JP2013058724A - Manufacturing method of printed wiring board - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a printed wiring board excellent in initial adhesiveness and temporal stability of adhesiveness of an insulating resin layer.SOLUTION: A manufacturing method of a printed wiring board comprises: a first coating step of coating a surface of an insulating substrate 12 and a surface of a metal wiring 14 of an insulating substrate 10 with a metal wiring with a thiol compound having a prescribed functional group; a first cleaning step of removing a thiol compound 16 on the surface of the insulating substrate 10 by cleaning the insulating substrate 10 with a metal wiring with a solvent; a second coating step of coating the surface of the metal wiring 14 coated by the thiol compound 16 and the surface of the insulating substrate 10 with a polymer 20 having a prescribed functional group; a second cleaning step of removing the polymer 20 from the surface of the insulating substrate 12 by cleaning the insulating substrate 10 with a metal wiring with a solvent; and an insulating resin layer formation step of forming an insulating resin layer 24 on a surface of the metal wiring 14 side of the insulating substrate 10 with a metal wiring.

Description

本発明は、プリント配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board.

近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化が進んでおり、これらに使用されるプリント配線基板等も小型化かつ高密度化が進んでいる。このような状況下、プリント配線基板中の金属配線幅もより狭小化している。   2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality of electronic devices and the like, electronic components have been integrated at high density, and printed wiring boards and the like used for these have been downsized and increased in density. Under such circumstances, the metal wiring width in the printed wiring board is also narrowed.

通常、プリント配線基板は、金属配線と絶縁樹脂層とをそれぞれ1層以上積層することによって得られる。その際、金属配線と絶縁樹脂層との密着性が不足していると、金属配線と絶縁樹脂層との間に隙間が生じ、そこに水蒸気などが侵入すると電気絶縁性の低下や、配線間のショートなどを引き起こす。
従来から、金属配線と絶縁樹脂層との密着性を向上させる手法として、金属配線表面を粗面化して、アンカー効果を生じさせる手法が用いられてきた。しかしながら、金属配線の幅が狭小化している昨今の状況下では、金属配線表面を粗面化することが難しく、かつ、形成された凹凸に起因して高周波特性が悪くなるという問題点があった。
Usually, a printed wiring board is obtained by laminating one or more metal wirings and insulating resin layers. At that time, if the adhesion between the metal wiring and the insulating resin layer is insufficient, a gap will be formed between the metal wiring and the insulating resin layer. Cause short circuit.
Conventionally, as a technique for improving the adhesion between the metal wiring and the insulating resin layer, a technique for roughening the surface of the metal wiring and generating an anchor effect has been used. However, under the current situation where the width of the metal wiring is narrowing, there is a problem that it is difficult to roughen the surface of the metal wiring and the high frequency characteristics are deteriorated due to the formed unevenness. .

そこで、金属配線表面を粗面化することなく、金属配線と絶縁樹脂層との密着性を向上させる方法として、トリアジンチオール誘導体で金属配線表面を処理する方法(特許文献1)や、メルカプト基を有するシランカップリング剤で金属配線表面を処理する方法(特許文献2)などが提案されている。   Therefore, as a method of improving the adhesion between the metal wiring and the insulating resin layer without roughening the surface of the metal wiring, a method of treating the metal wiring surface with a triazine thiol derivative (Patent Document 1), or a mercapto group A method (Patent Document 2) for treating a metal wiring surface with a silane coupling agent is proposed.

特開2000−156563号公報JP 2000-156563 A 特開平11−354922号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-354922

本発明者らは、特許文献1に具体的に開示されているトリアジンチオール化合物(チオシアヌル酸)または特許文献2に具体的に開示されているメルカプトプロピルトリメトキシシランを使用して、絶縁樹脂層の密着性に関して検討を行ったところ、密着性の強度は時間の経過とともに大きく低下してしまい、さらなる改良が必要であることを見出した。   The present inventors use a triazine thiol compound (thiocyanuric acid) specifically disclosed in Patent Document 1 or a mercaptopropyltrimethoxysilane specifically disclosed in Patent Document 2 to form an insulating resin layer. As a result of studies on the adhesion, it has been found that the strength of the adhesion greatly decreases with time, and further improvement is necessary.

本発明は、上記実情に鑑みて、絶縁樹脂層の初期密着性、および、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性に優れたプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a printed wiring board excellent in initial adhesion of an insulating resin layer and stability over time of the adhesion of the insulating resin layer.

本発明者らは、鋭意検討した結果、所定の官能基を有するチオール化合物を使用して金属配線を処理した後、さらに所定の官能基を有するポリマーでさらに金属配線を処理することにより、金属配線と絶縁樹脂層との密着性の経時安定性が向上することを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
As a result of intensive studies, the present inventors have processed a metal wiring by using a thiol compound having a predetermined functional group, and then further processing the metal wiring with a polymer having a predetermined functional group. It has been found that the stability over time of the adhesion between the resin and the insulating resin layer is improved.
That is, the present inventors have found that the above problem can be solved by the following configuration.

(1) 2つ以上の反応性官能基X(ただし、シラノール基およびケイ素原子結合加水分解性基を除く)を有し、反応性官能基Xの少なくとも1つが後述する式(1)で表される官能基を有するチオール化合物を用いて、絶縁基板と絶縁基板上に配置される金属配線とを有する金属配線付き絶縁基板の絶縁基板表面と金属配線表面とを覆う第1の被覆工程と、
溶剤を用いて、金属配線付き絶縁基板を洗浄して、絶縁基板表面上のチオール化合物を除去する第1の洗浄工程と、
反応性官能基Xと反応する反応性官能基Yを少なくとも3つ以上有するポリマーを用いて、絶縁基板表面とチオール化合物で覆われた金属配線表面とを覆う第2の被覆工程と、
溶剤を用いて、金属配線付き絶縁基板を洗浄して、絶縁基板表面上のポリマーを除去する第2の洗浄工程と、
金属配線付き絶縁基板の金属配線側の表面上に、絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程とを有する、金属配線付き絶縁基板上に絶縁樹脂層が設けられたプリント配線基板の製造方法。
(1) It has two or more reactive functional groups X (excluding silanol groups and silicon atom-bonded hydrolyzable groups), and at least one of the reactive functional groups X is represented by the formula (1) described later. A first covering step of covering the insulating substrate surface and the metal wiring surface of the insulating substrate with the metal wiring having the insulating substrate and the metal wiring disposed on the insulating substrate using a thiol compound having a functional group;
A first cleaning step of cleaning the insulating substrate with metal wiring using a solvent to remove a thiol compound on the surface of the insulating substrate;
A second coating step of covering the insulating substrate surface and the metal wiring surface covered with the thiol compound using a polymer having at least three reactive functional groups Y that react with the reactive functional group X;
A second cleaning step of cleaning the insulating substrate with metal wiring using a solvent to remove the polymer on the surface of the insulating substrate;
A method for manufacturing a printed wiring board, comprising: an insulating resin layer forming step of forming an insulating resin layer on a surface of a metal wiring side of an insulating substrate with metal wiring, wherein the insulating resin layer is provided on the insulating substrate with metal wiring.

(2) 上記ポリマーの数平均分子量が、10000以上である、(1)に記載のプリント配線基板の製造方法。
(3) 上記反応性官能基Xが、後述する式(1)で表される官能基、1級アミノ基、2級アミノ基、およびイソシアネート基からなる群から選択される基である、(1)または(2)に記載のプリント配線基板の製造方法。
(4) 上記反応性官能基Yが、エポキシ基、アクリレート基、およびメタクリレート基からなる群から選択される基である、(1)〜(3)のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
(2) The method for producing a printed wiring board according to (1), wherein the polymer has a number average molecular weight of 10,000 or more.
(3) The reactive functional group X is a group selected from the group consisting of a functional group represented by the following formula (1), a primary amino group, a secondary amino group, and an isocyanate group, (1 ) Or the method for producing a printed wiring board according to (2).
(4) The method for producing a printed wiring board according to any one of (1) to (3), wherein the reactive functional group Y is a group selected from the group consisting of an epoxy group, an acrylate group, and a methacrylate group. .

(5) 上記第2の被覆工程が、ポリマーを含有し、実質的に無機フィラーを含まないポリマー組成物を用いて、絶縁基板表面とチオール化合物で覆われた金属配線表面とを覆う工程である、(1)〜(4)のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
(6) 上記ポリマー組成物中におけるポリマーの含有量が、ポリマー組成物全量に対して、0.01〜80質量%である、(5)に記載のプリント配線基板の製造方法。
(7) 上記反応性官能基Xの数が、4つ以上である、(1)〜(6)のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
(8) (1)〜(7)のいずれかに記載の製造方法より得られたプリント配線基板を有するICパッケージ基板。
(5) The second coating step is a step of covering the insulating substrate surface and the metal wiring surface covered with the thiol compound using a polymer composition containing a polymer and substantially free of an inorganic filler. The manufacturing method of the printed wiring board in any one of (1)-(4).
(6) The manufacturing method of the printed wiring board as described in (5) whose content of the polymer in the said polymer composition is 0.01-80 mass% with respect to the polymer composition whole quantity.
(7) The manufacturing method of the printed wiring board in any one of (1)-(6) whose number of the said reactive functional groups X is four or more.
(8) An IC package substrate having a printed wiring board obtained by the manufacturing method according to any one of (1) to (7).

本発明によれば、絶縁樹脂層の初期密着性、および、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性に優れたプリント配線基板の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the printed wiring board excellent in the initial time adhesiveness of an insulating resin layer and the temporal stability of the adhesiveness of an insulating resin layer can be provided.

本発明のプリント配線基板の製造方法における各工程を順に示す基板からプリント配線基板までの模式的断面図である。It is typical sectional drawing from the board | substrate which shows each process in the manufacturing method of the printed wiring board of this invention in order to a printed wiring board. 金属配線付き絶縁基板の別態様を表す模式的断面図である。It is typical sectional drawing showing another aspect of the insulated substrate with metal wiring. ケイ素原子結合加水分解性基を有するシランカップリング剤を使用して、各種工程を実施した態様を表す模式的断面図である。It is typical sectional drawing showing the aspect which implemented various processes using the silane coupling agent which has a silicon atom bond hydrolysable group.

以下に、本発明のプリント配線基板の製造方法の好適実施態様について説明する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
本発明の特徴点としては、2つ以上の反応性官能基Xを有し、反応性官能基Xの少なくとも1つが後述する式(1)で表される官能基を有するチオール化合物(以後、単にチオール化合物とも称する)で金属配線を処理した後、さらに反応性官能基Xと反応する反応性官能基Yを分子内に3つ以上有するポリマー(以後、単にポリマーとも称する)で金属配線を処理する点が挙げられる。つまり、金属配線の表面が、チオール化合物の層で覆われ、さらにそのチオール化合物の層がポリマーの層で覆われている。このチオール化合物とポリマーとが、金属配線と絶縁樹脂層との間の密着性を補助する役割(密着補助層の役割)を果たす。
チオール化合物は、反応性官能基X(特に、式(1)で表される基)を介して、金属配線に結合する。さらに、ポリマーが、反応性官能基Yを介してチオール化合物と結合し、金属配線上にチオール化合物とポリマーとの網目構造(ネットワーク構造)が形成される。
Below, the suitable embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board of this invention is demonstrated.
First, the feature point compared with the prior art of this invention is explained in full detail.
A feature of the present invention is that the thiol compound has two or more reactive functional groups X, and at least one of the reactive functional groups X has a functional group represented by the formula (1) described later (hereinafter, simply After the metal wiring is treated with a thiol compound), the metal wiring is further treated with a polymer having three or more reactive functional groups Y that react with the reactive functional group X in the molecule (hereinafter also simply referred to as a polymer). A point is mentioned. That is, the surface of the metal wiring is covered with a thiol compound layer, and the thiol compound layer is further covered with a polymer layer. The thiol compound and the polymer serve to assist the adhesion between the metal wiring and the insulating resin layer (the role of the adhesion auxiliary layer).
The thiol compound is bonded to the metal wiring via the reactive functional group X (particularly, the group represented by the formula (1)). Furthermore, a polymer couple | bonds with a thiol compound via the reactive functional group Y, and the network structure (network structure) of a thiol compound and a polymer is formed on a metal wiring.

上記のように、金属配線と絶縁樹脂層との間に、チオール化合物とポリマーとのネットワーク構造が形成されると、水分などが金属配線に近づきにくくなり、金属配線の酸化や腐食などが抑制され、結果として絶縁樹脂層の密着性の経時安定性が向上する。
また、ポリマーが金属配線と絶縁樹脂層との間に介在することによって、両者の間の熱膨張の違いを緩和する役割を果たす。言い換えると、該ポリマーが、いわゆる応力緩和の役割を果たし、結果として絶縁樹脂層の密着性の経時安定性が向上する。
As described above, when a network structure of thiol compound and polymer is formed between the metal wiring and the insulating resin layer, it becomes difficult for moisture and the like to approach the metal wiring, and oxidation and corrosion of the metal wiring are suppressed. As a result, the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer is improved.
Moreover, when a polymer intervenes between a metal wiring and an insulating resin layer, it plays a role of alleviating the difference in thermal expansion between the two. In other words, the polymer plays a role of so-called stress relaxation, and as a result, the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer is improved.

また、本発明の製造方法の他の特徴としては、チオール化合物またはポリマーを金属配線付き絶縁基板に接触させた後、さらに溶剤(洗浄溶剤)を用いて洗浄を行う点が挙げられる。本発明者らは、絶縁基板上に未反応の物理吸着したチオール化合物やポリマーが残存していると、絶縁樹脂層と絶縁基板との間で密着不良などが発生し、短絡の原因となることを見出している。上記知見を基にして検討を行った結果、本発明のような処理を施すことにより、絶縁基板上のチオール化合物やポリマーを除去しつつ、金属配線と絶縁樹脂層との密着性を担保できることを見出している。   Another feature of the production method of the present invention is that after the thiol compound or polymer is brought into contact with the insulating substrate with metal wiring, cleaning is further performed using a solvent (cleaning solvent). If the unreacted physisorbed thiol compound or polymer remains on the insulating substrate, the present inventors may cause poor adhesion between the insulating resin layer and the insulating substrate, causing a short circuit. Is heading. As a result of examination based on the above knowledge, it is possible to secure the adhesion between the metal wiring and the insulating resin layer while removing the thiol compound and polymer on the insulating substrate by performing the treatment as in the present invention. Heading.

なお、例えば、従来技術で使用されているメルカプトプロピルトリメトキシシランなどのケイ素原子結合加水分解性基(具体的には、アルコキシシラン基)を有するシランカップリング剤を上記チオール化合物の代わりに使用した場合、該シランカップリング剤が金属配線のみならず、絶縁基板とも化学反応を形成する。そのため、仮に、溶剤を用いた洗浄処理を行っても、絶縁基板上からシランカップリング剤を除去することが困難となる。具体的には、図3(A)に示すように、金属配線14上のみならず、絶縁基板12上もシランカップリング剤60で覆われる。
さらに、この絶縁基板上にポリマーが堆積されると、シランカップリング剤とポリマーとが化学結合してしまい、絶縁基板上のポリマーも溶剤によって除去できなくなる。具体的には、図3(B)に示すように、シランカップリング剤60上にポリマー62が堆積される。
このようなシランカップリング剤やポリマーが絶縁基板表面上に堆積されると、上記のように絶縁樹脂層と絶縁基板との間で密着不良などが発生し、短絡の原因となる。
For example, a silane coupling agent having a silicon atom-bonded hydrolyzable group (specifically, alkoxysilane group) such as mercaptopropyltrimethoxysilane used in the prior art was used instead of the thiol compound. In this case, the silane coupling agent forms a chemical reaction not only with the metal wiring but also with the insulating substrate. Therefore, even if a cleaning process using a solvent is performed, it is difficult to remove the silane coupling agent from the insulating substrate. Specifically, as shown in FIG. 3A, not only the metal wiring 14 but also the insulating substrate 12 is covered with the silane coupling agent 60.
Furthermore, when a polymer is deposited on the insulating substrate, the silane coupling agent and the polymer are chemically bonded, and the polymer on the insulating substrate cannot be removed by the solvent. Specifically, as shown in FIG. 3B, a polymer 62 is deposited on the silane coupling agent 60.
When such a silane coupling agent or polymer is deposited on the surface of the insulating substrate, poor adhesion between the insulating resin layer and the insulating substrate occurs as described above, causing a short circuit.

まず、本発明のプリント配線基板の製造方法について詳述し、その後製造されるプリント配線基板の態様について詳述する。
本発明のプリント配線基板の製造方法は、第1の被覆工程と、第1の洗浄工程と、第2の被覆工程と、第2の洗浄工程と、絶縁樹脂層形成工程とを備える。
以下に、図面を参照して、各工程で使用される材料、および、工程の手順について詳述する。
First, the manufacturing method of the printed wiring board of this invention is explained in full detail, and the aspect of the printed wiring board manufactured after that is explained in full detail.
The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention includes a first covering step, a first cleaning step, a second covering step, a second cleaning step, and an insulating resin layer forming step.
Below, with reference to drawings, the material used at each process and the procedure of a process are explained in full detail.

[第1の被覆工程]
第1の被覆工程は、2つ以上の反応性官能基X(ただし、シラノール基およびケイ素原子結合加水分解性基を除く)を有し、反応性官能基の少なくとも1つが後述する式(1)で表される官能基を有するチオール化合物を用いて、絶縁基板と絶縁基板上に配置される金属配線とを有する金属配線付き絶縁基板の絶縁基板表面と金属配線表面とを覆う工程である。言い換えると、金属配線付き絶縁基板の表面(特に、金属配線側の表面)をチオール化合物で覆う工程である。該工程によって、図1(A)で示す金属配線付き絶縁基板10の絶縁基板12表面上と金属配線14表面上とに、チオール化合物の層(チオール化合物層)16が形成される(図1(B))。特に、金属配線14上のチオール化合物は、主に式(1)で表される基を介して金属配線14表面に結合する。
まず、本工程で使用される材料(金属配線付き絶縁基板、チオール化合物)について説明し、その後該工程の手順について説明する。
[First coating step]
The first coating step has two or more reactive functional groups X (excluding silanol groups and silicon atom-bonded hydrolyzable groups), and at least one of the reactive functional groups is represented by the formula (1) described later. This is a step of covering the insulating substrate surface and the metal wiring surface of the insulating substrate with the metal wiring having the insulating substrate and the metal wiring arranged on the insulating substrate using a thiol compound having a functional group represented by In other words, it is a step of covering the surface of the insulating substrate with metal wiring (particularly the surface on the metal wiring side) with a thiol compound. Through this step, a thiol compound layer (thiol compound layer) 16 is formed on the surface of the insulating substrate 12 and the surface of the metal wiring 14 of the insulating substrate with metal wiring 10 shown in FIG. B)). In particular, the thiol compound on the metal wiring 14 is bonded to the surface of the metal wiring 14 mainly through a group represented by the formula (1).
First, the materials (insulating substrate with metal wiring, thiol compound) used in this step will be described, and then the procedure of the step will be described.

(金属配線付き絶縁基板)
本工程で使用される金属配線付き絶縁基板(内層基板)は、絶縁基板と絶縁基板上に配置される金属配線とを有する。言い換えれば、金属配線付き絶縁基板は絶縁基板と金属配線とを少なくとも有する積層構造で、最外層に金属配線が配置されていればよい。図1(A)には、金属配線付き絶縁基板の一態様が示されており、金属配線付き絶縁基板10は、絶縁基板12と、絶縁基板12上に配置された金属配線14とを有する。金属配線14は、図1(A)においては、基板の片面だけに設けられているが、両面に設けられていてもよい。つまり、金属配線付き絶縁基板10は、片面基板であっても、両面基板であってもよい。
なお、金属配線14が絶縁基板10の両面にある場合、第1の被覆工程、第1の洗浄工程、第2の被覆工程、第2の洗浄工程、絶縁樹脂層形成工程は、基板の両面に対して実施される。
(Insulated substrate with metal wiring)
The insulating substrate with metal wiring (inner layer substrate) used in this step has an insulating substrate and metal wiring arranged on the insulating substrate. In other words, the insulating substrate with metal wiring may have a laminated structure having at least an insulating substrate and metal wiring, and the metal wiring may be disposed in the outermost layer. FIG. 1A shows an embodiment of an insulating substrate with metal wiring. The insulating substrate 10 with metal wiring includes an insulating substrate 12 and a metal wiring 14 disposed on the insulating substrate 12. In FIG. 1A, the metal wiring 14 is provided only on one side of the substrate, but may be provided on both sides. That is, the insulating substrate 10 with metal wiring may be a single-sided substrate or a double-sided substrate.
In addition, when the metal wiring 14 is on both surfaces of the insulating substrate 10, the first covering step, the first cleaning step, the second covering step, the second cleaning step, and the insulating resin layer forming step are performed on both surfaces of the substrate. To be implemented.

絶縁基板は、絶縁性であり、金属配線を支持できるものであれば、その種類は特に制限されない。例えば、有機基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができる。
有機基板の材料としては樹脂が挙げられ、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらを混合した樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。
なお、有機基板の材料としては、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、芳香族ポリアミド織布や、これらに上記樹脂を含浸させた材料なども使用できる。
The insulating substrate is not particularly limited as long as it is insulative and can support metal wiring. For example, an organic substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, or the like can be used.
Resin is mentioned as a material of an organic substrate, For example, it is preferable to use a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or resin which mixed them. Examples of the thermosetting resin include phenol resin, urea resin, melamine resin, alkyd resin, acrylic resin, unsaturated polyester resin, diallyl phthalate resin, epoxy resin, silicone resin, furan resin, ketone resin, xylene resin, benzocyclo Examples include butene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyimide resin, polyphenylene oxide resin, polyphenylene sulfide resin, aramid resin, and liquid crystal polymer.
In addition, as a material of the organic substrate, a glass woven fabric, a glass nonwoven fabric, an aramid woven fabric, an aramid nonwoven fabric, an aromatic polyamide woven fabric, a material impregnated with the above resin, or the like can be used.

金属配線は、主に金属で構成される。金属の種類は特に制限されないが、銅または銅合金、銀または銀合金、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロム、白金、鉄、ガリウム、インジウムやそれらの組み合わせなどが挙げられる。
絶縁基板上への金属配線の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用できる。代表的には、エッチング処理を利用したサブトラクティブ法や、電解めっきを利用したセミアディティブ法が挙げられる。
なお、金属配線には、本発明の効果を損なわない範囲で、バインダー樹脂などの有機物が含まれていてもよい。
The metal wiring is mainly composed of metal. The type of metal is not particularly limited, and examples thereof include copper or copper alloy, silver or silver alloy, tin, palladium, gold, nickel, chromium, platinum, iron, gallium, indium, and combinations thereof.
The method for forming the metal wiring on the insulating substrate is not particularly limited, and a known method can be adopted. Typically, a subtractive method using an etching process and a semi-additive method using electrolytic plating can be given.
The metal wiring may contain an organic substance such as a binder resin as long as the effects of the present invention are not impaired.

金属配線の幅は特に制限されないが、プリント配線基板の高集積化の点から、0.1〜1000μmが好ましく、0.1〜25μmがより好ましく、0.1〜10μmがさらに好ましい。
金属配線間の間隔は特に制限されないが、プリント配線基板の高集積化の点から、0.1〜1000μmが好ましく、0.1〜25μmがより好ましく、0.1〜10μmがさらに好ましい。
また、金属配線のパターン形状は特に制限されず、任意のパターンであってもよい。例えば、直線状、曲線状、矩形状、円状などが挙げられる。
金属配線の厚みは特に制限されないが、プリント配線基板の高集積化の点から、1〜1000μmが好ましく、3〜25μmがより好ましく、10〜20μmがさらに好ましい。
The width of the metal wiring is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 1000 μm, more preferably 0.1 to 25 μm, and still more preferably 0.1 to 10 μm from the viewpoint of high integration of the printed wiring board.
The distance between the metal wirings is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 1000 μm, more preferably 0.1 to 25 μm, and still more preferably 0.1 to 10 μm from the viewpoint of high integration of the printed wiring board.
Further, the pattern shape of the metal wiring is not particularly limited, and may be an arbitrary pattern. For example, a linear shape, a curved shape, a rectangular shape, a circular shape, and the like can be given.
The thickness of the metal wiring is not particularly limited, but is preferably 1 to 1000 μm, more preferably 3 to 25 μm, and still more preferably 10 to 20 μm from the viewpoint of high integration of the printed wiring board.

本発明では、金属配線の表面を粗面化処理することなく、後述する絶縁樹脂層の初期密着性を確保することができる。そのため、金属配線の表面粗さRzは特に制限されないが、得られるプリント配線基板の高周波特性などの点から、10μm以下が好ましく、0.001〜2.0μmがより好ましく、0.01〜0.9μmがさらに好ましく、特に0.02〜0.5μmが特に好ましい。
なお、RzはJIS B 0601(1994年)に従って測定する。
In the present invention, initial adhesion of an insulating resin layer to be described later can be ensured without roughening the surface of the metal wiring. Therefore, the surface roughness Rz of the metal wiring is not particularly limited, but is preferably 10 μm or less, more preferably 0.001 to 2.0 μm, and more preferably 0.01 to 0. 9 μm is more preferable, and 0.02 to 0.5 μm is particularly preferable.
Rz is measured according to JIS B 0601 (1994).

本工程で使用される金属配線付き絶縁基板の他の態様として、2以上の絶縁基板と2以上の金属配線とをそれぞれ交互に有する多層配線基板が挙げられる。例えば、多層配線基板は、絶縁基板12と金属配線14との間に他の金属配線50(金属配線層)および他の絶縁基板40をこの順で備えていてもよい(図2参照)。なお、他の金属配線50および他の絶縁基板40は、絶縁基板12と金属配線14との間に、この順でそれぞれが2層以上交互に含まれていてもよい。   Another aspect of the insulating substrate with metal wiring used in this step is a multilayer wiring substrate having two or more insulating substrates and two or more metal wirings alternately. For example, the multilayer wiring board may include another metal wiring 50 (metal wiring layer) and another insulating board 40 in this order between the insulating substrate 12 and the metal wiring 14 (see FIG. 2). The other metal wiring 50 and the other insulating substrate 40 may be alternately included in two layers or more in this order between the insulating substrate 12 and the metal wiring 14.

また、金属配線付き絶縁基板は、いわゆるリジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板であってもよい。   The insulating substrate with metal wiring may be a so-called rigid substrate, flexible substrate, or rigid flexible substrate.

また、絶縁基板中にスルーホールが形成されていてもよい。絶縁基板の両面に金属配線が設けられる場合は、該スルーホール内に金属(例えば、銅または銅合金)が充填されることにより、両面の金属配線が導通されていてもよい。   In addition, a through hole may be formed in the insulating substrate. When metal wiring is provided on both surfaces of the insulating substrate, the metal wiring on both surfaces may be made conductive by filling the through hole with metal (for example, copper or copper alloy).

(チオール化合物)
本工程で使用されるチオール化合物は、2つ以上の反応性官能基X(ただし、シラノール基およびケイ素原子結合加水分解性基を除く)を有し、反応性官能基Xの少なくとも1つが後述する式(1)で表される官能基を有する。該化合物を用いて金属配線を表面処理することにより、その上に積層される絶縁樹脂層の初期密着性、および、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性を高めることができる。
(Thiol compound)
The thiol compound used in this step has two or more reactive functional groups X (excluding silanol groups and silicon-bonded hydrolyzable groups), and at least one of the reactive functional groups X will be described later. It has a functional group represented by the formula (1). By surface-treating the metal wiring using the compound, the initial adhesiveness of the insulating resin layer laminated thereon and the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer can be improved.

チオール化合物が有する反応性官能基Xは、後述するポリマーが有する反応性官能基Yと反応する官能基であればよい。例えば、式(1)で表される官能基、1級アミノ基、2級アミノ基、イソシアネート基、カルボン酸、または水酸基などが挙げられる。
なかでも、反応性がより優れ、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する点で、式(1)で表される官能基、1級アミノ基、2級アミノ基、およびイソシアネート基からなる群から選択される基であることが好ましい。特に、式(1)で表される基であることがより好ましい。
The reactive functional group X which a thiol compound has should just be a functional group which reacts with the reactive functional group Y which the polymer mentioned later has. Examples thereof include a functional group represented by the formula (1), a primary amino group, a secondary amino group, an isocyanate group, a carboxylic acid, or a hydroxyl group.
Among them, the functional group, the primary amino group, the secondary amino group, and the isocyanate group represented by the formula (1) are more excellent in reactivity and more stable over time in the adhesiveness of the insulating resin layer. A group selected from the group consisting of In particular, the group represented by the formula (1) is more preferable.

ただし、反応性官能基Xには、シラノール基およびケイ素原子結合加水分解性基は含まれない。シラノール基とは、ケイ素原子に水酸基が直接結合した基(−Si−OH)を意味する。また、ケイ素原子結合加水分解性基とは、ケイ素原子に結合した加水分解性基を意味する(例えば、ケイ素原子にアルコキシ基が直接結合したアルコキシシラン基(−Si−OR(R:アルキル基))。加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基;炭化水素オキシ基;アシルオキシ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;イソシアネート基;シアノ基;アミノ基;またはアミド基等を例示することができる。
これらの基がチオール化合物に含まれていると、金属配線表面上に親水性のシリカの網目(ネットワーク)構造が形成されてしまう。このようなネットワークがあると金属配線表面に水が接しやすくなり、結果として金属配線表面が腐食され、絶縁樹脂層との密着性の経時安定性が損なわれる。また、絶縁基板上にもシリカのネットワーク構造が形成され、絶縁信頼性が著しく低下する。
However, the reactive functional group X does not include a silanol group or a silicon atom-bonded hydrolyzable group. The silanol group means a group (—Si—OH) in which a hydroxyl group is directly bonded to a silicon atom. The silicon atom-bonded hydrolyzable group means a hydrolyzable group bonded to a silicon atom (for example, an alkoxysilane group (—Si—OR (R: alkyl group) in which an alkoxy group is directly bonded to a silicon atom). Examples of hydrolyzable groups include alkoxy groups; hydrocarbon oxy groups; acyloxy groups; halogen atoms such as fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, iodine atoms; isocyanate groups; cyano groups; amino groups; Etc. can be illustrated.
If these groups are contained in the thiol compound, a hydrophilic silica network structure is formed on the surface of the metal wiring. When such a network is present, water easily comes into contact with the surface of the metal wiring, and as a result, the surface of the metal wiring is corroded, and the temporal stability of the adhesion with the insulating resin layer is impaired. In addition, a silica network structure is formed on the insulating substrate, and the insulation reliability is significantly reduced.

チオール化合物には、上記反応性官能基Xが2つ以上含まれる。反応性官能基Xが2つ以上含まれることにより、主に、一方の反応性官能基Xで金属配線表面と結合を形成し、他方の反応性官能基Xで後述するポリマーと結合することができる。
なかでも、絶縁樹脂層の初期密着性、および、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する点で、反応性官能基Xの数は3つ以上が好ましく、3〜20つがより好ましく、4〜10つがさらに好ましく、4〜6つが特に好ましい。
反応性官能基Xの数が1つの場合、絶縁樹脂層の初期密着性が著しく劣る。
The thiol compound contains two or more reactive functional groups X. By including two or more reactive functional groups X, one of the reactive functional groups X can form a bond with the surface of the metal wiring, and the other reactive functional group X can bond to the polymer described later. it can.
Among them, the number of reactive functional groups X is preferably 3 or more, more preferably 3 to 20 in terms of further improving the initial adhesion of the insulating resin layer and the temporal stability of the adhesion of the insulating resin layer. 4 to 10 are more preferable, and 4 to 6 are particularly preferable.
When the number of the reactive functional groups X is 1, the initial adhesiveness of the insulating resin layer is extremely inferior.

チオール化合物の反応性官能基Xとして、以下の式(1)で表される官能基が少なくとも1つ含まれる。チオール化合物が該官能基を少なくとも1つ有することにより、絶縁樹脂層の初期密着性が向上する。   As the reactive functional group X of the thiol compound, at least one functional group represented by the following formula (1) is included. When the thiol compound has at least one of the functional groups, the initial adhesion of the insulating resin layer is improved.

式(1)中のL1は、2価の脂肪族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、またはアルキニレン基が挙げられる。なかでも、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する点で、炭素数1〜20が好ましく、炭素数2〜10がより好ましく、炭素数4〜8が特に好ましい。
2価の脂肪族炭化水素基としては、より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基などが挙げられる。
なかでも、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する点で、式(1)中のHS基が1級チオールであることが好ましい(つまり、HS基に直接結合するL1中の部分構造が、−CH2−であることが好ましい)。
L 1 in the formula (1) represents a divalent aliphatic hydrocarbon group. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include an alkylene group, an alkenylene group, and an alkynylene group. Especially, C1-C20 is preferable, C2-C10 is more preferable, and C4-C8 is especially preferable at the point which the temporal stability of the adhesiveness of an insulating resin layer improves more.
More specific examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, and a butylene group.
In particular, the HS group in the formula (1) is preferably a primary thiol in terms of further improving the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer (that is, in L 1 directly bonded to the HS group). The partial structure is preferably —CH 2 —.

一方、−S−SHなどのジスルフィド基や、HS基がトリアジン環やベンゼン環に結合した基の場合、HS基の活性が低い。そのため、これらの基を有する化合物を使用した場合、絶縁樹脂層の初期密着性が極端に劣る。   On the other hand, in the case of a disulfide group such as —S—SH, or a group in which an HS group is bonded to a triazine ring or a benzene ring, the activity of the HS group is low. Therefore, when a compound having these groups is used, the initial adhesiveness of the insulating resin layer is extremely inferior.

チオール化合物の反応性官能基X当量(g/eq)は特に制限されないが、絶縁樹脂層の初期密着性、または、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより優れる点で、2100以下が好ましく、400以下がより好ましく、250以下がさらに好ましい。なお、下限に関しては特に制限されないが、チオール化合物の合成上の点から、通常、40超である場合が多い。
なお、反応性官能基X当量とは、チオール化合物中に含まれる反応性官能基Xの単位数量当たりの分子の大きさを表すものである。
The reactive functional group X equivalent (g / eq) of the thiol compound is not particularly limited, but is preferably 2100 or less from the viewpoint that the initial adhesion of the insulating resin layer or the temporal stability of the adhesion of the insulating resin layer is more excellent. 400 or less is more preferable, and 250 or less is more preferable. In addition, although it does not restrict | limit in particular regarding a minimum, Usually, it is often over 40 from the point on the synthesis | combination of a thiol compound.
In addition, reactive functional group X equivalent represents the magnitude | size of the molecule | numerator per unit quantity of the reactive functional group X contained in a thiol compound.

チオール化合物の分子量は特に制限されないが、絶縁樹脂層の初期密着性がより優れ、溶媒などへの溶解性に優れる点で、8400以下が好ましく、3000以下がより好ましく、2000以下が特に好ましい。なお、下限に関しては特に制限されないが、チオール化合物の合成上の点から、通常、80超である場合が多い。   Although the molecular weight of the thiol compound is not particularly limited, it is preferably 8400 or less, more preferably 3000 or less, and particularly preferably 2000 or less, from the viewpoint that the initial adhesiveness of the insulating resin layer is more excellent and the solubility in a solvent is excellent. In addition, although it does not restrict | limit in particular regarding a minimum, Usually, it is often over 80 from the point on the synthesis | combination of a thiol compound.

チオール化合物中における硫黄原子含有量(硫黄原子の含有割合)は特に制限されないが、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより優れる点で、20wt%以上が好ましく、24〜70wt%がより好ましい。なかでも、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性が特に優れる点で、35wt%以上であることが好ましく、35〜64wt%がより好ましい。
なお、該硫黄原子含有量は、チオール化合物の全分子量中の硫黄原子の含有量(質量%)を表すものである。
The sulfur atom content (sulfur atom content ratio) in the thiol compound is not particularly limited, but is preferably 20 wt% or more, more preferably 24 to 70 wt%, in that the stability over time of the adhesiveness of the insulating resin layer is more excellent. . Especially, it is preferable that it is 35 wt% or more at the point which the temporal stability of the adhesiveness of an insulating resin layer is excellent, and 35-64 wt% is more preferable.
In addition, this sulfur atom content represents content (mass%) of the sulfur atom in the total molecular weight of a thiol compound.

(チオール化合物の好適態様)
チオール化合物の好適態様として、以下の式(2)で表されるチオール化合物が挙げられる。該化合物であれば、絶縁樹脂層の初期密着性、または、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより優れる。
(Preferred embodiment of thiol compound)
As a suitable aspect of a thiol compound, the thiol compound represented by the following formula | equation (2) is mentioned. If it is this compound, the initial adhesiveness of an insulating resin layer or the temporal stability of the adhesiveness of an insulating resin layer is more excellent.

式(2)中、L1は、上述した式(1)中のL1と同義であり、好適な範囲も上記と同じある。
式(2)中、L2およびL3は、それぞれ独立に、単結合または2価の連結基を表す。2価の連結基としては、2価の脂肪族炭化水素基(好ましくは炭素数1〜8)、2価の芳香族炭化水素基(好ましくは炭素数6〜12)、−O−、−S−、−SO2−、−N(R)−(R:アルキル基)、−CO−、−NH−、−COO−、−CONH−、またはこれらを組み合わせた基(例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など)などが挙げられる。
2価の脂肪族炭化水素基(例えば、アルキレン基)としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、またはブチレン基などが挙げられる。
2価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
In formula (2), L 1 has the same meaning as L 1 in formula (1) described above, and the preferred range is also the same as above.
In formula (2), L 2 and L 3 each independently represent a single bond or a divalent linking group. As the divalent linking group, a divalent aliphatic hydrocarbon group (preferably having 1 to 8 carbon atoms), a divalent aromatic hydrocarbon group (preferably having 6 to 12 carbon atoms), -O-, -S —, —SO 2 —, —N (R) — (R: alkyl group), —CO—, —NH—, —COO—, —CONH—, or a combination thereof (eg, alkyleneoxy group, alkylene Oxycarbonyl group, alkylenecarbonyloxy group, etc.).
Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group (for example, an alkylene group) include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, or a butylene group.
Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include a phenylene group and a naphthylene group.

なかでも、絶縁樹脂層の初期密着性がより優れる点で、L2およびL3としては、2価の脂肪族炭化水素基、−CO−、−O−、−S−、または、これらを組み合わせた基であることが好ましい。 Among these, L 2 and L 3 are divalent aliphatic hydrocarbon groups, —CO—, —O—, —S—, or a combination thereof, in that the initial adhesion of the insulating resin layer is more excellent. It is preferable that

式(2)中、R1は、上記式(1)で表される官能基、1級アミノ基、2級アミノ基、およびイソシアネート基からなる群から選択される基を表す。 In the formula (2), R 1 represents a group selected from the group consisting of the functional group represented by the above formula (1), a primary amino group, a secondary amino group, and an isocyanate group.

式(2)中、nは、1以上の整数を表す。なかでも、合成が容易であり、絶縁樹脂層の初期密着性がより優れる点で、1〜19が好ましく、2〜9がより好ましく、3〜7がより好ましい。
式(2)中、mは、1以上の整数を表す。なかでも、合成が容易であり、絶縁樹脂層の初期密着性がより優れる点で、1〜19が好ましく、1〜9がより好ましく、1〜5がより好ましい。
n+mは特に制限されないが、3以上であることが好ましく、3〜20がより好ましく、4〜10がさらに好ましく、4〜8が特に好ましい。
In formula (2), n represents an integer of 1 or more. Especially, 1-19 are preferable, 2-9 are more preferable, and 3-7 are more preferable at the point which is easy to synthesize | combine and the initial adhesiveness of an insulating resin layer is more excellent.
In formula (2), m represents an integer of 1 or more. Especially, 1-19 are preferable, 1-9 are more preferable, and 1-5 are more preferable at the point which is easy to synthesize | combine and the initial adhesiveness of an insulating resin layer is more excellent.
n + m is not particularly limited, but is preferably 3 or more, more preferably 3 to 20, still more preferably 4 to 10, and particularly preferably 4 to 8.

式(2)中、Xは、硫黄原子、窒素原子、または酸素原子を含んでいてもよい、n+m価の炭化水素基を表す。
炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、取り扱い性、溶剤への溶解性などの点から、炭素数1〜20が好ましく、炭素数1〜8がより好ましい。炭化水素基としては、より具体的には、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、または、これらを組み合わせた基が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、取扱い性に優れ、溶剤への溶解性がより優れる点で、炭素数1〜10が好ましく、炭素数1〜8がより好ましい。
芳香族炭化水素基としては特に制限されず、取扱い性に優れ、溶剤への溶解性がより優れる点で、炭素数1〜10が好ましく、炭素数1〜7がより好ましい。
In the formula (2), X represents an n + m-valent hydrocarbon group that may contain a sulfur atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom.
The number of carbon atoms of the hydrocarbon group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20 carbon atoms, and more preferably 1 to 8 carbon atoms from the viewpoints of handleability and solubility in a solvent. More specifically, examples of the hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group obtained by combining these.
The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic, and preferably has 1 to 10 carbon atoms and 1 carbon atom in terms of excellent handleability and better solubility in a solvent. ~ 8 is more preferred.
It does not restrict | limit especially as an aromatic hydrocarbon group, C1-C10 is preferable and C1-C7 is more preferable at the point which is excellent in handleability and more soluble in a solvent.

チオール化合物のより好適な態様として、以下の式(3)で表されるチオール化合物が挙げられる。該化合物であれば、絶縁樹脂層の初期密着性、または、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する。   A more preferred embodiment of the thiol compound is a thiol compound represented by the following formula (3). If it is this compound, the initial adhesiveness of an insulating resin layer or the temporal stability of the adhesiveness of an insulating resin layer will improve more.

式(3)中、L1は、上述した式(1)中のL1と同義であり、好適な範囲も上記と同じある。
式(3)中、L2は、上述した式(2)中のL2と同義であり、好適な範囲も上記と同じある。
式(3)中、Yは、硫黄原子、窒素原子、または酸素原子を含んでいてもよい、p価の脂肪族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基の定義は、上記Xでの脂肪族炭化水素基の定義と同義であり、好適範囲も同じである。
In formula (3), L 1 has the same meaning as L 1 in formula (1) described above, and the preferred range is also the same as above.
In formula (3), L 2 has the same meaning as L 2 in formula (2) described above, and the preferred range is also the same as above.
In formula (3), Y represents a p-valent aliphatic hydrocarbon group which may contain a sulfur atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. The definition of an aliphatic hydrocarbon group is synonymous with the definition of the aliphatic hydrocarbon group in said X, and its suitable range is also the same.

なお、Yの好適態様としては、以下の式(4)〜式(6)で表される基が挙げられる。   In addition, as a suitable aspect of Y, group represented by the following formula | equation (4)-Formula (6) is mentioned.

式(5)中、L4は、酸素原子または酸素原子を含んでもよい二価の脂肪族炭化水素基(炭素数1〜20が好ましく、1〜10がより好ましい。なお、該炭素数は、該基中に含まれる炭素の数の合計を意味する。)を表す。
式(4)〜式(6)中、*は結合位置を表す。
In formula (5), L 4 represents an oxygen atom or a divalent aliphatic hydrocarbon group that may contain an oxygen atom (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. Represents the total number of carbon atoms contained in the group).
In the formulas (4) to (6), * represents a bonding position.

式(3)中、pは4以上の整数を表す。なかでも、合成が容易であり、絶縁樹脂層の初期密着性がより優れる点で、4〜20が好ましく、4〜6がより好ましい。   In formula (3), p represents an integer of 4 or more. Especially, 4-20 are preferable and 4-6 are more preferable at the point which is easy to synthesize | combine and the initial adhesiveness of an insulating resin layer is more excellent.

チオール化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を同時に使用してもよい。   A thiol compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types simultaneously.

チオール化合物の具体例としては、例えば、以下に示す化合物が挙げられる。なかでも、絶縁樹脂層の初期密着性がより優れる点で、Pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate)、Dipentaerythritol hexakis(3-mercaptopropionate)、テトラキス−(7−メルカプト−2,5−ジチアヘプチル)メタンなどが好ましく挙げられ、テトラキス−(7−メルカプト−2,5−ジチアヘプチル)メタンが特に好ましい。   Specific examples of the thiol compound include the compounds shown below. Among them, Pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), Dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), tetrakis- (7-mercapto-2,5-dithiaheptyl) methane and the like are preferably mentioned in that the initial adhesion of the insulating resin layer is more excellent. Tetrakis- (7-mercapto-2,5-dithiaheptyl) methane is particularly preferred.

(工程の手順)
本工程では、上記金属配線付き絶縁基板の絶縁基板表面と金属配線表面とをチオール化合物で覆う。
本工程の方法は、金属配線付き絶縁基板とチオール化合物とを接触させることができれば特に制限されず、金属配線付き絶縁基板上へチオール化合物を塗布する、または、液状のチオール化合物中に金属配線付き絶縁基板を浸漬するなど、公知の方法を採用することができる。より具体的には、ディップ浸漬、シャワー噴霧、スプレー塗布、スピンコートなどが挙げられ、処理の簡便さ、処理時間の調整の容易さから、ディップ浸漬、シャワー噴霧、スプレー塗布が好ましい。
(Process procedure)
In this step, the insulating substrate surface and the metal wiring surface of the insulating substrate with metal wiring are covered with a thiol compound.
The method in this step is not particularly limited as long as the insulating substrate with metal wiring can be brought into contact with the thiol compound, and the thiol compound is applied onto the insulating substrate with metal wiring, or the metal wiring is included in the liquid thiol compound. A known method such as dipping the insulating substrate can be employed. More specifically, dip dipping, shower spraying, spray coating, spin coating and the like can be mentioned, and dip dipping, shower spraying, and spray coating are preferred from the viewpoint of simplicity of processing and easy adjustment of processing time.

なお、必要に応じて、チオール化合物と溶媒とを含む表面処理液を金属配線付き絶縁基板上(金属配線側の表面上)に塗布する、または、該表面処理液中に金属配線付き絶縁基板を浸漬してもよい。該態様であれば、金属配線上に結合するチオール化合物の量を制御しやすく、絶縁樹脂層の初期密着性がより向上しやすい。
以下、使用される表面処理液の構成について詳述する。
In addition, if necessary, a surface treatment liquid containing a thiol compound and a solvent is applied onto an insulating substrate with metal wiring (on the surface on the metal wiring side), or an insulating substrate with metal wiring is placed in the surface treatment liquid. It may be immersed. If it is this aspect, it will be easy to control the quantity of the thiol compound couple | bonded on a metal wiring, and it will be easier to improve the initial adhesiveness of an insulating resin layer.
Hereinafter, the configuration of the surface treatment liquid used will be described in detail.

表面処理液中におけるチオール化合物の含有量は特に制限されないが、絶縁樹脂層の初期密着性、または、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより優れる点で、0.01〜10mM(ミリモル)が好ましく、0.05〜3mMがより好ましく、0.1〜1mMがさらに好ましい。チオール化合物の含有量が多すぎると、金属配線に結合するチオール化合物の量の制御が困難となると共に、不経済である。チオール化合物の含有量が少なすぎると、チオール化合物の結合に時間がかかり、生産性が悪い。   The content of the thiol compound in the surface treatment liquid is not particularly limited, but is 0.01 to 10 mM (mmol) in that the initial adhesion of the insulating resin layer or the temporal stability of the adhesion of the insulating resin layer is more excellent. Is preferable, 0.05-3 mM is more preferable, and 0.1-1 mM is further more preferable. When the content of the thiol compound is too large, it becomes difficult to control the amount of the thiol compound bonded to the metal wiring, and it is uneconomical. If the content of the thiol compound is too small, it takes time to bond the thiol compound and the productivity is poor.

表面処理液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、例えば、水、アルコール系溶剤(例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール)、ケトン系溶剤(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン)、アミド系溶剤(例えば、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン)、ニトリル系溶剤(例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル)、エステル系溶剤(例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン)、カーボネート系溶剤(例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート)、エーテル系溶剤(例えば、セロソルブ、テトラヒドロフラン)、ハロゲン系溶剤、グリコールエーテル系溶剤(例えば、ジプロピレングリコールメチルエーテル)、グリコールエステル系溶剤(例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート)などが挙げられる。これらの溶剤を、2種以上混合して使用してもよい。
なかでも、チオール化合物の溶解性の点で、ケトン系溶剤、グリコールエステル系溶剤、アルコール系溶剤が好ましい。
The kind of the solvent contained in the surface treatment liquid is not particularly limited, and examples thereof include water, alcohol solvents (for example, methanol, ethanol, isopropanol), ketone solvents (for example, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone), amide solvents (for example, , Formamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone), nitrile solvents (eg acetonitrile, propionitrile), ester solvents (eg methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone), carbonate solvents (Eg dimethyl carbonate, diethyl carbonate), ether solvents (eg cellosolve, tetrahydrofuran), halogen solvents, glycol ether solvents (eg dipropylene glycol methyl ether), glycosyl Ester solvents (e.g., propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate) and the like. Two or more of these solvents may be mixed and used.
Of these, ketone solvents, glycol ester solvents, and alcohol solvents are preferred from the viewpoint of solubility of the thiol compound.

表面処理液中における溶剤の含有量は特に制限されないが、処理液全量に対して、50〜99.99質量%が好ましく、90〜99.99質量%がより好ましく、95〜99.99質量%が特に好ましい。   The content of the solvent in the surface treatment liquid is not particularly limited, but is preferably 50 to 99.99% by mass, more preferably 90 to 99.99% by mass, and 95 to 99.99% by mass with respect to the total amount of the treatment liquid. Is particularly preferred.

表面処理液中には、チオール化合物と反応する官能基を有する樹脂(以後、樹脂Xとも称する。例えば、エポキシ樹脂、アクリレート基を有するアクリル樹脂など)が実質的に含まれていないことが好ましい。樹脂Xが表面処理液中に含まれていると、上記チオール化合物との間で反応が進行し、処理液自体の安定性が損なわれる。さらに、金属配線上に所望量のチオール化合物を結合させることが困難となり、結果として絶縁樹脂層の初期密着性が低下する。
なお、実質的に樹脂Xが含まれていないとは、表面処理液中における樹脂Xの含有量が、処理液全量に対して、1質量%以下を意味する。特に、樹脂Xが含まれていないこと(0質量%)が好ましい。
It is preferable that the surface treatment liquid does not substantially contain a resin having a functional group that reacts with the thiol compound (hereinafter also referred to as resin X. For example, an epoxy resin, an acrylic resin having an acrylate group, or the like). When the resin X is contained in the surface treatment liquid, the reaction proceeds with the thiol compound, and the stability of the treatment liquid itself is impaired. Furthermore, it becomes difficult to bond a desired amount of thiol compound on the metal wiring, and as a result, the initial adhesion of the insulating resin layer is lowered.
In addition, that the resin X is substantially not included means that the content of the resin X in the surface treatment liquid is 1% by mass or less with respect to the total amount of the treatment liquid. In particular, it is preferable that the resin X is not contained (0% by mass).

なお、上記処理液には、pH調整剤、界面活性剤、防腐剤、析出防止剤などの添加剤が含まれていてもよい。   The treatment liquid may contain additives such as a pH adjuster, a surfactant, a preservative, and a precipitation inhibitor.

金属配線付き絶縁基板と接触する際のチオール化合物または表面処理液の温度としては、チオール化合物の付着量(結合量)制御の点で、5〜75℃の範囲が好ましく、10〜45℃の範囲がより好ましく、15〜35℃の範囲がさらに好ましい。
また、接触時間としては、生産性およびチオール化合物の付着量(結合量)制御の点で、30秒〜120分の範囲が好ましく、3分〜60分の範囲がより好ましく、5分〜30分の範囲がさらに好ましい。
The temperature of the thiol compound or the surface treatment liquid when contacting the insulating substrate with metal wiring is preferably in the range of 5 to 75 ° C., and in the range of 10 to 45 ° C. Is more preferable, and the range of 15-35 degreeC is further more preferable.
Further, the contact time is preferably in the range of 30 seconds to 120 minutes, more preferably in the range of 3 minutes to 60 minutes, and more preferably in the range of 5 minutes to 30 minutes in terms of productivity and control of the attached amount (bound amount) of the thiol compound. The range of is more preferable.

[第1の洗浄工程]
本工程は、溶剤(第1の洗浄溶剤)を用いて、金属配線付き絶縁基板を洗浄して、絶縁基板表面上のチオール化合物を除去する工程である。本工程を行うことにより、金属配線と結合したチオール化合物以外のチオール化合物、特に絶縁基板表面上のチオール化合物を洗浄除去することができる。具体的には、図1(C)に示すように、絶縁基板12上のチオール化合物層16が実質的に除去される共に、金属配線14上の余分なチオール化合物も除去され、金属配線14の表面に結合したチオール化合物の層(チオール化合物層)18が形成される。なお、本工程終了後、本発明の効果を損なわない範囲で、絶縁基板12上にチオール化合物が残存していてもよい。
まず、本工程で使用される材料(第1の洗浄溶剤)について説明し、その後該工程の手順について説明する。
[First cleaning step]
This step is a step of removing the thiol compound on the surface of the insulating substrate by cleaning the insulating substrate with metal wiring using a solvent (first cleaning solvent). By performing this step, thiol compounds other than the thiol compound bonded to the metal wiring, in particular, thiol compounds on the surface of the insulating substrate can be washed away. Specifically, as shown in FIG. 1C, the thiol compound layer 16 on the insulating substrate 12 is substantially removed, and the excess thiol compound on the metal wiring 14 is also removed. A layer of thiol compound (thiol compound layer) 18 bonded to the surface is formed. In addition, after the completion of this step, the thiol compound may remain on the insulating substrate 12 as long as the effects of the present invention are not impaired.
First, the material (first cleaning solvent) used in this step will be described, and then the procedure of this step will be described.

(第1の洗浄溶剤)
金属配線付き絶縁基板を洗浄する第1の洗浄工程で使用される溶剤(第1の洗浄溶剤)の種類は特に限定されず、絶縁基板上のチオール化合物を除去できる溶剤であればよい。なかでも、チオール化合物が溶解する溶剤であることが好ましい。該溶剤を使用することにより、絶縁基板上に堆積した余分なチオール化合物や、金属配線上の余分なチオール化合物などをより効率的に除去することができる。
溶剤の種類として、例えば、水、アルコール系溶剤(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール)、ケトン系溶剤(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン)、アミド系溶剤(例えば、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン)、ニトリル系溶剤(例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル)、エステル系溶剤(例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン)、カーボネート系溶剤(例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート)、エーテル系溶剤(例えば、セロソルブ、テトラヒドロフラン)、ハロゲン系溶剤、グリコールエーテル系溶剤(例えば、ジプロピレングリコールメチルエーテル)、グリコールエステル系溶剤(例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート)などが挙げられる。これらの溶剤を、2種以上混合して使用してもよい。
なかでも、チオール化合物の除去性がより優れる点から、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤(好ましくはシクロヘキサノン)、グリコールエステル系溶剤(好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート)、アミド系溶剤(好ましくはN−エチルピロリドン)または、これらの溶剤と水との混合溶媒が好ましい。
(First cleaning solvent)
The kind of the solvent (first cleaning solvent) used in the first cleaning step for cleaning the insulating substrate with metal wiring is not particularly limited as long as the solvent can remove the thiol compound on the insulating substrate. Especially, it is preferable that it is a solvent in which a thiol compound dissolves. By using the solvent, it is possible to more efficiently remove excess thiol compounds deposited on the insulating substrate, excess thiol compounds on the metal wiring, and the like.
Examples of the solvent include water, alcohol solvents (for example, methanol, ethanol, propanol), ketone solvents (for example, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone), amide solvents (for example, formamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone). N-ethylpyrrolidone), nitrile solvents (eg acetonitrile, propionitrile), ester solvents (eg methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone), carbonate solvents (eg dimethyl carbonate, diethyl carbonate), Ether solvents (eg cellosolve, tetrahydrofuran), halogen solvents, glycol ether solvents (eg dipropylene glycol methyl ether), glycol ester solvents (eg propylene) Glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate) and the like. Two or more of these solvents may be mixed and used.
Of these, alcohol solvents, ketone solvents (preferably cyclohexanone), glycol ester solvents (preferably propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate), amide solvents, because thiol compounds are more easily removed. (Preferably N-ethylpyrrolidone) or a mixed solvent of these solvents and water is preferable.

使用される溶剤の沸点(25℃、1気圧)は特に制限されないが、安全性の観点で、75〜200℃が好ましく、80〜180℃がより好ましい。   Although the boiling point (25 degreeC, 1 atmosphere) of the solvent used is not restrict | limited in particular, 75-200 degreeC is preferable and 80-180 degreeC is more preferable from a safety viewpoint.

(工程の手順)
洗浄方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、金属配線付き絶縁基板上(金属配線側の表面上)に第1の洗浄溶剤を塗布する方法、第1の洗浄溶剤中に金属配線付き絶縁基板を浸漬する方法などが挙げられる。
また、第1の洗浄溶剤の液温としては、チオール化合物の付着量(結合量)制御の点で、5〜60℃の範囲が好ましく、15〜35℃の範囲がより好ましい。
また、金属配線付き絶縁基板と第1の洗浄溶剤との接触時間としては、生産性、およびチオール化合物の付着量(結合量)制御の点で、10秒〜10分の範囲が好ましく、15秒〜5分の範囲がより好ましい。
(Process procedure)
The cleaning method is not particularly limited, and a known method can be employed. Examples thereof include a method of applying a first cleaning solvent on an insulating substrate with metal wiring (on the surface on the metal wiring side), a method of immersing the insulating substrate with metal wiring in the first cleaning solvent, and the like.
Moreover, as a liquid temperature of a 1st washing | cleaning solvent, the range of 5-60 degreeC is preferable at the point of adhesion amount (bonding amount) control of a thiol compound, and the range of 15-35 degreeC is more preferable.
The contact time between the insulating substrate with metal wiring and the first cleaning solvent is preferably in the range of 10 seconds to 10 minutes in terms of productivity and control of the amount of thiol compound attached (bonding amount), and 15 seconds. A range of ˜5 minutes is more preferred.

(チオール化合物層)
図1(C)に示すように、上記第1の洗浄工程を経て得られる金属配線の表面に結合したチオール化合物層18の厚みは特に制限されないが、絶縁樹脂層の初期密着性がより優れる点で、0.1〜10nmが好ましく、0.1〜3nmがより好ましく、0.1〜2nmがさらに好ましい。
なお、チオール化合物層18の厚みや被覆率を制御するために、上記第1の被覆工程と第1の洗浄工程とをそれぞれ2回以上連続して実施してもよい。その際、1回目の第1の被覆工程で使用されるチオール化合物と、2回目の第1の被覆工程で使用されるチオール化合物とは異なっていてもよい。
(Thiol compound layer)
As shown in FIG. 1C, the thickness of the thiol compound layer 18 bonded to the surface of the metal wiring obtained through the first cleaning step is not particularly limited, but the initial adhesion of the insulating resin layer is more excellent. Is preferably 0.1 to 10 nm, more preferably 0.1 to 3 nm, and still more preferably 0.1 to 2 nm.
In addition, in order to control the thickness and coverage of the thiol compound layer 18, the first covering step and the first cleaning step may be performed twice or more continuously. In that case, the thiol compound used in the first first coating step may be different from the thiol compound used in the second first coating step.

[第2の被覆工程]
本工程は、反応性官能基Xと反応する反応性官能基Yを少なくとも3つ以上分子内に有するポリマーを用いて、チオール化合物で覆われた金属配線表面と絶縁基板表面とを覆う工程である。言い換えると、金属配線付き絶縁基板の表面(特に、金属配線側の表面)をポリマーで覆う工程である。より具体的には、図1(D)に示すように、絶縁基板12表面上とチオール化合物層18で覆われた金属配線14表面上とに、ポリマーの層(ポリマー層)20が形成される。特に、チオール化合物層18上のポリマーは、反応性官能基Yを介してチオール化合物層18に結合する。
該工程によって、チオール化合物が結合した金属配線の表面を覆うようにポリマーが結合し、後述する絶縁樹脂層の初期密着性、または、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性が向上する。
まず、本工程で使用される材料(ポリマー)について説明し、その後該工程の手順について説明する。
[Second coating step]
This step is a step of covering the surface of the metal wiring covered with the thiol compound and the surface of the insulating substrate using a polymer having at least three or more reactive functional groups Y that react with the reactive functional group X in the molecule. . In other words, it is a step of covering the surface of the insulating substrate with metal wiring (in particular, the surface on the metal wiring side) with the polymer. More specifically, as shown in FIG. 1D, a polymer layer (polymer layer) 20 is formed on the surface of the insulating substrate 12 and on the surface of the metal wiring 14 covered with the thiol compound layer 18. . In particular, the polymer on the thiol compound layer 18 is bonded to the thiol compound layer 18 through the reactive functional group Y.
By this step, the polymer is bonded so as to cover the surface of the metal wiring to which the thiol compound is bonded, and the initial adhesiveness of the insulating resin layer described later or the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer is improved.
First, the material (polymer) used in this step will be described, and then the procedure of the step will be described.

(ポリマー)
本工程で使用されるポリマーは、上記反応性官能基Xと反応する反応性官能基Yを少なくとも3つ以上分子内に有するポリマーである。該ポリマーは、反応性官能基Yを介して、上述した金属配線に結合したチオール化合物の未反応の反応性官能基Xと結合する。結合したポリマーは、金属配線とその上に形成される絶縁樹脂層との応力緩和の役割を果たし、絶縁樹脂層の初期密着性、および、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性向上に寄与する。
(polymer)
The polymer used in this step is a polymer having at least three or more reactive functional groups Y that react with the reactive functional group X in the molecule. The polymer is bonded to the unreacted reactive functional group X of the thiol compound bonded to the metal wiring described above via the reactive functional group Y. The bonded polymer plays a role of stress relaxation between the metal wiring and the insulating resin layer formed thereon, and contributes to the initial adhesion of the insulating resin layer and the improvement of the temporal stability of the adhesion of the insulating resin layer. .

反応性官能基Yは、上述した反応性官能基Xと反応する官能基であれば、特に制限されない。例えば、水酸基、1級アミノ基、2級アミノ基、エポキシ基(特に、好ましくはグリシジル基)、アクリレート基、またはメタクリレート基などが挙げられる。
なかでも、反応性がより優れ、絶縁樹脂層の初期密着性がより向上する点で、エポキシ基、アクリレート基、またはメタクリレート基が好ましく、エポキシ基がさらに好ましい。
The reactive functional group Y is not particularly limited as long as it is a functional group that reacts with the reactive functional group X described above. Examples thereof include a hydroxyl group, a primary amino group, a secondary amino group, an epoxy group (particularly preferably, a glycidyl group), an acrylate group, and a methacrylate group.
Among these, an epoxy group, an acrylate group, or a methacrylate group is preferable, and an epoxy group is more preferable in that the reactivity is more excellent and the initial adhesion of the insulating resin layer is further improved.

ポリマー分子中に含まれる反応性官能基Yの数は3つ以上である。なかでも、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する点で、10以上が好ましく、50以上がより好ましく、200以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、ポリマーの溶解性と反応のしやすさの点より、1000以下が好ましい。
ポリマー中に含まれる反応性官能基Yの数が3つ未満であると、チオール化合物とのネットワーク構造を十分に形成できず、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性が極端に劣る。
The number of reactive functional groups Y contained in the polymer molecule is 3 or more. Especially, 10 or more are preferable, 50 or more are more preferable, and 200 or more are especially preferable at the point which the temporal stability of the adhesiveness of an insulating resin layer improves more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 1000 or less from the viewpoint of the solubility of the polymer and the ease of reaction.
If the number of reactive functional groups Y contained in the polymer is less than 3, the network structure with the thiol compound cannot be sufficiently formed, and the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer is extremely inferior.

ポリマーの反応性官能基Y当量(g/eq)は特に制限されないが、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより優れる点で、2000以下が好ましく、1000以下がより好ましく、200以下がさらに好ましい。なお、下限に関しては特に制限されないが、ポリマーの合成上の点から、通常、40以上である場合が多い。
なお、反応性官能基Y当量とは、ポリマー中に含まれる反応性官能基Yの単位数量当たりの分子の大きさを表すものである。
The reactive functional group Y equivalent (g / eq) of the polymer is not particularly limited, but is preferably 2000 or less, more preferably 1000 or less, and even more preferably 200 or less, from the viewpoint that the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer is more excellent. preferable. In addition, although it does not restrict | limit in particular regarding a minimum, Usually, it is 40 or more from the point on the synthesis | combination of a polymer.
In addition, reactive functional group Y equivalent represents the magnitude | size of the molecule | numerator per unit quantity of the reactive functional group Y contained in a polymer.

ポリマーの数平均分子量は特に制限されないが、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する点で、5000以上が好ましく、7500以上がより好ましく、10000以上がさらに好ましく、17500以上が特に好ましく、36000以上が最も好ましい。上限は特に制限されないが、ポリマーの溶解性などの取扱い性により優れる点で、500000以下が好ましく、150000以下がより好ましい。
なお、異なる数平均分子量のエポキシ樹脂を併用しても構わない。
The number average molecular weight of the polymer is not particularly limited, but is preferably 5000 or more, more preferably 7500 or more, further preferably 10,000 or more, and particularly preferably 17500 or more in terms of further improving the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer. 36000 or more is most preferable. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 500,000 or less, and more preferably 150,000 or less in terms of excellent handling properties such as polymer solubility.
In addition, you may use together the epoxy resin of a different number average molecular weight.

ポリマーの種類は特に制限されず、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ノボラック樹脂、クレゾール樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、スチレン樹脂などが挙げられる。なかでも、材料の入手性や、成膜性などの点で、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂が好ましい。   The type of polymer is not particularly limited, and examples thereof include polyimide resin, epoxy resin, urethane resin, polyethylene resin, polyester resin, urethane resin, novolac resin, cresol resin, acrylic resin, methacrylic resin, and styrene resin. Of these, acrylic resins and methacrylic resins are preferable in terms of availability of materials and film formability.

(ポリマーの好適態様)
ポリマーの好適態様として、以下の式(7)で表される繰り返し単位を有するポリマーが挙げられる。該ポリマーであれば、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する。
(Preferred embodiment of polymer)
As a preferred embodiment of the polymer, a polymer having a repeating unit represented by the following formula (7) can be mentioned. If it is this polymer, the time-dependent stability of the adhesiveness of an insulating resin layer will improve more.

式(7)中、R2は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基としては、合成がしやすい点で、炭素数1〜5が好ましく、炭素数1〜3がより好ましい。 In formula (7), R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group. As an alkyl group, C1-C5 is preferable and C1-C3 is more preferable at the point which is easy to synthesize | combine.

式(7)中、L5は、単結合または2価の連結基を表す。2価の連結基の定義は、式(2)中のL2およびL3で表される2価の連結基の定義と同義である。
5としては、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより優れる点で、2価の脂肪族炭化水素基、−CO−、−O−、またはこれらを組み合わせた基が好ましい。
In formula (7), L 5 represents a single bond or a divalent linking group. Definition of the divalent linking group are the same as those defined divalent linking group represented by L 2 and L 3 in formula (2).
L 5 is preferably a divalent aliphatic hydrocarbon group, —CO—, —O—, or a group obtained by combining these, in that the stability over time of the adhesiveness of the insulating resin layer is more excellent.

式(7)中、Zは、エポキシ基、アクリレート基、およびメタクリレート基を表す。なかでも、絶縁樹脂層の初期密着または絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより優れる点で、エポキシ基が好ましい。   In formula (7), Z represents an epoxy group, an acrylate group, and a methacrylate group. Among these, an epoxy group is preferable in that the initial adhesion of the insulating resin layer or the temporal stability of the adhesion of the insulating resin layer is more excellent.

ポリマーの他の好適態様として、エポキシ樹脂が挙げられる。使用されるエポキシ樹脂は少なくともエポキシ基を3つ以上有する樹脂であれば特に制限されず、公知の樹脂(例えば、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ポリメタクリル酸グリシジルなど)を使用できる。   Another preferred embodiment of the polymer is an epoxy resin. The epoxy resin used is not particularly limited as long as it is a resin having at least three epoxy groups, and is a known resin (for example, glycidyl ether type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, polymethacrylic acid). Glycidyl etc.) can be used.

(工程の手順)
本工程では、上記金属配線付き絶縁基板の絶縁基板表面と金属配線表面とをポリマーで覆う。
本工程の方法は、金属配線付き絶縁基板とポリマーとを接触させることができれば特に制限されず、金属配線付き絶縁基板上へのポリマーを塗布する(塗布法)、または、金属配線付き絶縁基板上にポリマーをラミネートする(ラミネート法)など、公知の方法を採用することができる。塗布法の方法としては、例えば、ディップ浸漬、シャワー噴霧、スプレー塗布、スピンコートなどが挙げられ、処理の簡便さ、処理時間の調整の容易さから、ディップ浸漬、シャワー噴霧、スプレー塗布が好ましい。
(Process procedure)
In this step, the insulating substrate surface and the metal wiring surface of the insulating substrate with metal wiring are covered with a polymer.
The method of this step is not particularly limited as long as the insulating substrate with metal wiring can be brought into contact with the polymer, and the polymer is applied onto the insulating substrate with metal wiring (coating method) or on the insulating substrate with metal wiring. A known method such as laminating a polymer (lamination method) can be employed. Examples of the coating method include dip dipping, shower spraying, spray coating, spin coating and the like, and dip dipping, shower spraying, and spray coating are preferable from the standpoint of easy processing and easy adjustment of processing time.

なお、必要に応じて、ポリマーと溶媒とを含むポリマー組成物を金属配線付き絶縁基板上(金属配線側の表面上)に塗布する、または、該ポリマー組成物中に金属配線付き絶縁基板を浸漬してもよい。該態様であれば、チオール化合物で覆われた金属配線上に結合するポリマーの量を制御しやすく、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上しやすい。
以下、使用されるポリマー組成物の構成について詳述する。
In addition, if necessary, a polymer composition containing a polymer and a solvent is applied on an insulating substrate with metal wiring (on the surface on the metal wiring side), or the insulating substrate with metal wiring is immersed in the polymer composition. May be. If it is this aspect, it will be easy to control the quantity of the polymer couple | bonded on the metal wiring covered with the thiol compound, and it will be easier to improve the temporal stability of the adhesiveness of an insulating resin layer.
Hereinafter, the constitution of the polymer composition used will be described in detail.

ポリマー組成物中におけるポリマーの含有量は特に制限されないが、結合するポリマーの量を制御しやすく、絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する点で、ポリマー組成物全量に対して、0.01〜80質量%が好ましく、0.1〜50質量%がより好ましく、0.5〜20質量%がさらに好ましい。   The content of the polymer in the polymer composition is not particularly limited, but it is easy to control the amount of the polymer to be bonded, and the stability over time of the adhesiveness of the insulating resin layer is further improved, with respect to the total amount of the polymer composition, 0.01-80 mass% is preferable, 0.1-50 mass% is more preferable, 0.5-20 mass% is further more preferable.

ポリマー組成物中に含まれる溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、上記表面処理液で使用される溶媒などが例示される。
なかでも、溶解性に優れる点で、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤(好ましくはシクロヘキサノン)、グリコールエステル系溶剤(好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート)、アミド系溶剤(好ましくはN−エチルピロリドン)が好ましい。
Although the kind in particular of solvent contained in a polymer composition is not restrict | limited, For example, the solvent etc. which are used with the said surface treatment liquid are illustrated.
Among them, alcohol solvents, ketone solvents (preferably cyclohexanone), glycol ester solvents (preferably propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate), amide solvents (preferably N) are preferred because of their excellent solubility. -Ethylpyrrolidone) is preferred.

なお、ポリマー組成物中には、無機フィラーが実質的に含まれていないことが好ましい。ポリマー組成物に無機フィラーが含まれていると、チオール化合物で覆われた金属配線上にポリマーと共に無機フィラーが積層され、ポリマーの応力緩和機能が低下してしまう。結果として、絶縁樹脂層の初期密着性が悪化する場合がある。無機フィラーとしては、例えば、アルミナ(酸化アルミニウム)、マグネシア(酸化マグネシウム)、酸化カルシウム、チタニア(酸化チタン)、ジルコニア(酸化ジルコニウム)、タルク、シリカ(酸化ケイ素)などの公知の材料が挙げられる。
なお、無機フィラーが実質的に含まれていないとは、ポリマー組成物中における無機フィラーの含有量が、ポリマー組成物中のポリマーと無機フィラーとの合計量に対して、0.9質量%以下であることを意味する。特に、無機フィラーが含まれていないこと(0質量%)が好ましい。
In addition, it is preferable that the inorganic filler is not substantially contained in the polymer composition. When the inorganic filler is contained in the polymer composition, the inorganic filler is laminated together with the polymer on the metal wiring covered with the thiol compound, and the stress relaxation function of the polymer is lowered. As a result, the initial adhesion of the insulating resin layer may be deteriorated. Examples of the inorganic filler include known materials such as alumina (aluminum oxide), magnesia (magnesium oxide), calcium oxide, titania (titanium oxide), zirconia (zirconium oxide), talc, and silica (silicon oxide).
In addition, that the inorganic filler is substantially not included, the content of the inorganic filler in the polymer composition is 0.9% by mass or less with respect to the total amount of the polymer and the inorganic filler in the polymer composition. It means that. In particular, it is preferable that no inorganic filler is contained (0% by mass).

ポリマーまたはポリマー組成物と金属配線付き絶縁基板との接触時間としては、生産性およびポリマーの付着量(結合量)制御の点で、30秒〜120分の範囲が好ましく、3分〜60分の範囲がより好ましく、5分〜30分の範囲がさらに好ましい。   The contact time between the polymer or polymer composition and the insulating substrate with metal wiring is preferably in the range of 30 seconds to 120 minutes in terms of productivity and control of the amount of polymer attached (bonding amount), and preferably 3 minutes to 60 minutes. The range is more preferable, and the range of 5 minutes to 30 minutes is more preferable.

[第2の洗浄工程]
本工程は、溶剤(第2の洗浄溶剤)を用いて、金属配線付き絶縁基板を洗浄して、絶縁基板表面上のポリマーを除去する工程である。本工程を行うことにより、金属配線上のチオール化合物と結合したポリマー以外のポリマー、特に絶縁基板表面上のポリマーを洗浄除去することができる。具体的には、図1(E)に示すように、絶縁基板12上のポリマー16が除去されると共に、金属配線14上の余分なポリマーも除去され、チオール化合物で覆われた金属配線に結合したポリマーの層(ポリマー層)22が形成される。なお、本工程終了後、本発明の効果を損なわない範囲で、絶縁基板12上にポリマーが残存していてもよい。
まず、本工程で使用される材料(第2の洗浄溶剤)について説明し、その後該工程の手順について説明する。
[Second cleaning step]
This step is a step of removing the polymer on the surface of the insulating substrate by cleaning the insulating substrate with metal wiring using a solvent (second cleaning solvent). By performing this step, a polymer other than the polymer bonded to the thiol compound on the metal wiring, particularly a polymer on the surface of the insulating substrate can be washed away. Specifically, as shown in FIG. 1 (E), the polymer 16 on the insulating substrate 12 is removed, and the excess polymer on the metal wiring 14 is also removed and bonded to the metal wiring covered with the thiol compound. The polymer layer (polymer layer) 22 is formed. In addition, the polymer may remain on the insulating substrate 12 as long as the effect of the present invention is not impaired after the completion of this step.
First, the material (second cleaning solvent) used in this step will be described, and then the procedure of this step will be described.

(第2の洗浄溶剤)
金属配線付き絶縁基板を洗浄する第2の洗浄工程で使用される溶剤(第2の洗浄溶剤)の種類は特に限定されず、絶縁基板上のポリマーを除去できる溶剤であればよい。なかでも、ポリマーが溶解する溶剤であることが好ましい。該溶剤を使用することにより、絶縁基板上に堆積した余分なポリマーや、金属配線上の余分なポリマーなどをより効率的に除去することができる。
溶剤の種類としては、ポリマーを除去することができれば特に制限されず、例えば、第1の洗浄工程で使用される第1の洗浄溶媒で例示した溶媒などが挙げられる。
なかでも、ポリマーの除去性の点から、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤(好ましくはシクロヘキサノン)、グリコールエステル系溶剤(好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート)、アミド系溶剤(好ましくはN−エチルピロリドン)または、これら溶剤と水との混合溶媒が好ましい。
(Second cleaning solvent)
The kind of the solvent (second cleaning solvent) used in the second cleaning step for cleaning the insulating substrate with metal wiring is not particularly limited as long as it can remove the polymer on the insulating substrate. Especially, it is preferable that it is a solvent which a polymer melt | dissolves. By using the solvent, it is possible to more efficiently remove excess polymer deposited on the insulating substrate, excess polymer on the metal wiring, and the like.
The type of the solvent is not particularly limited as long as the polymer can be removed, and examples thereof include the solvents exemplified in the first washing solvent used in the first washing step.
Among these, from the viewpoint of polymer removability, alcohol solvents, ketone solvents (preferably cyclohexanone), glycol ester solvents (preferably propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate), amide solvents (preferably N-ethylpyrrolidone) or a mixed solvent of these solvents and water is preferable.

使用される溶剤の沸点(25℃、1気圧)は特に制限されないが、安全性の観点で、75〜200℃が好ましく、80〜180℃がより好ましい。   Although the boiling point (25 degreeC, 1 atmosphere) of the solvent used is not restrict | limited in particular, 75-200 degreeC is preferable and 80-180 degreeC is more preferable from a safety viewpoint.

(工程の手順)
洗浄方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、金属配線付き絶縁基板上(特に、金属配線側の表面上)に第2の洗浄溶剤を塗布する方法、第2の洗浄溶剤中に金属配線付き絶縁基板を浸漬する方法などが挙げられる。
また、第2の洗浄溶剤の液温としては、ポリマーの付着量(結合量)制御の点で、5〜60℃の範囲が好ましく、15〜35℃の範囲がより好ましい。
また、金属配線付き絶縁基板と第2の洗浄溶剤との接触時間としては、生産性、およびポリマーの付着量(結合量)制御の点で、10秒〜10分の範囲が好ましく、15秒〜5分の範囲がより好ましい。
(Process procedure)
The cleaning method is not particularly limited, and a known method can be employed. Examples thereof include a method of applying a second cleaning solvent on an insulating substrate with metal wiring (particularly on the surface on the metal wiring side), a method of immersing the insulating substrate with metal wiring in the second cleaning solvent, and the like.
In addition, the liquid temperature of the second cleaning solvent is preferably in the range of 5 to 60 ° C., more preferably in the range of 15 to 35 ° C., from the viewpoint of controlling the adhesion amount (bond amount) of the polymer.
In addition, the contact time between the insulating substrate with metal wiring and the second cleaning solvent is preferably in the range of 10 seconds to 10 minutes in terms of productivity and polymer adhesion amount (bonding amount) control. A range of 5 minutes is more preferred.

上記工程を実施することにより、金属配線上にチオール化合物層18と、ポリマー層22との積層構造が形成される(図1(E))。
チオール化合物層18上に設けられるポリマー層22の厚みは特に制限されないが、電子部品の実装時に該層を容易に除去可能であるという点から、1μm以下であることが好ましく、0.2μm以下であることがより好ましく、0.1μm以下であることがさらに好ましい。なお、下限は特に制限されないが、ポリマー層22による絶縁樹脂層の密着性の経時安定性向上がより発揮される点で、0.005μm以上が好ましい。
なお、ポリマー層22には、無機フィラーが実質的に含まれていないことが好ましい。無機フィラーが実質的に含まれていないとは、ポリマー層22中における無機フィラーの含有量が、ポリマー層22全量に対して、0.9質量%以下であることを意味する。特に、無機フィラーが含まれていないこと(0質量%)が好ましい。
By performing the above process, a laminated structure of the thiol compound layer 18 and the polymer layer 22 is formed on the metal wiring (FIG. 1E).
The thickness of the polymer layer 22 provided on the thiol compound layer 18 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or less from the viewpoint that the layer can be easily removed at the time of mounting an electronic component, and is 0.2 μm or less. More preferably, it is 0.1 μm or less. In addition, although a minimum in particular is not restrict | limited, 0.005 micrometer or more is preferable at the point which the time-dependent stability improvement of the adhesiveness of the insulating resin layer by the polymer layer 22 is exhibited more.
The polymer layer 22 preferably does not substantially contain an inorganic filler. The fact that the inorganic filler is not substantially contained means that the content of the inorganic filler in the polymer layer 22 is 0.9% by mass or less with respect to the total amount of the polymer layer 22. In particular, it is preferable that no inorganic filler is contained (0% by mass).

また、上記工程を実施することにより、絶縁基板上のチオール化合物およびポリマーは実質的に除去され、後述する絶縁樹脂層と絶縁基板とが接触することができ、結果として絶縁樹脂層の初期密着性、および、本工程終了後、密着性の経時安定性が向上する。   Further, by performing the above steps, the thiol compound and the polymer on the insulating substrate are substantially removed, and the insulating resin layer and the insulating substrate, which will be described later, can come into contact with each other, resulting in the initial adhesion of the insulating resin layer. And after completion | finish of this process, the temporal stability of adhesiveness improves.

[絶縁樹脂層形成工程]
該工程は、上記工程で得られたポリマー層で覆われた金属配線を有する金属配線付き絶縁基板の金属配線側の表面上に、絶縁樹脂層を形成する工程である。より具体的には、図1(F)に示すように、絶縁樹脂層24が、ポリマー層22で覆われた金属配線14に接するように金属配線付き絶縁基板10上に設けられ、プリント配線基板26が得られる。絶縁樹脂層24が設けられることにより、金属配線14間の絶縁信頼性が担保される。また、絶縁基板12と絶縁樹脂層24とが直接接触できるため、絶縁樹脂層24の密着性が優れる。
まず、絶縁樹脂層の材料について説明し、次に絶縁樹脂層の形成方法について説明する。
[Insulating resin layer forming process]
This step is a step of forming an insulating resin layer on the surface on the metal wiring side of the insulating substrate with metal wiring having the metal wiring covered with the polymer layer obtained in the above step. More specifically, as shown in FIG. 1 (F), an insulating resin layer 24 is provided on the insulating substrate 10 with metal wiring so as to be in contact with the metal wiring 14 covered with the polymer layer 22, and a printed wiring board. 26 is obtained. By providing the insulating resin layer 24, the insulation reliability between the metal wirings 14 is ensured. Further, since the insulating substrate 12 and the insulating resin layer 24 can be in direct contact, the adhesiveness of the insulating resin layer 24 is excellent.
First, the material of the insulating resin layer is described, and then the method for forming the insulating resin layer is described.

絶縁樹脂層の材料としては、公知の絶縁性の材料を使用することができる。例えば、いわゆる層間絶縁樹脂層として使用されている材料を使用することができ、具体的には、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂(ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など)、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アクリレート樹脂など挙げられる。層間絶縁樹脂層としては、例えば、味の素ファインテクノ(株)製、ABF GX−13、GX−92などが挙げられる。
また、絶縁樹脂層として、いわゆるソルダーレジスト層を使用してもよい。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、具体的には、例えば、太陽インキ製造(株)製 PFR800、PSR4000(商品名)、日立化成工業(株)製 SR7200G、SR7300Gなどが挙げられる。
さらに、絶縁層として、感光性フィルムレジストを使用してもよい。具体的には、旭化成イーマテリアルズ(株)製 SUNFORT、日立化成工業(株)製フォテックなどが挙げられる。
As a material of the insulating resin layer, a known insulating material can be used. For example, a material used as a so-called interlayer insulating resin layer can be used. Specifically, epoxy resin, aramid resin, crystalline polyolefin resin, amorphous polyolefin resin, fluorine-containing resin (polytetrafluoroethylene) can be used. Perfluorinated polyimide, perfluorinated amorphous resin, etc.), polyimide resin, polyether sulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ether ketone resin, acrylate resin and the like. As an interlayer insulation resin layer, Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. product, ABF GX-13, GX-92 etc. are mentioned, for example.
A so-called solder resist layer may be used as the insulating resin layer. As the solder resist, commercially available products may be used. Specific examples include PFR800, PSR4000 (trade name) manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., SR7200G, SR7300G manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., and the like.
Further, a photosensitive film resist may be used as the insulating layer. Specific examples include SUNFORT manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd., and Fotec manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

なかでも、絶縁樹脂層は、エポキシ基または(メタ)アクリレート基を有する樹脂を含むことが好ましい。該樹脂は上述したポリマー層と結合しやすく、結果として絶縁樹脂層の密着性の経時安定性がより向上する。
該樹脂は絶縁樹脂層の主成分であることが好ましい。主成分とは、該樹脂の合計が絶縁樹脂層全量に対して、50質量%以上であることを意図し、60質量%以上であることが好ましい。なお、上限としては、100質量%である。
Especially, it is preferable that an insulating resin layer contains resin which has an epoxy group or a (meth) acrylate group. The resin easily binds to the polymer layer described above, and as a result, the temporal stability of the adhesiveness of the insulating resin layer is further improved.
The resin is preferably the main component of the insulating resin layer. The main component means that the total amount of the resin is 50% by mass or more with respect to the total amount of the insulating resin layer, and is preferably 60% by mass or more. In addition, as an upper limit, it is 100 mass%.

エポキシ基を有する樹脂としては、公知のエポキシ樹脂を使用することができる。例えば、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等を用いることができる。
(メタ)アクリレート基を有する樹脂としては、公知の樹脂を使用することができる。例えば、アクリレート樹脂、メタクリレート樹脂等を用いることができる。
A known epoxy resin can be used as the resin having an epoxy group. For example, a glycidyl ether type epoxy resin, a glycidyl ester type epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, or the like can be used.
As the resin having a (meth) acrylate group, a known resin can be used. For example, an acrylate resin or a methacrylate resin can be used.

また、絶縁樹脂層中には、無機フィラーが含まれることが好ましい。絶縁樹脂層中に無機フィラーが含まれることにより、絶縁性がより向上すると共に、CTE(熱線膨張係数)が低下する。なお、無機フィラーの種類は、上述したように公知の材料を使用できる。
絶縁樹脂層中における無機フィラーの含有量は、絶縁性がより向上する点で、絶縁樹脂層全量に対して、1〜85質量%であることが好ましく、15〜80質量%であることがより好ましく、40〜75質量%であることがさらに好ましい。
The insulating resin layer preferably contains an inorganic filler. By including an inorganic filler in the insulating resin layer, the insulation is further improved and the CTE (thermal linear expansion coefficient) is lowered. In addition, the kind of inorganic filler can use a well-known material as mentioned above.
The content of the inorganic filler in the insulating resin layer is preferably 1 to 85% by mass and more preferably 15 to 80% by mass with respect to the total amount of the insulating resin layer in terms of further improving the insulating properties. Preferably, it is 40-75 mass%.

金属配線付き絶縁基板上への絶縁樹脂層の形成方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、絶縁樹脂層のフィルムを直接金属配線付き絶縁基板上にラミネートする方法や、絶縁樹脂層を構成する成分を含む絶縁樹脂層形成用組成物を金属配線付き絶縁基板上に塗布する方法や、金属配線付き絶縁基板を該絶縁樹脂層形成用組成物に浸漬する方法などが挙げられる。
なお、上記絶縁樹脂層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤を含む絶縁樹脂層形成用組成物を使用する場合は、該組成物を基板上に配置した後、必要に応じて溶剤を除去するために加熱処理を施してもよい。
また、絶縁樹脂層を金属配線付き絶縁基板上に設けた後、必要に応じて、絶縁樹脂層に対してエネルギー付与(例えば、露光または加熱処理)を施してもよい。
The method for forming the insulating resin layer on the insulating substrate with metal wiring is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, a method of laminating a film of an insulating resin layer directly on an insulating substrate with metal wiring, a method of applying an insulating resin layer forming composition containing a component constituting the insulating resin layer on an insulating substrate with metal wiring, Examples include a method of immersing an insulating substrate with metal wiring in the insulating resin layer forming composition.
In addition, the said composition for insulating resin layer formation may contain the solvent as needed. When using the composition for insulating resin layer formation containing a solvent, after arrange | positioning this composition on a board | substrate, you may heat-process in order to remove a solvent as needed.
Further, after providing the insulating resin layer on the insulating substrate with metal wiring, energy may be applied (for example, exposure or heat treatment) to the insulating resin layer as necessary.

形成される絶縁樹脂層の膜厚は特に制限されず、配線間の絶縁信頼性の観点からは、5〜50μmが好ましく、15〜40μmがより好ましい。
図1(F)においては、絶縁樹脂層24は一層で記載されているが、多層構造であってもよい。
The thickness of the insulating resin layer to be formed is not particularly limited, and is preferably 5 to 50 μm and more preferably 15 to 40 μm from the viewpoint of insulation reliability between wirings.
In FIG. 1F, the insulating resin layer 24 is described as a single layer, but may have a multilayer structure.

[乾燥工程]
該工程は、必要に応じて、上記各工程の間に設けられる工程で、金属配線付き絶縁基板を加熱乾燥する工程である。金属配線付き絶縁基板上に水分が残存していると金属イオンのマイグレーションが促進され、結果として金属配線間の絶縁性を損なうおそれがあるため、該工程を設けることにより水分を除去することが好ましい。なお、本工程は任意の工程であり、上記工程で使用される溶媒が揮発性に優れる溶媒である場合などは、本工程は実施しなくてもよい。
[Drying process]
This process is a process of heating and drying the insulating substrate with metal wiring in a process provided between the above processes as necessary. If moisture remains on the insulating substrate with metal wiring, migration of metal ions is promoted, and as a result, the insulation between the metal wirings may be impaired. Therefore, it is preferable to remove the moisture by providing this step. . In addition, this process is an arbitrary process, and when the solvent used at the said process is a solvent excellent in volatility etc., this process does not need to implement.

加熱乾燥条件としては、金属配線中の金属の酸化を抑制する点で、70〜120℃(好ましくは、80℃〜110℃)で、15秒〜10分間(好ましくは、30秒〜5分)実施することが好ましい。乾燥温度が低すぎる、または、乾燥時間が短すぎると、水分の除去が十分でない場合があり、乾燥温度が高すぎる、または、乾燥時間が長すぎると、金属の酸化膜が形成されるおそれがある。
乾燥に使用する装置は特に限定されず、恒温層、ヒーターなど公知の加熱装置を使用することができる。
Heat drying conditions are 70 to 120 ° C. (preferably 80 ° C. to 110 ° C.) for 15 seconds to 10 minutes (preferably 30 seconds to 5 minutes) in terms of suppressing metal oxidation in the metal wiring. It is preferable to implement. If the drying temperature is too low or the drying time is too short, moisture removal may not be sufficient, and if the drying temperature is too high or the drying time is too long, a metal oxide film may be formed. is there.
The apparatus used for drying is not particularly limited, and a known heating apparatus such as a constant temperature layer or a heater can be used.

[プリント配線基板]
上記工程を経ることにより、図1(F)に示すように、金属配線付き絶縁基板10と、金属配線付き絶縁基板10の金属配線14側の表面に配置された絶縁樹脂層26とを備え、金属配線14と絶縁樹脂層24と間にチオール化合物層18およびポリマー層22が介在した、プリント配線基板26を得ることができる。言い換えると、絶縁樹脂層24に面している金属配線14の表面はチオール化合物とポリマーとが結合している。得られるプリント配線基板26は、絶縁樹脂層26と金属配線付き絶縁基板10との密着性に優れる。
なお、図1(F)に示すように、上記では金属配線14が一層の配線構造のプリント配線基板26を例にあげたが、もちろんこれに限定されない。例えば、複数の絶縁基板12と金属配線14を交互に積層した多層配線基板(例えば、図2に記載の多層配線基板)を使用することにより、多層配線構造のプリント配線基板を製造することができる。
[Printed wiring board]
By passing through the above steps, as shown in FIG. 1 (F), an insulating substrate 10 with metal wiring, and an insulating resin layer 26 disposed on the surface of the insulating substrate 10 with metal wiring on the metal wiring 14 side, A printed wiring board 26 in which the thiol compound layer 18 and the polymer layer 22 are interposed between the metal wiring 14 and the insulating resin layer 24 can be obtained. In other words, the thiol compound and the polymer are bonded to the surface of the metal wiring 14 facing the insulating resin layer 24. The obtained printed wiring board 26 is excellent in adhesion between the insulating resin layer 26 and the insulating substrate 10 with metal wiring.
As shown in FIG. 1F, in the above, the printed wiring board 26 in which the metal wiring 14 has a single-layer wiring structure is taken as an example, but the present invention is not limited to this. For example, a printed wiring board having a multilayer wiring structure can be manufactured by using a multilayer wiring board (for example, the multilayer wiring board shown in FIG. 2) in which a plurality of insulating substrates 12 and metal wirings 14 are alternately stacked. .

本発明の製造方法により得られるプリント配線基板は、種々の用途および構造に対して使用することができ、例えば、マザーボード用基板、半導体パッケージ用基板、ICパッケージ基板、LSIパッケージ基板、MID(Molded Interconnect Device)基板などが挙げられる。本発明の製造方法は、リジット基板、フレキシブル基板、フレックスリジット基板、成型回路基板などに対して適用することができる。   The printed wiring board obtained by the manufacturing method of the present invention can be used for various uses and structures. For example, a mother board, a semiconductor package board, an IC package board, an LSI package board, a MID (Molded Interconnect). (Device) substrate. The manufacturing method of the present invention can be applied to rigid substrates, flexible substrates, flex-rigid substrates, molded circuit substrates, and the like.

また、得られたプリント配線基板中の絶縁樹脂層を一部除去して、半導体チップを実装して、プリント回路板として使用してもよい。
例えば、絶縁樹脂層としてソルダーレジストを使用する場合は、所定のパターン状のマスクを絶縁樹脂層上に配置し、エネルギーを付与して硬化させ、エネルギー未付与領域の絶縁樹脂層を除去して配線を露出させる。次に、露出した配線の表面を公知の方法で洗浄(例えば、硫酸、ソフトエッチング剤、アルカリ、界面活性剤を使用して洗浄)した後、半導体チップを配線表面上に実装する。
絶縁樹脂層として公知の層間絶縁樹脂層を使用する場合は、ドリル加工やレーザー加工により、絶縁樹脂層を除去することができる。
Further, a part of the insulating resin layer in the obtained printed wiring board may be removed, and a semiconductor chip may be mounted and used as a printed circuit board.
For example, when using a solder resist as the insulating resin layer, place a mask with a predetermined pattern on the insulating resin layer, apply energy to cure, remove the insulating resin layer in the non-energy-applied area, and wire To expose. Next, the exposed wiring surface is cleaned by a known method (for example, cleaning using sulfuric acid, soft etching agent, alkali, and surfactant), and then the semiconductor chip is mounted on the wiring surface.
When a known interlayer insulating resin layer is used as the insulating resin layer, the insulating resin layer can be removed by drilling or laser processing.

また、得られたプリント配線基板の絶縁樹脂層上にさらに金属配線(配線パターン)を設けてもよい。金属配線を形成する方法は特に制限されず、公知の方法(めっき処理、スパッタリング処理など)を使用することができる。
本発明においては、得られたプリント配線基板の絶縁樹脂層上にさらに金属配線(配線パターン)を設けた基板を新たな金属配線付き絶縁基板(内層基板)として使用し、新たに絶縁樹脂層および金属配線を幾層にも積層することができる。
Moreover, you may provide a metal wiring (wiring pattern) further on the insulating resin layer of the obtained printed wiring board. The method for forming the metal wiring is not particularly limited, and a known method (plating treatment, sputtering treatment, etc.) can be used.
In the present invention, a substrate in which metal wiring (wiring pattern) is further provided on the insulating resin layer of the obtained printed wiring board is used as a new insulating substrate with metal wiring (inner layer substrate). Metal wiring can be stacked in several layers.

以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these.

<実施例1>
銅張積層板(日立化成社製 MCL−E−679F、基板:ガラスエポキシ基板)を用いて、セミアディティブ法にてL/S=1000μm/500μmの銅配線を備える金属配線付き絶縁基板Aを形成した。金属配線付き絶縁基板Aは以下の方法により作製した。
銅張積層板を、酸洗浄、水洗、乾燥させた後、ドライフィルムレジスト(DFR,商品名;RY3315,日立化成工業株式会社製)を真空ラミネーターにより、0.2MPaの圧力で70℃の条件にてラミネートした。ラミネート後、銅パターン形成部を中心波長365nmの露光機にて、70mJ/cm2の条件でマスク露光した。その後、1%重曹水溶液にて現像して、水洗を行い、めっきレジストパターンを得た。
めっき前処理、水洗を経て、レジストパターン間に露出した銅上に電解めっきを施した。このとき、電解液には硫酸銅(II)の硫酸酸性溶液を用い、純度が99%程度の粗銅の板を陽極に、銅張積層板を陰極とした。50〜60℃、0.2〜0.5Vで電解することで、陰極の銅上に銅が析出した。その後、水洗、乾燥を行った。
レジストパターンを剥離するために、45℃の4%NaOH水溶液に基板を60秒間浸漬した。その後、得られた基板を水洗し、1%硫酸に30秒間浸漬した。その後、再び水洗した。過酸化水素、硫酸を主成分としたエッチング液により、銅パターン間の導通した銅をクイックエッチングし、水洗、乾燥を行った。得られた銅配線基板(金属配線付き絶縁基板A)の銅配線の厚みは15μm、銅配線の表面粗さRzはRz=0.4μmであった。
<Example 1>
Using a copper-clad laminate (MCL-E-679F manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., substrate: glass epoxy substrate), an insulating substrate A with metal wiring having a copper wiring of L / S = 1000 μm / 500 μm is formed by a semi-additive method did. The insulating substrate A with metal wiring was produced by the following method.
After the copper-clad laminate is acid washed, washed with water, and dried, a dry film resist (DFR, trade name: RY3315, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is adjusted to 70 ° C. at a pressure of 0.2 MPa with a vacuum laminator. And laminated. After lamination, the copper pattern forming portion was subjected to mask exposure with an exposure machine having a central wavelength of 365 nm under the condition of 70 mJ / cm 2 . Then, it developed with 1% sodium hydrogen carbonate aqueous solution, washed with water, and obtained the plating resist pattern.
Through plating pretreatment and water washing, electrolytic plating was performed on the copper exposed between the resist patterns. At this time, an acidic solution of copper (II) sulfate was used as an electrolytic solution, a crude copper plate having a purity of about 99% was used as an anode, and a copper clad laminate was used as a cathode. By electrolysis at 50 to 60 ° C. and 0.2 to 0.5 V, copper was deposited on the cathode copper. Then, it washed with water and dried.
In order to remove the resist pattern, the substrate was immersed in a 4% NaOH aqueous solution at 45 ° C. for 60 seconds. Thereafter, the obtained substrate was washed with water and immersed in 1% sulfuric acid for 30 seconds. Thereafter, it was washed again with water. The conductive copper between the copper patterns was quickly etched with an etching solution mainly composed of hydrogen peroxide and sulfuric acid, washed with water and dried. The thickness of the copper wiring of the obtained copper wiring board (insulating substrate A with metal wiring) was 15 μm, and the surface roughness Rz of the copper wiring was Rz = 0.4 μm.

次に、得られた金属配線付き絶縁基板Aを1,10-decanedithiol(和光純薬社製)含有エタノール溶液(チオール化合物濃度:0.1mM)に60分間浸漬し、その後エタノールで洗浄した(第1の配線処理)。なお、1,10-decanedithiolの反応性官能基X当量(g/eq)は103であり、分子量は206であり、硫黄原子含有量は31wt%であった。
次に、上記処理が施された金属配線付き絶縁基板Aを、ポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:335,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:48000)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)に室温で10分浸漬した。その後、金属配線付き絶縁基板Aをシクロヘキサノンで洗浄し、室温にて乾燥させた(第2の配線処理)。
その後、金属配線付き絶縁基板Aの金属配線側の表面に絶縁樹脂層(味の素ファインテクノ社製 GX−13)をラミネートした。次に、レーザー加工により、絶縁樹脂層のパターン(L字パターン)(絶縁樹脂層の層厚:35μm)を作製し、さらにレーザー加工で生じた残渣をデスミア処理により除去した。なお、上記絶縁樹脂層には、無機フィラー(シリカ)が含まれていた。
以上より、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製した(以後、該基板を基板Bとよぶ)。なお、基板Bにおいては、絶縁樹脂層のパターンがない部分において、銅が一部露出していた。得られた基板Bに関して、以下の手順に従ってテープ剥離試験を行った。
Next, the obtained insulating substrate A with metal wiring was immersed in an ethanol solution (thiol compound concentration: 0.1 mM) containing 1,10-decanedithiol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 60 minutes, and then washed with ethanol (No. 1). 1 wiring process). The reactive functional group X equivalent (g / eq) of 1,10-decanedithiol was 103, the molecular weight was 206, and the sulfur atom content was 31 wt%.
Next, the insulating substrate A with metal wiring subjected to the above-described treatment was subjected to polyglycidyl methacrylate (manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 335, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 48000). ) -Containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) for 10 minutes at room temperature. Thereafter, the insulating substrate A with metal wiring was washed with cyclohexanone and dried at room temperature (second wiring processing).
Thereafter, an insulating resin layer (GX-13 manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.) was laminated on the surface of the insulating substrate A with metal wiring on the metal wiring side. Next, a pattern (L-shaped pattern) of the insulating resin layer (layer thickness of the insulating resin layer: 35 μm) was produced by laser processing, and the residue generated by the laser processing was removed by desmear treatment. The insulating resin layer contained an inorganic filler (silica).
From the above, an insulating substrate A with metal wiring provided with an insulating resin layer pattern on the surface was produced (hereinafter, this substrate is referred to as substrate B). In addition, in the board | substrate B, copper was partially exposed in the part without the pattern of an insulating resin layer. The obtained substrate B was subjected to a tape peeling test according to the following procedure.

(Niめっき)
得られた基板Bに対して、クリーナー液(商品名:ACL-009、上村工業社製)を用いて、液温50℃にて5分間洗浄処理を施した。さらに、10%硫酸(和光純薬工業)とペルオキソ二硫化Na(和光純薬工業)を混合したソフトエッチング液に、室温で基板Bを1.5分浸漬して洗浄を行った。さらに、処理が施された基板Bを2%硫酸(和光純薬工業)に1分間浸漬し、10%硫酸とMFD-5(上村工業社製)を混合希釈したアクチベーター液に1分間浸漬した。その後、NPR-4(上村工業社製)のNiめっき液に80℃で16分間浸漬することで銅表面をNi(ニッケル)でめっきした(ニッケルめっき厚:3μm)
(Ni plating)
The obtained substrate B was subjected to a cleaning treatment at a liquid temperature of 50 ° C. for 5 minutes using a cleaner liquid (trade name: ACL-009, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.). Further, the substrate B was immersed in a soft etching solution obtained by mixing 10% sulfuric acid (Wako Pure Chemical Industries) and peroxodisulfide Na (Wako Pure Chemical Industries) at room temperature for 1.5 minutes for cleaning. Further, the treated substrate B was immersed in 2% sulfuric acid (Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, and immersed in an activator solution in which 10% sulfuric acid and MFD-5 (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) were mixed and diluted for 1 minute. . Thereafter, the copper surface was plated with Ni (nickel) by immersing in Ni plating solution of NPR-4 (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) at 80 ° C. for 16 minutes (nickel plating thickness: 3 μm).

(テープ剥離試験)
評価方法としては、上記Niめっき後、テープ剥離試験を行い、絶縁樹脂層パターンが剥離せずに金属配線付き絶縁基板A上に残った碁盤目の数を数えた。実施例1で得られた銅配線基板の結果を、表1に示す。なお、テープ剥離試験は、JIS K5600−5−6に従って、実施した。表1中では「初期密着性」欄に結果を示す。
なお、得られた結果を、以下の基準に従って評価した。実用上、「C」でないことが望ましい。
「A」:100マスの内、90マス以上が残った場合
「B」:100マスの内、60マス以上90マス未満が残った場合
「C」:100マスの内、60マス未満が残った場合
(Tape peeling test)
As an evaluation method, a tape peeling test was performed after the Ni plating, and the number of grids remaining on the insulating substrate A with metal wiring without the insulating resin layer pattern being peeled was counted. Table 1 shows the results of the copper wiring board obtained in Example 1. The tape peeling test was performed according to JIS K5600-5-6. In Table 1, the results are shown in the “initial adhesion” column.
The obtained results were evaluated according to the following criteria. In practice, it is desirable not to be “C”.
“A”: When 90 squares or more of 100 squares remain “B”: When 60 squares or more and less than 90 squares remain among 100 squares “C”: Less than 60 squares remain among 100 squares Case

(経時密着試験)
次に、テープ剥離試験が終わったサンプルを、湿度85%、温度130度、圧力1.2atmの環境下(使用装置:espec社製、EHS−221MD)にて200時間放置した。200時間後、サンプルを取り出し、再度、上記テープ剥離試験を実施して経時の密着試験を行った。表1中では「経時安定性」欄に結果を示す。
次に、得られた碁盤目の残存マス数と、高温高湿処理前に実施された上記剥離試験における碁盤目の残存マス数との比(高温高湿環境下放置後の剥離試験における残存マス数/高温高湿環境下放置前の剥離試験における残存マス数)を求め、以下の基準に従って評価した。実用上、「C」でないことが望ましい。
「A」:比が0.9以上の場合
「B」:比が0.7以上0.9未満の場合
「C」:比が0.7未満の場合
(Aging adhesion test)
Next, the sample for which the tape peeling test was completed was left for 200 hours in an environment of 85% humidity, 130 ° C., and 1.2 atm pressure (use apparatus: EHS-221MD, manufactured by espec). After 200 hours, a sample was taken out, and the tape peeling test was performed again to conduct an adhesion test over time. In Table 1, the results are shown in the “Stability with time” column.
Next, the ratio between the number of remaining squares of the obtained grid and the number of residual grids in the above-mentioned peeling test performed before the high temperature and high humidity treatment (the residual mass in the peeling test after leaving in a high temperature and high humidity environment). Number / number of remaining masses in the peel test before standing in a high-temperature and high-humidity environment) was determined and evaluated according to the following criteria. In practice, it is desirable not to be “C”.
“A”: When the ratio is 0.9 or more “B”: When the ratio is 0.7 or more and less than 0.9 “C”: When the ratio is less than 0.7

<実施例2>
実施例1で実施された第1の配線処理の代わりに、金属配線付き絶縁基板AをPentaerythritol tetrakis(3-mercaptoacetate)含有エタノール溶液(チオール化合物濃度:1mM)に10分間浸漬し、エタノールで洗浄した以外は、実施例1と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
なお、Pentaerythritol tetrakis(3-mercaptoacetate)の反応性官能基X当量(g/eq)は122であり、分子量は488であり、硫黄原子含有量は26wt%であった。
<Example 2>
Instead of the first wiring process performed in Example 1, the insulating substrate A with metal wiring was immersed in an ethanol solution (thiol compound concentration: 1 mM) containing Pentaerythritol tetrakis (3-mercaptoacetate) for 10 minutes and washed with ethanol. Except for the above, an insulating substrate A with metal wiring provided with an insulating resin layer pattern on the surface was prepared according to the same procedure as in Example 1, and various evaluations were performed. Table 1 summarizes the results.
Pentaerythritol tetrakis (3-mercaptoacetate) had a reactive functional group X equivalent (g / eq) of 122, a molecular weight of 488, and a sulfur atom content of 26 wt%.

<実施例3>
実施例1で実施された第1の配線処理の代わりに、金属配線付き絶縁基板AをDipentaerythritol hexakis(3-mercaptopropionate)含有エタノール溶液(チオール化合物濃度:1mM)に10分間浸漬し、エタノールで洗浄した以外は、実施例1と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
なお、Dipentaerythritol hexakis(3-mercaptopropionate)の反応性官能基X当量(g/eq)は131であり、分子量は783であり、硫黄原子含有量は24wt%であった。
<Example 3>
Instead of the first wiring process performed in Example 1, the insulating substrate A with metal wiring was immersed in an ethanol solution (thiol compound concentration: 1 mM) containing Dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate) for 10 minutes and washed with ethanol. Except for the above, an insulating substrate A with metal wiring provided with an insulating resin layer pattern on the surface was prepared according to the same procedure as in Example 1, and various evaluations were performed. Table 1 summarizes the results.
Dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate) had a reactive functional group X equivalent (g / eq) of 131, a molecular weight of 783, and a sulfur atom content of 24 wt%.

<実施例4>
実施例1で実施された第1の配線処理の代わりに、金属配線付き絶縁基板Aをテトラキス−(7−メルカプト−2,5−ジチアヘプチル)メタン含有シクロヘキサノン溶液(チオール化合物濃度:0.1mM)に20分間浸漬し、シクロヘキサノンで洗浄した以外は、実施例1と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
なお、テトラキス−(7−メルカプト−2,5−ジチアヘプチル)メタンの反応性官能基X当量(g/eq)は170であり、分子量は681であり、硫黄原子含有量は56wt%であった。
<Example 4>
Instead of the first wiring process performed in Example 1, the insulating substrate A with metal wiring was changed to a tetrakis- (7-mercapto-2,5-dithiaheptyl) methane-containing cyclohexanone solution (thiol compound concentration: 0.1 mM). Except for immersion for 20 minutes and washing with cyclohexanone, an insulating substrate A with metal wiring having an insulating resin layer pattern provided on the surface was prepared according to the same procedure as in Example 1, and various evaluations were performed. Table 1 summarizes the results.
The reactive functional group X equivalent (g / eq) of tetrakis- (7-mercapto-2,5-dithiaheptyl) methane was 170, the molecular weight was 681, and the sulfur atom content was 56 wt%.

<比較例1>
実施例1で実施された第1の配線処理および第2の配線処理の代わりに、予めテトラキス−(7−メルカプト−2,5−ジチアヘプチル)メタン含有シクロヘキサノン溶液(チオール化合物濃度:0.1mM)とポリグリシジルメタクリレート含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)とを5時間混合して得られる混合溶液に、金属配線付き絶縁基板Aを20分浸漬して、その後金属配線付き絶縁基板Aをシクロヘキサノンで洗浄し、室温にて乾燥させた以外は、実施例1と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
<Comparative Example 1>
Instead of the first wiring process and the second wiring process performed in Example 1, a tetrakis- (7-mercapto-2,5-dithiaheptyl) methane-containing cyclohexanone solution (thiol compound concentration: 0.1 mM) is used in advance. Insulating substrate A with metal wiring is dipped in a mixed solution obtained by mixing polyglycidyl methacrylate-containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) for 5 hours, and then insulating substrate A with metal wiring is washed with cyclohexanone. Then, according to the same procedure as in Example 1 except that it was dried at room temperature, an insulating substrate A with metal wiring provided with an insulating resin layer pattern on its surface was prepared and subjected to various evaluations. Table 1 summarizes the results.

<比較例2>
実施例1の第2の配線処理の代わりに、第1の配線処理が施された金属配線付き絶縁基板を2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(アヅマックス社製)含有エタノール溶液(化合物濃度:10mM)に5分間浸漬して、エタノールで洗浄した以外は、実施例1と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
なお、比較例2では、反応性官能基Xと反応する反応性官能基Yを少なくとも3つ以上有するポリマーが使用されていない。
<Comparative example 2>
Instead of the second wiring process of the first embodiment, the insulating substrate with metal wiring subjected to the first wiring process is treated with an ethanol solution containing 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by AMAX Co.). Insulating substrate A with metal wiring having an insulating resin layer pattern provided on the surface was prepared according to the same procedure as in Example 1 except that it was immersed in (compound concentration: 10 mM) for 5 minutes and washed with ethanol. Evaluation was performed. Table 1 summarizes the results.
In Comparative Example 2, a polymer having at least three reactive functional groups Y that react with the reactive functional group X is not used.

<比較例3>
実施例2の第2の配線処理の代わりに、第1の配線処理が施された金属配線付き絶縁基板を2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(アヅマックス社製)含有エタノール溶液(化合物濃度:10mM)に5分間浸漬して、エタノールで洗浄した以外は、実施例2と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
なお、比較例3では、反応性官能基Xと反応する反応性官能基Yを少なくとも3つ以上有するポリマーが使用されていない。
<Comparative Example 3>
Instead of the second wiring process in Example 2, the insulating substrate with metal wiring subjected to the first wiring process was treated with an ethanol solution containing 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Amax Co.). Insulating substrate A with metal wiring having an insulating resin layer pattern provided on the surface was prepared according to the same procedure as in Example 2 except that it was immersed in (compound concentration: 10 mM) for 5 minutes and washed with ethanol. Evaluation was performed. Table 1 summarizes the results.
In Comparative Example 3, a polymer having at least three reactive functional groups Y that react with the reactive functional group X is not used.

<比較例4>
実施例1の第1の配線処理の代わりに、金属配線付き絶縁基板Aを3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン含有エタノール溶液(化合物濃度:10mM)に5分間浸漬して、エタノールで洗浄した以外は、実施例1と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
なお、比較例4では、所定のチオール化合物が使用されていない。
<Comparative example 4>
Instead of the first wiring process of Example 1, the insulating substrate A with metal wiring was immersed in a 3-mercaptopropyltrimethoxysilane-containing ethanol solution (compound concentration: 10 mM) for 5 minutes and washed with ethanol. According to the procedure similar to Example 1, the insulated substrate A with a metal wiring in which the insulating resin layer pattern was provided on the surface was produced, and various evaluation was performed. Table 1 summarizes the results.
In Comparative Example 4, a predetermined thiol compound is not used.

<比較例5>
実施例1の第1の配線処理の代わりに、金属配線付き絶縁基板Aをトリアジンチオール含有エタノール溶液(化合物濃度:0.1mM)に60分間浸漬して、エタノールで洗浄した以外は、実施例1と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
なお、比較例5では、所定のチオール化合物が使用されていない。
<Comparative Example 5>
Example 1 except that the insulating substrate A with metal wiring was immersed in a triazine thiol-containing ethanol solution (compound concentration: 0.1 mM) for 60 minutes and washed with ethanol instead of the first wiring process of Example 1. Insulating substrate A with metal wiring provided with an insulating resin layer pattern on the surface was prepared according to the same procedure as described above, and various evaluations were performed. Table 1 summarizes the results.
In Comparative Example 5, a predetermined thiol compound is not used.

<比較例6>
実施例1の第2の配線処理を実施しなかった以外は、実施例1と同様の手順に従って、絶縁樹脂層パターンが表面に設けられた金属配線付き絶縁基板Aを作製し、各種評価を行った。表1に結果をまとめて示す。
<Comparative Example 6>
According to the same procedure as in Example 1 except that the second wiring process of Example 1 was not performed, an insulating substrate A with metal wiring having an insulating resin layer pattern provided on the surface was prepared, and various evaluations were performed. It was. Table 1 summarizes the results.

なお、上記実施例1〜4で実施された第2の配線処理を行った後の銅配線基板をXPS測定したところ、銅配線上に硫黄原子の存在が確認され、チオール化合物が銅配線に結合していることが確認された。
実施例1〜4にて銅配線上に形成されたチオール化合物の層の厚みは上記XPS測定結果より、いずれも0.1〜2nm程度であった。また、形成されたエポキシ樹脂層の厚みはAFM測定結果より、10〜100nm程度であった。
In addition, when the copper wiring board after performing the 2nd wiring process implemented in the said Examples 1-4 was measured by XPS, presence of a sulfur atom was confirmed on copper wiring and a thiol compound couple | bonded with copper wiring It was confirmed that
The thickness of the layer of the thiol compound formed on the copper wiring in Examples 1 to 4 was about 0.1 to 2 nm from the XPS measurement result. Moreover, the thickness of the formed epoxy resin layer was about 10-100 nm from the AFM measurement result.

なお、表1中、「第1の配線処理」欄および「第2の配線処理」欄の「有」は処理を実施したことを意味し、「−」は未実施を意味する。   In Table 1, “Yes” in the “first wiring processing” column and “second wiring processing” column means that the processing has been performed, and “−” means that the processing has not been performed.

表1に示すように、本発明の製造方法によって得られたプリント配線基板は、優れた初期密着性、および、密着性の経時安定性を示した。
特に、実施例1と実施例2(または、実施例3若しくは4)との比較より、反応性官能基Xの数が4つ以上で、該反応性官能基Xとして式(1)で表される官能基を有する化合物を使用した場合、より優れた初期密着性を示すことが確認された。
さらに、実施例2と実施例4との比較より、チオール化合物中の硫黄原子の含有量が多いほど、密着性の経時安定性がより優れることが確認された。
As shown in Table 1, the printed wiring board obtained by the production method of the present invention exhibited excellent initial adhesion and stability over time of adhesion.
In particular, from the comparison between Example 1 and Example 2 (or Example 3 or 4), the number of reactive functional groups X is 4 or more, and the reactive functional group X is represented by the formula (1). When a compound having a functional group is used, it was confirmed that better initial adhesion was exhibited.
Furthermore, from comparison between Example 2 and Example 4, it was confirmed that the stability of adhesiveness with time was more excellent as the content of sulfur atoms in the thiol compound was larger.

一方、チオール化合物とポリマーとを混合して使用した比較例1では、初期密着性に劣っていた。これは、混合液中でチオール化合物とポリマーとが反応してしまい、金属配線への反応性が低下したためと推測される。
また、所定のポリマーを使用しなかった比較例2および3においては、密着性の経時安定性に劣っていた。これはシランカップリング剤によって形成される網目構造によって、金属配線への水分の吸着が進行し、金属配線の腐食が進んだためと推測される。
On the other hand, in the comparative example 1 which mixed and used the thiol compound and the polymer, it was inferior to initial stage adhesiveness. This is presumably because the thiol compound and the polymer reacted in the mixed solution and the reactivity to the metal wiring decreased.
Further, in Comparative Examples 2 and 3 in which the predetermined polymer was not used, the adhesion stability with time was inferior. This is presumed to be due to the progress of the adsorption of moisture to the metal wiring and the corrosion of the metal wiring due to the network structure formed by the silane coupling agent.

さらに、特許文献2に記載のトリアジンチオール、特許文献1に記載のメルカプトプロピルトリメトキシシランを使用した比較例4および5においては、密着性の経時安定性に劣っていた。特に、比較例4においては、シランカップリング剤によって形成される網目構造によって、金属配線への水分の吸着が進行し、金属配線の腐食が進んだためと推測される。
さらに、ポリマー層を形成しなかった比較例6においては、初期密着性に劣っていた。
Furthermore, in Comparative Examples 4 and 5 using the triazine thiol described in Patent Document 2 and mercaptopropyltrimethoxysilane described in Patent Document 1, the adhesion stability with time was inferior. In particular, in Comparative Example 4, it is presumed that due to the network structure formed by the silane coupling agent, the adsorption of moisture to the metal wiring progressed and the corrosion of the metal wiring progressed.
Furthermore, in Comparative Example 6 in which the polymer layer was not formed, the initial adhesion was inferior.

<実施例5>
実施例2でポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:335,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:48000)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)の代わりにポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:52,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:7500)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:2.5wt%)を用い、絶縁層を味の素ファインテクノ(株)製、ABF GX−13の代わりに太陽インキ社製 PFR−800をラミネートし、その後パターンマスク(L字パターン)越しに露光し、現像後、ベークし、さらに露光を行って、SR(ソルダーレジスト)パターンを銅配線基板上に(絶縁層の膜厚:30μm)作製した。得られたSRパターン付き銅配線基板に関して、Niめっきを行った後、上記テープ剥離試験を行った。その後、経時密着試験を行った。表2に結果をまとめて示す。なお、上記SRには、無機フィラー(シリカ)が含まれていた。
<Example 5>
Instead of polyglycidyl methacrylate (manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 335, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 48000) in Example 2 instead of cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) And polyglycidyl methacrylate (manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 52, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 7500) -containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 2.5 wt%), Insulating layer is laminated with Taiyo Ink PFR-800 instead of Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., ABF GX-13, then exposed through a pattern mask (L-shaped pattern), developed, baked, and further exposed Then, an SR (solder resist) pattern was produced on the copper wiring board (film thickness of the insulating layer: 30 μm). The obtained copper wiring substrate with SR pattern was subjected to Ni plating and then subjected to the tape peeling test. Thereafter, an adhesion test with time was performed. Table 2 summarizes the results. Note that the SR contained an inorganic filler (silica).

<実施例6>
実施例5でポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:52,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:7500)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)の代わりにポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:122,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:17500)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:2.5wt%)を用いた以外は、実施例5と同様の手順に従って、SRパターン付き銅配線基板を作製し、各種評価を行った。表2に結果をまとめて示す。
<Example 6>
In Example 5, polyglycidyl methacrylate (manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 52, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 7500) -containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) A cyclohexanone solution (polymer concentration: 2.5 wt%) containing polyglycidyl methacrylate (Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 122, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 17500) was used. Except for the above, a copper wiring board with an SR pattern was prepared according to the same procedure as in Example 5, and various evaluations were performed. Table 2 summarizes the results.

<実施例7>
実施例5でポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:52,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:7500)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)の代わりにポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:251,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:36000)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)を用いた以外は、実施例5と同様の手順に従って、SRパターン付き銅配線基板を作製し、各種評価を行った。表2に結果をまとめて示す。
<Example 7>
In Example 5, polyglycidyl methacrylate (manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 52, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 7500) -containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) Except that polyglycidyl methacrylate (manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 251, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 36000) -containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) was used. According to the same procedure as in Example 5, a copper wiring board with SR pattern was produced and various evaluations were performed. Table 2 summarizes the results.

<比較例7>
実施例5でポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:52,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:7500)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)の代わりにトリメチロールプロパントリグリシジルエーテル(アルドリッチ社製,反応性官能基Yの数:3,反応性官能基Y当量:100,数平均分子量:302)含有シクロヘキサノン溶液(化合物濃度:2.5wt%)を用いた以外は、実施例5と同様の手順に従って、SRパターン付き銅配線基板を作製し、各種評価を行った。表2に結果をまとめて示す。
<Comparative Example 7>
In Example 5, polyglycidyl methacrylate (manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 52, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 7500) -containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) A cyclohexanone solution (compound concentration: 2.5 wt%) containing trimethylolpropane triglycidyl ether (manufactured by Aldrich, number of reactive functional groups Y: 3, reactive functional group Y equivalent: 100, number average molecular weight: 302) A copper wiring board with an SR pattern was prepared according to the same procedure as in Example 5 except that it was used, and various evaluations were performed. Table 2 summarizes the results.

なお、表2中の「数平均分子量」は、第2の配線処理で使用したポリマーの数平均分子量を意味する。比較例7においては、使用したトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルの分子量を示す。   The “number average molecular weight” in Table 2 means the number average molecular weight of the polymer used in the second wiring process. In Comparative Example 7, the molecular weight of the used trimethylolpropane triglycidyl ether is shown.

表2に示すように、本発明の製造方法によって得られたプリント配線基板は、優れた初期密着性、および、密着性の経時安定性を示した。
特に、使用されるポリマーの数平均分子量が大きい実施例6および7においては、経時安定性がより優れることが確認された。これはポリマーの数平均分子量の増加により、応力緩和能が向上したためと推測される。
一方、ポリマーを用いた第2の配線処理を実施しなかった比較例7においては、経時安定性が劣っていた。
As shown in Table 2, the printed wiring board obtained by the production method of the present invention exhibited excellent initial adhesion and stability over time of adhesion.
In particular, in Examples 6 and 7 in which the number average molecular weight of the polymer used was large, it was confirmed that the stability over time was more excellent. This is presumably because the stress relaxation ability was improved by increasing the number average molecular weight of the polymer.
On the other hand, in Comparative Example 7 in which the second wiring process using the polymer was not performed, the temporal stability was inferior.

<実施例8>
シリコン基板上に銀を蒸着し、L/S=1000μm/100μmの銀配線を備える銀配線基板を形成した。得られた銀配線基板の銀配線の厚みは0.3μm、銀配線の表面粗さRzはRz=0.02μmであった。
次に、得られた銀配線基板を0.1mM テトラキス−(7−メルカプト−2,5−ジチアヘプチル)メタン含有シクロヘキサノン溶液に20分間浸漬し、その後、洗浄溶剤としてシクロへキノンを使用して銀配線基板を洗浄し、さらに水で洗浄した後、室温で乾燥させた。上記処理を施した後、ポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:335,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:48000)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)に室温で10分浸漬し、シクロヘキサノンで洗浄し、室温にて乾燥させた。
その後、処理された銀配線基板上に絶縁層(太陽インキ社製 PFR−800)をラミネートし、その後パターンマスク(L字パターン)越しに露光し、現像後、ベークし、さらに露光を行って、SR(ソルダーレジスト)パターンを銀配線基板上に(SRの膜厚:30μm)を作製した。得られたSRパターン付き銀配線基板に関して、湿潤環境下(温度130度、湿度85%RH、圧力1.2atm)(使用装置:espec社製、EHS−221MD)に100hr放置した後、サンプルを取り出し、上記テープ剥離試験を行った。表3に結果をまとめて示す。
<Example 8>
Silver was vapor-deposited on the silicon substrate to form a silver wiring substrate having a silver wiring of L / S = 1000 μm / 100 μm. The thickness of the silver wiring of the obtained silver wiring board was 0.3 μm, and the surface roughness Rz of the silver wiring was Rz = 0.02 μm.
Next, the obtained silver wiring board is immersed in a 0.1 mM tetrakis- (7-mercapto-2,5-dithiaheptyl) methane-containing cyclohexanone solution for 20 minutes, and then the silver wiring is formed using cyclohequinone as a cleaning solvent. The substrate was washed, further washed with water, and then dried at room temperature. After the above treatment, polyglycidyl methacrylate (manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 335, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 48000) -containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) ) For 10 minutes at room temperature, washed with cyclohexanone, and dried at room temperature.
Thereafter, an insulating layer (PFR-800 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) is laminated on the treated silver wiring substrate, then exposed through a pattern mask (L-shaped pattern), developed, baked, and further exposed. An SR (solder resist) pattern (SR film thickness: 30 μm) was produced on a silver wiring board. The obtained silver wiring board with SR pattern was left for 100 hours in a humid environment (temperature 130 °, humidity 85% RH, pressure 1.2 atm) (use apparatus: EHS-221MD, EHS-221MD), and then a sample was taken out. The tape peeling test was conducted. Table 3 summarizes the results.

<比較例8>
実施例8において、銀配線基板をポリグリシジルメタクリレート(Polymer Source社製,反応性官能基Yの数:335,反応性官能基Y当量:143,数平均分子量:48000)含有シクロヘキサノン溶液(ポリマー濃度:5wt%)に室温で10分浸漬し、シクロヘキサノンで洗浄する代わりに、銀配線基板を2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(アヅマックス社製)含有エタノール溶液(化合物濃度:10mM)に5分間浸漬して、エタノールで洗浄した以外は、同様の手順で湿潤環境下に100hr放置した後、サンプルを取り出し、上記テープ剥離試験を行った。表3に結果をまとめて示す。
<Comparative Example 8>
In Example 8, the silver wiring board was made of polyhexidyl methacrylate (Polymer Source, manufactured by Polymer Source, number of reactive functional groups Y: 335, reactive functional group Y equivalent: 143, number average molecular weight: 48000) containing cyclohexanone solution (polymer concentration: 5 wt%) for 10 minutes at room temperature, and instead of washing with cyclohexanone, the silver wiring board was treated with 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by AMAX Co.) ethanol solution (compound concentration: 10 mM) The sample was taken out for 100 hours after being left in a humid environment in the same procedure except that it was immersed in 5 minutes and washed with ethanol. Table 3 summarizes the results.

なお、表3において、「初期密着性」欄は湿潤環境下に100hr放置する前のSRパターン付き銀配線基板に対してテープ剥離試験を行った結果であり、上記(テープ剥離試験)と同じ評価基準に従って評価した。
また、表3において、「経時安定性」欄は、湿潤環境下に100hr放置した後のSRパターン付き銀配線基板に対してテープ剥離試験を行い、湿潤環境下における放置前後の残マス数との比(湿潤環境下放置後の剥離試験における残存マス数/湿潤環境下放置前の剥離試験における残存マス数)を求め、上記(経時密着試験)と同じ評価基準に従って評価した。
In Table 3, the “initial adhesion” column is a result of a tape peeling test performed on the silver wiring board with SR pattern before being left for 100 hours in a wet environment, and the same evaluation as the above (tape peeling test). Evaluation was made according to criteria.
In Table 3, the “Stability with time” column shows the number of remaining masses before and after being left in a wet environment by performing a tape peeling test on the silver wiring board with SR pattern after being left for 100 hours in a wet environment. The ratio (the number of remaining masses in the peeling test after being left in a wet environment / the number of remaining masses in the peeling test before being left in a wet environment) was determined and evaluated according to the same evaluation criteria as described above (time-dependent adhesion test).

表3に示すように、金属配線として銀配線を用いた場合においても、本発明の製造方法によって得られるプリント配線基板は、優れた初期密着性および経時安定性を示した。
一方、ポリマーを用いた第2の配線処理を実施しなかった比較例8においては、経時安定性が劣っていた。
As shown in Table 3, even when silver wiring was used as the metal wiring, the printed wiring board obtained by the production method of the present invention showed excellent initial adhesion and stability over time.
On the other hand, in Comparative Example 8 in which the second wiring process using the polymer was not performed, the temporal stability was inferior.

10:金属配線付き絶縁基板
12:絶縁基板
14:金属配線
16:チオール化合物の層
18:金属配線の表面に結合したチオール化合物の層
20:ポリマーの層
22:チオール化合物で覆われた金属配線に結合したポリマーの層
24:絶縁樹脂層
26:プリント配線基板
40:他の絶縁基板
50:他の金属配線
60:シランカップリング剤
62:ポリマー
10: Insulating substrate with metal wiring 12: Insulating substrate 14: Metal wiring 16: Layer of thiol compound 18: Layer of thiol compound bonded to the surface of the metal wiring 20: Layer of polymer 22: Metal wiring covered with thiol compound Bonded polymer layer 24: insulating resin layer 26: printed wiring board 40: other insulating board 50: other metal wiring 60: silane coupling agent 62: polymer

Claims (8)

2つ以上の反応性官能基X(ただし、シラノール基およびケイ素原子結合加水分解性基を除く)を有し、前記反応性官能基Xの少なくとも1つが式(1)で表される官能基を有するチオール化合物を用いて、絶縁基板と前記絶縁基板上に配置される金属配線とを有する金属配線付き絶縁基板の前記絶縁基板表面と前記金属配線表面とを覆う第1の被覆工程と、
溶剤を用いて、前記金属配線付き絶縁基板を洗浄して、前記絶縁基板表面上の前記チオール化合物を除去する第1の洗浄工程と、
前記反応性官能基Xと反応する反応性官能基Yを少なくとも3つ以上有するポリマーを用いて、前記絶縁基板表面と前記チオール化合物で覆われた金属配線表面とを覆う第2の被覆工程と、
溶剤を用いて、前記金属配線付き絶縁基板を洗浄して、前記絶縁基板表面上の前記ポリマーを除去する第2の洗浄工程と、
前記金属配線付き絶縁基板の金属配線側の表面上に、絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程とを有する、金属配線付き絶縁基板上に絶縁樹脂層が設けられたプリント配線基板の製造方法。

(式(1)中、L1は2価の脂肪族炭化水素基を表す。*は結合位置を表す。)
It has two or more reactive functional groups X (excluding silanol groups and silicon atom-bonded hydrolyzable groups), and at least one of the reactive functional groups X is a functional group represented by the formula (1) A first covering step of covering the insulating substrate surface and the metal wiring surface of the insulating substrate with a metal wiring having an insulating substrate and a metal wiring disposed on the insulating substrate using the thiol compound having
A first cleaning step of cleaning the insulating substrate with metal wiring using a solvent to remove the thiol compound on the surface of the insulating substrate;
A second coating step for covering the insulating substrate surface and the metal wiring surface covered with the thiol compound using a polymer having at least three reactive functional groups Y that react with the reactive functional group X;
A second cleaning step of cleaning the insulating substrate with metal wiring using a solvent to remove the polymer on the surface of the insulating substrate;
A method of manufacturing a printed wiring board having an insulating resin layer formed on an insulating substrate with metal wiring, comprising: an insulating resin layer forming step of forming an insulating resin layer on a surface on the metal wiring side of the insulating substrate with metal wiring. .

(In formula (1), L 1 represents a divalent aliphatic hydrocarbon group. * Represents a bonding position.)
前記ポリマーの数平均分子量が、10000以上である、請求項1に記載のプリント配線基板の製造方法。   The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein the number average molecular weight of the polymer is 10,000 or more. 前記反応性官能基Xが、前記式(1)で表される官能基、1級アミノ基、2級アミノ基、およびイソシアネート基からなる群から選択される基である、請求項1または2に記載のプリント配線基板の製造方法。   The reactive functional group X is a group selected from the group consisting of a functional group represented by the formula (1), a primary amino group, a secondary amino group, and an isocyanate group. The manufacturing method of the printed wiring board of description. 前記反応性官能基Yが、エポキシ基、アクリレート基、およびメタクリレート基からなる群から選択される基である、請求項1〜3のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the reactive functional group Y is a group selected from the group consisting of an epoxy group, an acrylate group, and a methacrylate group. 前記第2の被覆工程が、前記ポリマーを含有し、実質的に無機フィラーを含まないポリマー組成物を用いて、前記チオール化合物で覆われた金属配線表面と前記絶縁基板表面とを覆う工程である、請求項1〜4のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。   The second coating step is a step of covering the surface of the metal wiring covered with the thiol compound and the surface of the insulating substrate using a polymer composition containing the polymer and substantially free of an inorganic filler. The manufacturing method of the printed wiring board in any one of Claims 1-4. 前記ポリマー組成物中におけるポリマーの含有量が、ポリマー組成物全量に対して、0.01〜80質量%である、請求項5に記載のプリント配線基板の製造方法。   The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 5 whose content of the polymer in the said polymer composition is 0.01-80 mass% with respect to the polymer composition whole quantity. 前記反応性官能基Xの数が、4つ以上である、請求項1〜6のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。   The manufacturing method of the printed wiring board in any one of Claims 1-6 whose number of the said reactive functional groups X is four or more. 請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法より得られたプリント配線基板を有するICパッケージ基板。   The IC package board | substrate which has a printed wiring board obtained by the manufacturing method in any one of Claims 1-7.
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