公知の手法(ここではサブトラクティブ法)でパターニングし、表面2上及び裏面3上にコア基板側導体層4,5を形成する。次に、コア基板1における表面2上及び裏面3上に樹脂絶縁層12,13を形成し、さらにビアホール形成用孔12a,13aを形成する。ここで、樹脂絶縁層12,13は、熱硬化性を有するビルドアップ層形成用樹脂材料(いわゆるビルドアップ材)を用いて形成される。本実施形態では、ビルドアップ材としてエポキシ樹脂中に無機フィラーを分散させてなる絶縁性フィルムを用いている。次に、コア基板1及び樹脂絶縁層12,13を貫通するスルーホール形成用孔6を形成した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施し、スルーホール導体7及びフィルドビア導体14,15を形成する。次に、スルーホール導体7の空洞部を充填樹脂9のペーストで穴埋めした後、電解銅めっきを行って銅めっき膜上にさらに銅めっき膜を形成する。このとき、同時に充填樹脂9の両端面を蓋めっき10a,11aで覆うようにする。続いて、これら2層の銅めっき膜を従来公知のサブトラクティブ法によりエッチングし、図3に示すような内層配線パターン10,11をそれぞれ形成する。これら内層配線パターン10,11はビルドアップ層BU1,BU2における1層目の導体層となる。   First, a core substrate 1 mainly composed of a bismaleimide triazine (BT) resin is prepared. Copper foil is attached in advance to the front surface 2 and the back surface 3 of the core substrate 1. The copper foil of the core substrate 1 is patterned by a conventionally known method (here, subtractive method) to form the core substrate side conductor layers 4 and 5 on the front surface 2 and the back surface 3. Next, the resin insulating layers 12 and 13 are formed on the front surface 2 and the back surface 3 of the core substrate 1, and via hole forming holes 12 a and 13 a are further formed. Here, the resin insulating layers 12 and 13 are formed using a thermosetting resin material for forming a buildup layer (so-called buildup material). In this embodiment, an insulating film in which an inorganic filler is dispersed in an epoxy resin is used as a buildup material. Next, after the through hole forming hole 6 penetrating the core substrate 1 and the resin insulating layers 12 and 13 is formed, electroless copper plating and electrolytic copper plating are performed to form the through hole conductor 7 and the filled via conductors 14 and 15. To do. Next, after filling the cavity of the through-hole conductor 7 with the paste of the filling resin 9, electrolytic copper plating is performed to further form a copper plating film on the copper plating film. At this time, both end surfaces of the filling resin 9 are covered with the cover platings 10a and 11a. Subsequently, these two copper plating films are etched by a conventionally known subtractive method to form inner wiring patterns 10 and 11 as shown in FIG. These inner layer wiring patterns 10 and 11 become the first conductor layer in the build-up layers BU1 and BU2.

次に、図4に示されるように、コア基板1側の樹脂絶縁層12及び1層目の内層配線パターン10の上に先ほどのエポキシ樹脂系絶縁性フィルムを貼り付けて、1層目の樹脂絶縁層16を形成する。同じく、コア基板1側の樹脂絶縁層13及び1層目の内層配線パターン11の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、1層目の樹脂絶縁層17を形成する。   Next, as shown in FIG. 4, the epoxy resin-based insulating film is pasted on the resin insulating layer 12 on the core substrate 1 side and the first inner wiring pattern 10, and the first layer resin is bonded. An insulating layer 16 is formed. Similarly, the first insulating resin layer 17 is formed by pasting the insulating film on the resin insulating layer 13 on the core substrate 1 side and the first inner wiring pattern 11.

次に、バリア層形成工程を行って、下層側樹脂絶縁層16,17上にバリア層61を形成する(図5参照)。ここでは、ドライフィルムフォトレジストを貼着した後に全面露光することで、厚さ3μm〜10μm程度のバリア層61とする。   Next, a barrier layer forming step is performed to form a barrier layer 61 on the lower resin insulating layers 16 and 17 (see FIG. 5). Here, the barrier layer 61 having a thickness of about 3 μm to 10 μm is formed by exposing the entire surface after attaching a dry film photoresist.

次に、バリア層61と下層側樹脂絶縁層16,17とを同時にレーザ加工する(溝形成工程)。このレーザ加工により、バリア層61を貫通する開口63を形成するとともに、下層側樹脂絶縁層16,17に開口63と連通する内層配線パターン形成用の溝62とビアホール形成用孔18,19とを形成する(図6参照)。本実施形態ではバリア層61が樹脂材料からなるため、レーザ加工により比較的容易に開口63を形成することができる。そしてこの場合、ビアホール形成用孔18,19と溝62とで加工深さを異ならせる必要があることから、例えばレーザの出力、ショット数、照射時間などを変更して照射を行うようにする。   Next, the barrier layer 61 and the lower resin insulating layers 16 and 17 are simultaneously laser processed (groove forming step). By this laser processing, an opening 63 penetrating the barrier layer 61 is formed, and the inner layer wiring pattern forming groove 62 and the via hole forming holes 18 and 19 communicating with the opening 63 are formed in the lower resin insulating layers 16 and 17. Form (see FIG. 6). In this embodiment, since the barrier layer 61 is made of a resin material, the opening 63 can be formed relatively easily by laser processing. In this case, since it is necessary to make processing depths different between the via hole forming holes 18 and 19 and the groove 62, for example, the laser output, the number of shots, the irradiation time, and the like are changed for irradiation.

次に、デスミア処理を行って、開口63、ビアホール形成用孔18,19及び溝62の内壁面のスミアを除去するとともに、これら内壁面を含む樹脂絶縁層16,17の表面全体を粗面化(表面粗さRaを2μm程度に)する。   Next, a desmear process is performed to remove smears on the inner wall surfaces of the openings 63, the via hole forming holes 18 and 19 and the grooves 62, and the entire surfaces of the resin insulating layers 16 and 17 including these inner wall surfaces are roughened. (Surface roughness Ra is set to about 2 μm).

次に、導電部形成工程を行って、溝62及び開口63内を内層配線パターン28,29となるべき導電部(銅めっき層42)を形成する。具体的には、めっき触媒をあらかじめ塗布した後、無電解銅めっきにより厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を全面に形成する。そして、さらにその上の全面に電解銅めっきにより厚さ約15μm〜20μm程度の電解銅めっき層を形成する(図7参照)。なお、導電部である銅めっき層42は、少なくとも溝62よりも上方に隆起するように形成される。   Next, a conductive portion forming step is performed to form a conductive portion (copper plating layer 42) to be the inner layer wiring patterns 28 and 29 in the groove 62 and the opening 63. Specifically, after a plating catalyst is applied in advance, an electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm is formed on the entire surface by electroless copper plating. Further, an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 15 μm to 20 μm is formed on the entire surface by electrolytic copper plating (see FIG. 7). Note that the copper plating layer 42 as the conductive portion is formed so as to protrude at least above the groove 62.

次に、銅を溶解する所定のエッチング液を用いて銅めっき層42をエッチングすることにより、主としてバリア層61の表面上にある銅めっき層42を除去する。その結果、フィルドビア導体26,27及び内層配線パターン28,29がそれぞれ形成される(図8〜図10参照)。図8には、過不足なくエッチングを行ったときの銅めっき層42の様子が示されている。このとき、銅めっき層42の表面の高さがバリア層61の表面の高さとほぼ同じになり、バリア層61の表面上に銅めっき層42は載っていない。図9には、エッチングが過度であるときの銅めっき層42の様子が示されている。この図では、銅めっき層42の表面の高さがバリア層61の表面の高さよりも低くなっている。ただし、高さの差がバリア層61の厚さ分よりも小さければ、このようなエッチング過度の場合であっても特に問題は生じない。図10には、エッチングが不足しているときの銅めっき層42の様子が示されている。この図では、バリア層61の表面上において溝62の周囲に余剰めっき部42aが載った状態となっているが、バリア層61は後工程で除去できる程度に露出している。よって、このようなエッチング不足の場合であっても特に問題は生じない。   Next, the copper plating layer 42 is mainly removed on the surface of the barrier layer 61 by etching the copper plating layer 42 using a predetermined etching solution that dissolves copper. As a result, filled via conductors 26 and 27 and inner layer wiring patterns 28 and 29 are formed (see FIGS. 8 to 10). FIG. 8 shows the state of the copper plating layer 42 when etching is performed without excess or deficiency. At this time, the height of the surface of the copper plating layer 42 is substantially the same as the height of the surface of the barrier layer 61, and the copper plating layer 42 is not placed on the surface of the barrier layer 61. FIG. 9 shows the state of the copper plating layer 42 when the etching is excessive. In this figure, the height of the surface of the copper plating layer 42 is lower than the height of the surface of the barrier layer 61. However, as long as the difference in height is smaller than the thickness of the barrier layer 61, there is no particular problem even in such excessive etching. FIG. 10 shows the state of the copper plating layer 42 when etching is insufficient. In this figure, the surplus plating portion 42a is placed around the groove 62 on the surface of the barrier layer 61, but the barrier layer 61 is exposed to the extent that it can be removed in a later step. Therefore, no problem arises even if such etching is insufficient.

次に、バリア層除去工程を行って、樹脂絶縁層16,17上からバリア層61を選択的に除去する(図11,12参照)。具体的には、専用の剥離液(例えばアルカリ水溶液等)を用いてドライフィルムフォトレジストを剥離する。このとき、下層側樹脂絶縁層16,17及び必要とされる銅めっき層42については、溶解せずに残すようする。   Next, a barrier layer removing step is performed to selectively remove the barrier layer 61 from the resin insulating layers 16 and 17 (see FIGS. 11 and 12). Specifically, the dry film photoresist is stripped using a dedicated stripping solution (for example, an alkaline aqueous solution). At this time, the lower resin insulation layers 16 and 17 and the required copper plating layer 42 are left undissolved.

次に、形状調整工程を行って、銅めっき層42の余剰部分、即ち本実施形態では、下層側樹脂絶縁層16,17から露出しているパターン上端51における直角や鋭角の箇所を除去して形状を調整する。具体的には、銅を溶解するエッチャントを用いてクイックエッチングを行い、銅めっき層42を部分的に溶解除去する。図10にて示した余剰めっき部42aもこの工程を経ることで除去される。その結果、好適な切断面形状を有する内層配線パターン28,29が形成される(図13参照)。なお、形状調整の結果、内層配線パターン28,29においては、最大幅部位54がパターン上端51とパターン下端52との間に配置された状態となる。   Next, a shape adjusting step is performed to remove an excess portion of the copper plating layer 42, that is, in the present embodiment, a right angle or acute angle portion in the pattern upper end 51 exposed from the lower resin insulating layers 16 and 17. Adjust the shape. Specifically, quick etching is performed using an etchant that dissolves copper, and the copper plating layer 42 is partially dissolved and removed. The excess plating part 42a shown in FIG. 10 is also removed through this process. As a result, inner layer wiring patterns 28 and 29 having a suitable cut surface shape are formed (see FIG. 13). As a result of the shape adjustment, in the inner layer wiring patterns 28 and 29, the maximum width portion 54 is disposed between the pattern upper end 51 and the pattern lower end 52.

次に、埋設工程を行って、下層側樹脂絶縁層16,17上に先ほどのエポキシ樹脂系絶縁性フィルムを貼り付けて、上層側樹脂絶縁層30,31をそれぞれ形成する。その結果、下層側樹脂絶縁層16と上層側樹脂絶縁層30の間に内層配線パターン28を埋め込み、下層側樹脂絶縁層17と上層側樹脂絶縁層31の間に内層配線パターン29を埋め込むようにする(図14参照)。   Next, an embedding process is performed, and the above-mentioned epoxy resin insulating film is pasted on the lower resin insulation layers 16 and 17 to form the upper resin insulation layers 30 and 31, respectively. As a result, the inner wiring pattern 28 is embedded between the lower resin insulating layer 16 and the upper resin insulating layer 30, and the inner wiring pattern 29 is embedded between the lower resin insulating layer 17 and the upper resin insulating layer 31. (See FIG. 14).

そして、セミアディティブ法により外層配線パターン34,35の形成を行った後、2層目の樹脂絶縁層30,31上に厚さ25μmのソルダーレジスト32,33をそれぞれ設ける。さらに、開口部36を介して露呈する第1主面側ランド34a上にニッケル−金めっきを施したうえではんだバンプ38を形成し、開口部37を介して露呈する第2主面側ランド35aにニッケル−金めっきを施す。以上の結果、図1に示したような表裏両面にビルドアップ層BU1,BU2を備える多層配線基板K1が完成する。   Then, after forming the outer layer wiring patterns 34 and 35 by the semi-additive method, solder resists 32 and 33 each having a thickness of 25 μm are provided on the second resin insulating layers 30 and 31, respectively. Furthermore, after applying nickel-gold plating on the first main surface side land 34a exposed through the opening 36, a solder bump 38 is formed, and the second main surface side land 35a exposed through the opening 37 is formed. Is subjected to nickel-gold plating. As a result, the multilayer wiring board K1 having the build-up layers BU1 and BU2 on both the front and back surfaces as shown in FIG. 1 is completed.

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
(1)本実施形態の多層配線基板K1では、内層配線パターン28,29の積層方向切断面における最大幅部位54が、パターン上端51やパターン下端52の位置ではなく、それらの間の位置に配置されている。このため、パターン上端51やパターン下端52に直角や鋭角の箇所が存在しなくなり、その代わりにクラック発生の起点になりにくい鈍角の箇所が存在した状態となる。そして、特にパターン上端51については角の部分が丸みを帯びた鈍角となっている。よって、樹脂絶縁層16,17,30,31におけるクラックの発生が抑制され、多層配線基板K1に十分な信頼性を向上することができる。また、この実施形態の構成によると、例えば低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層16,17,30,31を採用したときであっても、クラックの発生が阻止されることから、低熱膨張性と高信頼性との両立を図ることが可能となる。
Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) In the multilayer wiring board K1 of the present embodiment, the maximum width portion 54 on the cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring patterns 28 and 29 is not located at the pattern upper end 51 or the pattern lower end 52 but at a position between them. Has been. For this reason, the pattern upper end 51 and the pattern lower end 52 no longer have a right-angle or acute-angle portion, but instead have an obtuse-angle portion that is unlikely to become a starting point of crack generation. In particular, the upper end 51 of the pattern has a rounded obtuse angle. Therefore, the occurrence of cracks in the resin insulating layers 16, 17, 30, and 31 is suppressed, and the reliability sufficient for the multilayer wiring board K1 can be improved. Further, according to the configuration of this embodiment, for example, even when the resin insulating layers 16, 17, 30, and 31 having a hard and brittle property are employed in order to pursue low thermal expansion, the generation of cracks is prevented. Therefore, it is possible to achieve both low thermal expansion and high reliability.

(2)本実施形態の多層配線基板K1では、内層配線パターン28,29が下層側樹脂絶縁層16,17及び上層側樹脂絶縁層30,31の両方に対して埋まっているため、両層に対する好適な密着状態が維持される。よって、微細な内層配線パターン28,29であっても横倒れや剥がれが起こりにくく、十分な密着性を付与することができる。また、内層配線パターン28,29の下側が下層側樹脂絶縁層16,17に埋まったことで、上面側樹脂絶縁層30,31の表面に凹凸が発生しにくくなる。よって、上面側樹脂絶縁層30,31の厚さばらつきを低減することができるという利点がある。従って、ICチップ搭載面の平坦性を向上させることができる。   (2) In the multilayer wiring board K1 of the present embodiment, the inner layer wiring patterns 28 and 29 are buried in both the lower layer side resin insulation layers 16 and 17 and the upper layer side resin insulation layers 30 and 31. A suitable close contact state is maintained. Therefore, even if it is the fine inner layer wiring patterns 28 and 29, it is difficult to cause a lateral fall or peeling, and sufficient adhesion can be imparted. In addition, since the lower side of the inner layer wiring patterns 28 and 29 is buried in the lower layer side resin insulation layers 16 and 17, the surface of the upper surface side resin insulation layers 30 and 31 is less likely to be uneven. Therefore, there is an advantage that the thickness variation of the upper surface side resin insulation layers 30 and 31 can be reduced. Therefore, the flatness of the IC chip mounting surface can be improved.

(3)下層側樹脂絶縁層に溝を形成しそこを銅めっき層で埋めて内層配線パターンを形成する手法としては、いわゆるトレンチフィリング法が従来知られている。ところが、この手法は、溝内の銅めっき層を残しつつ樹脂絶縁層から突出した銅めっき層を全部除去する加工を行う必要があるため工程上困難であり、加工精度が低いと配線切れや短絡が発生するという課題がある。その点、本実施形態の多層配線基板K1の製造方法によれば、銅めっき層除去時にそれほど厳密性が要求されないという利点がある。つまり、銅めっき層のエッチングに過不足が多少あったとしても、配線切れや短絡を伴うことなく最終的に所望とする切断面形状の内層配線パターン28,29を形成することができる。ゆえに、多層配線基板K1を比較的簡単にかつ高歩留まりで製造することができる。   (3) A so-called trench filling method is conventionally known as a method for forming a groove in the lower resin insulating layer and filling the groove with a copper plating layer to form an inner wiring pattern. However, this method is difficult in the process because it is necessary to remove all of the copper plating layer protruding from the resin insulating layer while leaving the copper plating layer in the groove. There is a problem that occurs. In that respect, according to the manufacturing method of the multilayer wiring board K1 of the present embodiment, there is an advantage that strictness is not required when removing the copper plating layer. That is, even if there is some excess or deficiency in the etching of the copper plating layer, the inner layer wiring patterns 28 and 29 having a desired cut surface shape can be finally formed without causing the wiring to be cut or short-circuited. Therefore, the multilayer wiring board K1 can be manufactured relatively easily and with a high yield.

(4)本実施形態の多層配線基板K1では、最大幅部位54の幅W3が、パターン上端51の幅W1の1.1倍〜1.5倍という好適範囲内にて設定されている。また、幅W3とW1幅との比が10:1〜10:9という好適範囲内にて設定され、幅W3とW1幅との比が10:5〜10:9という好適範囲内にて設定されている。以上のことから、本実施形態ではパターン上端51、パターン下端52及び最大幅部位54に直角や鋭角の箇所が生じにくく、切断面におけるいずれの角もクラック発生の起点になりにくいものとすることができる。   (4) In the multilayer wiring board K1 of the present embodiment, the width W3 of the maximum width portion 54 is set within a preferable range of 1.1 to 1.5 times the width W1 of the pattern upper end 51. Further, the ratio between the width W3 and the W1 width is set within a preferable range of 10: 1 to 10: 9, and the ratio between the width W3 and the W1 width is set within a preferable range of 10: 5 to 10: 9. Has been. From the above, in the present embodiment, the pattern upper end 51, the pattern lower end 52, and the maximum width portion 54 are unlikely to form a right angle or an acute angle portion, and any corner on the cut surface is unlikely to be a starting point of crack generation. it can.

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。   In addition, you may change embodiment of this invention as follows.

・上記実施形態の多層配線基板K1では、内層配線パターン28,29の積層方向切断面が略六角形状であったが、略六角形状以外のものであってもよい。例えば、図15に示される別の実施形態の内層配線パターン28Aでは、積層方向切断面が略五角形状になっている。なお、このような内層配線パターン28Aは、実施形態のときよりもエッチング条件を強く設定し、上面側導体部分45を多めにエッチングすること等により形成可能である。あるいは、図16に示される別の実施形態の内層配線パターン28Bのように、上面側導体部分45が凸状湾曲面となっているカップケーキ状の積層方向切断面形状を有するものとしてもよい。このような内層配線パターン28Bも、エッチング条件を強く設定すること等により同様に形成可能である。   In the multilayer wiring board K1 of the above embodiment, the cut surfaces in the stacking direction of the inner layer wiring patterns 28 and 29 have a substantially hexagonal shape, but may be other than a substantially hexagonal shape. For example, in the inner layer wiring pattern 28A of another embodiment shown in FIG. 15, the cut surface in the stacking direction has a substantially pentagonal shape. Such an inner layer wiring pattern 28A can be formed by setting etching conditions stronger than in the embodiment and etching the upper surface side conductor portion 45 more. Alternatively, as in an inner layer wiring pattern 28B of another embodiment shown in FIG. 16, the upper-side conductor portion 45 may have a cupcake-like cut direction in the stacking direction having a convex curved surface. Such an inner layer wiring pattern 28B can be similarly formed by setting the etching conditions strongly.

・その他、図17に示される別の実施形態の内層配線パターン28Cのように、下層側導体部分46を上記実施形態よりも丸みを帯びたものとすることができる。言い換えると、パターン下端52の角をなくし、底面側導体部分46が全体として半楕円形状になるようにしてもよい。このような内層配線パターン28Cは、例えば開口63及び溝62を形成する際のレーザ加工条件を弱めに設定し、溝62の底部を丸くすること等により形成可能である。   In addition, like the inner layer wiring pattern 28 </ b> C of another embodiment shown in FIG. 17, the lower conductor portion 46 can be rounder than the above embodiment. In other words, the corners of the lower end 52 of the pattern may be eliminated so that the bottom-side conductor portion 46 has a semi-elliptical shape as a whole. Such an inner layer wiring pattern 28 </ b> C can be formed, for example, by setting a weak laser processing condition when forming the opening 63 and the groove 62 and rounding the bottom of the groove 62.

・上記実施形態の多層配線基板K1では、内層配線パターン28,29の積層方向切断面における最大幅部位54が、仮想平面53と同一の平面内に配置されていたが、別の位置に配置されていてもよい。例えば、図18に示される別の実施形態の内層配線パターン28Dのように、最大幅部位54が仮想平面53とパターン上端51との間の位置に配置されていてもよい。   In the multilayer wiring board K1 of the above embodiment, the maximum width portion 54 on the cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring patterns 28 and 29 is disposed in the same plane as the virtual plane 53, but is disposed at a different position. It may be. For example, the maximum width portion 54 may be arranged at a position between the virtual plane 53 and the pattern upper end 51 as in an inner layer wiring pattern 28D of another embodiment shown in FIG.

・上記実施形態では、本発明をコア基板1を有する多層配線基板K1に具体化したが、いわゆるコア基板を有しない多層配線基板に具体化することもできる。   In the above embodiment, the present invention is embodied in the multilayer wiring substrate K1 having the core substrate 1, but may be embodied in a multilayer wiring substrate having no so-called core substrate.

・上記実施形態では、内層配線パターン28,29が、最大幅20μm以下の微細パターンである場合について突条46を設け、溝51を埋めるようにしたが、最大幅が20μm超である場合についても同様の構成を採用してもよい。   In the above embodiment, the protrusions 46 are provided to fill the grooves 51 when the inner layer wiring patterns 28 and 29 are fine patterns having a maximum width of 20 μm or less. However, even when the maximum width is more than 20 μm, A similar configuration may be adopted.

・上記実施形態では、内層配線パターン28,29における高さがh11<h12となっているものを例示したが、例えば高さがh11>h12となっていてもよい。ただし、この場合にあっても高さの比(h11:h12)は1:9〜8:2という好適範囲内に設定されることがよい。   In the above embodiment, the inner layer wiring patterns 28 and 29 are exemplified such that the height is h11 <h12. However, the height may be h11> h12, for example. However, even in this case, the height ratio (h11: h12) is preferably set within a preferable range of 1: 9 to 8: 2.

・上記実施形態では、隣接する2つの同種の樹脂絶縁層16,30間に、内層配線パターン28を配置した例を示したが、例えば隣接する2つの異種の樹脂絶縁層間に同様の構造を有する内層配線パターンを配置してもよい。   In the above-described embodiment, an example in which the inner layer wiring pattern 28 is disposed between two adjacent resin insulating layers 16 and 30 of the same type has been described. However, for example, a similar structure is provided between two different types of resin insulating layers adjacent to each other. An inner layer wiring pattern may be arranged.

次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
(1)手段1において、前記内層配線パターンは金属めっき層からなること。
(2)手段1において、前記内層配線パターンは銅めっき層からなること。
(3)手段1、思想1乃至2のいずれか1項において、前記内層配線パターンにおいて前記上層側樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の高さと前記下層側樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さとの比が、1:9〜8:2の範囲内であること。
(4)手段1、思想1乃至3のいずれか1項において、前記内層配線パターンは、最大幅が20μm以下の微細パターンであること。
(5)手段1、思想1乃至4のいずれか1項において、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層は、熱硬化性を有する同種の樹脂絶縁層からなること。
(6)手段1、思想1乃至4のいずれか1項において、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層は、熱膨張係数が50ppm/℃以下であってかつ熱硬化性を有する同種の樹脂絶縁層からなること。
(7)手段1において、前記内層配線パターンの積層方向切断面における全ての角が鈍角であること。
(8)手段1において、前記内層配線パターンは、積層方向切断面が略五角形状または略六角形状であること。
(9)手段1において、前記内層配線パターンは、前記パターン上端が凸状湾曲面となっているカップケーキ状の積層方向切断面形状を有すること。
(10)手段1、思想1乃至9のいずれか1項において、において、前記多層配線基板は、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板であることを特徴とする多層配線基板。
(11)手段1、思想1乃至10のいずれか1項において、前記底面側にて接する樹脂絶縁層にはビアホール形成用孔が形成され、そのビアホール形成用孔内にはフィルドビア導体が形成され、前記底面側導体部分の高さが、前記ビアホール形成用孔の深さよりも小さくなるように設定されていることを特徴とする多層配線基板。
(12)手段1、思想1乃至11のいずれか1項において、前記多層配線基板はコア基板を有することを特徴とする多層配線基板。
(13)手段1、思想1乃至11のいずれか1項において、前記多層配線基板はコア基板を有しないことを特徴とする多層配線基板。
Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.
(1) In means 1, the inner wiring pattern is made of a metal plating layer.
(2) In means 1, the inner layer wiring pattern is made of a copper plating layer.
(3) In means 1 or ideas 1 or 2, the height of the upper conductor portion embedded in the upper resin insulation layer and the bottom surface buried in the lower resin insulation layer in the inner wiring pattern The ratio with the height of the side conductor portion is in the range of 1: 9 to 8: 2.
(4) In any one of means 1 and ideas 1 to 3, the inner layer wiring pattern is a fine pattern having a maximum width of 20 μm or less.
(5) In means 1, any one of thoughts 1 to 4, the lower resin insulation layer and the upper resin insulation layer are made of the same type of resin insulation layer having thermosetting properties.
(6) In the method 1, any one of the thoughts 1 to 4, the lower resin insulation layer and the upper resin insulation layer have the same thermal expansion coefficient and a thermosetting coefficient of 50 ppm / ° C. or less. It consists of a resin insulation layer.
(7) In means 1, all the angles in the cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring pattern are obtuse angles.
(8) In means 1, the inner layer wiring pattern has a substantially pentagonal or hexagonal cut surface in the stacking direction.
(9) In means 1, the inner layer wiring pattern has a cupcake-like stacking direction cut surface shape in which the upper end of the pattern is a convex curved surface.
(10) In any one of means 1 and ideas 1 to 9, the multilayer wiring board is a build-up multilayer wiring board having a build-up layer formed by alternately laminating resin insulating layers and conductor layers. A multilayer wiring board characterized in that there is.
(11) In any one of means 1 and ideas 1 to 10, a via hole forming hole is formed in the resin insulating layer in contact with the bottom surface side, and a filled via conductor is formed in the via hole forming hole. A multilayer wiring board, wherein a height of the bottom side conductor portion is set to be smaller than a depth of the via hole forming hole.
(12) The multilayer wiring board according to any one of means 1 and ideas 1 to 11, wherein the multilayer wiring board has a core substrate.
(13) The multilayer wiring board according to any one of means 1 and ideas 1 to 11, wherein the multilayer wiring board does not have a core substrate.

16,17…下層側樹脂絶縁層
20…基板本体
28,28A,28B,28C,28D,29…内層配線パターン
30,31…上層側樹脂絶縁層
32a…基板主面
33a…基板裏面
43…(内層配線パターンの)上面
44…(内層配線パターンの)底面
51…パターン上端
52…パターン下端
53…仮想平面
54…最大幅部位
K1…多層配線基板
W1…パターン上端の幅
W2…パターン下端の幅
W3…最大幅部位の幅
16, 17 ... Lower layer side resin insulation layer 20 ... Substrate body 28, 28A, 28B, 28C, 28D, 29 ... Inner layer wiring pattern 30, 31 ... Upper layer side resin insulation layer 32a ... Substrate main surface 33a ... Substrate back surface 43 ... (Inner layer) Upper surface 44 of wiring pattern (bottom of inner layer wiring pattern) 51 ... Pattern upper end 52 ... Pattern lower end 53 ... Virtual plane 54 ... Maximum width portion K1 ... Multi-layer wiring board W1 ... Pattern upper end width W2 ... Pattern lower end width W3 ... Width of maximum width part

Claims (8)

複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体と、前記基板本体の面方向に沿って延びる内層配線パターンと、前記内層配線パターンの底面側に接する下層側樹脂絶縁層と、前記下層側樹脂絶縁層に隣接しかつ前記内層配線パターンの上面側に接する上層側樹脂絶縁層とを備え、前記内層配線パターンが前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっている多層配線基板において、
前記内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位がパターン上端とパターン下端との間の位置に配置されていることを特徴とする多層配線基板。
A substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface formed by laminating a plurality of resin insulation layers, an inner layer wiring pattern extending along a surface direction of the substrate body, and a lower layer side resin insulation in contact with the bottom surface side of the inner layer wiring pattern And an upper resin insulating layer adjacent to the lower layer resin insulating layer and in contact with the upper surface side of the inner layer wiring pattern, the inner wiring pattern being formed of the lower layer resin insulating layer and the upper layer resin insulating layer. In the multilayer wiring board buried in both,
A multilayer wiring board, wherein the maximum width portion of the inner layer wiring pattern on the cut surface in the stacking direction is disposed at a position between the upper end of the pattern and the lower end of the pattern.
前記最大幅部位は、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と同一の平面内に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。   2. The multilayer wiring according to claim 1, wherein the maximum width portion is arranged in the same plane as a virtual plane formed at a boundary between the lower resin insulating layer and the upper resin insulating layer. substrate. 前記最大幅部位は、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と、前記パターン上端との間の位置に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。   2. The maximum width portion is disposed at a position between a virtual plane formed at a boundary between the lower layer side resin insulation layer and the upper layer side resin insulation layer and an upper end of the pattern. A multilayer wiring board according to 1. 前記内層配線パターンの積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板。   4. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein a cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring pattern has a shape that does not have an acute angle or a right angle. 5. 前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記上層側樹脂絶縁層に対して埋まっている箇所の角が丸みを帯びていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板。   5. The corner according to any one of claims 1 to 4, wherein a corner of the inner layer wiring pattern cut in a stacking direction is rounded with respect to the upper resin insulating layer. Multilayer wiring board. 前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記最大幅部位の幅と前記パターン上端の幅との比が、10:1〜10:9の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多層配線基板。   The ratio between the width of the maximum width portion and the width of the upper end of the pattern is within a range of 10: 1 to 10: 9 on the cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring pattern. The multilayer wiring board according to any one of the above. 前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記最大幅部位の幅と前記パターン下端の幅との比が、10:5〜10:9の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の多層配線基板。   The ratio between the width of the maximum width portion and the width of the lower end of the pattern in the cut surface in the stacking direction of the inner layer wiring pattern is in the range of 10: 5 to 10: 9. The multilayer wiring board according to any one of the above. 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝内に充填されるとともに、前記溝よりも上方に隆起してなる導電部を形成する導電部形成工程と、
前記導電部の余剰部分を除去して形状を調整し、前記内層配線パターンを形成する形状調整工程と、
前記下層側樹脂絶縁層上に前記上層側樹脂絶縁層を形成し、前記下層側樹脂絶縁層と前記上層側樹脂絶縁層との間に前記内層配線パターンを埋め込む埋設工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 7,
A groove forming step of forming a groove for forming an inner layer wiring pattern in the lower layer side resin insulation layer;
A conductive part forming step of forming a conductive part that is filled in the groove and is raised above the groove;
A shape adjusting step of adjusting the shape by removing an excess portion of the conductive portion, and forming the inner layer wiring pattern;
Forming the upper resin insulating layer on the lower resin insulating layer, and embedding the inner wiring pattern between the lower resin insulating layer and the upper resin insulating layer. A method for manufacturing a multilayer wiring board.
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